JP2010514167A5 - 基板プロセス装置 - Google Patents
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Description
マグレブ207X、207Y、207Z、209および216からの磁気フラックスは、ツール210との干渉を妨げるために制限され、遮蔽される。加えて、マグレブ207X、207Y、207Z、209および216並びに強磁性リング206を周辺配置することにより、これらおよびそのフラックスはツール210から離されるので、これらのフラックスは、電子ビーム結像等に用いられるツール210による磁気レンズ磁場と干渉しない。ツール210への好ましくない影響をさらに低下するために、例えば、セラミック、アルミニウム等の磁気透過性の材料で回転ステージ202を製作してもよい。加えて、高い電気抵抗率を有する材料で回転ステージ202を製作してもよく、ツール210に含まれる場合、電子ビーム光学カラムからの電子ビームに影響する場合がある渦電流を減少させてもよい。電気抵抗率は、渦電流をわずかなものとするよう十分に高い一方、表面からの電荷を消失できることが望ましい。一例として、限定せず、電気抵抗率は約1オームcmから約1000オームcmの範囲でもよい。適切な高電気抵抗率材料としては、シリコンカーバイド、タングステンカーバイドが挙げられるが、それらに限定されない。加えて、約1000オームcmを超える電気抵抗率を有する絶縁セラミックを、蓄積電荷消去用の表面処理と共に用いてもよい。
回転−リニアステージに関する上述の設計コンセプトのいくつかは、多くの従来のX−Yステージに有利に適用される場合もある。例えば、上述の装置200には、様々なマグレブおよび磁気モータが回転ステージおよびXステージの端部近傍に配置される利点があることに注意すべきである。これにより、当該デバイスにより発生する磁場は、ツール210に対して相当な距離となる。このような構成は、ツールが浮遊磁場に敏感であれば、特に有利であり得る。例えば、ツール210が電子ビームカラムを備える場合に、マグレブからの浮遊磁場は電子ビームを屈曲する場合があるので、結果として位置の誤差を生じる。ビームの屈曲を追跡して補正してもよいが、このような磁気的偏向は避けるかまたは少なくとも顕著に減少させることがより望ましい。回転ステージ202およびXステージ204の端部であって光学カラム210から離してマグレブを配置することにより、マグレブ由来の浮遊磁場に伴う誤差は顕著に低下する場合がある。ツール210の磁気レンズからの磁場が歪められないように、例えばセラミック等の磁気透過性の材料で回転ステージ202を製作してもよい。
本発明の実施形態に従って、端部に取り付けたマグレブによるステージ支持というこの同じ考えを、X−Yステージに適用してもよい。例えば、図4A〜4Bに、本発明の代替実施形態に係る基板プロセス装置400を示す。装置400は、Xステージ402およびYステージ404を備える。Xステージ402は、基板401を保持するために取り付けられたチャック403を備える。Xステージ402は、Xステージ402の角に取り付けられた垂直マグレブ406Aにより、Yステージ404から浮遊する。例えばリニアモータ405等により、Yステージ404に対するX軸に沿ったXステージ402の移動を制御してもよい。Yステージ404は、Yステージ404の角に取り付けられた垂直マグレブ406Bにより、Yステージ404が、チャンバ蓋408から浮遊する。例えばリニアモータ(図示せず)等を用いてチャンバ蓋408に対するY軸方向におけるYステージ404の移動を制御してもよい。適切なセンサを用いるフィードバックループに結合される、端部マウントされた水平マグレブ406Cを用いて、Y軸に沿ったYステージ404に対するXステージ402の位置を調節してもよい。Xステージ402は、例えば電子ビームカラム等を備えてもよい基板プロセスツール410に対してXおよびY方向に移動してもよい。リニアモータ405、垂直マグレブ406A、406Bおよび水平マグレブ406Cを、基板401から離して配置することにより、カラム410からの電子ビームの好ましくない磁気的偏向を避けてもよい。ツール410の磁気レンズからの磁場を歪めないよう、例えばセラミック等の磁気透過性の材料でXステージ402を製作してもよい。
上記には本発明の好適な実施形態を完全に記載してきたが、様々な変更、変形および等価物を用いることが可能である。従って、本発明の範囲は上記記載への参照には限定してはならず、添付の特許請求の範囲を参照し、等価物の全範囲に従って決定すべきである。好適か否かによらず全ての特徴は、好適か否かによらず他の任意の特徴と組み合わせてもよい。下記特許請求の範囲において、不定冠詞「A」または「An」は、特別途に明記しない限り、当該冠詞に続く一以上の事項の量を指す。「する手段」という語句を用いる所与の請求項において限定が明記されない限り、添付特許請求の範囲は、手段に加えて機能の限定を含むものとして解釈してはならない。
なお、本発明は、以下のような態様で実現することもできる。
適用例1:
基板プロセス装置であって、
支持構造と、
第1のステージおよび第2のステージを有する可動式ステージとを備え、
前記第1のステージは1つ以上の基板を保持するように適合され、
前記第1のステージは前記第2のステージに対して略固定された位置および方向を有する第1の軸に対して移動するように適合され、
前記第2のステージは第2の軸に沿って前記支持構造に対して移動するように適合され、前記可動式ステージはまた、前記第1のステージおよび/または前記第1のステージの端部に隣接する前記第2のステージに取り付けられた1つ以上の磁気浮上(マグレブ)ユニットを有する、基板プロセス装置。
適用例2:
前記第1のステージは回転ステージであり、前記第2のステージはリニア平行移動ステージであり、
前記回転ステージは1つ以上の基板を保持するように適合され、
前記回転ステージは前記リニア平行移動ステージに対して略固定された位置および方向を有する回転軸周囲を回転するように適合され、
前記リニア平行移動ステージは平行移動軸に沿って前記支持構造に対して移動するように適合され、前記可動式ステージはまた、前記回転ステージおよび/または前記回転ステージの端部に隣接する平行移動ステージに取り付けられた1つ以上の磁気浮上(マグレブ)ユニットを有する、適用例1に記載の装置。
適用例3:
前記マグレブユニットは前記リニア平行移動ステージに実装される1つ以上の回転ステージマグレブユニットを備え、
前記装置は、前記回転ステージの周辺に取り付けられた前記回転軸と同軸の強磁性体リングをさらに備え、
前記マグレブユニットは力を前記強磁性体リングに付与するように構成される、適用例2に記載の装置。
適用例4:
前記回転ステージマグレブユニットは、垂直方向の力を前記強磁性体リングに付与するように適合された、1つ以上の回転ステージ垂直マグレブユニットを備える、適用例3に記載の装置。
適用例5:
前記マグレブユニットは、前記平行移動ステージを前記支持構造から浮遊させるように適合された1つ以上の平行移動ステージ垂直マグレブユニットを備える、適用例4に記載の装置。
適用例6:
前記支持構造は、前記可動式ステージを含むチャンバの蓋である、適用例5に記載の装置。
適用例7:
前記平行移動ステージ垂直マグレブユニットは、対応の回転ステージ垂直マグレブと近接した構成にて配置される、適用例5に記載の装置。
適用例8:
前記磁気浮上ユニットは前記平行移動ステージに取り付けられた1つ以上の回転ステージの半径方向のマグレブユニットを備え、前記回転ステージの半径方向のマグレブユニットは半径方向において、力を前記強磁性体リングに付与するように適合される、適用例3に記載の装置。
適用例9:
前記半径方向のマグレブユニットは、前記回転軸および前記平行移動軸の両方に対して直交するY方向において、力を前記強磁性体リングに付与するように適合された1つ以上のY半径方向のマグレブユニットを含む、適用例8に記載の装置。
適用例10:
前記Y方向において、力を前記平行移動ステージに付与するように適合された1つ以上の平行移動ステージのYマグレブユニットをさらに備える、適用例9に記載の装置。
適用例11:
前記平行移動ステージのYマグレブユニットは、対応の回転ステージのYマグレブユニットと近接した構成にて配置される、適用例10に記載の装置。
適用例12:
前記回転ステージは、磁気的に透明な材料からなる、適用例2に記載の装置。
適用例13:
計測対照フレームに対する、前記回転ステージおよび/またはリニアステージおよび/または基板処理ツールの位置における変化を検知するように適合された1つ以上の干渉計をさらに備える、適用例2に記載の装置。
適用例14:
前記計測対照フレームは、前記可動式ステージを含むチャンバの蓋に固定される、適用例13に記載の装置。
適用例15:
1つ以上の干渉計は1つ以上の微分干渉計を備える、適用例14に記載の装置。
適用例16:
前記1つ以上の干渉計は、光源と光学センサとの間における1つ以上の光学経路に沿って配置された干渉計を備え、前記1つ以上の光学経路は参照ビーム経路および測定ビーム経路を備え、
前記測定ビーム経路は、前記チャンバの蓋に実装された第1の参照ミラーと、前記回転ステージ、前記平行移動ステージ、または前記支持構造に対して略固定された位置にある、基板処理ツールに実装された第2の参照ミラーとの間における一部分を備える、適用例14に記載の装置。
適用例17:
前記第1の参照ミラーは前記平行移動軸および前記回転軸に平行に方向付けられたY参照ミラーである、適用例16に記載の装置。
適用例18:
前記1つ以上の干渉計は前記平行移動ステージに実装された干渉計を備え、
前記第2の参照ミラーは前記回転ステージに取り付けられた円柱状ミラーであり、
前記円柱状ミラーは前記回転軸に略同軸である円柱状反射表面を有する、適用例17に記載の装置。
適用例19:
前記円柱状反射表面は前記回転ステージの周辺に位置される、適用例18に記載の装置。
適用例20:
前記円柱状反射表面は前記回転ステージの半径よりも短い半径を有する、適用例18に記載の装置。
適用例21:
前記平行移動ステージに実装された前記干渉計は、ビームスプリッタと前記円柱状ミラーとの間に配置される波面補正光学装置を備え、前記波面補正光学装置は、前記円柱状反射表面において、前記測定ビームから光の反射を補正するように構成される、適用例18に記載の装置。
適用例22:
前記波面補正光学装置は、前記回転軸において、前記ビームスプリッタから平行光の焦点を合わせるように適合される、適用例21に記載の装置。
適用例23:
前記波面補正光学装置は、前記円柱状反射表面において、前記ビームスプリッタから平行光の焦点を合わせるように適合される、適用例21に記載の装置。
適用例24:
前記第1の参照ミラーは、前記回転軸に対して直交する方向に向けられたZ参照ミラーである、適用例16に記載の装置。
適用例25:
前記1つ以上の干渉計は、前記平行移動ステージに実装された干渉計を備え、
前記第2の参照ミラーは前記回転ステージに取り付けられるか、またはその一部であり、
前記第2の参照ミラーは前記回転軸に対して略直交する反射表面を備える、適用例24に記載の装置。
適用例26:
前記回転ステージによって支持された1つ以上の基板を処理するように適合された基板処理ツールをさらに備え、
光学カラムは、前記支持構造に対して略固定された位置にある、適用例2に記載の装置。
適用例27:
前記基板処理ツールは電子ビームの光学カラムを備える、適用例26に記載の装置。
適用例28:
前記回転ステージに取り付けられた中心回転子および前記リニアステージに取り付けられた固定子をさらに備え、
前記回転子および前記固定子は前記回転軸の周囲にある前記回転ステージに回転運動を分与するように適合され、
前記回転子および前記固定子は、前記回転ステージの重さを支持するように構成される、適用例2に記載の装置。
適用例29:
前記回転子および固定子は、前記回転子上の前記固定子によってもたらされた磁力が前記回転ステージの重さの全てまたは殆どを支持するのに十分であるように構成される、適用例28に記載の装置。
適用例30:
前記第1のステージは第1の平行移動ステージであり、前記第2のステージは第2の平行移動ステージであり、
前記第1の平行移動ステージは1つ以上の基板を保持するように適合され、
前記第1の平行移動ステージは前記第2の平行移動ステージに対して略固定された位置および方向を有する第1の軸に対して直線的に移動するように適合され、
前記第2の平行移動ステージは、前記第1の軸に対して傾いている第2の軸に沿って前記支持構造に対して平行移動するように適合され、
前記1つ以上の磁気浮上(マグレブ)ユニットは、前記第1の平行移動ステージおよび/または前記第1の平行移動ステージの端部に隣接する前記第2の平行移動ステージに取り付けられ、
前記マグレブユニットは、前記第1の平行移動ステージと前記第2の平行移動ステージとの間において磁力をもたらすように適合される、適用例1に記載の装置。
適用例31:
前記支持構造は前記X−Yステージを含むチャンバの蓋である、適用例30に記載の装置。
適用例32:
前記マグレブユニットは、前記第2の軸に平行する方向に沿って、前記第1の平行移動ステージと前記第2の平行移動ステージとの間に力を付与するように構成される1つ以上のマグレブユニットを備える、適用例30に記載の装置。
適用例33:
前記マグレブユニットは、前記第1および第2の軸に直交する方向において、前記第1の平行移動ステージと前記第2の平行移動ステージとの間に力を付与するように適合された1つ以上の垂直マグレブユニットを備える、適用例30に記載の装置。
適用例34:
前記マグレブユニットは、前記第1および第2の軸に直交する方向において、前記支持構造と前記第2の平行移動ステージとの間に力を付与することによって、前記支持構造から前記第2の平行移動ステージを浮遊させるように適合された1つ以上の垂直マグレブユニットを備える、適用例30に記載の装置。
適用例35:
前記支持構造は前記可動式ステージを含むチャンバの蓋である、適用例34に記載の装置。
適用例36:
前記第1および/または第2の平行移動ステージは磁気的に透明な材料からなる、適用例30の装置。
適用例37:
前記第1の平行移動ステージおよび/または第2の平行移動ステージおよび/または前記支持構造に対して略固定された、光学カラムの位置における変化を検知するように適合され、かつ計測対照フレームに対して、前記第1の平行移動ステージによって支持される1つ以上の基板へ放射を向けるように適合された、1つ以上の干渉計をさらに備える、適用例30に記載の装置。
適用例38:
前記計測対照フレームは、前記可動式ステージを含むチャンバの蓋に固定される、適用例37に記載の装置。
適用例39:
1つ以上の干渉計が1つ以上の微分干渉計を含む、適用例37に記載の装置。
適用例40:
前記1つ以上の干渉計は、光源と光学センサとの間における1つ以上の光学経路に沿って配置された干渉計を備え、前記1つ以上の光学経路は、参照ビーム経路および測定ビーム経路を備え、
前記測定ビーム経路は、前記チャンバの蓋に実装される第1の参照ミラーと、前記回転ステージ、前記平行移動ステージ、または基板処理ツールに実装される第2の参照ミラーとの間の一部分を備える、適用例37に記載の装置。
適用例41:
前記第1の参照ミラーは、前記第1および第2の軸と略平行に向けられたZ参照ミラーである、適用例40に記載の装置。
適用例42:
前記1つ以上の干渉計は、前記第2の平行移動ステージに実装された干渉計を備え、
前記第2の参照ミラーは前記第1の平行移動ステージに取り付けられ、
前記第2の参照ミラーは前記第1および第2の軸に対して略直交する反射表面を備える、適用例41に記載の装置。
適用例43:
前記第1の平行移動ステージによって支持された1つ以上の基板を処理するように適合された基板処理ツールをさらに備え、
前記光学カラムは、前記支持構造に対して略固定された位置にある、適用例30に記載の装置。
適用例44:
前記基板処理ツールは電子ビームの光学カラムを備える、適用例43に記載の装置。
適用例45:
支持構造と、
