JP6635492B1 - 基板回転装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】均一な薄膜を形成すること。【解決手段】基板回転装置100は、主回転機構150と、副回転機構171,175,179と、ガイド構造137Aとを備える。主回転機構は、第一の回転軸を中心に回転する。主回転機構は、副回転機構を備える。副回転機構は、主回転機構の回転に伴って第一の回転軸の周りを公転し、第二の回転軸を中心に自転する。第二の回転軸は、第一の回転軸に対する径方向に変位する。ガイド構造は、第一の回転軸に対する周方向に延びる接触面137Bを有する。ガイド構造は、径方向における第二の回転軸の変位を制御し、接触面と副回転機構とが接触するとき、副回転機構を接触面に沿った軌道で公転運動させる。【選択図】図2

Description

本開示は、成膜用の基板回転装置に関する。
複数のレンズに均一な厚さの薄膜を形成するために、複数のレンズをそれぞれ回転自在に保持するレンズホルダを備える薄膜蒸着装置が既に知られている(例えば、特許文献1参照)。この薄膜蒸着装置では、レンズホルダが回転する際、レンズが遊星歯車機構によってレンズホルダ上で回転する。これにより、レンズは、自転しながら、レンズホルダの回転に合わせて公転する。
特開平6−192835号公報
光学及び半導体分野で用いられる成膜装置においては、通常、基板上に均一に薄膜が形成される。大きな基板に均一な膜厚で薄膜を形成することができれば、成膜に係るコストを低下させ、製品の生産性を向上させることができる。
しかしながら、蒸着源などの膜材料源から飛散粒子として発せられる膜材料の、基板に対する空間分布は、不均一である。不均一性は、基板の広い面積に薄膜を形成しようとするほど、悪化する。
このため、基板上に形成された不均一な厚さの薄膜を、膜厚補正板で均すことによって、膜厚を均一化することが従来行われている。しかしながら、膜厚補正板を用いて膜厚を均一化する方法では、膜厚補正板を高精度に基板上に取り付けなければならず、更には、飛散粒子の空間分布に合わせて、膜厚補正板を、作り直す必要がある。
引用文献1のように、レンズ等の成膜対象の基板を、成膜時に公転及び自転させる技術によっても、不均一な飛散粒子の空間分布の影響を抑えて、基板上におよそ均一な薄膜を形成できる。しかしながら、この技術によっても、薄膜の均一性には、改善の余地がある。
そこで、本開示の幾つかの実施形態によれば、従来よりも基板上に均一な厚さの膜を形成するのに好適な技術を提供できるのが好ましい。
幾つかの実施形態によれば、成膜用の基板回転装置が提供される。基板回転装置は、主回転機構と、副回転機構と、ガイド構造と、を備える。主回転機構は、第一の回転軸を中心に回転する。
主回転機構は、副回転機構を備える。副回転機構は、主回転機構の回転に伴って第一の回転軸の周りを公転し、第二の回転軸を中心に自転する。副回転機構は、成膜対象の基板を支持する支持構造を有する。支持構造は、第二の回転軸を中心に回転する。第二の回転軸は、第一の回転軸に対する径方向に変位する。
ガイド構造は、第一の回転軸の周囲に設けられ、副回転機構の公転運動を制御する。ガイド構造は、第一の回転軸に対する周方向に延びる接触面を有する。ガイド構造は、径方向における第二の回転軸の変位を制御し、接触面と副回転機構とが接触するとき、副回転機構を接触面に沿った軌道で公転運動させる。
従来のように、遊星歯車機構を用いて、成膜対象の基板の支持構造を公転及び自転する方法では、公転軌道が真円の円軌道となる。本開示者は、この円軌道が、基板上に均一な膜厚を高精度に形成することの妨げになっていることに気づいた。
上述した幾つかの実施形態に係る基板回転装置によれば、ガイド構造によって支持構造の公転軌道を制御することができるので、遊星歯車機構のように支持構造の公転軌道が、歯車の形状に対応する真円に限定されない。すなわち、幾つかの実施形態に係る基板回転装置によれば、ガイド構造を真円以外の形状とすることで、真円以外の公転軌道を実現することができる。
このように、幾つかの実施形態によれば、支持構造及び基板の回転運動の設計自由度を高めることができる。この設計自由度は、膜材料の空間分布の不均一さを打ち消すように、成膜対象の基板内の各点の位置を上記空間分布に対して変位させることを可能にする。従って、幾つかの実施形態によれば、基板上に高精度に均一な薄膜を形成可能な成膜用の基板回転装置を提供することができる。
