KR101440415B1 - 진공처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공상태에서 웨이퍼, LCD 패널용 유리기판 등의 기판을 처리할 수 있는 진공처리장치에 관한 것이다. 특히 본 발명은 진공처리를 위한 처리공간을 가지는 진공챔버와; 상기 처리공간의 상측에 설치되어, 외부로부터 가스를 공급받아 상기 처리공간에 가스를 분사하는 샤워헤드를 포함하며; 상기 샤워헤드는 서로 분리된 복수 개의 샤워헤드블록들을 포함하고, 상기 복수 개의 샤워헤드블록들은 하나의 분사면을 이루는 것을 특징으로 하는 진공처리장치를 제시함으로써, 제조 및 운송이 용이해질 수 있고, 기판의 수율이 향상될 수 있는 이점을 가질 수 있다.
진공처리장치, 기판, 샤워헤드, 샤워헤드블록, 가스공급관

Description

진공처리장치 {Vacuum Processing Apparatus}
본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공상태에서 웨이퍼, LCD 패널용 유리기판 등의 기판을 처리할 수 있는 진공처리장치에 관한 것이다.
진공처리장치는 소정의 진공압 하의 처리공간에 샤워헤드를 통하여 가스를 분사하고 전원을 인가하여 플라즈마를 형성함으로써, 기판을 증착하거나, 식각하는 등 소정의 공정을 수행하는 장치이다.
이러한 진공처리장치에 의해 처리되는 주요 기판 중 하나인 LCD 패널용 유리기판은, LCD의 대형화 및 대량 생산을 위하여 대형화되고 있으며, 이에 대형화되는 기판을 처리하기 위한 진공처리장치 및 그에 설치되는 샤워헤드 또한 대형화되고 있다.
그런데, 샤워헤드를 비롯하여 진공처리장치가 대형화됨에 따라, 다음과 같은 문제점이 지적되고 있다.
우선, 대형의 진공처리장치의 제작에 따른 비용 및 기술상의 어려움이 있다.
또한, 진공처리장치가 대형화됨에 따라서 크기 및 무게의 증가로 인하여 운 송상 문제점이 있다.
또한, 진공처리장치에 설치되는 샤워헤드를 비롯한 설치물의 열변형, 처짐 등의 변형률이 커지고, 이로 인해 기판의 플라즈마 처리에 악영향을 미치는 문제점이 있다.
또한, 진공처리장치에 설치되는 샤워헤드를 비롯한 설치물의 지지를 위해, 두께 등의 크기가 더욱 증대되고, 추가적인 지지요소가 요구됨으로써, 구조적으로 복잡해지는 문제점이 있다.
또한, 진공처리장치의 대형화 따라서 처리공간 전체에서의 플라즈마의 밀도를 균일하게 하기 위해 샤워헤드를 비롯한 설치물들의 개선이 필요하다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 샤워헤드가 분리된 복수 개의 샤워헤드블록들로 구성되어 설치 및 제작이 용이한 진공처리장치를 제공함을 그 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 샤워헤드가 서로 분리된 복수 개의 샤워헤드블록으로 구성됨과 아울러, 각 샤워헤드블록들이 외부로부터 가스를 공급하는 가스공급관을 분기되어 연결됨으로써, 처리공간에서 균일한 플라즈마를 형성시킬 수 있는 진공처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 샤워헤드가 서로 분리된 복수 개의 샤워헤드블록으로 구성됨과 아울러, 각 샤워헤드블록이 최적화된 패턴의 분사홀들이 구비함으로 써 진공처리에 있어서 최적의 플라즈마를 형성할 수 있는 진공처리장치를 제공하는 데 있다.
상기한 과제를 해결하기 위해 본 발명은 진공처리를 위한 처리공간을 가지는 진공챔버와; 상기 처리공간의 상측에 설치되어, 외부로부터 가스를 공급받아 상기 처리공간에 가스를 분사하는 샤워헤드를 포함하며; 상기 샤워헤드는 서로 분리된 복수 개의 샤워헤드블록들을 포함하고, 상기 복수 개의 샤워헤드블록들은 하나의 분사면을 이루는 것을 특징으로 하는 진공처리장치를 제시한다.
