JP2004269988A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項1】 凹凸又は平面形状を有する基板に物理的気相成長にて膜を成膜するスパッタ装置に於いて、
真空チャンバーの内部に配置されターゲットを保持するカソードユニットと、前記真空チャンバーの内部に配置され、前記基板を前記ターゲットに対向するように保持する基板保持ユニットとを有しており、
前記基板保持ユニットは、前記基板を軸回転する第1の駆動手段と、前記基板の軸を回転中心として前記基板を首振り走査する第2の駆動手段とを有していることを特徴とするスパッタ装置。
【請求項2】 前記カソードユニットは、複数のターゲットを保持しており、前記基板に対向するターゲットを変更する回転機構を備えていることを特徴とする請求項1に記載のスパッタ装置。
【請求項3】 前記カソードユニットは、ターゲット中心の法線と前記基板と垂直に交わる様に基板保持ユニットと連動して回転移動する機構を備えていることを特徴とする請求項2に記載のスパッタ装置。
【請求項4】 前記基板の回転軸はX軸方向であり、前記カソードユニットの回転軸はY軸方向であり、前記基板の回転軸と前記カソードユニットの回転軸はZ方向にオフセットしていることを特徴とする請求項2に記載のスパッタ装置。
【請求項5】 前記基板保持ユニットは、前記基板を前記軸方向に駆動することで、前記基板と前記ターゲットとの距離を調整する第3の駆動手段を有していることを特徴とする請求項4に記載のスパッタ装置。
【請求項6】 前記基板保持ユニットは、複数のベローズにより、前記真空チャンバーに取り付けられており、前記第1、第2の駆動機構の駆動手段は、前記ベローズを介して、前記真空チャンバーの外部に配置されていることを特徴とする請求項2に記載のスパッタ装置。
【請求項7】 前記第2の駆動機構は、前記ベローズを曲げることにより、前記基板の軸を中心として首振り走査することを特徴とする請求項6に記載のスパッタ装置。
【請求項8】 前記カソードユニットと前記基板保持ユニットの間には、成膜レートまたは成膜領域を可変にする調整機構が配置されていることを特徴とする請求項2に記載のスパッタ装置。
【請求項9】 前記調整機構は可動型のマスクであることを特徴とする請求項8に記載のスパッタ装置。
【請求項10】 前記調整機構は角度を変更可能なコリメータであることを特徴とする請求項8に記載のスパッタ装置。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1806425A1 (de) * 2006-01-09 2007-07-11 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Bauteils
JP4642789B2 (ja) * 2006-07-14 2011-03-02 セイコーエプソン株式会社 成膜装置及び成膜方法
WO2008009889A1 (en) * 2006-07-20 2008-01-24 Aviza Technology Limited Ion deposition apparatus
WO2009028055A1 (ja) * 2007-08-29 2009-03-05 Canon Anelva Corporation スパッタリングによる成膜方法とその装置
JPWO2009154009A1 (ja) 2008-06-20 2011-11-24 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗素子の製造方法、スパッタ成膜チャンバー、スパッタ成膜チャンバーを有する磁気抵抗素子の製造装置、プログラム、記憶媒体
JP5209717B2 (ja) * 2008-06-25 2013-06-12 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置及びその制御用プログラムを記録した記録媒体
WO2010073323A1 (ja) * 2008-12-24 2010-07-01 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置および成膜方法
US8349143B2 (en) * 2008-12-30 2013-01-08 Intermolecular, Inc. Shadow masks for patterned deposition on substrates
FR2943072B1 (fr) * 2009-03-12 2019-08-16 Centre National De La Recherche Scientifique Cnrs Decoration par pulverisation plasma magnetron sur des contenants en verre pour les secteurs de la cosmetique.