幾つかの実施形態によれば、接触面は、ガイド構造が備える第一の回転軸を向く内周面であってもよい。内周面は、副回転機構の径方向外側への変位を規制してもよい。
副回転機構には、主回転機構の回転系において径方向外側に遠心力が働く。すなわち、副回転機構は、径方向外側に変位しようとする。ガイド構造の内周面での副回転機構との接触により、遠心力による変位を規制すれば、副回転機構を安定的にガイド構造の内周面に沿う軌道で公転させることができ、支持構造の公転運動を高精度に制御することができる。この高精度な制御は、均一な膜厚形成に貢献する。
幾つかの実施形態によれば、主回転機構は、第一の回転軸を中心に回転する回転板を有してもよい。回転板は、径方向に沿うスリットを有してもよい。副回転機構は、スリットを貫通する第二の回転軸を有していてもよい。
副回転機構は、第二の回転軸の第一の端部に、支持構造を有する回転台を有していてもよい。副回転機構は、第二の回転軸の第一の端部とは反対側の第二の端部に、ガイド構造の接触面上を走行する車輪を有していてもよい。公転運動に伴って車輪が接触面上を走行している間、車輪と第二の回転軸を通じて連結された回転台とが自転してもよい。
こうした基板回転装置によれば、副回転機構のガイド構造に沿う公転及び自転を、比較的簡単な機械構造により実現することができる。
幾つかの実施形態によれば、副回転機構は、接触面に押し当てる方向に副回転機構を付勢するバネを介して主回転機構と連結されてもよい。このような付勢は、副回転機構をガイド構造の接触面に沿って安定的に且つ正確に公転させることを可能にし、結果として、膜厚の均一性を向上させる。
幾つかの実施形態によれば、基板回転装置は、副回転機構が楕円軌道で第一の回転軸の周りを公転運動するように構成されてもよい。幾つかの実施形態によれば、ガイド構造の接触面は、周方向において楕円形に配置されてもよい。
幾つかの実施形態によれば、ガイド構造の接触面は、周方向において点対称ではない環形に配置されてもよい。副回転機構は、非点対称の軌道で、第一の回転軸の周りを公転運動してもよい。こうした公転軌道は、均一な膜厚形成に有利である。なぜなら、膜材料の空間分布は、多くの場合、点対称の分布を示すためである。
幾つかの実施形態によれば、ガイド構造は、接触面の少なくとも一部を径方向に移動させるためのスライド機構を備えてもよい。スライド機構を備える基板回転装置によれば、利用者は、スライド機構を通じて公転軌道を調整することができ、より高精度に均一な膜厚を基板上に形成することができる。
幾つかの実施形態における基板回転装置を備える誘電体膜蒸着装置の概念図である。 幾つかの実施形態における基板回転装置の概略平面図である。 幾つかの実施形態における案内装置の概略平面図である。 幾つかの実施形態における基板回転装置の回転軸方向に沿う概略断面図である。 幾つかの実施形態における副回転装置が取り付けられた主回転装置の概略背面図である。 幾つかの実施形態におけるスリットの長尺方向に直交する断面における副回転装置の概略断面図である。 幾つかの実施形態における公転及び自転運動を説明した図である。 幾つかの実施形態における公転及び自転運動を説明した図である。 膜厚に関する実験結果を示すグラフである。 幾つかの実施形態におけるガイドレールの周方向の外形を示した図である。 幾つかの実施形態におけるスライド機構を備えるガイドレールの構成を示す図である。
以下に幾つかの実施形態を、図面を参照しながら説明する。
幾つかの実施形態の基板回転装置100は、誘電体膜蒸着又は結晶成長に用いられる成膜用の基板回転装置100である。基板回転装置100は、基板200上への均一な薄膜形成を支援するために、モータ110からの動力を受けて、成膜対象の基板200を公転及び自転させる。
基板200の例には、光学基板の他、半導体装置の製造に用いられる基板が含まれる。光学基板に対する薄膜形成は、例えば、光学基板に対して所定の光学特性を付与するために行われる。光学基板の例には、平面基板の他、凸面又は凹面を有する基板が含まれる。
基板回転装置100は、例えば図1に示すように、複数の蒸着源10を有する誘電体膜蒸着装置1の容器15内に配置される。基板回転装置100では、基板200の成膜対象面が蒸着源10と対向する。