상기 샤워헤드의 분사면은, 상기 처리공간으로 가스를 분사하는 다수 개의 분사홀들의 위치에 따라, 분사량이 다른 2개 이상의 분사영역으로 이루어질 수 있다.
또한 상기 복수개의 샤워헤드블록 중 적어도 하나는 상기 처리공간으로 가스를 분사하는 다수 개의 분사홀들의 위치에 따라, 분사량이 다른 2개 이상의 분사영역으로 이루어질 수 있다.
상기 복수개의 샤워헤드블록 중 적어도 하나는 다수 개의 분사홀들이 상기 분사영역에 따라서 그 직경이 서로 다르거나, 상기 다수 개의 분사홀들은 상기 분사영역에 따라서 상기 분사홀들 사이 간격이 서로 다르게 구성될 수 있다.
상기 복수 개의 샤워헤드블록들은 하나 이상의 형상을 가지도록 구성될 수 있다.
상기 각각의 샤워헤드블록은, 상기 처리공간의 상측에 설치되어 외부로부터 공급받은 가스가 확산되는 확산공간을 형성하는 확산플레이트와; 상기 확산플레이트의 하측에 구비되고 상기 확산공간에서 확산된 가스를 상기 처리공간으로 분사할 수 있도록 다수 개의 분사홀들이 형성된 분사플레이트를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 확산플레이트와 상기 분사플레이트는 분리되거나, 일체로 이루질 수 있다.
상기 처리공간에 설치되어 상기 복수 개의 샤워헤드블록들을 함께 지지하는 샤워헤드 지지프레임을 더 포함하여 구성될 수 있다.
한편 외부로부터 상기 샤워헤드로 가스를 공급하는 가스공급관은, 상기 진공챔버의 외부에서 분기되어 상기 각각의 샤워헤드블록과 연결될 수 있다.
상기 진공챔버는, 상측이 개방된 챔버본체와; 상기 챔버본체의 상측에 탈착 가능하게 결합되는 상부리드와; 상기 샤워헤드의 가장자리를 지지하도록 상기 챔버본체와 상기 상부리드 사이에 설치되는 보조리드를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 보조리드는, 상기 복수 개의 샤워헤드블록들을 함께 지지하는 샤워헤드 지지프레임과 일체로 형성될 수 있다.
상기 복수 개의 샤워헤드블록은 분리된 상태로 설치되거나 서로 탈착가능하게 결합되어 설치될 수 있다.
본 발명에 따른 진공처리장치는 샤워헤드가 복수 개의 샤워헤드블록들로 분리되어 제조 및 운송됨으로써, 제조 및 운송이 용이해질 수 있는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 진공처리장치는 샤워헤드가 복수 개의 샤워헤드블록들 로 분리됨으로써, 샤워헤드의 변형률을 최소화할 수 있고, 그 결과 샤워헤드의 지지구조가 간소해질 수 있고, 샤워헤드의 변형으로 인해 플라즈마가 불균일하게 형성되어 기판의 불량이 생기는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 진공처리장치는 복수 개의 샤워헤드블록들을 외부로부터 공급되는 가스가 최적 상태로 분사될 수 있도록 형성, 배치함으로써, 플라즈마를 신속하고 그 밀도가 균일하도록 형성할 수 있어 기판의 수율이 향상될 수 있는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 진공처리장치는 기판의 대형화에 대응하여 샤워헤드의 복수 개의 분사홀들의 패턴을 최적화함으로써, 플라즈마를 신속하고 그 밀도가 균일하도록 형성할 수 있어 기판의 수율이 향상될 수 있는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 진공처리장치는 외부로부터 가스를 공급하는 가스공급관을 분기하여 각각의 샤워헤드블록과 연결함으로써, 플라즈마를 신속하고 그 밀도가 균일하도록 형성할 수 있어 기판의 수율이 향상될 수 있는 이점이 있다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 제1실시 예에 관하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1실시 예에 따른 진공처리장치의 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 진공처리장치의 샤워헤드를 포함하는 진공처리장치의 측단면도이고, 도 3은 도 1의 진공처리장치의 샤워헤드의 저면도이다.