回転ステージおよびリニア平行移動ステージを有する回転−リニアステージであって、
前記回転ステージは複数の基板を保持するように適合され、
前記回転ステージは、前記リニア平行移動ステージに対して、略固定された位置および方向を有する回転軸の周囲を、連続した動きで回転するように適合され、
前記リニア平行移動ステージは平行移動軸に沿って、前記支持構造に対して移動するように適合される、回転−リニアステージと、
前記支持構造に対して略固定された位置にある、リソグラフィ、検査、または計測ツールと、
前記ツールに対する前記基板の位置を、所望の位置から10ナノメートル以内に制御するように適合される制御システムと
を備える、基板プロセス装置。
適用例46:
前記リソグラフィ、検査、または計測ツールは電子ビームの光学カラムを備える、適用例45に記載の装置。
適用例47:
前記制御システムは、前記回転ステージ、1つ以上の前記基板、および/または前記電子ビームの位置を検知するように適合される1つ以上のセンサを含み、
前記制御システムは、前記支持構造に対する前記回転ステージの位置を調節するように適合された1つ以上のアクチュエータを備え、
前記電子ビームの光学カラムは、ビーム偏向機構を備え、
前記制御システムは、前記1つ以上のアクチュエータに結合されたステージコントローラおよび前記ビーム偏向機構に結合されたビームコントローラを備え、
前記ステージコントローラは、ビーム−基板位置誤差の低周波数成分を補正するように適合され、前記ビーム偏向機構は前記ビーム−基板位置誤差の高周波数成分を補正するように適合される、適用例46に記載の装置。
適用例48:
前記回転ステージに取り付けられた中心回転子および前記リニアステージに取り付けられた固定子をさらに備え、
前記回転子および前記固定子は前記回転軸の周囲にある前記回転ステージに回転運動を分与するように適合され、
前記回転子および前記固定子は、前記回転ステージの重さを支持するように構成される、適用例45に記載の装置。
適用例49:
前記回転子および固定子は、前記回転子上の前記固定子によってもたらされた磁力が前記回転ステージの重さの全てまたは殆どを支持するのに十分であるように構成される、適用例48に記載の装置。
適用例50:
回転ステージ上に複数の基板を保持することと、
前記回転ステージを、リニア平行移動ステージに対して略固定された位置および方向を有する回転軸の周囲を連続した動きで回転させることと、
平行移動軸に沿って支持構造に対して前記リニア平行移動ステージを平行移動させることと、
前記支持構造に対して略固定された位置にあるリソグラフィ、検査、または計測ツールを用いて前記基板を処理することと、
前記ツールに対する前記基板の位置を、所望の位置から10ナノメートル以内に制御することと
を含む、基板処理方法。
適用例51:
前記ツールに対する前記基板の位置を制御することは、前記回転ステージに取り付けられた中心回転子および前記リニアステージに取り付けられた固定子を用いて、前記回転ステージの重さを支持することを含む、適用例50に記載の方法。
適用例52:
前記回転ステージの重さを支持することは、前記回転ステージの重さの全てまたはその殆どを支持するために、前記回転子と前記固定子との間の磁力を用いることを含む、適用例51に記載の方法。
適用例53:
キャリアステージと、
1つ以上の基板を保持するように適合され、前記ステージに対して略固定された位置および方向を有する回転軸の周囲を、前記キャリアステージに対して回転するように適合された、回転ステージと、
所望の角速度にて前記回転ステージを維持するように適合され、および/または第1の角速度から第2の角速度へ、前記回転ステージを回転加速または回転減速するように適合された第1のモータと、
静止状態から前記第1の角速度へ、前記回転ステージを回転加速するように適合され、および/または、ゼロではない角速度から停止へ、前記回転ステージを回転減速するように適合された第2のモータと
を備える、基板プロセス装置。
適用例54:
前記第1のモータは、前記ステージに取り付けられた固定子および前記回転ステージに取り付けられた回転子を有する電気モータである、適用例53に記載の装置。
適用例55:
前記第2のモータは、前記ステージに取り付けられた固定子を有する電気モータであり、回転子および係合機構は、前記回転ステージまたは前記第1のモータの前記回転子に、前記第2のモータの前記回転子を選択的に係合するように構成される、適用例54に記載の装置。
適用例56:
前記係合機構は摩擦駆動を備える、適用例55に記載の装置。
適用例57:
前記摩擦駆動は、前記回転ステージを、前記回転ステージの縁に隣接して係合するように構成される、適用例56に記載の装置。
適用例58:
前記係合機構は、前記第2のモータのシャフトに取り付けられたクラッチプレートを備え、前記クラッチプレートおよび前記第1のモータの回転子は、相互に選択的な機械的係合のために構成される、適用例55に記載の装置。
適用例59:
前記係合機構は、前記クラッチプレート上の第1の接面および前記第1の回転子の回転子上の第2の接面を備える、適用例58に記載の装置。
適用例60:
前記係合機構は、前記第1および第2の接面を係合するために、前記クラッチプレートと前記第1のモータの前記回転子との間に相対的な軸方向運動を分与するように構成される、適用例59に記載の装置。
適用例61:
前記第1および第2の接面の一方が突起部を備え、前記第1および第2の接面の他方が、対応の凹部を備える、適用例59に記載の装置。
適用例62:
前記第1および第2のモータは、前記突起部と前記凹部とを係合するために、前記第1および第2の接面を互いに角度的に調整するように構成される、適用例59に記載の装置。
適用例63:
前記第1のモータおよび前記第2のモータは前記回転軸の周囲を回転するように構成される、適用例54に記載の装置。
適用例64:
前記第2のモータの前記回転子は前記回転ステージに取り付けられた導電性リングを備え、
前記導電性リングは前記回転軸と同軸であり、
前記第2のモータの前記固定子は、前記導電性リングにおいて、渦電流を誘発する回転磁気フラックスを生成するように構成され、
前記渦電流と前記回転フラックスとの間の作用が前記導電性リング上にトルクをもたらす、適用例63に記載の装置。
適用例65:
前記第1のモータは相対的に低いトルクリップルによって特徴付けられ、前記第2のモータは、前記第1のモータと比較して相対的に高いトルクリップルによって特徴付けられる、適用例53に記載の装置。
適用例66:
支持構造をさらに備え、
前記キャリアステージは、平行移動軸に沿って、前記支持構造に対して平行移動するように適合されたリニア平行移動ステージであり、前記回転ステージは、前記リニア平行移動ステージに沿って、前記支持構造に対して平行移動する、適用例53に記載の装置。
適用例67:
前記第1のモータは、前記キャリアステージに取り付けられた固定子および前記回転ステージに取り付けられた回転子を有する電気モータである、適用例66に記載の装置。
適用例68:
前記回転子および固定子は、前記回転子上の前記固定子によってもたらされた磁力が、前記回転ステージの重さの全てまたはその殆どを支持するのに十分である、適用例67に記載の装置。
適用例69:
前記第2のモータは前記支持構造に取り付けられ、前記装置は、前記第2のモータを、前記回転ステージまたは前記第1のモータの前記回転子に選択的に係合するように構成された係合機構をさらに備える、適用例67に記載の装置。
適用例70:
前記係合機構は磁気クラッチを備える、適用例69に記載の装置。
適用例71:
前記支持構造は、前記キャリアステージ、または前記キャリアステージおよび前記回転ステージを含むチャンバの蓋を支持するステージ基部である、適用例66に記載の装置。
適用例72:
前記回転ステージ、および/または前記回転ステージの端部に隣接する平行移動ステージに取り付けられた1つ以上の磁気浮上(マグレブ)ユニットをさらに備える、適用例66に記載の装置。
適用例73:
計測対照フレームに対する、前記回転ステージおよび/またはキャリアステージおよび/または基板処理ツールの位置における変化を検知するように適合された1つ以上のセンサをさらに備える、適用例53に記載の装置。