基板回転装置100は、モータ110からの動力を受けて、容器15内で、基板200を公転及び自転させる。容器15は、真空状態に保持される。この状態で、蒸着源10からは膜材料が気化し、気化した膜材料が飛散粒子として容器15内に飛散する。図1における破線は、飛散粒子の広がりを概念的に示し、矢印は、飛散方向を概念的に示す。
飛散粒子が基板200に付着することにより、基板200上には薄膜が形成される。複数の蒸着源10は、異なる種類の薄膜を基板200上に積層する際、順に動作する。各蒸着源10は、動作時に、対応する種類の薄膜が基板200上に形成されるように、対応する膜材料を気化及び飛散させる。
各蒸着源10から基板200上に飛散する膜材料の空間分布は、概略点対称の幾何学形状を示す。中心に近いほど膜材料の飛散量は多く、中心から離れるほど膜材料の飛散量は小さい。
従って、基板200に形成される薄膜の膜厚λは、通常、関数λ=T(r)=T0+k1・r+k2・r+k3・r+…に従う分布、すなわち、中心からの距離rを変数として有する一変数多項式に従う分布を示す。基板200が回転運動せず静止している状態で薄膜形成が行われる場合、係数k1,k2,k3,…は、膜材料の飛散分布に従う。
幾つかの実施形態の基板回転装置100では、基板200を、公転及び自転させることにより、基板200上の各点を、膜材料の飛散分布に対して変位させる。これにより、係数k1,k2,k3,…を、ゼロに近づけ、定数項T0のみの、距離rによらない均一な膜厚λの分布T(r)を示す、一様な薄膜を基板200の広い面積に対して形成する。
基板回転装置100は、楕円等の真円ではない非点対称の公転軌道を実現することによって、従来よりも均一な薄膜形成を実現する。この公転軌道のために、基板回転装置100は、図2に示すように構成される。
図2に示す基板回転装置100は、案内装置130と、案内装置130上に取り付けられる主回転装置150と、主回転装置150に取り付けられる複数の副回転装置170と、を備える。
図2における破線は、基板回転装置100の表面より裏側に位置する部位の一部を透過して表す。図2における矢印は、主回転装置150が回転運動すること、副回転装置170が部分的に回転運動及び直線運動することを示している。
案内装置130は、図3及び図4に示すように、基礎板131と、基礎板131に玉軸受133を介して回転可能に保持されるシャフト135と、ガイド部材137と、を備える。
ガイド部材137は、ガイドレール137Aと、ガイドレール137Aの輪郭と同形状の周縁を有する底板137Cと、を備える。図4に示すように、ガイドレール137Aは、底板137Cの周縁から突設する。
底板137Cは、シャフト135を通すための孔137Dを有する。ガイド部材137は、孔137Dにシャフト135が貫通した状態で、基礎板131に例えば螺子留めにより固定される。
ガイドレール137Aは、ガイド部材137が基礎板131に固定された状態で、シャフト135の周りにおいて、非点対称の環形に配置される。図3に示す例によれば、ガイドレール137Aは、周方向に楕円形の輪郭を有する。
主回転装置150は、案内装置130に対し回転可能に保持される。主回転装置150は、図2及び図4に示すように、主回転板151と、シャフト155と、を備える。シャフト155は、主回転板151の中心から案内装置130に向けて主回転板151の法線方向に延びる。シャフト155は、主回転板151に連結され、更には、案内装置130のシャフト135の第一端に連結される。
シャフト135の第二端は、案内装置130の裏面に突出する。シャフト135の第二端には、モータ110が連結される。これにより、主回転装置150は、主回転板151がモータ110からの動力を受けて、シャフト155を中心に回転するように、案内装置130上に配置される。
図2に示すように主回転板151は、90度間隔で径方向に延びる長尺のスリット159を備える。副回転装置170の数は、スリット159と同数である。副回転装置170のそれぞれは、対応するスリット159を貫通する。
副回転装置170のそれぞれは、図2、図4、図5及び図6に示すように、回転台171と、シャフト175と、車輪179と、1軸スライドステージ180と、バネ構造185と、を備える。1軸スライドステージ180は、図4において破線に対応する位置に配置される。図4において1軸スライドステージ180の詳細は省略される。
シャフト175は、スリット159及び1軸スライドステージ180を貫通する。1軸スライドステージ180は、スリット159に沿って設けられ、主回転板151の裏面に固定される。