본 발명의 제1실시 예에 따른 진공처리장치는, 웨이퍼 또는 LCD 패널용 유리 기판(10) 등 기판(10)의 표면을 식각하거나 표면에 소정의 특성을 가지는 박막을 형성하는 등 진공처리공정을 수행하는 장치로서, 밀폐된 처리공간(20A)에 가스를 주입하면서 플라즈마를 형성하도록 구성될 수 있다.
상기 처리공간(20A)를 형성하는 진공챔버(20)는, 진공챔버(20)의 내부에 설치된 설치물들의 수리 또는 교체 등의 유지보수를 위하여, 상측이 개방된 챔버본체(22)와, 챔버본체(22)의 상측에 탈착 가능하게 결합되어 처리공간(20A)을 형성하는 상부리드(24)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 챔버본체(22)의 측면 중 적어도 하나에는 기판(10)의 입출을 위해 게이트 밸브(미도시) 등에 의해 개폐되는 게이트(22A)가 형성된다. 상기 상부리드(24)에는 후술할 가스공급관(60)이 연결될 수 있도록 적어도 하나의 가스공급홀(24A)이 형성된다.
또한 상기 진공챔버(20)는 진공압으로 인하여 상부리드(24) 및 후술할 샤워헤드(40)가 변형되는 것을 방지할 수 있도록, 챔버본체(22)와 상부리드(24) 사이에 설치되는 보조리드(26)를 더 포함할 수 있다. 물론 상기 상부리드(24)는 보조리드(26)와 탈착가능하게 설치된다.
상기 진공처리장치는 처리공간(20A)에 설치되어 기판(10)를 지지하는 기판지지부(30)를 포함할 수 있다. 상기 기판지지부(30)에는 기판(10)을 고정하기 위한 정전척(미도시), 기판(10)을 기판지지부(30)로부터 승하강시키기 위한 리프트핀(미도시), 기판(10)의 가열하기 위한 히터(미도시) 등이 설치될 수 있다.
또한 상기 진공처리장치는 처리공간(20A)에 플라즈마를 형성하기 위하여, 전원을 인가하는 전원인가부, 외부로부터 가스를 공급받아서 처리공간(20A)에 분사하 는 샤워헤드(40), 배기 및 압력제어를 위한 배기시스템(미도시) 등 다양한 모듈 및 장치들(설치물)이 설치될 수 있다.
상기 전원인가부는 전원인가방식 등에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일예로서 기판지지부(30)의 일부를 구성하며 RF전원이 인가되는 하부전극 및 상기 기판지지부(30)의 상측에 설치되는 상부전극으로 구성될 수 있다. 상기 상부전극은 단독으로 구성될 수 있다. 또는 상기 상부전극은 본 실시 예와 같이 상기 샤워헤드(40)의 적어도 일부 도는 보조리드(26)의 적어도 일부에 금속재질이 사용되고, 상기 샤워헤드(40) 및 보조리드(26)가 접지됨으로써, 샤워헤드(40) 또는 보조리드(26)와 일체로 구성될 수 있다.
이때, 상기와 같이 상부전극이 샤워헤드(40) 또는 보조리드(26)와 일체로 구성되는 경우, 플라즈마에 의하여 처리공간(20A) 쪽으로 노출된 표면을 포함하는 부분에서 에칭에 의하여 손상되거나 파티클이 퇴적되는 등 진공처리에 악영향을 미칠 수 있는바, 샤워헤드(40) 또는 보조리드(26)를 플라즈마로부터 보호하기 위하여 세라믹과 같은 실드부재(2)가 설치될 수 있다.