JP5276121B2 (ja) 2009-06-08 2013-08-28 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置及び光学部品の製造方法
US8526104B2 (en) 2010-04-30 2013-09-03 Corning Incorporated Plasma ion assisted deposition of Mo/Si multilayer EUV coatings
TW201236809A (en) * 2011-03-01 2012-09-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating device
WO2013099064A1 (ja) * 2011-12-28 2013-07-04 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置
DE102012205615A1 (de) 2012-04-04 2013-10-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beschichtungsverfahren, Beschichtungsanlage und optisches Element mit Beschichtung
JP5921351B2 (ja) * 2012-06-14 2016-05-24 キヤノン株式会社 成膜装置
JP2013147752A (ja) * 2013-03-13 2013-08-01 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 光学素子
WO2015186732A1 (ja) * 2014-06-03 2015-12-10 シャープ株式会社 蒸着装置および蒸着方法
US10541662B2 (en) 2015-10-14 2020-01-21 Qorvo Us, Inc. Methods for fabricating acoustic structure with inclined c-axis piezoelectric bulk and crystalline seed layers
US10571437B2 (en) 2015-12-15 2020-02-25 Qorvo Us, Inc. Temperature compensation and operational configuration for bulk acoustic wave resonator devices
JP6815153B2 (ja) * 2016-10-03 2021-01-20 株式会社アルバック 成膜装置
DE102016125278A1 (de) * 2016-12-14 2018-06-14 Schneider Gmbh & Co. Kg Vorrichtung, Verfahren und Verwendung zur Beschichtung von Linsen
US11824511B2 (en) 2018-03-21 2023-11-21 Qorvo Us, Inc. Method for manufacturing piezoelectric bulk layers with tilted c-axis orientation
US11381212B2 (en) 2018-03-21 2022-07-05 Qorvo Us, Inc. Piezoelectric bulk layers with tilted c-axis orientation and methods for making the same
JP7349798B2 (ja) * 2019-03-06 2023-09-25 株式会社タムロン 反射防止膜、光学素子及び反射防止膜の成膜方法
US11401601B2 (en) 2019-09-13 2022-08-02 Qorvo Us, Inc. Piezoelectric bulk layers with tilted c-axis orientation and methods for making the same
CN112981315A (zh) * 2021-02-05 2021-06-18 惠州市聚飞光电有限公司 一种黑矩阵形成方法、显示模组及显示装置
CN115354284A (zh) * 2022-07-15 2022-11-18 湖南红太阳光电科技有限公司 一种旋转阴极及靶基距在线调节方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6179770A (ja) * 1984-09-28 1986-04-23 Fujitsu Ltd 蒸着用装置
US4664935A (en) * 1985-09-24 1987-05-12 Machine Technology, Inc. Thin film deposition apparatus and method
JPS6357759A (ja) * 1986-08-26 1988-03-12 Sumitomo Heavy Ind Ltd 真空中での表面処理方法およびその装置
JPS63266061A (ja) * 1987-04-23 1988-11-02 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 多元素スパツタ薄膜の製造方法及びスパツタ装置
JPH0774441B2 (ja) * 1987-06-05 1995-08-09 株式会社日立製作所 イオンビ−ムスパツタ装置
JPH0263534U (ja) * 1988-11-01 1990-05-11
JPH06219888A (ja) * 1993-01-27 1994-08-09 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸 化 物 結 晶 製 造 用 ル ツ ボ の 製 造 方 法
JP2833979B2 (ja) * 1993-11-26 1998-12-09 日本電気株式会社 コリメートを有するスパッタ装置
JPH0940441A (ja) * 1995-07-26 1997-02-10 Canon Inc 非球面レンズの加工装置および加工方法
JPH09213634A (ja) 1996-02-02 1997-08-15 Sony Corp 薄膜成膜方法、半導体装置の製造方法及び薄膜成膜装置
US6010600A (en) * 1996-02-22 2000-01-04 The Regents Of The University Of California Maskless deposition technique for the physical vapor deposition of thin film and multilayer coatings with subnanometer precision and accuracy
JPH1026698A (ja) * 1996-07-12 1998-01-27 Nikon Corp 真空薄膜形成装置及び反射鏡の製造方法
JP3861329B2 (ja) 1996-07-17 2006-12-20 株式会社ニコン 真空薄膜形成装置及び反射鏡の製造方法
US6086727A (en) * 1998-06-05 2000-07-11 International Business Machines Corporation Method and apparatus to improve the properties of ion beam deposited films in an ion beam sputtering system
JP2002161365A (ja) * 2000-11-20 2002-06-04 Shimadzu Corp イオンビームスパッタ装置およびイオンビームスパッタ方法

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