具体的に、1軸スライドステージ180は、シャフト175を、スリット159に沿って主回転板151の径方向に移動可能に保持する。1軸スライドステージ180は、シャフト175を回転可能に保持するための玉軸受181Aを含むステージ本体181を備える。ステージ本体181は、スリット159に沿って主回転板151の径方向にスライドする。
シャフト175の第一端は、主回転板151の表面から突出する。シャフト175の第一端は、回転台171の裏側で、回転台171の中心に連結される。これにより回転台171は、シャフト175を中心に回転可能な状態、且つ、シャフト175の移動に伴って主回転板151の径方向に直線運動可能な状態で、主回転板151の表側に配置される。
回転台171は、円形の輪郭を有し、表側に矩形状の基板200を支持する支持構造を有する。具体的には、回転台171は、表側に、基板200の形状に対応した矩形状の窪み171Aを有し、窪み171Aにはめ込まれた基板200を、支持する。
回転台171は、図4及び図6に示すように中空の内部構造を有し、基板200の縁を基板200の裏側から支持する。回転台171に連結されるシャフト175は、中空の筒状部材である。回転台171の空洞部171Bは、シャフト175の第一端とは反対側の第二端まで連通する。
シャフト175の第二端は、主回転板151の裏側に位置する。シャフト175の第二端には、シャフト175の開口部を覆うように受光センサRSが設けられる。受光センサRSは、基板200上から照射され、基板200及び上記空洞部171Bを通って伝播してくる測定光を受光し、その受光した測定光の受光強度に対応する信号を出力する。受光センサRSにより出力された信号は、基板200に形成された薄膜の厚みを計測するために用いられる。
シャフト175の第二端は、車輪179の中心に連結される。このようにしてシャフト175の第一端に回転台171が連結され、シャフト175の第二端に車輪179が連結されることにより、回転台171は、車輪179の回転に合わせて、シャフト175を中心に回転(自転)する。
車輪179の構成において、円形の輪郭を有する車輪本体179Aの側壁に、Oリング179Bが装着される。車輪179は、ガイドレール137Aの内周面137B上を走行するように、ガイドレール137Aの内周面137BにOリング179Bが接触する高さに配置される。
すなわち、車輪179は、主回転板151が回転するとき、主回転板151の回転によって生じる回転台171の公転運動に合わせて、ガイドレール137Aの内周面137B上を走行する。
バネ構造185は、車輪179がガイドレール137Aの内周面137Bから離れることなく、更にはスリップすることなく、ガイドレール137Aの内周面137B上を安定走行する挙動を実現するために設けられる。
バネ構造185は、スリット159を挟みスリット159の長尺方向に沿って配置された二つのバネ185Aを備える。二つのバネ185Aの第一端は、スリット159よりも主回転板151の径方向外側で、バネ固定部185Bに連結される。バネ固定部185Bは、主回転板151の裏面に固定される。
二つのバネ185Aの第一端とは反対側の第二端は、1軸スライドステージ180のステージ本体181に連結される。バネ185Aの長さは、張力が働いていない状態で、スリット159よりも十分短い。
このバネ構造185により、車輪179は、ステージ本体181及びシャフト175を通じて、主回転板151の径方向外側を向く張力をバネ185Aから受けて、ガイドレール137Aの内周面137Bに押し当てられる。
すなわち、車輪179は、バネ185Aから径方向外側への付勢力を受けて、ガイドレール137Aの内周面137Bに押し当てられる。これにより、車輪179は、ガイドレール137Aの内周面137Bでスリップしたりガイドレール137Aから離間したりすることが略ない状態で、自転しながらガイドレール137Aに沿う軌道上を公転する。
図3に示すようにガイドレール137Aが楕円形であるとき、副回転装置170の車輪179及びそれに連動する回転台171は、図7A及び図7Bに示すように楕円軌道で公転しながら、自転する。図7Aに示すように車輪179が配置された状態から、主回転板151が矢印方向に角度α回転すると、車輪179は、楕円軌道を描きながら、図7Bに示す位置に移動する。図7A及び図7Bにおいて主回転板151は破線で示される。