이하 본 발명에 따른 샤워헤드(40)에 관하여 상세히 설명한다.
상기 샤워헤드(40)는 외부로부터 공급받은 가스를 처리공간(20A)에 분사함과 아울러 상부전극의 기능을 동시에 수행하기 위해 처리공간(20A)의 상측에 설치되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 샤워헤드(40)는 본 실시 예와 같이 그 가장자리가 보조리드(26)에 의해 지지되도록 설치될 수 있다. 물론 상기 샤워헤드(40)는 설계조건 등에 따라서 처리공간(20A)의 상측에 설치되기 위해 상부리드(24)의 저면에 직 접 결합되도록 설치되는 것도 가능하고, 이외 다른 구성으로 설치될 수 있다.
상기 샤워헤드(40)는 일체형 구조로 구성될 수 있지만, 제조 및 운송 상 용이성 등을 위해 복수 개로 분리되어 제조됨과 아울러 복수 개로 분리되어 운송될 수 있도록, 분리형 구조로 구성되는 것이 보다 바람직하다.
특히 상기 분리형 구조의 샤워헤드(40)는 제조 및 운송 크기를 줄일 수 있도록, 높이방향을 따라서 분리되는 것보다는 면분할 방식으로 분리되는 것이 더 바람직하다.
상기 같은 분리형 구조의 샤워헤드(40)를 구성하기 위해, 상기 샤워헤드(40)는 하나의 분사면(40A)을 이루도록 면분할 방식으로 분리되고, 처리공간(20A)에 분사하는 복수 개의 샤워헤드블록(42)들을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 각각의 샤워헤드블록(42)은, 각 진공처리공정에 따라서 처리가스, 캐리어 가스 등을 상기 처리공간(20A)에 가스를 주입하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
일 예로써, 상기 각각의 샤워헤드블록(42)은 처리공간(20A)의 상측에 설치되어 가스공급관(60)의 분기부와 연결되어 외부로부터 공급받은 가스가 확산되는 확산공간(50A)을 형성하는 확산플레이트(50)와, 확산플레이트(50)와 결합되는 등 확산플레이트(50)의 하측에 구비되고 확산공간(50A)에서 확산된 가스를 처리공간(20A)으로 분사할 수 있도록 복수 개의 분사홀(52A)들이 형성된 분사플레이트(52)를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 확산플레이트(50)와 분사플레이트(52)는 분리구조로 구성되거 나, 일체형 구조로 구성될 수 있다. 본 실시 예에서는 상기 확산플레이트(50)와 상기 분사플레이트(52)가 분리구조로 구성된 예를 개시한다.
상기 확산플레이트(50)는 가스확산을 위한 하나 이상의 확산공간(50A)을 형성하도록 다양하게 구성될 수 있으며, 일 예로써 상기 상부리드(24) 및 분사플레이트(52)와의 사이에 각각 간격을 두도록 구성될 수 있다.
상기 확산플레이트(50)에는 외부로부터 공급받은 가스가 상기 다수 개의 분사홀(52A)들을 통해 분사될 수 있도록 복수 개의 확산홀(50B)이 형성된다.
상기 복수 개의 샤워헤드블록(42)은 서로 이격된 상태로 설치될 수 있다. 이때 상기 복수 개의 샤워헤드블록(42) 사이에는 후술할 샤워헤드 지지프레임(60)의 턱부(62)가 개재되거나, 이외 실시 예로써 탄성변형 가능한 절연부재가 개재될 수 있다. 또는 이외 실시 예로써 상기 복수 개의 샤워헤드블록(42)은 서로 붙은 상태로 설치될 수 있고, 이때 서로 단지 접촉만 되거나 서로 탈착 가능토록 결합될 수 있다.
상기 복수 개의 샤워헤드블록(42)들은 제조 및 운송 용이성, 기판(10)의 균일처리 등을 위해 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 본 실시 예와 같이 서로 동일한 형상 등 하나 이상의 형상으로 이루어질 수 있다.
