TWI739623B - 基板旋轉裝置 - Google Patents
基板旋轉裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI739623B TWI739623B TW109134628A TW109134628A TWI739623B TW I739623 B TWI739623 B TW I739623B TW 109134628 A TW109134628 A TW 109134628A TW 109134628 A TW109134628 A TW 109134628A TW I739623 B TWI739623 B TW I739623B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- rotating
- substrate
- rotating shaft
- contact surface
- shaft
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 123
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 18
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 54
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 28
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
基板旋轉裝置包括主旋轉機構、副旋轉機構及導引構造。主旋轉機構係以第一轉軸為中心旋轉。主旋轉機構具有副旋轉機構。副旋轉機構隨著主旋轉機構的旋轉而繞第一轉軸周圍公轉並以第二轉軸為中心而自轉。第二轉軸相對於第一轉軸在徑向上位移。導引構造具有在相對於該第一轉軸的周方向上延伸的接觸面。導引構造控制第二轉軸在該徑向上的位移,當接觸面與副旋轉機構接觸時,使副旋轉機構在沿接觸面的軌道上進行公轉運動。
Description
本發明涉及用於成膜的基板旋轉裝置。
眾所皆知一種薄膜沉積裝置,具備透鏡固定具,該透鏡固定具以可旋轉方式分別固定住複數個鏡頭,以便在複數個鏡頭上形成有均勻厚度的薄膜(例如,茲參考專利文獻1)。在該薄膜沉積裝置中,當透鏡固定具旋轉時,透鏡藉由行星齒輪機構在透鏡固定具上旋轉。結果,在自旋轉的同時,透鏡將配合透鏡固定具的旋轉而公轉。
[專利文獻1]日本專利特開平6-192835號公報
在光學和半導體領域中所使用的成膜裝置中,通常會在基板上均勻地形成薄膜。如果在可以在大基板上形成具有均勻膜厚度的薄膜,就可以降低成膜的成本並且可提高產品的生產率。
然而,作為散射粒子從薄膜材料源例如沉積源向基板散發的薄膜材料的空間分佈並非均勻。試圖形成薄膜的基板的面積越大,不均勻性將越惡化。
因此,習知技術已經進行了利用膜厚校正板將形成在基板上的厚
度不均勻的薄膜整平來使膜厚度均勻。然而,在利用膜厚校正板使膜厚度均勻的方法中,必須將膜厚校正板以高精密度地安裝在基板上,此外,必須根據散射粒子的空間分佈來重新製作膜厚校正板。
如專利文獻1所述,在成膜時利用公轉和自轉成膜對象(例如透鏡等)的基板的技術,來抑制對不均勻散射粒子的空間分佈的影響,可以在基板上形成大致均勻的薄膜。但,即使採用該技術,薄膜的均勻性仍有改善的空間。
因此,根據本發明的一些實施例,與習知技術相比,較佳為能夠提供一種適用於在基板上形成有均勻膜厚度的技術。
根據一些實施例,提供了一種用於成膜的基板旋轉裝置。基板旋轉裝置包括主旋轉機構、副旋轉機構及導引機構。主旋轉機構係以第一轉軸為中心旋轉。
主旋轉機構具有副旋轉機構。副旋轉機構,隨著主旋轉機構的旋轉而繞第一轉軸周圍公轉並以第二轉軸為中心而自轉。副旋轉機構具有支撐成膜對象的基板的支撐構造。支撐構造係以第二轉軸為中心旋轉。第二轉軸相對於第一轉軸在徑向上位移。
導引構造,設置在第一轉軸周圍來控制副旋轉機構的公轉運動。導引構造具有相對於第一轉軸的周方向上延伸的接觸面。當接觸面和副旋轉機構接觸時,使副旋轉機構在沿接觸面的軌道上進行公轉運動。
如習知技術,在使用行星齒輪機構使成膜對象的基板的支撐構造進行公轉和自轉的方法中,公轉軌道為正圓形軌道。本發明人已經發現了該圓形軌道阻礙了在基板上以高精密度形成均勻的膜厚度。
根據上述幾個實施例的基板旋轉裝置,由於支撐構造的公轉軌道可以利用導引構造來控制,因此支撐構造的公轉軌道不限於如行星齒輪機構中與齒輪形狀相對應的正圓。亦即,根據本發明的一些實施例的基板旋轉裝置,藉由使導引構造的形狀為非正圓,可以實現除正圓以外的公轉軌道。
因此,根據一些實施例,可以提升支撐構造和基板的旋轉運動之
設計自由度。此種設計自由度可以相對於上述空間分佈來移動成膜對象的基板中每個點的位置,從而消除薄膜材料的空間分佈的不均勻性。因此,根據一些實施例,可以提供一種用於成膜的基板旋轉裝置,其能夠在基板上以高精密度地形成均勻的薄膜。
根據一些實施例,接觸面可以為朝導引構造具有的第一轉軸的內圍面。內圍面可以限制副旋轉機構往徑向外側位移。