適用例74:
前記計測対照フレームは、前記キャリアステージ、および前記回転ステージ、または前記キャリアステージおよび回転ステージを含むチャンバを支持する基部に対して固定される、適用例73に記載の装置。
適用例75:
1つ以上のセンサは1つ以上の微分干渉計を含む、適用例73に記載の装置。
適用例76:
支持構造と、
回転ステージおよびリニア平行移動ステージを有する回転−リニアステージであって、
前記回転ステージは複数の基板を保持するように適合され、
前記回転ステージは、前記リニア平行移動ステージに対して、略固定された位置および方向を有する回転軸の周囲を、持続する運動にて回転するように適合され、
前記リニア平行移動ステージは平行移動軸に沿って、前記支持構造に対して平行移動するように適合される、回転−リニアステージと、
所望の角速度にて前記回転ステージを維持し、および/または第1の角速度から第2の角速度へ、前記回転ステージを加速または減速するように適合される第1のモータと、
静止状態から前記第1の角速度へ、前記回転ステージを加速し、および/またはゼロではない角速度から停止状態へ、前記回転ステージを減速するように適合される第2のモータと、
前記支持構造に対して略固定された位置にある、リソグラフィ、検査、または計測ツールと
を備える、基板プロセス装置。
適用例77:
前記リソグラフィ、検査、または計測ツールは、電子ビームのカラム、光学カラム、またはX線のカラムを備える、適用例76の装置。
適用例78:
前記ツールに対する前記基板の位置を、所望の位置から40ナノメートル以内に制御するように適合された制御システムをさらに備える、適用例76に記載の装置。
適用例79:
前記第1のモータは、前記キャリアステージに取り付けられた固定子および前記回転ステージに取り付けられた回転子を有する電気モータである、適用例76に記載の装置。
適用例80:
前記回転子および固定子は、前記回転子上の前記固定子によってもたらされた磁力が、前記回転ステージの重さの全てまたはその殆どを支持するのに十分であるように構成される、適用例79に記載の装置。
適用例81:
前記第2のモータは、前記キャリアステージに取り付けられた固定子を有する電気モータであり、回転子および係合機構は、前記第2のモータの前記回転子を、前記回転ステージまたは前記第1のモータの前記回転子に選択的に係合するように構成される、適用例79に記載の装置。
適用例82:
前記係合機構は摩擦駆動を備える、適用例81に記載の装置。
適用例83:
前記摩擦駆動は、前記回転ステージを、前記回転ステージの縁に隣接して係合するように構成される、適用例82に記載の装置。
適用例84:
前記係合機構は、前記第2のモータのシャフトに取り付けられたクラッチプレートを備え、前記クラッチプレートおよび前記第1のモータの回転子は、相互に選択的な機械的係合のために構成される、適用例83に記載の装置。
適用例85:
前記係合機構は、前記クラッチプレート上の第1の接面および前記第1の回転子の回転子上の第2の接面を備える、適用例84に記載の装置。
適用例86:
前記係合機構は、前記第1および第2の接面を係合するために、前記クラッチプレートと前記第1のモータの前記回転子との間に相対的な軸方向運動を分与するように構成される、適用例85に記載の装置。
適用例87:
前記第1および第2の接面の一方が突起部を備え、前記第1および第2の接面の他方が、対応の凹部を備える、適用例85に記載の装置。
適用例88:
前記第1および第2のモータは、前記突起部と前記凹部とを係合するために、前記第1および第2の接面を互いに角度的に調整するように構成される、適用例85に記載の装置。
適用例89:
前記第1のモータおよび前記第2のモータは前記回転軸の周囲を回転するように構成される、適用例76に記載の装置。
適用例90:
前記第2のモータの前記回転子は前記回転ステージに取り付けられた導電性リングを備え、
前記導電性リングは前記回転軸と同軸であり、
前記第2のモータの前記固定子は、前記導電性リングにおいて、渦電流を誘発する回転磁気フラックスを生成するように構成され、
前記渦電流と前記回転フラックスとの間の作用が前記導電性リング上にトルクをもたらす、適用例89に記載の装置。
適用例91:
前記第1のモータは相対的に低いトルクリップルによって特徴付けられ、前記第2のモータは、前記第1のモータと比較して相対的に高いトルクによって特徴付けられる、適用例90に記載の装置。
適用例92:
前記キャリアステージは、平行移動軸に沿って、前記支持構造に対して平行移動するように適合されたリニア平行移動ステージであり、前記回転ステージは、前記リニア平行移動ステージに沿って、前記支持構造に対して平行移動する、適用例76に記載の装置。
適用例93:
前記第1のモータは、前記キャリアステージに取り付けられた固定子および前記回転ステージに取り付けられた回転子を有する電気モータである、適用例92に記載の装置。
適用例94:
前記回転子および固定子は、前記回転子上の前記固定子によってもたらされた磁力が、前記回転ステージの重さの全てまたはその殆どを支持するのに十分であるように構成される、適用例93に記載の装置。
適用例95:
前記第2のモータは前記支持構造に取り付けられ、前記装置は、前記第2のモータを、前記回転ステージまたは前記第1のモータの前記回転子に選択的に係合するように構成された係合機構をさらに備える、適用例93に記載の装置。
適用例96:
前記係合機構は磁気クラッチを備える、適用例95に記載の装置。
適用例97:
前記支持構造は、前記キャリアステージ、または前記キャリアステージおよび前記回転ステージを含むチャンバを支持する基部である、適用例76に記載の装置。
適用例98:
前記回転ステージ、および/または前記回転ステージの端部に隣接する平行移動ステージに取り付けられた1つ以上の磁気浮上(マグレブ)ユニットをさらに備える、適用例76に記載の装置。
適用例99:
回転ステージ上に複数の基板を保持することと、
ブースタモータを用いて、静止状態から第1の角速度へ、キャリアステージに対して回転加速し、および/または、ゼロではない角速度から停止状態へ、前記回転ステージを減速することと、
所望の角速度にて前記回転ステージを維持し、および/または、相対的に低いトルクリップルによって特徴付けられる第1のモータを用いて、第1の角速度から第2の角速度へ、前記回転ステージを回転加速または回転減速することと、
支持構造に対して略固定された位置にあるリソグラフィ、検査、または計測ツールを用いて前記基板を処理しながら、平行移動軸に沿って前記支持構造に対してリニア平行移動ステージを平行移動することと、
を含む、基板処理方法。
適用例100:
前記ツールに対する前記基板の位置を、所望の位置から40ナノメートル以内に制御することをさらに含む、適用例99に記載の方法。
適用例101:
前記ツールに対する前記基板の位置を制御することは、前記回転ステージに取り付けられた中心回転子および前記リニア平行移動ステージに取り付けられた固定子を用いる前記回転ステージの重さを支持することを含む、適用例100に記載の方法。
適用例102:
前記回転ステージの重さを支持することは、前記回転ステージの重さの全てまたはその殆どを支持するために、前記回転子と前記固定子との間に磁力を用いることを含む、適用例101に記載の方法。
適用例103:
前記ブースタモータを前記回転ステージから選択的に係合および解除することをさらに含む、適用例99に記載の方法。
適用例104:
前記ブースタモータを選択的に係合および解除することは、前記ブースタモータの回転子と前記回転ステージとを同じ角速度で回転させることを含む、適用例103に記載の方法。
適用例105:
前記ブースタモータを選択的に係合および解除することは、前記回転ステージに対して前記ブースタモータの前記回転子を角度的に調整することをさらに含む、適用例104に記載の方法。
適用例106:
前記第1のモータは、キャリアステージに取り付けられた固定子および前記回転ステージに取り付けられた回転子を有する電気モータである、適用例99に記載の方法。