상기 복수 개의 샤워헤드블록(42)들은 각각의 확산공간(50A)이 연통되도록 구성될 수 있으며, 이외 실시 예로써 각각의 확산공간(50A)이 구획될 수 있도록 구성되는 것도 가능하다.
상기 복수 개의 샤워헤드블록(42)들은 직접 진공챔버(20)에 결합될 수 있지 만, 처리공간(20A)에 설치된 샤워헤드 지지프레임(60)에 의해 함께 지지되어 간소하게 처리공간(20A)에 설치될 수 있다.
상기 샤워헤드 지지프레임(60)은 복수 개의 샤워헤드블록(42)들로부터 분사되는 가스를 방해하지 않도록, 각각의 샤워헤드블록(42)의 가장자리만을 지지토록 형성되는 것이 바람직하다.
상기 샤워헤드 지지프레임(60)은 단독으로 구성될 수도 있지만, 상술한 바와 같이 상기 보조리드(26)가 포함되는 경우 제조 용이성 및 구조적 간소화 등을 위해 보조리드(26)와 일체로 구성될 수 있다.
상기 샤워헤드 지지프레임(60)은 본 실시 예와 같이 확산플레이트(50)와 분사플레이트(52)가 분리구조인 경우 확산플레이트(50)가 상부리드(24) 및 분사플레이트(52)와 간격을 유지하여 확산공간(50A)을 형성할 수 있도록, 복수 개의 샤워헤드블록(42)들 사이에 개재되고 확산플레이트(50) 및 분사플레이트(52)를 받치는 턱부(62)를 가질 수 있다.
상기 샤워헤드 지지프레임(60)에 금속이 사용된 경우, 플라즈마로부터 상기 샤워헤드 지지프레임(60)을 보호하기 위해 샤워헤드 지지프레임(60)의 저면에는 보조리드(26)와 마찬가지로 실드부재(2)가 부착될 수 있다.
상기 샤워헤드(40)의 분사면(40A)은, 복수 개의 샤워헤드블록(42)들이 서로 붙어있도록 설치됨으로써 일체화될 수 있지만, 본 실시 예와 같이 복수 개의 샤워헤드블록(42)이 서로 이격된 상태로 설치되는 경우, 복수 개의 샤워헤드블록(42)에 대응하여 면분할될 수 있다.
또한 상기 샤워헤드(40)의 분사면(40A)는 기판(10)이 통상적으로 평면이므로 수평면에 대하여 수평한 평면으로 형성되는 것이 바람직하며, 이에 한정되지 않고 필요에 따라 곡면 등 다양하게 형성될 수 있다.
특히 상기 샤워헤드(40)의 분사면(40A)은, 기판(10)의 크기 등에 대응하여 플라즈마를 신속하고 그 밀도가 균일하게 형성할 수 있도록 다수 개의 분사홀(52A)들의 패턴의 최적화를 위해, 다수 개의 분사홀(52A)들의 위치에 따라 분사량이 다른 2개 이상의 분사영역(D1,D2)으로 이루어질 수 있다.
즉, 상기 다수 개의 분사홀(52A)들은 분사영역(D1,D2)에 따라서, 도 3에 도시된 바와 같이 그 직경이 다르도록 형성되거나, 도 4에 도시된 바와 같이 분사홀(52A)들 사이 간격이 서로 다르게 형성되거나, 도 5에 도시된 바와 같이 그 직경 및 분사홀(52A)들 사이 간격이 다르게 형성될 수 있다.
한편, 도 3 내지 도 5에서는 각각의 샤워헤드블록(42)에 2개 이상의 분사영역(D1,D2)이 형성된 예가 도시되어 있는데, 샤워헤드(40)의 분사면(40A)이 2개 이상의 분사영역(D1,D2)으로 이루어질 수 있다면 이에 한정되지 않고 다양하게 구성될 수 있음은 물론이다.