在副旋轉機構上,離心力在主旋轉機構的旋轉系統中係往徑向外側而作用。亦即,副旋轉機構趨於往徑向外側來位移。如果藉由與導引構造的內圍面上的副旋轉機構接觸來限制因離心力引起的位移,則能夠使副旋轉機構沿著導引構造的內圍面的軌道上穩定地公轉,並且能以高精密度地控制支撐構造的公轉運動。該高精密度的控制有助於形成均勻的膜厚度。
根據一些實施例,主旋轉機構可具有以第一轉軸為中心旋轉的旋轉板。旋轉板可具有沿徑向的狹縫。副旋轉機構可具有貫通狹縫的第二轉軸。
副旋轉機構可以在第二轉軸的第一端具有轉盤,該轉盤具有支撐構造。副旋轉機構可在與第二轉軸的第一端相反測的第二端具有在導引構造的接觸面上行駛的輪子。在輪子隨著公轉運動而在接觸面上行駛期間,輪子與藉由第二轉軸與輪子連接的轉盤可以自轉。
根據如此的基板旋轉裝置,沿著副旋轉機構的導引構造的公轉和自轉就可以透過相對簡單的機械構造來實現。
根據一些實施例,副旋轉機構可經由彈簧而與主旋轉機構連接,該彈簧在向該接觸面按壓的方向上對副旋轉機構施力。此種的施力使得副旋轉機構能夠沿著導引構造的接觸面穩定且精確地公轉,從而提高膜厚度的均勻性。
根據一些實施例,基板旋轉裝置之副旋轉機構可在橢圓軌道上繞第一轉軸周圍公轉運動。根據一些實施例,導引構造的接觸面可在周方向上以橢圓形方式配置。
根據一些實施例,導引構造的接觸面可在周方向上配置成非點對稱的環形。副旋轉機構可在非點對稱軌道上繞第一轉軸周圍公轉運動。此種的
公轉軌道有利於形成均勻的膜厚度。此乃因為薄膜材料的空間分佈大多數為顯示出點對稱分佈。
根據一些實施例,導引構造可包括滑動機構,該滑動機構用於使該接觸面的至少一部分沿著徑向移動。根據具備有滑動機構的基板旋轉裝置,使用者可以利用滑動機構來調整公轉軌道,並且能以更高的精密度在基板上形成均勻的膜厚度。
1:介電體膜蒸鍍裝置
10:沉積源
15:容器
100:基板旋轉裝置
110:馬達
130:導引裝置
131:底座
133:滾珠軸承
135:轉軸
137:導引構件
137A:導軌
137B:內圍面
137C:底板
137D:孔
139A:導軌
141:第一滑動機構
142:第二滑動機構
150:主旋轉裝置
151:主旋轉板
155:轉軸
159:狹縫
170:副旋轉裝置
171:轉盤
171A:凹部
171B:空洞部
175:轉軸
179:輪子
179A:輪子本體
179B:O形環
180:單軸滑座
181:機台本體
181A:滾珠軸承
185:彈簧構造
185A:彈簧
185B:彈簧固定部
190:基板旋轉裝置
200:基板
RS:光接收傳感器
圖1為所示在一些實施例中包括基板旋轉裝置的介電體膜蒸鍍裝置的示意圖。
圖2為所示在一些實施例中的基板旋轉裝置的示意性平面圖。
圖3為所示在一些實施例中的導引裝置的示意性平面圖。
圖4為所示在一些實施例中沿著基板旋轉裝置的轉軸方向的示意性剖面圖。
圖5為所示在一些實施例中安裝有副旋轉裝置的主旋轉裝置的示意性後視圖。
圖6為所示在一些實施例中在與狹縫的長邊方向正交的剖面中的副旋轉裝置的示意性剖面圖。
圖7A為說明一些實施例中的公轉運動和自轉運動的示意圖。
圖7B為說明一些實施例中的公轉運動和自轉運動的示意圖。
圖8為所示與膜厚度有關的實驗結果的曲線圖。
圖9為所示在一些實施例中的導軌在周向上的外形的示意圖。
圖10為所示在一些實施例中的具有滑動機構的導軌的構造的示意圖。
以下搭配圖式說明一些實施例。
一些實施例的基板旋轉裝置100係用於介電膜沉積或結晶生長的成膜用的基板旋轉裝置100。基板旋轉裝置100從馬達110接收動力以使成膜對象的基板200公轉和自轉,以便在基板200上形成均勻的薄膜。
基板200的實例除了光學基板之外,還包含用於製造半導體裝置的基板。例如,為了要在光學基板上賦予預定的光學特性,而在光學基板上進行薄膜形成。光學基板的實例除了平面基板之外還包含具有凸面或凹面的基板。
如圖1所示,例如,基板旋轉裝置100係配置在具有複數個沉積源10的介電體膜蒸鍍裝置1的容器15內。在基板旋轉裝置100中,基板200的成膜對象之面係相對沉積源10。
基板旋轉裝置100從馬達110接收動力以使容器15中的基板200公轉和自轉。容器15保持在真空狀態下。於此種狀態下,薄膜材料從沉積源10中汽化,並且汽化的薄膜材料作為散射粒子分散在容器15中。圖1中的虛線在概念上示出了散射粒子的擴散,並且箭頭在概念上示出了散射的方向。
利用將散射粒子粘附到基板200上,在基板200上形成薄膜。當在基板200上層壓不同類型的薄膜時,複數個沉積源10將依順序工作。每個沉積源10汽化並散射相對應的薄膜材料,以便在工作期間在基板200上形成相對應類型的薄膜。
從每個沉積源10散射到基板200上的薄膜材料的空間分佈顯示為大約點對稱的幾何形狀。越靠近中心,散射的薄膜材料的量就越大而離中心越遠,則散射的薄膜材料的量就越小。
因此,在基板200上所形成的薄膜的厚度λ通常顯示出依據函數λ=T(r)=T0+k1.r+k2.r2+k3.r3+...的分佈,也就是說,顯示出依據具有距中心的距離r作為變數的一元多項式的分佈。當在基板200於靜止不轉動的狀態下形成薄膜時,係數k1,k2,k3,...將依循薄膜材料的散射分佈。
