JP4642789B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Description
本発明の成膜装置は、スパッタリングにより、ターゲットから放出された粒子を基板に斜めに衝突させて該基板に膜を形成する成膜装置であって、前記基板に入射する粒子が遮蔽される位置に配置された膜厚制御用遮蔽部と、前記膜厚制御用遮蔽部に形成され、前記粒子を通過させる細長形状の膜厚制御用透過部と、前記膜厚制御用透過部の長手方向を横切る方向に、前記基板と前記膜厚制御用透過部とを相対的に移動させる移動装置とを有し、前記膜厚制御用透過部は、前記ターゲットに近い方の幅が狭く、遠い方の幅が広いことを特徴とする。
成膜装置1は真空槽2を有しており、真空槽2に接続された真空排気系9を動作させると真空槽2内部が真空排気され、真空槽2内部に真空雰囲気が形成される。
ここで、最大入射角度θ5は、成膜面22の各点からターゲット11側に成膜面22上を伸びる線分29と、スパッタ粒子の入射方向とが成す角度(入射角度)の最大値である。すなわち、本例では、入射角度制御用遮蔽部26によって、成膜面22の任意の点において(すなわち成膜面22の全領域において)、スパッタ粒子の入射角度が15°以下に制限されている。したがって、例えば成膜面の略中心である所定位置において、スパッタ粒子の入射角度θ5が15°以下に制限されている。なお、最大入射角度θ5が15°以下に制限されていることにより、成膜面22の法線とスパッタ粒子の入射方向との成す角度は、75°を超えることになる。
Claims (15)
- スパッタリングにより、ターゲットから放出された粒子を基板に斜めに衝突させて該基板に膜を形成する成膜装置であって、
前記基板に入射する粒子が遮蔽される位置に配置された膜厚制御用遮蔽部と、
前記膜厚制御用遮蔽部に形成され、前記粒子を通過させる細長形状の膜厚制御用透過部と、
前記膜厚制御用透過部の長手方向を横切る方向に、前記基板と前記膜厚制御用透過部とを相対的に移動させる移動装置とを有し、
前記膜厚制御用透過部は、前記ターゲットに近い方の幅が狭く、遠い方の幅が広いことを特徴とする成膜装置。 - 前記膜厚制御用透過部は、開口空間の断面形状が前記基板の成膜面への入射領域に相似した形の細長形状であることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記膜厚制御用透過部の開口空間の断面形状は、前記ターゲットに近い方から前記ターゲットに遠い方に向かって徐々に広くされた請求項1に記載の成膜装置。
- 前記ターゲットと前記基板とを結ぶ線分と、前記基板の成膜面との成す角度が15°以下である請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記ターゲットと前記基板とを結ぶ線分と、前記基板の成膜面との成す角度が10°以下である請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記線分と前記成膜面との成す角度が1°以上である請求項4又は請求項5に記載の成膜装置。
- 前記線分と前記成膜面との成す角度が3°以上である請求項4又は請求項5に記載の成膜装置。
- 前記膜厚制御用遮蔽部と、前記ターゲットとの間に配置された入射角度制御用遮蔽部と、前記入射角度制御用遮蔽部に形成され、前記基板への入射角度が15°以下になる前記粒子を通過させる入射角度制御用透過部とを有する請求項4から請求項7のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記入射角度制御用透過部は、前記入射角度の最大値から最小値を引いた値である見込み入射角度が10°以下になる前記粒子を通過させる請求項8に記載の成膜装置。
- スパッタリングにより、ターゲットから放出された粒子を基板に斜めに衝突させて該基板に膜を形成する成膜方法であって、
前記ターゲットに近い方の幅が狭く、前記ターゲットから遠い方の幅が広い細長形状にされた膜厚制御用透過部が設けられた膜厚制御用遮蔽部を、前記ターゲットと前記基板との間の位置に配置し、
前記膜厚制御用透過部の長手方向を横切る方向に、前記基板と前記膜厚制御用透過部とを相対的に移動させることを特徴とする成膜方法。 - 前記ターゲットからの粒子が前記基板に入射するときの最大入射角度を15°以下にする請求項10に記載の成膜方法。
- 前記ターゲットからの粒子が前記基板に入射するときの最大入射角度を10°以下にする請求項10に記載の成膜方法。
- 前記最大入射角度を1°以上にする請求項11又は請求項12に記載の成膜方法。
- 前記最大入射角度を3°以上にする請求項11又は請求項12に記載の成膜方法。
- 前記最大入射角度から、前記基板に前記スパッタ粒子が入射するときの最小入射角度を引いた値である見込み入射角度が10°以下にされた請求項11から請求項14のいずれか1項に記載の成膜方法。
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