適用例107:
前記第2のモータは、前記リニア平行移動ステージに取り付けられた固定子を有する電気モータである、適用例106に記載の方法。
適用例108:
前記ブースタモータを用いて、静止状態から前記第1の角速度へ、前記回転ステージを回転加速し、および/またはゼロではない角速度から停止状態へ、前記回転ステージを減速することは、前記ブースタモータで前記回転ステージの縁に隣接する前記回転ステージに駆動力を付与することを含む、適用例99に記載の方法。
適用例109:
前記第1のモータおよび前記第2のモータは、前記回転軸の周囲を回転するように構成される、適用例99に記載の方法。
適用例110:
前記回転ステージを回転加速することは、回転磁気フラックスを、前記回転ステージに取り付けられた導電性リングに付与することを含み、
前記導電性リングは前記回転軸と同軸であり、
前記回転フラックスは前記導電性リングにおいて渦電流を誘発し、
前記渦電流と前記回転フラックスとの間における作用が前記導電性リング上にトルクをもたらして、前記回転ステージを回転加速する、適用例99に記載の方法。
なお、本発明は、以下のような態様で実現することもできる。
適用例1:
基板プロセス装置であって、
支持構造と、
第1のステージおよび第2のステージを有する可動式ステージとを備え、
前記第1のステージは1つ以上の基板を保持するように適合され、
前記第1のステージは前記第2のステージに対して略固定された位置および方向を有する第1の軸に対して移動するように適合され、
前記第2のステージは第2の軸に沿って前記支持構造に対して移動するように適合され、前記可動式ステージはまた、前記第1のステージおよび/または前記第1のステージの端部に隣接する前記第2のステージに取り付けられた1つ以上の磁気浮上(マグレブ)ユニットを有する、基板プロセス装置。
適用例2:
前記第1のステージは回転ステージであり、前記第2のステージはリニア平行移動ステージであり、
前記回転ステージは1つ以上の基板を保持するように適合され、
前記回転ステージは前記リニア平行移動ステージに対して略固定された位置および方向を有する回転軸周囲を回転するように適合され、
前記リニア平行移動ステージは平行移動軸に沿って前記支持構造に対して移動するように適合され、前記可動式ステージはまた、前記回転ステージおよび/または前記回転ステージの端部に隣接する平行移動ステージに取り付けられた1つ以上の磁気浮上(マグレブ)ユニットを有する、適用例1に記載の装置。
適用例3:
前記マグレブユニットは前記リニア平行移動ステージに実装される1つ以上の回転ステージマグレブユニットを備え、
前記装置は、前記回転ステージの周辺に取り付けられた前記回転軸と同軸の強磁性体リングをさらに備え、
前記マグレブユニットは力を前記強磁性体リングに付与するように構成される、適用例2に記載の装置。
適用例4:
前記回転ステージマグレブユニットは、垂直方向の力を前記強磁性体リングに付与するように適合された、1つ以上の回転ステージ垂直マグレブユニットを備える、適用例3に記載の装置。
適用例5:
前記マグレブユニットは、前記平行移動ステージを前記支持構造から浮遊させるように適合された1つ以上の平行移動ステージ垂直マグレブユニットを備える、適用例4に記載の装置。
適用例6:
前記支持構造は、前記可動式ステージを含むチャンバの蓋である、適用例5に記載の装置。
適用例7:
前記平行移動ステージ垂直マグレブユニットは、対応の回転ステージ垂直マグレブと近接した構成にて配置される、適用例5に記載の装置。
適用例8:
前記磁気浮上ユニットは前記平行移動ステージに取り付けられた1つ以上の回転ステージの半径方向のマグレブユニットを備え、前記回転ステージの半径方向のマグレブユニットは半径方向において、力を前記強磁性体リングに付与するように適合される、適用例3に記載の装置。
適用例9:
前記半径方向のマグレブユニットは、前記回転軸および前記平行移動軸の両方に対して直交するY方向において、力を前記強磁性体リングに付与するように適合された1つ以上のY半径方向のマグレブユニットを含む、適用例8に記載の装置。
適用例10:
前記Y方向において、力を前記平行移動ステージに付与するように適合された1つ以上の平行移動ステージのYマグレブユニットをさらに備える、適用例9に記載の装置。
適用例11:
前記平行移動ステージのYマグレブユニットは、対応の回転ステージのYマグレブユニットと近接した構成にて配置される、適用例10に記載の装置。
適用例12:
前記回転ステージは、磁気的に透明な材料からなる、適用例2に記載の装置。
適用例13:
計測対照フレームに対する、前記回転ステージおよび/またはリニアステージおよび/または基板処理ツールの位置における変化を検知するように適合された1つ以上の干渉計をさらに備える、適用例2に記載の装置。
適用例14:
前記計測対照フレームは、前記可動式ステージを含むチャンバの蓋に固定される、適用例13に記載の装置。
適用例15:
1つ以上の干渉計は1つ以上の微分干渉計を備える、適用例14に記載の装置。
適用例16:
前記1つ以上の干渉計は、光源と光学センサとの間における1つ以上の光学経路に沿って配置された干渉計を備え、前記1つ以上の光学経路は参照ビーム経路および測定ビーム経路を備え、
前記測定ビーム経路は、前記チャンバの蓋に実装された第1の参照ミラーと、前記回転ステージ、前記平行移動ステージ、または前記支持構造に対して略固定された位置にある、基板処理ツールに実装された第2の参照ミラーとの間における一部分を備える、適用例14に記載の装置。
適用例17:
前記第1の参照ミラーは前記平行移動軸および前記回転軸に平行に方向付けられたY参照ミラーである、適用例16に記載の装置。
適用例18:
前記1つ以上の干渉計は前記平行移動ステージに実装された干渉計を備え、
前記第2の参照ミラーは前記回転ステージに取り付けられた円柱状ミラーであり、
前記円柱状ミラーは前記回転軸に略同軸である円柱状反射表面を有する、適用例17に記載の装置。
適用例19:
前記円柱状反射表面は前記回転ステージの周辺に位置される、適用例18に記載の装置。
適用例20:
前記円柱状反射表面は前記回転ステージの半径よりも短い半径を有する、適用例18に記載の装置。
適用例21:
前記平行移動ステージに実装された前記干渉計は、ビームスプリッタと前記円柱状ミラーとの間に配置される波面補正光学装置を備え、前記波面補正光学装置は、前記円柱状反射表面において、前記測定ビームから光の反射を補正するように構成される、適用例18に記載の装置。
適用例22:
前記波面補正光学装置は、前記回転軸において、前記ビームスプリッタから平行光の焦点を合わせるように適合される、適用例21に記載の装置。
適用例23:
前記波面補正光学装置は、前記円柱状反射表面において、前記ビームスプリッタから平行光の焦点を合わせるように適合される、適用例21に記載の装置。
適用例24:
前記第1の参照ミラーは、前記回転軸に対して直交する方向に向けられたZ参照ミラーである、適用例16に記載の装置。
適用例25:
前記1つ以上の干渉計は、前記平行移動ステージに実装された干渉計を備え、
前記第2の参照ミラーは前記回転ステージに取り付けられるか、またはその一部であり、
前記第2の参照ミラーは前記回転軸に対して略直交する反射表面を備える、適用例24に記載の装置。
適用例26:
前記回転ステージによって支持された1つ以上の基板を処理するように適合された基板処理ツールをさらに備え、
光学カラムは、前記支持構造に対して略固定された位置にある、適用例2に記載の装置。
適用例27:
前記基板処理ツールは電子ビームの光学カラムを備える、適用例26に記載の装置。
適用例28:
前記回転ステージに取り付けられた中心回転子および前記リニアステージに取り付けられた固定子をさらに備え、
前記回転子および前記固定子は前記回転軸の周囲にある前記回転ステージに回転運動を分与するように適合され、
前記回転子および前記固定子は、前記回転ステージの重さを支持するように構成される、適用例2に記載の装置。
適用例29:
前記回転子および固定子は、前記回転子上の前記固定子によってもたらされた磁力が前記回転ステージの重さの全てまたは殆どを支持するのに十分であるように構成される、適用例28に記載の装置。
適用例30:
前記第1のステージは第1の平行移動ステージであり、前記第2のステージは第2の平行移動ステージであり、
前記第1の平行移動ステージは1つ以上の基板を保持するように適合され、
前記第1の平行移動ステージは前記第2の平行移動ステージに対して略固定された位置および方向を有する第1の軸に対して直線的に移動するように適合され、
前記第2の平行移動ステージは、前記第1の軸に対して傾いている第2の軸に沿って前記支持構造に対して平行移動するように適合され、
前記1つ以上の磁気浮上(マグレブ)ユニットは、前記第1の平行移動ステージおよび/または前記第1の平行移動ステージの端部に隣接する前記第2の平行移動ステージに取り付けられ、
前記マグレブユニットは、前記第1の平行移動ステージと前記第2の平行移動ステージとの間において磁力をもたらすように適合される、適用例1に記載の装置。
適用例31:
前記支持構造は前記X−Yステージを含むチャンバの蓋である、適用例30に記載の装置。
適用例32:
前記マグレブユニットは、前記第2の軸に平行する方向に沿って、前記第1の平行移動ステージと前記第2の平行移動ステージとの間に力を付与するように構成される1つ以上のマグレブユニットを備える、適用例30に記載の装置。
適用例33:
前記マグレブユニットは、前記第1および第2の軸に直交する方向において、前記第1の平行移動ステージと前記第2の平行移動ステージとの間に力を付与するように適合された1つ以上の垂直マグレブユニットを備える、適用例30に記載の装置。
適用例34:
前記マグレブユニットは、前記第1および第2の軸に直交する方向において、前記支持構造と前記第2の平行移動ステージとの間に力を付与することによって、前記支持構造から前記第2の平行移動ステージを浮遊させるように適合された1つ以上の垂直マグレブユニットを備える、適用例30に記載の装置。
適用例35:
前記支持構造は前記可動式ステージを含むチャンバの蓋である、適用例34に記載の装置。
適用例36:
前記第1および/または第2の平行移動ステージは磁気的に透明な材料からなる、適用例30の装置。
適用例37:
前記第1の平行移動ステージおよび/または第2の平行移動ステージおよび/または前記支持構造に対して略固定された、光学カラムの位置における変化を検知するように適合され、かつ計測対照フレームに対して、前記第1の平行移動ステージによって支持される1つ以上の基板へ放射を向けるように適合された、1つ以上の干渉計をさらに備える、適用例30に記載の装置。
適用例38:
前記計測対照フレームは、前記可動式ステージを含むチャンバの蓋に固定される、適用例37に記載の装置。
適用例39:
1つ以上の干渉計が1つ以上の微分干渉計を含む、適用例37に記載の装置。
適用例40:
前記1つ以上の干渉計は、光源と光学センサとの間における1つ以上の光学経路に沿って配置された干渉計を備え、前記1つ以上の光学経路は、参照ビーム経路および測定ビーム経路を備え、
前記測定ビーム経路は、前記チャンバの蓋に実装される第1の参照ミラーと、前記回転ステージ、前記平行移動ステージ、または基板処理ツールに実装される第2の参照ミラーとの間の一部分を備える、適用例37に記載の装置。
適用例41:
前記第1の参照ミラーは、前記第1および第2の軸と略平行に向けられたZ参照ミラーである、適用例40に記載の装置。
適用例42:
前記1つ以上の干渉計は、前記第2の平行移動ステージに実装された干渉計を備え、
前記第2の参照ミラーは前記第1の平行移動ステージに取り付けられ、
前記第2の参照ミラーは前記第1および第2の軸に対して略直交する反射表面を備える、適用例41に記載の装置。
適用例43:
前記第1の平行移動ステージによって支持された1つ以上の基板を処理するように適合された基板処理ツールをさらに備え、
前記光学カラムは、前記支持構造に対して略固定された位置にある、適用例30に記載の装置。
適用例44:
前記基板処理ツールは電子ビームの光学カラムを備える、適用例43に記載の装置。
適用例45:
支持構造と、
回転ステージおよびリニア平行移動ステージを有する回転−リニアステージであって、
前記回転ステージは複数の基板を保持するように適合され、
前記回転ステージは、前記リニア平行移動ステージに対して、略固定された位置および方向を有する回転軸の周囲を、連続した動きで回転するように適合され、
前記リニア平行移動ステージは平行移動軸に沿って、前記支持構造に対して移動するように適合される、回転−リニアステージと、
前記支持構造に対して略固定された位置にある、リソグラフィ、検査、または計測ツールと、
前記ツールに対する前記基板の位置を、所望の位置から10ナノメートル以内に制御するように適合される制御システムと
を備える、基板プロセス装置。
適用例46:
前記リソグラフィ、検査、または計測ツールは電子ビームの光学カラムを備える、適用例45に記載の装置。
適用例47:
前記制御システムは、前記回転ステージ、1つ以上の前記基板、および/または前記電子ビームの位置を検知するように適合される1つ以上のセンサを含み、
前記制御システムは、前記支持構造に対する前記回転ステージの位置を調節するように適合された1つ以上のアクチュエータを備え、
前記電子ビームの光学カラムは、ビーム偏向機構を備え、
前記制御システムは、前記1つ以上のアクチュエータに結合されたステージコントローラおよび前記ビーム偏向機構に結合されたビームコントローラを備え、
前記ステージコントローラは、ビーム−基板位置誤差の低周波数成分を補正するように適合され、前記ビーム偏向機構は前記ビーム−基板位置誤差の高周波数成分を補正するように適合される、適用例46に記載の装置。
適用例48:
前記回転ステージに取り付けられた中心回転子および前記リニアステージに取り付けられた固定子をさらに備え、
前記回転子および前記固定子は前記回転軸の周囲にある前記回転ステージに回転運動を分与するように適合され、
前記回転子および前記固定子は、前記回転ステージの重さを支持するように構成される、適用例45に記載の装置。
適用例49:
前記回転子および固定子は、前記回転子上の前記固定子によってもたらされた磁力が前記回転ステージの重さの全てまたは殆どを支持するのに十分であるように構成される、適用例48に記載の装置。
適用例50:
回転ステージ上に複数の基板を保持することと、
前記回転ステージを、リニア平行移動ステージに対して略固定された位置および方向を有する回転軸の周囲を連続した動きで回転させることと、
平行移動軸に沿って支持構造に対して前記リニア平行移動ステージを平行移動させることと、
前記支持構造に対して略固定された位置にあるリソグラフィ、検査、または計測ツールを用いて前記基板を処理することと、
前記ツールに対する前記基板の位置を、所望の位置から10ナノメートル以内に制御することと
を含む、基板処理方法。
適用例51:
前記ツールに対する前記基板の位置を制御することは、前記回転ステージに取り付けられた中心回転子および前記リニアステージに取り付けられた固定子を用いて、前記回転ステージの重さを支持することを含む、適用例50に記載の方法。
適用例52:
前記回転ステージの重さを支持することは、前記回転ステージの重さの全てまたはその殆どを支持するために、前記回転子と前記固定子との間の磁力を用いることを含む、適用例51に記載の方法。
適用例53:
キャリアステージと、
1つ以上の基板を保持するように適合され、前記ステージに対して略固定された位置および方向を有する回転軸の周囲を、前記キャリアステージに対して回転するように適合された、回転ステージと、
所望の角速度にて前記回転ステージを維持するように適合され、および/または第1の角速度から第2の角速度へ、前記回転ステージを回転加速または回転減速するように適合された第1のモータと、
静止状態から前記第1の角速度へ、前記回転ステージを回転加速するように適合され、および/または、ゼロではない角速度から停止へ、前記回転ステージを回転減速するように適合された第2のモータと
