CN117535633A - RB-SiC基底表面改性层的制备装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种RB‑SiC基底表面改性层的制备装置及方法，制备装置包括挡片和驱动件，挡片安装在溅射阴极和RB‑SiC基底之间，并跟随溅射阴极同步移动；驱动件与挡片传动连接，调节挡片的偏转角度。当溅射阴极在RB‑SiC基底上方移动时，挡片跟随溅射阴极同步移动，根据溅射阴极与RB‑SiC基底之间的不同的相对位置，通过驱动件驱动挡片转动，将移动至不同位置的挡片调节至对应的特定的偏转角度，使挡片能够选择性且不同程度地阻挡溅射阴极射出的大角度沉积Si粒子入射到RB‑SiC基底的表面，调节沉积在RB‑SiC基底的表面的各个区域的Si改性层的致密度，使得Si改性层的边缘和中心区域能够获得更好的密度一致性。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜沉积技术领域，特别是涉及一种RB-SiC基底表面改性层的制备装置及方法。
背景技术
碳化硅（SiC）具有比刚度大、热导率大、热膨胀系数小、密度小等优异特性，它是一种理想的空间用反射镜材料，被广泛用于各种空间项目中。通过反应烧结的方法能够制备大尺寸、形状复杂的SiC镜体，并且制备时温度低、时间短、成本低，能获得几乎完全致密的SiC烧结体结构，无论是机械性能、热性能还是光学性能等各方面均能满足反射镜的要求。
目前国内大口径反射镜通常采用的是RB-SiC陶瓷材料。RB-SiC在制备时需要将单质Si材料渗入到SiC材料当中，这就导致RB-SiC中存在Si和SiC两种成分。由于两种材料物理性质的差异，在抛光过程中Si的去除速率较快而SiC的去除速率则较慢，因而在两相成分交界之处形成微台阶，SiC表面存在的这种凹凸不平导致其直接抛光后获得的光学表面质量并不是很高，无法满足高精度光学系统的要求。这就需要对RB-SiC表面进行改性，以使得在其表面抛光后获得高质量的光学表面，以满足高精度光学系统的迫切要求。
RB-SiC表面改性就是要在其表面镀制一层抛光性能良好且与基底结合牢固的、具有相当厚度的致密的改性层，覆盖住原基底表面缺陷，最后通过对改性层进行光学精密抛光，达到获得高质量光学表面的目的。目前较为常用的是在RB-SiC基底上镀制Si改性层，由于RB-SiC基底的表面矢高差大，导致RB-SiC基底的表面的边缘与中心区域溅射距离不一致，从而造成Si改性层膜层边缘与中心区域致密度一致性差，严重影响RB-SiC基底的表面改性层抛光后表面粗糙度和光洁度，最终影响光学系统的成像质量。
发明内容
基于此，有必要提供一种RB-SiC基底表面改性层的制备装置及方法，以解决现有技术中难以在RB-SiC基底上沉积均匀致密的Si改性层的缺陷。
一种RB-SiC基底表面改性层的制备装置，包括：
挡片，用于安装在溅射阴极和RB-SiC基底之间，并能够跟随所述溅射阴极同步移动，所述挡片用于阻挡所述溅射阴极射出的沉积Si粒子入射到所述RB-SiC基底的表面；以及
驱动件，所述驱动件与所述挡片传动连接，所述驱动件用于驱动所述挡片转动，以调节所述挡片的偏转角度。
在其中一个实施例中，所述制备装置还包括旋转轴，所述旋转轴连接在所述溅射阴极上并与所述挡片连接，所述驱动件与所述旋转轴传动连接，所述驱动件用于通过所述旋转轴带动所述挡片绕所述旋转轴的轴向转动，以调节所述挡片的偏转角度。
在其中一个实施例中，所述驱动件具有动力轴，所述动力轴与所述旋转轴连接，所述驱动件能够通过所述动力轴带动所述旋转轴旋转，进而带动所述挡片绕所述旋转轴的轴向转动。
在其中一个实施例中，所述挡片、所述旋转轴以及所述驱动件共同构成阻挡组件，所述阻挡组件包括两组，两组所述阻挡组件布设在所述溅射阴极的两侧。
在其中一个实施例中，所述挡片包括依次设置的多个子挡片，所述驱动件能够驱动各个所述子挡片转动，以独立调节各个所述子挡片的偏转角度。