在一些實施例的基板旋轉裝置100中,使基板200公轉並自轉以使基板200上的每個點相對於薄膜材料的散射分佈移位。結果,在基板200的大面積區域上形成有均勻的薄膜,該均勻的薄膜顯示均勻之薄膜厚度λ的分佈T(r),
該薄膜厚度λ係將係數k1,k2和k3..趨近於零,且僅有常數項T0,與距離r無關。
基板旋轉裝置100藉由實現諸如橢圓的非點對稱的公轉軌道來達成比習知的旋轉裝置更均勻的薄膜形成。由於該公轉軌道,基板旋轉裝置100被構造為如圖2所示。
圖2所示的基板旋轉裝置100包括導引裝置130、安裝在導引裝置130上的主旋轉裝置150以及安裝在主旋轉裝置150上的複數個副旋轉裝置170。
圖2中的虛線以穿透的方式所示為位於基板旋轉裝置100的表面背面側的部分的一部分。圖2中的箭頭所示為主旋轉裝置150進行旋轉運動並且副旋轉裝置170進行部分旋轉運動及直線運動。
如圖3和圖4所示,導引裝置130包括底座131、經由滾珠軸承133以可旋轉方式保持在底座131上的轉軸135以及導引構件137。
導引構件137具有導軌137A和具有與導軌137A的輪廓相同的形狀之周緣的底板137C。如圖4所示,導軌137A從底板137C的周緣突出。
底板137C具有用於讓轉軸135穿過的孔137D。導引構件137係在轉軸135穿過孔137D的情況下,例如利用螺釘將其緊固定到底座131。
導軌137A係在導引構件137固定在底座131上的狀態下於轉軸135周圍配置成非點對稱的環狀。根據圖3所示的示例,導軌137A在周方向上具有橢圓形的輪廓。
主旋轉裝置150相對於導引裝置130以可旋轉方式保持。如圖2和圖4所示,主旋轉裝置150具有主旋轉板151和轉軸155。轉軸155在主旋轉板151的法線方向從主旋轉板151的中心朝導引裝置130延伸。轉軸155連接到主旋轉板151,並且還連接到導引裝置130的轉軸135的第一端。
轉軸135的第二端突出於導引裝置130的背面側。馬達110連接到轉軸135的第二端。藉此,主旋轉裝置150以主旋轉板151接收從馬達110來的動力並且以轉軸155為中心旋轉的方式配置在導引裝置130上,。
如圖2所示,主旋轉板151具有沿著徑向以90度的間隔延伸的細
長狀狹縫159。副旋轉裝置170的數量與狹縫159的數量相同。每個副旋轉裝置170穿過相對應的狹縫159。
如圖2、4、5和6所示,每個副旋轉裝置170分別具有轉盤171、轉軸175、輪子179、單軸滑座180和彈簧構造185。單軸滑座180配置在與圖4的虛線相對應的位置。在圖4中,省略了單軸滑座180的細節。
轉軸175穿過狹縫159和單軸滑座180。單軸滑座180沿著狹縫159而設置,並固定到主旋轉板151的背面側。
單軸滑座180使轉軸175沿著狹縫159且以可移動方式固定在主旋轉板151的徑向上。單軸滑座180具備有一機台本體181,機台主體181包含用以使轉軸175保持在可轉動狀態的滾珠軸承181A。機台主體181在主旋轉板151的徑向上沿著狹縫159滑動。
轉軸175的第一端從主旋轉板151的表面突出。轉軸175的第一端在轉盤171的背面側連接到轉盤171的中心。藉此,轉盤171在能夠以轉軸175為中心旋轉的狀態以及隨著轉軸175的移動而能夠沿主旋轉板151的徑向線性移動的狀態下配置在主旋轉板151的前側。
轉盤171具有圓形輪廓,並且在前側具有用於支撐矩形狀基板200的支撐構造。具體而言,轉盤171在前側具有與基板200的形狀相對應的矩形凹部171A,以支撐嵌入在凹部171A中的基板200。
如圖4和圖6所示,轉盤171具有中空內部構造,並且從基板200的背面側支撐基板200的邊緣。連接到轉盤171的轉軸175為中空的桶狀構件。轉盤171的空洞部171B連通到與轉軸175的第一端相反的第二端。
轉軸175的第二端位於主旋轉板151的背面側。在轉軸175的第二端設置有光接收傳感器RS,以覆蓋轉軸175的開口部。光接收傳感器RS係接收從基板200的上方照射並透過基板200和空洞部171B而傳遞的測量光,並輸出與該收到的測量光的受光強度相對應的信號。由光接收傳感器RS輸出的信號係用於測量形成在基板200上的膜厚度。
轉軸175的第二端連接到輪子179的中心。以此方式,轉盤171連接至轉軸175的第一端,並且輪子179連接至轉軸175的第二端,使得轉盤
171依據輪子179的旋轉而以轉軸175為中心旋轉(亦即公轉)。
在輪子179的構造中,O形環179B安裝在具有圓形輪廓的輪子本體179A的側壁上。輪子179配置在O形環179B接觸到導軌137A的內圍面137B的高度處,以便在導軌137A的內圍面137B上行駛。
亦即,當主旋轉板151旋轉時,輪子179將根據由主旋轉板151的旋轉而產生的轉盤171的公轉運動而在導軌137A的內圍面137B上行駛。
設置彈簧構造185係為了實現輪子179穩定地在導軌137A的內圍面137B上行駛而不會從導軌137A的內圍面137B脫離並且不會有滑動的情況。