を備える、基板プロセス装置。
適用例54:
前記第1のモータは、前記ステージに取り付けられた固定子および前記回転ステージに取り付けられた回転子を有する電気モータである、適用例53に記載の装置。
適用例55:
前記第2のモータは、前記ステージに取り付けられた固定子を有する電気モータであり、回転子および係合機構は、前記回転ステージまたは前記第1のモータの前記回転子に、前記第2のモータの前記回転子を選択的に係合するように構成される、適用例54に記載の装置。
適用例56:
前記係合機構は摩擦駆動を備える、適用例55に記載の装置。
適用例57:
前記摩擦駆動は、前記回転ステージを、前記回転ステージの縁に隣接して係合するように構成される、適用例56に記載の装置。
適用例58:
前記係合機構は、前記第2のモータのシャフトに取り付けられたクラッチプレートを備え、前記クラッチプレートおよび前記第1のモータの回転子は、相互に選択的な機械的係合のために構成される、適用例55に記載の装置。
適用例59:
前記係合機構は、前記クラッチプレート上の第1の接面および前記第1の回転子の回転子上の第2の接面を備える、適用例58に記載の装置。
適用例60:
前記係合機構は、前記第1および第2の接面を係合するために、前記クラッチプレートと前記第1のモータの前記回転子との間に相対的な軸方向運動を分与するように構成される、適用例59に記載の装置。
適用例61:
前記第1および第2の接面の一方が突起部を備え、前記第1および第2の接面の他方が、対応の凹部を備える、適用例59に記載の装置。
適用例62:
前記第1および第2のモータは、前記突起部と前記凹部とを係合するために、前記第1および第2の接面を互いに角度的に調整するように構成される、適用例59に記載の装置。
適用例63:
前記第1のモータおよび前記第2のモータは前記回転軸の周囲を回転するように構成される、適用例54に記載の装置。
適用例64:
前記第2のモータの前記回転子は前記回転ステージに取り付けられた導電性リングを備え、
前記導電性リングは前記回転軸と同軸であり、
前記第2のモータの前記固定子は、前記導電性リングにおいて、渦電流を誘発する回転磁気フラックスを生成するように構成され、
前記渦電流と前記回転フラックスとの間の作用が前記導電性リング上にトルクをもたらす、適用例63に記載の装置。
適用例65:
前記第1のモータは相対的に低いトルクリップルによって特徴付けられ、前記第2のモータは、前記第1のモータと比較して相対的に高いトルクリップルによって特徴付けられる、適用例53に記載の装置。
適用例66:
支持構造をさらに備え、
前記キャリアステージは、平行移動軸に沿って、前記支持構造に対して平行移動するように適合されたリニア平行移動ステージであり、前記回転ステージは、前記リニア平行移動ステージに沿って、前記支持構造に対して平行移動する、適用例53に記載の装置。
適用例67:
前記第1のモータは、前記キャリアステージに取り付けられた固定子および前記回転ステージに取り付けられた回転子を有する電気モータである、適用例66に記載の装置。
適用例68:
前記回転子および固定子は、前記回転子上の前記固定子によってもたらされた磁力が、前記回転ステージの重さの全てまたはその殆どを支持するのに十分である、適用例67に記載の装置。
適用例69:
前記第2のモータは前記支持構造に取り付けられ、前記装置は、前記第2のモータを、前記回転ステージまたは前記第1のモータの前記回転子に選択的に係合するように構成された係合機構をさらに備える、適用例67に記載の装置。
適用例70:
前記係合機構は磁気クラッチを備える、適用例69に記載の装置。
適用例71:
前記支持構造は、前記キャリアステージ、または前記キャリアステージおよび前記回転ステージを含むチャンバの蓋を支持するステージ基部である、適用例66に記載の装置。
適用例72:
前記回転ステージ、および/または前記回転ステージの端部に隣接する平行移動ステージに取り付けられた1つ以上の磁気浮上(マグレブ)ユニットをさらに備える、適用例66に記載の装置。
適用例73:
計測対照フレームに対する、前記回転ステージおよび/またはキャリアステージおよび/または基板処理ツールの位置における変化を検知するように適合された1つ以上のセンサをさらに備える、適用例53に記載の装置。
適用例74:
前記計測対照フレームは、前記キャリアステージ、および前記回転ステージ、または前記キャリアステージおよび回転ステージを含むチャンバを支持する基部に対して固定される、適用例73に記載の装置。
適用例75:
1つ以上のセンサは1つ以上の微分干渉計を含む、適用例73に記載の装置。
適用例76:
支持構造と、
回転ステージおよびリニア平行移動ステージを有する回転−リニアステージであって、
前記回転ステージは複数の基板を保持するように適合され、
前記回転ステージは、前記リニア平行移動ステージに対して、略固定された位置および方向を有する回転軸の周囲を、持続する運動にて回転するように適合され、
前記リニア平行移動ステージは平行移動軸に沿って、前記支持構造に対して平行移動するように適合される、回転−リニアステージと、
所望の角速度にて前記回転ステージを維持し、および/または第1の角速度から第2の角速度へ、前記回転ステージを加速または減速するように適合される第1のモータと、
静止状態から前記第1の角速度へ、前記回転ステージを加速し、および/またはゼロではない角速度から停止状態へ、前記回転ステージを減速するように適合される第2のモータと、
前記支持構造に対して略固定された位置にある、リソグラフィ、検査、または計測ツールと
を備える、基板プロセス装置。
適用例77:
前記リソグラフィ、検査、または計測ツールは、電子ビームのカラム、光学カラム、またはX線のカラムを備える、適用例76の装置。
適用例78:
前記ツールに対する前記基板の位置を、所望の位置から40ナノメートル以内に制御するように適合された制御システムをさらに備える、適用例76に記載の装置。
適用例79:
前記第1のモータは、前記キャリアステージに取り付けられた固定子および前記回転ステージに取り付けられた回転子を有する電気モータである、適用例76に記載の装置。
適用例80:
前記回転子および固定子は、前記回転子上の前記固定子によってもたらされた磁力が、前記回転ステージの重さの全てまたはその殆どを支持するのに十分であるように構成される、適用例79に記載の装置。
適用例81:
前記第2のモータは、前記キャリアステージに取り付けられた固定子を有する電気モータであり、回転子および係合機構は、前記第2のモータの前記回転子を、前記回転ステージまたは前記第1のモータの前記回転子に選択的に係合するように構成される、適用例79に記載の装置。
適用例82:
前記係合機構は摩擦駆動を備える、適用例81に記載の装置。
適用例83:
前記摩擦駆動は、前記回転ステージを、前記回転ステージの縁に隣接して係合するように構成される、適用例82に記載の装置。
適用例84:
前記係合機構は、前記第2のモータのシャフトに取り付けられたクラッチプレートを備え、前記クラッチプレートおよび前記第1のモータの回転子は、相互に選択的な機械的係合のために構成される、適用例83に記載の装置。
適用例85:
前記係合機構は、前記クラッチプレート上の第1の接面および前記第1の回転子の回転子上の第2の接面を備える、適用例84に記載の装置。
適用例86:
前記係合機構は、前記第1および第2の接面を係合するために、前記クラッチプレートと前記第1のモータの前記回転子との間に相対的な軸方向運動を分与するように構成される、適用例85に記載の装置。
適用例87:
前記第1および第2の接面の一方が突起部を備え、前記第1および第2の接面の他方が、対応の凹部を備える、適用例85に記載の装置。
適用例88:
前記第1および第2のモータは、前記突起部と前記凹部とを係合するために、前記第1および第2の接面を互いに角度的に調整するように構成される、適用例85に記載の装置。
適用例89:
前記第1のモータおよび前記第2のモータは前記回転軸の周囲を回転するように構成される、適用例76に記載の装置。