一种基于上述RB-SiC基底表面改性层的制备装置的RB-SiC基底表面改性层的制备方法，包括以下步骤：
S1.驱动溅射阴极在RB-SiC基底上方移动，以使得所述溅射阴极出射的沉积Si粒子入射到所述RB-SiC基底的表面的各个区域，从而在所述RB-SiC基底的表面沉积Si改性层；
S2.在所述溅射阴极在所述RB-SiC基底上方移动的过程中，根据所述溅射阴极与所述RB-SiC基底之间的不同的相对位置，通过所述驱动件驱动所述挡片转动，以将移动至不同位置的所述挡片调节至对应的特定的偏转角度。
在其中一个实施例中，所述溅射阴极从所述RB-SiC基底的一侧运动到所述RB-SiC基底的另一侧，并再返回至初始位置，构成一个完成的镀制循环，从第二个所述镀制循环开始之后的各个所述镀制循环中，处于不同位置的所述挡片的偏转角度与第一个所述镀制循环中对应位置处的所述挡片的偏转角度保持一致。
在其中一个实施例中，在步骤S1之前，所述制备方法还包括：
S3.对所述RB-SiC基底进行预处理。
在其中一个实施例中，所述步骤S3包括：
S31.对所述RB-SiC基底进行超声波清洗第一预设时间，然后将清洗后的所述RB-SiC基底放置于镀膜设备的真空仓室内；
S32.对所述真空仓室进行抽真空处理，直至所述真空仓室的真空度维持在第一预设真空度；
S33.使用离子源对所述RB-SiC基底清洗第二预设时间；
S34.向所述真空仓室内充入预设流量的氩气，直至所述真空仓室的真空度维持在第二预设真空度。
在其中一个实施例中，所述第一预设时间为15min，所述第一预设真空度为5.0×10-4Pa，所述第二预设时间为10min，所述预设流量为300sccm，所述第二预设真空度为4.0×10-1Pa；或者
所述第一预设时间为20min，所述第一预设真空度为8.0×10-4Pa，所述第二预设时间为15min，所述预设流量为500sccm，所述第二预设真空度为5.0×10-1Pa；或者
所述第一预设时间为15min，所述第一预设真空度为5.0×10-4Pa，所述第二预设时间为10min，所述预设流量为300sccm，所述第二预设真空度为4.0×10-1Pa。
本申请提供的RB-SiC基底表面改性层的制备装置包括挡片及与挡片传动连接的驱动件，在利用溅射阴极在RB-SiC基底的表面镀制Si改性层的过程中（例如在利用长条形的溅射阴极在大口径、大矢高差的RB-SiC基底的表面镀制Si改性层的过程中），当溅射阴极在RB-SiC基底上方移动时，挡片跟随溅射阴极同步移动，根据溅射阴极与RB-SiC基底之间的不同的相对位置，通过驱动件驱动挡片转动，以将移动至不同位置的挡片调节至对应的特定的偏转角度，从而使得挡片能够选择性且不同程度地阻挡溅射阴极射出的大角度沉积Si粒子入射到RB-SiC基底的表面，进而以调节沉积在RB-SiC基底的表面的各个区域的Si改性层的致密度，使得Si改性层的边缘和中心区域能够获得更好的密度一致性，从而有效提高Si改性层的膜层整体质量，有效改善了Si改性层的抛光一致性。
附图说明
图1为一实施例中的RB-SiC基底表面改性层的制备装置和溅射阴极的组合示意图；
图2为一实施例中的RB-SiC基底表面改性层的制备装置、溅射阴极及RB-SiC基底的组合示意图；
图3为一实施例中的RB-SiC基底表面改性层的制备装置的结构示意图；
图4为一实施例中的溅射阴极和RB-SiC基底的组合示意图；
图5为另一实施例中的RB-SiC基底表面改性层的制备装置和溅射阴极的组合示意图；
图6为另一实施例中的RB-SiC基底表面改性层的制备装置和溅射阴极的组合示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
如图1至图3所示，本申请提供了一种RB-SiC基底表面改性层的制备装置，该制备装置包括挡片3和驱动件4，挡片3用于安装在溅射阴极1和RB-SiC基底6之间，并能够跟随溅射阴极1同步移动，挡片3用于阻挡溅射阴极1射出的沉积Si粒子入射到RB-SiC基底6的表面；驱动件4与挡片3传动连接，驱动件4位于溅射阴极1的一侧，驱动件4用于驱动挡片3转动，以调节挡片3的偏转角度。