主回転板151の回転時、主回転板151の径方向における回転台171及び車輪179の位置は、遠心力、バネ構造185による付勢力、及び、ガイドレール137Aから車輪179への抗力を伴う力学的作用により、ガイドレール137Aに沿う位置に制御される。すなわち、ガイドレール137Aは、副回転装置170の車輪179との接触により上記径方向における車輪179及びシャフト175の位置を制御し、それにより回転台171の公転運動を制御する。
幾つかの実施形態の基板回転装置100は、ガイドレール137Aを用いた公転軌道の制御により、基板200を支持する回転台171を、非点対称の楕円軌道に沿って公転させつつ、回転台171を自転させる。この公転及び自転により、基板200上の各点を、蒸着源10からの膜材料の不均一な空間分布を横断するように複雑に変位させ、基板200の表面に均一な厚みの薄膜が形成されるようにする。
図8に示すグラフは、比較実験のために、主回転板151上で隣接する二つの副回転装置170の間に、主回転板151に対して動かないように固定した基板保持台を設けた状態で、基板回転装置100を回転させながら薄膜形成を行ったときの、回転台171に保持された基板200の膜厚λと、基板保持台に保持された基板200の膜厚λと、を計測した結果を示す。
グラフにおける横軸は、基板200表面の位置を示す。グラフにおける縦軸は、基板200の表面に形成された薄膜の膜厚λを示す。実線で示されたグラフが、基板保持台に載置された基板200上の膜厚λの空間分布を示し、点線で示されたグラフが、幾つかの実施形態の回転台171に載置された基板200上の膜厚λの空間分布示す。このように、幾つかの実施形態の基板回転装置100では、極めて高い精度で、基板200上に均一な厚さ(λ)の薄膜を形成できることが理解できる。
以上に説明したように、幾つかの実施形態の基板回転装置100では、主回転機構に対応する主回転装置150が、第一の回転軸(シャフト135,155)を中心に回転する。
副回転機構に対応する副回転装置170の回転台171、シャフト175及び車輪179が、主回転板151の回転に伴って、第一の回転軸(シャフト135,155)の周りを公転し、第二の回転軸(シャフト175)を中心に自転する。回転台171、シャフト175、及び車輪179は、主回転板151に設けられる。
副回転装置170においては、基板200の支持構造(窪み171A)を備える回転台171が、第二の回転軸(シャフト175)を中心に回転し、更には、第二の回転軸(シャフト175)が、主回転板151の径方向に変位する。
ガイド構造を構成するガイドレール137Aは、副回転装置170の公転運動を制御するために用いられる内周面137Bを有する。内周面137Bは、第一の回転軸(シャフト135,155)に対する周方向に延び、非点対称の環形の輪郭を有し、第一の回転軸を向く。
ガイドレール137Aは、内周面137Bを副回転装置170の車輪179と接触させ、主回転板151の径方向外側への車輪179の変位を規制する。この規制により、ガイドレール137Aは、第二の回転軸(シャフト175)及び回転台171のスリット159に沿う径方向への変位を、副回転装置170が内周面137Bに対応する軌道(内周面137Bに沿った軌道)で公転運動するように、制御する。
このように幾つかの実施形態の基板回転装置100は、膜厚補正板や遊星歯車機構を用いずに、回転台171の自転を伴う、非点対称の公転運動を実現し、基板200の各点を、蒸着源10から飛散する膜材料の空間分布に対して変位させる。従って、実験結果からも理解できるように、高精度に均一な薄膜を基板200の表面上に形成できる。
遊星歯車機構を用いた成膜では、公転軌道が真円であるために、関数T(r)の偶関数項、すなわち次数nが偶数のr項の影響を、その係数をゼロに近づけて取り除くことが難しい。これに対し、幾つかの実施形態では、非点対称の楕円形の公転軌道で回転台171を公転させることができるので、偶関数項の影響を取り除くことができ、均一な膜厚λを実現できる。
また、遊星歯車機構を用いた成膜では、公転軌道が真円であるために、飛散粒子の空間分布が異なる複数の蒸着源10を利用する場合に、蒸着源10のそれぞれで形成される薄膜をすべて均一に形成することが難しかった。幾つかの実施形態の基板回転装置100によれば、このような不均一性も抑制し得る。すなわち、基板回転装置100によれば、複数の蒸着源10のそれぞれを用いて形成される薄膜を、従来よりも均一に形成できる。