適用例90:
前記第2のモータの前記回転子は前記回転ステージに取り付けられた導電性リングを備え、
前記導電性リングは前記回転軸と同軸であり、
前記第2のモータの前記固定子は、前記導電性リングにおいて、渦電流を誘発する回転磁気フラックスを生成するように構成され、
前記渦電流と前記回転フラックスとの間の作用が前記導電性リング上にトルクをもたらす、適用例89に記載の装置。
適用例91:
前記第1のモータは相対的に低いトルクリップルによって特徴付けられ、前記第2のモータは、前記第1のモータと比較して相対的に高いトルクによって特徴付けられる、適用例90に記載の装置。
適用例92:
前記キャリアステージは、平行移動軸に沿って、前記支持構造に対して平行移動するように適合されたリニア平行移動ステージであり、前記回転ステージは、前記リニア平行移動ステージに沿って、前記支持構造に対して平行移動する、適用例76に記載の装置。
適用例93:
前記第1のモータは、前記キャリアステージに取り付けられた固定子および前記回転ステージに取り付けられた回転子を有する電気モータである、適用例92に記載の装置。
適用例94:
前記回転子および固定子は、前記回転子上の前記固定子によってもたらされた磁力が、前記回転ステージの重さの全てまたはその殆どを支持するのに十分であるように構成される、適用例93に記載の装置。
適用例95:
前記第2のモータは前記支持構造に取り付けられ、前記装置は、前記第2のモータを、前記回転ステージまたは前記第1のモータの前記回転子に選択的に係合するように構成された係合機構をさらに備える、適用例93に記載の装置。
適用例96:
前記係合機構は磁気クラッチを備える、適用例95に記載の装置。
適用例97:
前記支持構造は、前記キャリアステージ、または前記キャリアステージおよび前記回転ステージを含むチャンバを支持する基部である、適用例76に記載の装置。
適用例98:
前記回転ステージ、および/または前記回転ステージの端部に隣接する平行移動ステージに取り付けられた1つ以上の磁気浮上(マグレブ)ユニットをさらに備える、適用例76に記載の装置。
適用例99:
回転ステージ上に複数の基板を保持することと、
ブースタモータを用いて、静止状態から第1の角速度へ、キャリアステージに対して回転加速し、および/または、ゼロではない角速度から停止状態へ、前記回転ステージを減速することと、
所望の角速度にて前記回転ステージを維持し、および/または、相対的に低いトルクリップルによって特徴付けられる第1のモータを用いて、第1の角速度から第2の角速度へ、前記回転ステージを回転加速または回転減速することと、
支持構造に対して略固定された位置にあるリソグラフィ、検査、または計測ツールを用いて前記基板を処理しながら、平行移動軸に沿って前記支持構造に対してリニア平行移動ステージを平行移動することと、
を含む、基板処理方法。
適用例100:
前記ツールに対する前記基板の位置を、所望の位置から40ナノメートル以内に制御することをさらに含む、適用例99に記載の方法。
適用例101:
前記ツールに対する前記基板の位置を制御することは、前記回転ステージに取り付けられた中心回転子および前記リニア平行移動ステージに取り付けられた固定子を用いる前記回転ステージの重さを支持することを含む、適用例100に記載の方法。
適用例102:
前記回転ステージの重さを支持することは、前記回転ステージの重さの全てまたはその殆どを支持するために、前記回転子と前記固定子との間に磁力を用いることを含む、適用例101に記載の方法。
適用例103:
前記ブースタモータを前記回転ステージから選択的に係合および解除することをさらに含む、適用例99に記載の方法。
適用例104:
前記ブースタモータを選択的に係合および解除することは、前記ブースタモータの回転子と前記回転ステージとを同じ角速度で回転させることを含む、適用例103に記載の方法。
適用例105:
前記ブースタモータを選択的に係合および解除することは、前記回転ステージに対して前記ブースタモータの前記回転子を角度的に調整することをさらに含む、適用例104に記載の方法。
適用例106:
前記第1のモータは、キャリアステージに取り付けられた固定子および前記回転ステージに取り付けられた回転子を有する電気モータである、適用例99に記載の方法。
適用例107:
前記第2のモータは、前記リニア平行移動ステージに取り付けられた固定子を有する電気モータである、適用例106に記載の方法。
適用例108:
前記ブースタモータを用いて、静止状態から前記第1の角速度へ、前記回転ステージを回転加速し、および/またはゼロではない角速度から停止状態へ、前記回転ステージを減速することは、前記ブースタモータで前記回転ステージの縁に隣接する前記回転ステージに駆動力を付与することを含む、適用例99に記載の方法。
適用例109:
前記第1のモータおよび前記第2のモータは、前記回転軸の周囲を回転するように構成される、適用例99に記載の方法。
適用例110:
前記回転ステージを回転加速することは、回転磁気フラックスを、前記回転ステージに取り付けられた導電性リングに付与することを含み、
前記導電性リングは前記回転軸と同軸であり、
前記回転フラックスは前記導電性リングにおいて渦電流を誘発し、
前記渦電流と前記回転フラックスとの間における作用が前記導電性リング上にトルクをもたらして、前記回転ステージを回転加速する、適用例99に記載の方法。
Claims (8)
- 基板プロセス装置であって、
支持構造と、
第1のステージおよび第2のステージを有する可動式ステージとを備え、
前記第1のステージは1つ以上の基板を保持するように適合され、
前記第1のステージは前記第2のステージに対して略固定された位置および方向を有する第1の軸に対して移動するように適合され、
前記第2のステージは第2の軸に沿って前記支持構造に対して移動するように適合され、前記可動式ステージはまた、前記第1のステージおよび/または前記第1のステージの端部に隣接する前記第2のステージに取り付けられた1つ以上の磁気浮上ユニットを有し、
前記第1と第2のステージの少なくとも一方は、磁気透過性の材料で設けられている、基板プロセス装置。 - 前記第1のステージは回転ステージであり、前記第2のステージはリニア平行移動ステージであり、
前記回転ステージは前記リニア平行移動ステージに対して略固定された位置および方向を有する回転軸周囲を回転するように適合され、
前記装置は、さらに、前記支持構造に対して固定された計測対照フレームに対する、前記回転ステージの位置、前記リニア平行移動ステージの位置、ならびにリソグラフィツール、検査ツール、および計測ツールの位置のうちの一つ以上の位置の変化であって、前記支持構造に対して固定された前記計測対照フレームに対する位置における変化を検知するように適合された1つ以上の干渉計をさらに備える、請求項1に記載の装置。 - 前記装置は、さらに、前記回転ステージに取り付けられた参照ミラーを備え、
前記1つ以上の干渉計は前記平行移動ステージに実装された干渉計を備え、
前記参照ミラーは前記回転軸に略同軸である円柱側面状の反射表面を有する、請求項2に記載の装置。 - 前記円柱側面状の反射表面は前記回転ステージの周辺に位置される、請求項3に記載の装置。
- 前記円柱側面状の反射表面は前記回転ステージの半径よりも短い半径を有する、請求項3に記載の装置。
- 前記平行移動ステージに実装された前記干渉計は、ビームスプリッタと前記参照ミラーとの間に配置される波面補正光学装置を備え、前記波面補正光学装置は、前記円柱側面状の反射表面において、測定ビームから光の反射を補正するように構成される、請求項3に記載の装置。
- 前記波面補正光学装置は、前記回転軸において、前記ビームスプリッタから平行光の焦点を合わせるように適合される、請求項6に記載の装置。
- 前記波面補正光学装置は、前記円柱側面状の反射表面において、前記ビームスプリッタから平行光の焦点を合わせるように適合される、請求項6に記載の装置。
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