本申请提供的RB-SiC基底表面改性层的制备装置包括挡片3及与挡片3传动连接的驱动件4，在利用溅射阴极1在RB-SiC基底6的表面镀制Si改性层的过程中（例如在利用长条形的溅射阴极1在大口径、大矢高差的RB-SiC基底6的表面镀制Si改性层的过程中），当溅射阴极1在RB-SiC基底6上方移动时，挡片3跟随溅射阴极1同步移动，根据溅射阴极1与RB-SiC基底6之间的不同的相对位置，通过驱动件4驱动挡片3转动，以将移动至不同位置的挡片3调节至对应的特定的偏转角度，从而使得挡片3能够选择性且不同程度地阻挡溅射阴极1射出的大角度沉积Si粒子入射到RB-SiC基底6的表面，进而以调节沉积在RB-SiC基底6的表面的各个区域的Si改性层的致密度，使得Si改性层的边缘和中心区域能够获得更好的密度一致性，从而有效提高Si改性层的膜层整体质量，有效改善了Si改性层的抛光一致性。
具体地，挡片3在不同位置所需偏转的角度可根据不同的RB-SiC基底6的表面形状以及溅射阴极1的移动位置并通过计算机仿真确定得到。
如图1及图3所示，制备装置还包括旋转轴2，旋转轴2连接在溅射阴极1上并与挡片3连接，驱动件4与旋转轴2传动连接，驱动件4用于通过旋转轴2带动挡片3绕旋转轴2的轴向转动，以调节挡片3的偏转角度。具体地，旋转轴2的轴向与溅射阴极1的长度方向平行，挡片3的一侧与旋转轴2连接，挡片3的另一侧朝远离溅射阴极1的方向延伸。
驱动件4可以为驱动电机，例如真空电机，驱动件4具有动力轴5，动力轴5与旋转轴2连接，驱动件4能够通过动力轴5带动旋转轴2旋转，进而带动挡片3绕旋转轴2的轴向转动。
挡片3、旋转轴2以及驱动件4共同构成阻挡组件，阻挡组件包括两组，两组阻挡组件布设在溅射阴极1的两侧。具体地，阻挡组件布设在溅射阴极1的宽度方向上的两侧。
如图4至图6所示，在一可选的实施例中，挡片3包括依次设置的多个子挡片31，多个子挡片31沿溅射阴极1的长度方向依次设置，驱动件4能够驱动各个子挡片31转动，以独立调节各个子挡片31的偏转角度。
为了适应各种类型及表面形状的RB-SiC基底6，该挡片3可以是一个整片，也可以根据需要分成多个子挡片31，每个子挡片31都可分别控制其偏转的角度，即根据RB-SiC基底6的表面形状以及溅射阴极1移动的位置，每个子挡片31偏转不同的角度。
具体地，旋转轴2包括沿旋转轴2的轴向依次设置的多个子旋转轴21，子旋转轴21连接在溅射阴极1上并与子挡片31连接，多个子旋转轴21分别与多个子挡片31一一对应。
如图2所示，本申请还提供了一种基于上述RB-SiC基底表面改性层的制备装置的RB-SiC基底表面改性层的制备方法，包括以下步骤：
S1.驱动溅射阴极1在RB-SiC基底6上方移动，以使得溅射阴极1出射的沉积Si粒子入射到RB-SiC基底6的表面的各个区域，从而在RB-SiC基底6的表面沉积Si改性层。
S2.在溅射阴极1在RB-SiC基底6上方移动的过程中，根据溅射阴极1与RB-SiC基底6之间的不同的相对位置，通过驱动件4驱动挡片3转动，以将移动至不同位置的挡片3调节至对应的特定的偏转角度。
本申请提供的RB-SiC基底表面改性层的制备方法，在利用溅射阴极1在RB-SiC基底6的表面镀制Si改性层的过程中（例如在利用长条形的溅射阴极1在大口径、大矢高差的RB-SiC基底6的表面镀制Si改性层的过程中），当溅射阴极1在RB-SiC基底6上方移动时，挡片3跟随溅射阴极1同步移动，根据溅射阴极1与RB-SiC基底6之间的不同的相对位置，通过驱动件4驱动挡片3转动，以将移动至不同位置的挡片3调节至对应的特定的偏转角度，从而使得挡片3能够选择性且不同程度地阻挡溅射阴极1射出的大角度沉积Si粒子入射到RB-SiC基底6的表面，进而以调节沉积在RB-SiC基底6的表面的各个区域的Si改性层的致密度，使得Si改性层的边缘和中心区域能够获得更好的密度一致性，从而有效提高Si改性层的膜层整体质量，有效改善了Si改性层的抛光一致性。