更に言えば、遊星歯車機構では、回転時に振動が発生しやすいが、幾つかの実施形態の基板回転装置100によれば、回転時の振動も抑制できる。この振動抑制は、高精度な膜厚形成に貢献する。
幾つかの実施形態では、歯車ではなく、ガイドレール137Aを用いて公転軌道を制御するため、比較的大規模な基板回転装置100を製造しやすく、大きな基板200に均一な膜厚を形成可能なシステムを構築できる。従って、幾つかの実施形態によれば、成膜に係るコストを低下させ、製品の生産性を向上させることができる。
幾つかの実施形態では、バネ構造185による付勢力及び遠心力を利用して、副回転装置170の車輪179をガイドレール137Aの内周面137Bに対し、離間しないように、更には、スリップしないように押し当てる。そして、車輪179の回転を利用して回転台171を第二の回転軸(シャフト175)を中心に回転させる。このことは、基板200の回転運動の高精度な制御を可能にし、高精度な薄膜形成を可能にする。
幾つかの実施形態によれば、ガイドレール137Aの周方向の形状を変更することで、図3に示される楕円軌道以外の様々な公転軌道も容易に実現できる。楕円率は、図3に示される例に限定されない。例えば、公転軌道は、楕円率a/bが0.99以下の任意の楕円であり得る。ここでaは、楕円の最短距離であり、bは、楕円の最長距離である。
ガイドレール137Aは、図9に示すように、楕円形以外の非点対称の環形の輪郭を有したガイドレール139Aに変更されてもよい。ガイドレール139Aは、基礎板131上において、周方向に蛇行するように配置されてもよい。
ガイドレールの形状が異なる複数のガイド部材137を用意し、これらのガイド部材137を基礎板131に対して付け替えることにより、基板回転装置100では、非常に多種の公転運動を実現できる。
基板回転装置100には、ガイドレール137A,139Aを可動するための機構が設けられてもよい。図10に示すように、基板回転装置190は、第一のスライド機構141と第二のスライド機構142とを備える。第一のスライド機構141は、ガイドレール139Aの第一の部分1391を第一の回転軸に対する径方向にスライドさせる。第二のスライド機構142は、ガイドレール139Aの第二の部分1392を第一の回転軸に対する径方向にスライドさせる。第一のスライド機構141と第二のスライド機構142とは、案内装置130の基礎板131上に配置される。ガイドレール139Aの第一の部分1391及び第二の部分1392は、底板及びガイドレール139Aの他の部分から分離される。
基板回転装置190は、ガイドレール139Aの一部が移動可能に構成されること、第一及び第二のスライド機構141,142を備えることを除けば、上述した実施形態の基板回転装置100と同様に構成され得る。基板回転装置190によれば、膜厚の均一化のために、回転台171の公転軌道を調整できるので、より高精度な薄膜形成を実現できる。
上記に幾つかの実施形態における基板回転装置を例示的に説明したが、基板回転装置が上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の態様を採ることができることは、言うまでもない。
例えば、基板回転装置においてバネ構造185は設けられなくてもよい。バネ構造185なしでも遠心力によって十分に車輪179がガイドレール137A上に押圧される場合もあり得る。この他、図面に示される基板回転装置100は、概念的なものであり、基板回転装置100の各部の寸法や形状は、図示されるものに限定されない。
上記実施形態における1つの構成要素が有する機能は、複数の構成要素に分散して設けられてもよい。複数の構成要素が有する機能は、1つの構成要素に統合されてもよい。上記実施形態の構成の一部は、省略されてもよい。特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
1…誘電体膜蒸着装置、10…蒸着源、15…容器、100…基板回転装置、110…モータ、130…案内装置、131…基礎板、133…玉軸受、135…シャフト、137…ガイド部材、137A…ガイドレール、137B…内周面、137C…底板、137D…孔、139A…ガイドレール、141…第一のスライド機構、142…第二のスライド機構、150…主回転装置、151…主回転板、155…シャフト、159…スリット、170…副回転装置、171…回転台、171A…窪み、171B…空洞部、175…シャフト、179…車輪、179A…車輪本体、179B…Oリング、180…1軸スライドステージ、181…ステージ本体、181A…玉軸受、185…バネ構造、185A…バネ、185B…バネ固定部、190…基板回転装置、200…基板、RS…受光センサ。