상기 샤워헤드(40)의 분사면(40A)은 샤워헤드(40)가 복수 개의 샤워헤드블록(42)들로 구성됨으로써, 적어도 일부의 샤워헤드블록(42)들이 2개 이상의 분사영역을 가짐으로써 보다 용이하게 2개 이상의 분사영역(D1,D2)으로 이루어질 수 있다.
상기와 같이 가스의 분사량이 다른 분사영역을 복수 개로 구성함으로써 진공 챔버(20)의 처리공간에서의 플라즈마 형성의 불균일성이나 비대칭성의 보완이 가능하다.
특히 상기 샤워헤드블록(42)들 내에 2개 이상의 분사영역(D1,D2)들을 형성하고, 각 샤워헤드블록(42)들이 조합됨으로써 전체적으로 2개 이상의 분사영역(D1,D2)들을 형성하는 등 샤워헤드 전체가 다양한 패턴의 분사면을 가지도록 구성할 수 있다.
한편, 상기 샤워헤드(40)는 외부로부터 가스를 공급받기 위해 가스공급관(60)과 연결되는데, 가스공급관(60)은 플라즈마가 신속하고 그 밀도가 균일하게 형성될 수 있도록, 복수 개의 샤워헤드블록(42)들에 대응하여 분기되어 각각의 샤워헤드블록(42)과 연결될 수 있다. 즉 상기 가스공급관(60)은 각각의 샤워헤드블록(42)에 적어도 하나의 가스공급관(60)이 연결될 수 있도록 분기된다.
상기 가스공급관(60)은 구조적 간소화 등을 위해 진공챔버(20)의 외부에서 분기되도록 구성되는 것이 바람직하다.
이하, 도 6 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 제2실시 예에 관하여 상세히 설명한다.
본 발명의 제2실시 예를 설명함에 앞서, 본 발명의 제2실시 예는 샤워헤드를 구성하는 각각의 샤워헤드블록의 구성을 제외하고는 본 발명의 제1실시 예와 동일하게 구성될 수 있는바, 본 발명의 제1실시 예와 동일한 상세한 설명을 생략함과 아울러 본 발명의 제1실시 예와 동일 구성에 대하여 같은 도면부호로 지시함을 개 시한다.
본 발명의 제2실시 예에 있어서, 각각의 샤워헤드블록(142)은, 확산공간을 갖는 확산플레이트와, 다수 개의 분사홀(152A)들이 형성된 분사플레이트가 일체형 구조로 구성된다.
즉, 상기 각각의 샤워헤드블록(142)은 확산플레이트와 분사플레이트가 일체화되어 하나의 샤워헤드본체(150)를 구성하며, 샤워헤드본체(150)에는 가스공급관과 연결되어 외부로부터 가스를 공급받는 적어도 하나의 제1유로(152)와, 제1유로(152)로부터 분기되고 가스가 처리공간(20A)으로 분사될 수 있도록 샤워헤드본체(150)의 저면에 형성된 다수 개의 분사홀(152A)들과 연결되는 적어도 하나의 제2유로(154)가 형성될 수 있다.
따라서, 외부로부터 공급된 가스가 샤워헤드본체(150)의 제1유로(152)와 제2유로(154)를 따라 유동되면서 확산되고, 확산된 가스가 다수 개의 분사홀(152A)들을 통해 처리공간(20A)을 향해 분사된다.
한편, 상기 각각의 샤워헤드블록(142)의 제1유로(152) 및 제2유로(154)는 이웃한 샤워헤드블록(142)의 제1유로(152) 및 제2유로(154)와 연통되도록 형성되거나, 독립된 유로를 갖도록 형성될 수 있다.