在步骤S1中，采用中频磁控溅射技术，即采用交流电(通常为40KHz)对完全相同的溅射阴极1供电，两个溅射阴极1互为正负极，消除RB-SiC基底6的表面累积的电子，使得溅射过程更为稳定。
采用中频磁控溅射技术制备Si改性层，与现有电子束蒸发的方法相比，不需要对RB-SiC基底6进行翻转，避免了翻转过程中的巨大风险，不需要对RB-SiC基底6的表面进行碳化处理也不需要制备缓冲层，制备过程大大简化；采用中频磁控溅射技术，提高了沉积Si粒子的入射能量，使得Si粒子的表面迁移率有很大提高，从而获得了膜层致密度高、膜基结合力强、膜质均匀的Si改性层，显著改善了其抛光特性，使抛光后RB-SiC基底6的表面的光学质量得到较大提升。
进一步地，溅射阴极1从RB-SiC基底6的一侧运动到RB-SiC基底6的另一侧，并再返回至初始位置，构成一个完成的镀制循环，从第二个镀制循环开始之后的各个镀制循环中，处于不同位置的挡片3的偏转角度与第一个镀制循环中对应位置处的挡片3的偏转角度保持一致。
可选地，在步骤S1之前，该制备方法还包括：
S3.对RB-SiC基底6进行预处理。
在一实施例中，步骤S3包括：
S31.对RB-SiC基底6进行超声波清洗第一预设时间，然后将清洗后的RB-SiC基底6放置于镀膜设备的真空仓室内；
S32.对真空仓室进行抽真空处理，直至真空仓室的真空度维持在第一预设真空度；
S33.使用离子源对RB-SiC基底6清洗第二预设时间；
S34.向真空仓室内充入预设流量的氩气，直至真空仓室的真空度维持在第二预设真空度。
在本发明中，对RB-SiC基底6的表面的清洗处理，以清除RB-SiC基底6的表面吸附的各种污染物，提高膜层与RB-SiC基底6的结合力。本发明对所述清洗方法没有特殊限制，例如采用本发明中的超声波清洗和离子源清洗结合的方式。
在一实施例中，在制备Si改性层前先对Si靶材表面进行预溅射处理，以清除Si靶材表面氧化物、有机物等污染物质，改善膜层材料的纯度，提高膜层质量。具体方法是溅射阴极1通入350～550sccm的高纯Ar，优选通入400sccm的高纯Ar，调节电源功率为2～4KW，优选调节电源功率为3KW，进行40～60分钟的轰击处理，优选进行50分钟的轰击处理，使高能量的Ar+离子轰击Si靶材表面，达到清洁Si靶材表面的作用。本发明对Si靶材没有特殊限制，采用本领域常用的Si靶材即可。
采用中频磁控溅射技术制备Si改性层，调节镀膜设备的电源的功率至30KW，功率过低会影响薄膜致密性，功率过高则薄膜容易产生大颗粒缺陷，优选为30KW，调节氩气流量为500～600sccm，优选为500sccm，在RB-SiC基底6上沉积设定厚度的Si改性层。
在一实施例中，第一预设时间为15min，第一预设真空度为5.0×10-4Pa，第二预设时间为10min，预设流量为300sccm，第二预设真空度为4.0×10-1Pa。
在一实施例中，第一预设时间为20min，第一预设真空度为8.0×10-4Pa，第二预设时间为15min，预设流量为500sccm，第二预设真空度为5.0×10-1Pa。
在一实施例中，第一预设时间为15min，第一预设真空度为5.0×10-4Pa，第二预设时间为10min，预设流量为300sccm，第二预设真空度为4.0×10-1Pa。
实施例1
一种RB-SiC基底表面改性层的制备方法，包括以下步骤：
（1）对RB-SiC基底6进行超声波清洗15min，然后将清洗后的RB-SiC基底6放置于镀膜设备的真空仓室内；
（2）对真空仓室进行抽真空处理，直至真空仓室的真空度维持在5.0×10-4Pa；
（3）使用离子源对RB-SiC基底6清洗10min；
（4）向真空仓室内充入300sccm的氩气，直至真空仓室的真空度维持在4.0×10- 1Pa；
（5）启动镀膜设备的电源，并增加电源功率至30KW，启动镀膜程序，驱动溅射阴极1在RB-SiC基底6上方移动，以使得溅射阴极1出射的沉积Si粒子入射到RB-SiC基底6的表面的各个区域，从而在RB-SiC基底6的表面沉积Si改性层；