Claims (8)

  1. 成膜用の基板回転装置であって、
    第一の回転軸を中心に回転する主回転機構と、
    前記主回転機構の回転に伴って前記第一の回転軸の周りを公転し、第二の回転軸を中心に自転する副回転機構と、
    前記第一の回転軸の周囲に設けられ、前記副回転機構の公転運動を制御するガイド構造と、
    を備え、
    前記主回転機構が、前記副回転機構を備え、
    前記第二の回転軸が前記第一の回転軸に対する径方向に変位し、
    前記副回転機構は、成膜対象の基板を支持する支持構造を備え、
    前記支持構造は、前記第二の回転軸を中心に回転し、
    前記ガイド構造は、前記第一の回転軸に対する周方向に延びる接触面を有し、
    前記ガイド構造は、前記径方向における前記第二の回転軸の変位を制御し、前記接触面と前記副回転機構とが接触するとき、前記副回転機構を前記接触面に沿った軌道で公転運動させる基板回転装置。
  2. 前記接触面は、前記ガイド構造が備える前記第一の回転軸を向く内周面であり、
    前記内周面は、前記副回転機構の前記径方向外側への変位を規制する請求項1記載の基板回転装置。
  3. 前記主回転機構は、前記第一の回転軸を中心に回転する回転板を有し、
    前記回転板は、前記径方向に沿うスリットを有し、
    前記副回転機構は、
    前記スリットを貫通する前記第二の回転軸と、
    前記第二の回転軸の第一の端部に配置され、前記支持構造を有する回転台と、
    前記第一の端部とは反対側の第二の端部に配置され、前記接触面上を走行する車輪と、を有し、
    前記公転運動に伴って前記車輪が前記接触面上を走行している間、前記車輪と前記第二の回転軸を通じて連結された前記回転台とが自転する請求項1又は請求項2記載の基板回転装置。
  4. 前記副回転機構は、前記接触面に押し当てる方向に前記副回転機構を付勢するバネを介して前記主回転機構と連結される請求項1〜請求項3のいずれか一項記載の基板回転装置。
  5. 前記副回転機構が、楕円軌道で、前記第一の回転軸の周りを公転運動する請求項1〜請求項4のいずれか一項記載の基板回転装置。
  6. 前記接触面が、前記周方向において楕円形に配置される請求項5記載の基板回転装置。
  7. 前記接触面は、前記周方向において点対称ではない環形に配置され、
    前記副回転機構は、非点対称の軌道で、前記第一の回転軸の周りを公転運動する請求項1〜請求項4のいずれか一項記載の基板回転装置。
  8. 前記ガイド構造は、前記接触面の少なくとも一部を前記径方向に移動させるためのスライド機構を備える請求項1〜請求項7のいずれか一項記載の基板回転装置。
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Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3128205A (en) * 1961-09-11 1964-04-07 Optical Coating Laboratory Inc Apparatus for vacuum coating
JPS58132755A (ja) * 1982-02-03 1983-08-08 Toshiba Corp アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置
US5002011A (en) * 1987-04-14 1991-03-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor deposition apparatus
JPH0688227A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Fujitsu Ltd 成膜装置
JP3412849B2 (ja) * 1992-12-25 2003-06-03 キヤノン株式会社 薄膜蒸着装置
JPH1018031A (ja) * 1996-07-03 1998-01-20 Mitsubishi Chem Corp スパッタリング装置