彈簧構造185具備有兩個彈簧185A,該兩個彈簧185A係將狹縫159夾在中間並且沿著狹縫159的細長方向加以配置。兩個彈簧185A的第一端係在比狹縫159靠近主旋轉板151的徑向外側上而連接到彈簧固定部185B。彈簧固定部185B固定在主旋轉板151的背面側。
與第一端相對的兩個彈簧185A的第二端係連接到單軸滑座180的機台本體181。在沒有張力的情況下,彈簧185A的長度比狹縫159足夠短。
利用該彈簧構造185,輪子179經由機台本體181和轉軸175且從彈簧185A受到往主旋轉板151的徑向外側的拉力,而被抵靠到導軌137A的內圍面137B。
亦即,輪子179從彈簧185A受到徑向外側的作用力,並被抵靠在導軌137A的內圍面137B上。結果,輪子179大致上在導軌137A的內圍面137B上不滑動或不脫離導軌137A的狀態下自轉,同時在沿導軌137A的軌道上公轉。
如圖3所示,當導軌137A具有橢圓形狀時,副旋轉裝置170的輪子179和與輪子179互鎖的轉盤171,如圖7A和7B所示,在橢圓形軌道中公轉的同時也自轉。如圖7A所示,當主旋轉板151從配置有輪子179的狀態沿箭頭方向旋轉角度α時,輪子179在描繪橢圓形軌道的同時移動到圖7B所示的位置。在圖7A和7B中,主旋轉板151由虛線表示。
當主旋轉板151旋轉時,在主旋轉板151的徑向上的轉盤171和
輪子179的位置,係藉由離心力、彈簧構造185的推力以及伴隨從導軌137A到輪子179的阻抗力的力學作用,控制在沿著導軌137A的位置。也就是說,導軌137A藉由與副旋轉裝置170的輪子179接觸來控制上述徑向上的輪子179和轉軸175的位置,從而控制轉盤171的公轉運動。
一些實施例的基板旋轉裝置100,藉由使用導軌137A控制公轉軌道,使支撐基板200的轉盤171沿著非點對稱橢圓軌道公轉,並且使轉盤171自轉。藉由該公轉和自轉,使基板200上的每個點以橫切來自沉積源10的薄膜材料的不均勻空間分佈的方式複雜地移位,並且在基板200的表面上形成厚度均勻的薄膜。
圖8所示的曲線係顯示測量:為了進行比較實驗,在主旋轉板151上的兩個相鄰的副旋轉裝置170之間設置以相對於主旋轉板151不移動的方式固定的基板保持座的狀態下,使基板旋轉裝置100旋轉的同時形成薄膜時的保持在轉盤171上的基板200的厚度λ;及保持在基板保持座上的基板200的厚度λ的結果。
曲線圖中的橫軸表示基板200的表面的位置。圖中的縱軸表示在基板200的表面上所形成的薄膜厚度λ。實線所示的曲線圖所示為載置在基板保持座上的基板200上的薄膜厚度λ的空間分佈,而虛線所示的曲線圖所示為被載放在一些實施例的轉盤171上的基板200上的薄膜厚度λ的空間分佈。如上所述,可以理解到一些實施例的基板旋轉裝置100能在基板200上以極高的精密度形成具有均勻厚度(λ)的薄膜。
如上所述,在一些實施例的基板旋轉裝置100中,與主旋轉機構相對應的主旋轉裝置150係以第一轉軸(轉軸135、155)為中心旋轉。
與副旋轉機構相對應的副旋轉裝置170的轉盤171、轉軸175和輪子179隨著主旋轉板151的旋轉而以第一轉軸(轉軸135、155)周圍為中心自轉而以第二轉軸(轉軸175)為中心自轉。轉盤171和轉軸175以及輪子179設置在主旋轉板151上。
在副旋轉裝置170中,具有基板200的支撐構造(凹部171A)的轉盤171係以第二轉軸(轉軸175)為中心旋轉,並且第二轉軸(轉軸175)
往主旋轉板151的徑向上移位。
構成導引構造的導軌137A具有用於控制副旋轉裝置170的公轉運動的內圍面137B。內圍面137B相對於第一轉軸(轉軸135、155)的周方向上延伸,具有非點對稱的環狀的輪廓,並且面向第一轉軸。
導軌137A使內圍面137B與副旋轉裝置170的輪子179接觸,並且限制輪子179往主旋轉板151的徑向外側的位移。藉由該限制,導軌137A控制第二轉軸(轉軸175)和轉盤171沿著狹縫159往徑向位移,以使副旋轉裝置170在與內圍面137B相對應的軌道(沿著內圍面137B的軌道)公轉。
如上所述,一些實施例的基板旋轉裝置100,在不使用膜厚校正板或行星齒輪機構的情況下,實現了伴隨轉盤171的自轉的非點對稱公轉運動,並使基板200的每個點相對於從沉積源10散射的薄膜材料的空間分佈移位。因此,從實驗結果可以理解,可以在基板200的表面上以高精密度地形成均勻的薄膜。
在使用行星齒輪機構的成膜中,因為公轉軌道係一個正圓,函數T(r)的偶數函數項,亦即,n階為偶數的rn項的影響不易以該係數接近零的方式去除。另一方面,在一些實施例中,轉盤171可以在非點對稱橢圓形之公轉軌道上公轉,從而可以去除偶函數項的影響,並且可實現均勻的膜厚度λ。
此外,在使用行星齒輪機構的成膜中,由於公轉軌道係正圓,因此當使用具有散射粒子的空間分佈不同的複數個沉積源10時,難以均勻地形成由每個沉積源10形成的所有薄膜。根據一些實施例的基板旋轉裝置100,也可以抑制此種不均勻性。亦即,藉由基板旋轉裝置100,與習知相比,能夠均勻地形成使用有複數個沉積源10的每一個所形成的薄膜。
進一步而言,在行星齒輪機構中,旋轉時容易產生振動,但根據本實施例的基板旋轉裝置100,也能夠抑制旋轉時的振動。此種振動抑制有助於形成高精密度的膜厚度。