（6）在溅射阴极1在RB-SiC基底6上方移动的过程中，根据溅射阴极1与RB-SiC基底6之间的不同的相对位置，通过驱动件4驱动挡片3转动，以将移动至不同位置的挡片3调节至对应的特定的偏转角度。
在实施例1中，挡片3为一个整片，挡片3的偏转角度定义为挡片3与竖直平面之间形成的夹角θ，参见表1，表1为挡片在溅射阴极移动的不同的位置所对应的偏转角度，具体的，溅射阴极1的位置设定为9个，分别为第1位置-第9位置，挡片3在溅射阴极1的第1位置-第9位置的偏转角度详细记录在表1中。
表1挡片在溅射阴极移动的不同的位置所对应的偏转角度
| 溅射阴极的位置 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |
| 挡片的偏转角度 | 0° | 5° | 8° | 10° | 15° | 10° | 8° | 5° | 0° |
实施例2
一种RB-SiC基底表面改性层的制备方法，包括以下步骤：
（1）对RB-SiC基底6进行超声波清洗20min，然后将清洗后的RB-SiC基底6放置于镀膜设备的真空仓室内；
（2）对真空仓室进行抽真空处理，直至真空仓室的真空度维持在8.0×10-4Pa；
（3）使用离子源对RB-SiC基底6清洗15min；
（4）向真空仓室内充入500sccm的氩气，直至真空仓室的真空度维持在5.0×10- 1Pa；
（5）启动镀膜设备的电源，并增加电源功率至30KW，启动镀膜程序，驱动溅射阴极1在RB-SiC基底6上方移动，以使得溅射阴极1出射的沉积Si粒子入射到RB-SiC基底6的表面的各个区域，从而在RB-SiC基底6的表面沉积Si改性层；
（6）在溅射阴极1在RB-SiC基底6上方移动的过程中，根据溅射阴极1与RB-SiC基底6之间的不同的相对位置，通过驱动件4驱动挡片3转动，以将移动至不同位置的挡片3调节至对应的特定的偏转角度。
在实施例2中，挡片3为一个整片，挡片3的偏转角度定义为挡片3与竖直平面之间形成的夹角θ，参见表2，表2为挡片在溅射阴极移动的不同的位置所对应的偏转角度，具体的，溅射阴极1的位置设定为9个，分别为第1位置-第9位置，挡片3在溅射阴极1的第1位置-第9位置的偏转角度详细记录在表2中。
表2 挡片在溅射阴极移动的不同的位置所对应的偏转角度
实施例3
一种RB-SiC基底表面改性层的制备方法，包括以下步骤：
（1）对RB-SiC基底6进行超声波清洗15min，然后将清洗后的RB-SiC基底6放置于镀膜设备的真空仓室内；
（2）对真空仓室进行抽真空处理，直至真空仓室的真空度维持在5.0×10-4Pa；
（3）使用离子源对RB-SiC基底6清洗10min；
（4）向真空仓室内充入300sccm的氩气，直至真空仓室的真空度维持在4.0×10-1Pa；
（5）启动镀膜设备的电源，并增加电源功率至30KW，启动镀膜程序，驱动溅射阴极1在RB-SiC基底6上方移动，以使得溅射阴极1出射的沉积Si粒子入射到RB-SiC基底6的表面的各个区域，从而在RB-SiC基底6的表面沉积Si改性层；
（6）在溅射阴极1在RB-SiC基底6上方移动的过程中，根据溅射阴极1与RB-SiC基底6之间的不同的相对位置，通过驱动件4驱动挡片3转动，以将移动至不同位置的挡片3调节至对应的特定的偏转角度。
在实施例3中，挡片3包括依次设置的多个子挡片31，子挡片31的偏转角度定义为子挡片31与竖直平面之间形成的夹角，参见表3，表3为各子挡片在溅射阴极移动的不同的位置所对应的偏转角度，具体的，子挡片31的数量设定为7个，分别为第1子挡片-第7子挡片，溅射阴极1的位置设定为9个，分别为第1位置-第9位置，各子挡片31在溅射阴极1的第1位置-第9位置的偏转角度详细记录在表3中。
表3 各子挡片在溅射阴极移动的不同的位置所对应的偏转角度