한편 상기와 같은 구조를 가지는 샤워헤드블록(142)는 알루미늄, 또는 알루미늄 합금과 같은 판재를 드릴 등을 사용하여 가로, 세로, 수직 방향 등 설계조건에 따라서 천공한 후 실링부재를 주입하거나 주입없이 용접 등에 의하여 일부를 밀봉함으로써 제1유로(152), 제2유로(154) 및 분사홀(152A)를 형성할 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1실시 예에 따른 진공처리장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 진공처리장치의 샤워헤드를 포함하는 진공처리장치의 측단면도이다.
도 3은 도 1의 진공처리장치의 샤워헤드의 저면도이다.
도 4는 도 1의 진공처리장치의 샤워헤드의 변형례를 보여주는 저면도이다.
도 5는 도 1의 진공처리장치의 샤워헤드의 다른 변형레를 보여주는 저면도이다.
도 6은 본 발명의 제2실시 예에 따른 샤워헤드의 샤워헤드블록 단면도이다.
도 7은 도 6의 A-A선에 따른 절개도이다.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
10; 기판 20; 진공챔버
22; 챔버본체 24; 상부리드
26; 보조리드 30; 기판지지부
40; 샤워헤드 40A; 분사면
42; 샤워헤드블록 50; 확산플레이트
52; 분사플레이트 60; 가스공급관

Claims (14)

  1. 진공처리를 위한 처리공간을 가지는 진공챔버와;
    상기 처리공간의 상측에 설치되어, 외부로부터 가스를 공급받아 상기 처리공간에 가스를 분사하는 샤워헤드를 포함하며;
    상기 샤워헤드는 서로 분리된 복수 개의 샤워헤드블록들을 포함하고, 상기 복수 개의 샤워헤드블록들은 하나의 분사면을 이루며,
    상기 복수 개의 샤워헤드블록들에 의하여 이루어지는 분사면은 상기 처리공간에 직접 가스를 분사하는 면인 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 샤워헤드의 분사면은, 상기 처리공간으로 가스를 분사하는 다수 개의 분사홀들의 위치에 따라, 분사량이 다른 2개 이상의 분사영역으로 이루어진 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수개의 샤워헤드블록 중 적어도 하나는 상기 처리공간으로 가스를 분사하는 다수 개의 분사홀들의 위치에 따라, 분사량이 다른 2개 이상의 분사영역으로 이루어진 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 다수 개의 분사홀들은 상기 분사영역에 따라서 그 직경이 서로 다른 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  5. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 다수 개의 분사홀들은 상기 분사영역에 따라서 상기 분사홀들 사이 간격이 서로 다른 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수 개의 샤워헤드블록들은 하나 이상의 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 각각의 샤워헤드블록은,
    상기 처리공간의 상측에 설치되어 외부로부터 공급받은 가스가 확산되는 확산공간을 형성하는 확산플레이트와;
    상기 확산플레이트의 하측에 구비되고, 상기 확산공간에서 확산된 가스를 상기 처리공간으로 분사할 수 있도록 다수 개의 분사홀들이 형성된 분사플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 확산플레이트와 상기 분사플레이트는 분리되거나, 일체로 이루진 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  9. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리공간에 설치되어 상기 복수 개의 샤워헤드블록들을 함께 지지하는 샤워헤드 지지프레임을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  10. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    외부로부터 상기 샤워헤드로 가스를 공급하는 가스공급관은, 상기 진공챔버의 외부에서 분기되어 상기 각각의 샤워헤드블록과 연결되는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  11. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진공챔버는,
    상측이 개방된 챔버본체와;
    상기 챔버본체의 상측에 탈착 가능하게 결합되는 상부리드와;
    상기 샤워헤드의 가장자리를 지지하도록 상기 챔버본체와 상기 상부리드 사이에 설치되는 보조리드를
    포함하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 보조리드는, 상기 복수 개의 샤워헤드블록들을 함께 지지하는 샤워헤드 지지프레임과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 복수 개의 샤워헤드블록은 분리된 상태로 설치되거나 서로 탈착가능하게 결합되어 설치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  14. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 복수 개의 샤워헤드블록은 분리된 상태로 설치되거나 서로 탈착가능하게 결합되어 설치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
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