在一些實施例中,使用導軌137A代替齒輪來控制軌道,從而可以容易地製造相對大型的基板旋轉裝置100,並可以構建能在大型基板200上形成均勻的膜厚度的系統。因此,根據一些實施例,可以降低成膜的成本並且可
以提高產品的生產率。
在一些實施例中,利用彈簧結構185的推力和離心力將副旋轉裝置170的輪子179以不脫離,且不滑動的方式壓靠於導軌137A的內圍面137B。然後,利用輪子179的旋轉,使轉盤171以第二轉軸(轉軸175)為中心旋轉。由此,能夠高精密度地控制基板200的旋轉運動,並且能夠高精密度地形成薄膜。
根據一些實施例,藉由改變導軌137A在周方向上的形狀,就可以容易地實現除圖3所示的橢圓形軌道以外的各種公轉軌道。橢圓率不限於圖3所示的例子。例如,公轉軌道可為橢圓率a/b為0.99以下的任何橢圓。在此,a為橢圓的最短距離,b為橢圓的最長距離。
如圖9所示,導軌137A可以改為具有除橢圓形以外的非點對稱環形輪廓的導軌139A。導軌139A可以在底座131上且沿周方向上彎曲配置。
藉由準備具有不同導軌形狀的複數個導引構件137並相對於底座131更換此等導引構件137,於基板旋轉裝置100可以實現各種各樣的公轉運動。
基板旋轉裝置100可以設置有用於移動導軌137A、139A的機構。如圖10所示,基板旋轉裝置190具有第一滑動機構141和第二滑動機構142。第一滑動機構141使導軌139A的第一部分1391相對於第一轉軸沿徑向滑動。第二滑動機構142使導軌139A的第二部分1392相對於第一轉軸沿徑向滑動。第一滑動機構141和第二滑動機構142配置在導引裝置130的底座131上。導軌139A的第一部分1391和第二部分1392係與底板和導軌139A的其他部分分開。
基板旋轉裝置190,除了導軌139A的一部分被構成為可移動,以及具有第一滑動機構141和第二滑動機構142之外,可為與上述實施例的基板旋轉裝置100同樣地構成。藉由基板旋轉裝置190,可以調整轉盤171的公轉軌道以使膜厚度均勻,從而可實現更高精密度的薄膜形成。
儘管上面已經舉例說明了一些實施例中的基板旋轉裝置,不言而喻基板旋轉裝置不限於上述實施例方,且可以採用各種態樣。
例如,彈簧構造185可以不設置在基板旋轉裝置中。即使沒有彈
簧構造185,也可以利用離心力將輪子179充分地壓靠在導軌137A上。另外,圖上所示的基板旋轉裝置100為示意性,並且基板旋轉裝置100的每個部分的尺寸或形狀並不限於圖示的狀況。
上述實施例中的一個構成要素具有的功能可以被分佈在複數個構成要素中。複數個構成要素具有的功能可以整合到一個構成要素中。可以省略上述實施例的一些構造。從專利申請權範圍中所述的措詞中識別出的技術思想中包含的所有態樣皆為本發明的實施型態。
100:基板旋轉裝置
130:導引裝置
137A:導軌
150:主旋轉裝置
151:主旋轉板
155:轉軸
159:狹縫
170:副旋轉裝置
171:轉盤
171A:凹部
179:輪子
200:基板
Claims (8)
- 一種基板旋轉裝置係用於成膜,包括:一主旋轉機構,以一第一轉軸為中心旋轉;一副旋轉機構,隨著該主旋轉機構的旋轉而繞該第一轉軸周圍公轉並以一第二轉軸為中心而自轉;以及一導引構造,設置在該第一轉軸周圍來控制該副旋轉機構的公轉運動,其中,該主旋轉機構具有該副旋轉機構,該第二轉軸在相對於該第一轉軸的一徑向上位移,該副旋轉機構具有支撐一成膜對象的一基板的一支撐構造,該支撐構造以該第二轉軸為中心旋轉,該導引構造具有在相對於該第一轉軸的一周方向上延伸的一接觸面,該導引構造控制該第二轉軸在該徑向上的位移,並且,當該接觸面與該副旋轉機構接觸時,使該副旋轉機構在沿該接觸面的軌道上進行一公轉運動。
- 如請求項1之基板旋轉裝置,其中該接觸面為朝該導引構造具有的該第一轉軸的一內圍面,並且,該內圍面限制該副旋轉機構往該徑向外側位移。
- 如請求項1或2之基板旋轉裝置,其中該主旋轉機構具有以該第一轉軸為中心旋轉的一旋轉板,該旋轉板具有沿著該徑向的一狹縫,該副旋轉機構具有:該第二轉軸,貫通該狹縫;一轉盤,配置於該第二轉軸的一第一端並具有該支撐構造;以及一輪子,配置在與該第一端相反側的一第二端並在該接觸面上行駛,並且,在該輪子隨著該公轉運動在該接觸面上行駛期間,該輪子與藉由該第二轉軸與該輪子連接的該轉盤進行自轉。
- 如請求項1或2之基板旋轉裝置,其中該副旋轉機構經由一彈簧而與該主旋轉機構連接,並且,該彈簧在向該接觸面按壓的方向上對該副旋轉機構施力。
- 如請求項1或2之基板旋轉裝置,其中該副旋轉機構在一橢圓軌道上繞該第一轉軸周圍進行公轉運動。
- 如請求項5之基板旋轉裝置,其中該接觸面在該周方向上以橢圓形方式配置。
- 如請求項1或2基板旋轉裝置,其中該接觸面在該周方向上配置成非點對稱的環形,並且,該副旋轉機構在非點對稱的軌道上繞該第一轉軸周圍進行公轉運動。
- 如請求項1或2之基板旋轉裝置,其中該導引構造包括一滑動機構,該滑動機構用於使該接觸面的至少一部分沿著該徑向移動。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019-188681 | 2019-10-15 | ||