US6457864B1 (en) * 1998-05-14 2002-10-01 Massachusetts Institute Of Technology Omni-directional high precision friction drive positioning stage
JP3506949B2 (ja) * 1999-04-09 2004-03-15 松下電器産業株式会社 薄膜の製造方法、薄膜が形成された回転楕円体、及びこれを用いた電球と薄膜形成装置。
JP2000345336A (ja) * 1999-06-04 2000-12-12 Shinko Seiki Co Ltd マグネトロンスパッタリング装置
US6338775B1 (en) * 2000-08-07 2002-01-15 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Apparatus and method for uniformly depositing thin films over substrates
JP2004043934A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Sun Tec Corp Kk プラズマスパッタリング薄膜形成方法及び成膜装置
JP2006100401A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Seiko Epson Corp 配線パターン形成方法、配線パターン、電子機器
JP2006111952A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Olympus Corp 成膜装置
JP4603489B2 (ja) * 2005-01-28 2010-12-22 セイコーエプソン株式会社 波長可変フィルタ
JP4835826B2 (ja) * 2005-04-25 2011-12-14 株式会社昭和真空 液晶配向膜用真空蒸着装置およびその成膜方法
JP4721878B2 (ja) * 2005-11-22 2011-07-13 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
KR101188863B1 (ko) * 2009-12-23 2012-10-08 주식회사 코리아 인스트루먼트 챔버용 기판 이송장치 및 그 챔버 시스템
JP2012140648A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Canon Anelva Corp スパッタリング装置及びそのスパッタリング方法
KR20130052102A (ko) * 2011-11-11 2013-05-22 (주) 제이더블유테크널러지 박막 증착용 증발기
JP6000173B2 (ja) * 2013-03-19 2016-09-28 株式会社神戸製鋼所 Pvd処理装置及びpvd処理方法
TWI559440B (zh) * 2015-01-28 2016-11-21 漢民科技股份有限公司 晶圓承載裝置
KR102599567B1 (ko) * 2015-03-20 2023-11-06 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 성막 장치 및 성막 워크 제조 방법
CN205329156U (zh) * 2016-01-29 2016-06-22 郑州启航精密科技有限公司 滚珠离子镀膜用盘式支撑装置
CN107022754B (zh) * 2016-02-02 2020-06-02 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
CN207793417U (zh) * 2017-12-26 2018-08-31 德淮半导体有限公司 磁控装置和物理气相沉积设备
JP2019137892A (ja) * 2018-02-09 2019-08-22 漢民科技股▲分▼有限公司 成膜装置
JP2019188681A (ja) 2018-04-24 2019-10-31 住友ゴム工業株式会社 練りゴムの熱入れ装置および熱入れ方法

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