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本发明的优选的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.一种RB-SiC基底表面改性层的制备装置，其特征在于，包括：
挡片，用于安装在溅射阴极和RB-SiC基底之间，并能够跟随所述溅射阴极同步移动，所述挡片用于阻挡所述溅射阴极射出的沉积Si粒子入射到所述RB-SiC基底的表面；以及
驱动件，所述驱动件与所述挡片传动连接，所述驱动件用于驱动所述挡片转动，以调节所述挡片的偏转角度；
所述挡片包括依次设置的多个子挡片，所述驱动件能够驱动各个所述子挡片转动，以独立调节各个所述子挡片的偏转角度。
2.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述制备装置还包括旋转轴，所述旋转轴连接在所述溅射阴极上并与所述挡片连接，所述驱动件与所述旋转轴传动连接，所述驱动件用于通过所述旋转轴带动所述挡片绕所述旋转轴的轴向转动，以调节所述挡片的偏转角度。
3.根据权利要求2所述的制备装置，其特征在于，所述驱动件具有动力轴，所述动力轴与所述旋转轴连接，所述驱动件能够通过所述动力轴带动所述旋转轴旋转，进而带动所述挡片绕所述旋转轴的轴向转动。
4.根据权利要求2所述的制备装置，其特征在于，所述挡片、所述旋转轴以及所述驱动件共同构成阻挡组件，所述阻挡组件包括两组，两组所述阻挡组件布设在所述溅射阴极的两侧。
5.一种基于权利要求1至4中任意一项所述的RB-SiC基底表面改性层的制备装置的RB-SiC基底表面改性层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.驱动溅射阴极在RB-SiC基底上方移动，以使得所述溅射阴极出射的沉积Si粒子入射到所述RB-SiC基底的表面的各个区域，从而在所述RB-SiC基底的表面沉积Si改性层；
S2.在所述溅射阴极在所述RB-SiC基底上方移动的过程中，根据所述溅射阴极与所述RB-SiC基底之间的不同的相对位置，通过所述驱动件驱动所述挡片转动，以将移动至不同位置的所述挡片调节至对应的特定的偏转角度。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述溅射阴极从所述RB-SiC基底的一侧运动到所述RB-SiC基底的另一侧，并再返回至初始位置，构成一个完成的镀制循环，从第二个所述镀制循环开始之后的各个所述镀制循环中，处于不同位置的所述挡片的偏转角度与第一个所述镀制循环中对应位置处的所述挡片的偏转角度保持一致。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤S1之前，所述制备方法还包括：
S3.对所述RB-SiC基底进行预处理。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3包括：
S31.对所述RB-SiC基底进行超声波清洗第一预设时间，然后将清洗后的所述RB-SiC基底放置于镀膜设备的真空仓室内；
S32.对所述真空仓室进行抽真空处理，直至所述真空仓室的真空度维持在第一预设真空度；
S33.使用离子源对所述RB-SiC基底清洗第二预设时间；
S34.向所述真空仓室内充入预设流量的氩气，直至所述真空仓室的真空度维持在第二预设真空度。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，
所述第一预设时间为15min，所述第一预设真空度为5.0×10-4Pa，所述第二预设时间为10min，所述预设流量为300sccm，所述第二预设真空度为4.0×10-1Pa；或者
所述第一预设时间为20min，所述第一预设真空度为8.0×10-4Pa，所述第二预设时间为15min，所述预设流量为500sccm，所述第二预设真空度为5.0×10-1Pa。
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