JP2019188681A JP6635492B1 (ja) | 2019-10-15 | 2019-10-15 | 基板回転装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202117917A TW202117917A (zh) | 2021-05-01 |
TWI739623B true TWI739623B (zh) | 2021-09-11 |
Family
ID=69183649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109134628A TWI739623B (zh) | 2019-10-15 | 2020-10-06 | 基板旋轉裝置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240093358A1 (zh) |
JP (1) | JP6635492B1 (zh) |
KR (1) | KR20220069084A (zh) |
CN (1) | CN114555856B (zh) |
DE (1) | DE112020005064T5 (zh) |
TW (1) | TWI739623B (zh) |
WO (1) | WO2021075074A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022105931A (ja) * | 2021-01-05 | 2022-07-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プロセスモジュール、基板処理システムおよび処理方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201439348A (zh) * | 2013-03-19 | 2014-10-16 | Kobe Steel Ltd | Pvd處理裝置以及pvd處理方法 |
TW201628120A (zh) * | 2015-01-28 | 2016-08-01 | 漢民科技股份有限公司 臺北巿大安區敦化南路2 段38 號14 樓 | 晶圓承載裝置 |
CN207793417U (zh) * | 2017-12-26 | 2018-08-31 | 德淮半导体有限公司 | 磁控装置和物理气相沉积设备 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3128205A (en) * | 1961-09-11 | 1964-04-07 | Optical Coating Laboratory Inc | Apparatus for vacuum coating |
JPS58132755A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-08 | Toshiba Corp | アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置 |
US5002011A (en) * | 1987-04-14 | 1991-03-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vapor deposition apparatus |
JPH0688227A (ja) * | 1992-09-08 | 1994-03-29 | Fujitsu Ltd | 成膜装置 |
JP3412849B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | 薄膜蒸着装置 |
JPH1018031A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-20 | Mitsubishi Chem Corp | スパッタリング装置 |
US6457864B1 (en) * | 1998-05-14 | 2002-10-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Omni-directional high precision friction drive positioning stage |
JP3506949B2 (ja) * | 1999-04-09 | 2004-03-15 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜の製造方法、薄膜が形成された回転楕円体、及びこれを用いた電球と薄膜形成装置。 |
JP2000345336A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Shinko Seiki Co Ltd | マグネトロンスパッタリング装置 |
US6338775B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-01-15 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for uniformly depositing thin films over substrates |
JP2004043934A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Sun Tec Corp Kk | プラズマスパッタリング薄膜形成方法及び成膜装置 |
JP2006100401A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Seiko Epson Corp | 配線パターン形成方法、配線パターン、電子機器 |
JP2006111952A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Olympus Corp | 成膜装置 |
JP4603489B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2010-12-22 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変フィルタ |
JP4835826B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-12-14 | 株式会社昭和真空 | 液晶配向膜用真空蒸着装置およびその成膜方法 |
JP4721878B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2011-07-13 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
KR101188863B1 (ko) * | 2009-12-23 | 2012-10-08 | 주식회사 코리아 인스트루먼트 | 챔버용 기판 이송장치 및 그 챔버 시스템 |
JP2012140648A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置及びそのスパッタリング方法 |
KR20130052102A (ko) * | 2011-11-11 | 2013-05-22 | (주) 제이더블유테크널러지 | 박막 증착용 증발기 |
US10422032B2 (en) * | 2015-03-20 | 2019-09-24 | Shibaura Mechatronics Corporation | Film formation apparatus and film-formed workpiece manufacturing method |
CN205329156U (zh) * | 2016-01-29 | 2016-06-22 | 郑州启航精密科技有限公司 | 滚珠离子镀膜用盘式支撑装置 |
CN107022754B (zh) * | 2016-02-02 | 2020-06-02 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
JP2019137892A (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-22 | 漢民科技股▲分▼有限公司 | 成膜装置 |
JP2019188681A (ja) | 2018-04-24 | 2019-10-31 | 住友ゴム工業株式会社 | 練りゴムの熱入れ装置および熱入れ方法 |
-
2019
- 2019-10-15 JP JP2019188681A patent/JP6635492B1/ja active Active
-
2020
- 2020-03-31 WO PCT/JP2020/014868 patent/WO2021075074A1/ja active Application Filing
- 2020-03-31 US US17/768,060 patent/US20240093358A1/en active Pending
- 2020-03-31 CN CN202080071635.4A patent/CN114555856B/zh active Active
- 2020-03-31 KR KR1020227013902A patent/KR20220069084A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-03-31 DE DE112020005064.5T patent/DE112020005064T5/de active Pending
- 2020-10-06 TW TW109134628A patent/TWI739623B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201439348A (zh) * | 2013-03-19 | 2014-10-16 | Kobe Steel Ltd | Pvd處理裝置以及pvd處理方法 |
TW201628120A (zh) * | 2015-01-28 | 2016-08-01 | 漢民科技股份有限公司 臺北巿大安區敦化南路2 段38 號14 樓 | 晶圓承載裝置 |
CN207793417U (zh) * | 2017-12-26 | 2018-08-31 | 德淮半导体有限公司 | 磁控装置和物理气相沉积设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021075074A1 (ja) | 2021-04-22 |
JP6635492B1 (ja) | 2020-01-29 |
KR20220069084A (ko) | 2022-05-26 |
TW202117917A (zh) | 2021-05-01 |
CN114555856B (zh) | 2023-12-19 |
US20240093358A1 (en) | 2024-03-21 |
JP2021063266A (ja) | 2021-04-22 |
CN114555856A (zh) | 2022-05-27 |
DE112020005064T5 (de) | 2022-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6802191B2 (ja) | サセプタの位置付け及び回転装置、並びに使用の方法 | |
TWI739623B (zh) | 基板旋轉裝置 | |
JP2009220226A (ja) | 球面研磨装置 | |
US5029555A (en) | Wafer holder method and apparatus in a vacuum deposition system | |
US9630289B2 (en) | Polishing method involving a polishing member polishing at angle tangent to the substrate rotational direction | |
WO2011135810A1 (ja) | 成膜装置 | |
US3543717A (en) | Means to adjust collimator and crucible location in a vapor deposition apparatus | |
TW201110198A (en) | Vapor deposition device | |
TWI718501B (zh) | 用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置 | |
KR20140005163A (ko) | 기상 성장 장치 | |
CN110911263B (zh) | 用于磁控溅射工艺腔室的磁场分布均匀化装置 | |
TWI664305B (zh) | 3d蒸鍍之公自轉鍍鍋結構 | |
US20050150461A1 (en) | Apparatus of depositing thin film with high uniformity | |
KR20180024520A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JPH01184277A (ja) | 基板回転装置 | |
US20120241311A1 (en) | Sputtering device and sputtering method | |
KR100546873B1 (ko) | 기판홀더 구동장치 | |
US5288328A (en) | Apparatus for controlling a material flow emitted by a heated evaporation source and application to a vacuum evaporation coating machine | |
JP2007239067A (ja) | プラネタリ回転構造体および真空成膜装置 | |
JP2013227625A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JPS60175431A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2020111785A (ja) | 球状物品の製造方法及び成膜装置 | |
KR102357551B1 (ko) | 기판 지지유닛 및 이를 포함하는 기판 처리장치 | |
KR20190078215A (ko) | 연마헤드 및 이를 구비하는 기판 연마 장치 | |
JP2007113601A (ja) | 軸受装置及びこれを用いた真空成膜装置 |