JP2004062098A - 配向層形成装置および形成方法 - Google Patents
配向層形成装置および形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004062098A JP2004062098A JP2002224054A JP2002224054A JP2004062098A JP 2004062098 A JP2004062098 A JP 2004062098A JP 2002224054 A JP2002224054 A JP 2002224054A JP 2002224054 A JP2002224054 A JP 2002224054A JP 2004062098 A JP2004062098 A JP 2004062098A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- edge
- substrate
- alignment layer
- liquid crystal
- shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【解決手段】配向層形成装置10は、スリット14を形成するマスク12のエッジ32aの形状を、液晶の配向方向を基に決定される。形状の決定は、液晶の配向方向を積分することによって決定される。この様なエッジ32aの形状にすることによって、液晶の配向方向を均一にすることができる。したがって、明度むらや色むらのない液晶表示装置を製造することができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオンビーム照射により液晶配向層を形成する装置および方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置(LCD)は、基板上の配向層によって液晶の配向方向を制御している。ポリイミドまたは無機材料の薄膜にイオンビームを照射する。イオンビームが照射されることによって、薄膜の原子間結合が切断され配向層が形成される。従来、図12(a),(b)のように、基板28を移動させながら薄膜30にイオンビーム16を照射する。後述するように、イオンビーム16はある広がりを有しており、マスク12は、配向層の形成に寄与させたいイオンビーム16のみをスリット14を通して薄膜30に照射するためのものである。
【0003】
液晶の配向方向は、図13における角度φ、言い換えると図12におけるX−Y平面(基板28やマスク12と平行する平面)にイオンビーム16を投影し、その投影されたイオンビーム16とY軸との角度と、イオンビーム16の密度分布で決定される。なお、図13において、Y軸は、マスク12のエッジ32aと同じである。配向方向は、液晶分子を基板28に投影したときの液晶分子の長軸とY軸またはX軸との角度である。なお、図13において角度θはX−Y平面に対するイオンビーム16の入射角度である。
【0004】
実際に、イオンソースからのイオンビーム16は、ある広がりを持っている。すなわち、イオンソースは、通常イオンビーム16を取り出すための多数の射出口があり、射出口から射出される複数のイオンビーム16は、それぞれ異なる方向に進行する。薄膜30のある点では、複数の方向よりイオンビーム16が照射されることになる。配向方向に影響を与えるイオンビーム16は、その点で最も強いイオンビーム16である。薄膜30の全ての点において、イオンビーム16の方向を揃える必要がある。
【0005】
上記の角度φが配向層の場所によって異なると、液晶が1方向に整列しなくなる。そのため、液晶表示装置の明度むら、色むらの原因となる。図14に示すように、薄膜30の各点A,B,Cでイオンビーム16a,16b,16cの角度φがバラバラであると、液晶の配向方向は不均一になる。高画質の液晶表示装置を製造するためには、液晶の配向方向の均一化が求められている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、配向層の配向方向を均一にするための配向層形成装置および方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の配向層形成装置の要旨は、液晶表示装置の基板の配向層を形成するために、イオンビームまたは原子ビームを生成する手段と、前記基板と生成する手段との間に設けられるマスクと、複数のマスクのエッジで形成されるスリットと、を含み、そのエッジが液晶の配向方向を基に補正された形状を含むことにある。上記の生成する手段から照射されるイオンビームまたは原子ビームは、全てのイオンビームまたは原子ビームが一定方向に揃っていない。スリットを形成するマスクのエッジは、液晶の配向方向を基に補正を行った形状にする。このエッジを用いた配向層形成装置によって、液晶の配向方向が均一な配向層を形成する。具体的にマスクのエッジは、液晶の配向方向の分布を積分して求めた形状である。
【0008】
また、他の配向層形成装置として、基板に投影されたエッジの形状を液晶の配向方向を基に補正し、エッジの形状を変形させても良い。投影されたエッジの形状が曲線である場合、マスクは基板と鉛直方向に波打っており、エッジの各位置において、そのエッジと基板との距離が異なるようになっている。
【0009】
本発明の配向層形成方法の要旨は、イオンビームを生成するステップと、マスクのエッジで形成されるスリットを介して、前記イオンビームを基板上の薄膜に照射し、配向層を形成するステップとを含む配向層形成方法であって、前記エッジを用いて、基板上に形成される配向層の液晶の配向方向を補正するステップを含む。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の配向層形成装置および形成方法の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【0011】
図1(a),(b)に示すように、配向層形成装置10は、イオンビーム16を生成するイオンソース18と、基板28とイオンソース18との間に設けられる複数のマスク12と、を含む。基板28と平行な平面に2枚のマスク12が配置され、そのマスク12のエッジ32a,32bによってスリット14が形成される。基板28を載置して、図示の矢印の方向に移動させる台(図示せず)を含む。なお、図1(b)においては、イオンソース18を省略している。
【0012】
イオンソース18は、プラズマ生成室24と、プラズマ生成室24にガスを送り込むガス導入口26と、プラズマ生成室24で発生したイオンを加速させる加速電極22と、加速されたイオンを外部に射出するためのイオン射出口を含む板状体(グリッド)20と、を含む。板状体20は、例えば、形状が長方形であり、複数のイオン射出口が均一に並べられている。ガスは、例えば、アルゴン(Ar)ガスを使用する。アルゴンガスの場合には、プラズマ生成室24では、アルゴンイオン(Ar+)が発生する。
【0013】
マスク12のエッジの形状について説明する。図2において、角度Ψは、図1のX−Y平面(基板28やマスク12と平行な平面)に投影されたイオンビーム16とエッジ32aとの角度とする。本発明は、角度Ψによって、液晶の配向方向を制御する。なお、投影されるイオンビームがX軸と重なり、エッジ32aがY軸と重なると角度Ψは90度である。
【0014】
図3にエッジ32aとイオンビーム16との角度Ψと液晶の配向方向の関係を示す。図3において、イオンソース18から照射されるイオンビーム16の強度は、イオンソース18の長手方向(Y方向)で均一とする。イオンビーム16の照射方向は、基板28の進行方向と平行とする。
【0015】
図3においては、イオンビーム16とエッジ32aとの角度Ψが90度のとき液晶の配向方向が0度、言い換えるとイオンビーム16の照射方向と一致する。角度Ψが90度以外では、イオンビーム16の照射方向からずれる。この理由について説明する。図4のように、エッジ32bがY軸に対してある傾きを有しているとする。基板28上の薄膜30のある点Aが移動するが、マスク12のために上記照射方向のイオンビーム16mが点Aに到達しなくなる。しかし、斜め方向から照射されるイオンビーム16nは点Aに到達し、最後に照射されることになる。したがって、イオンビーム16nによって配向方向が決定され、液晶の配向方向がずれる。
【0016】
次に、図5に示すように、イオンビーム16mとエッジ32bとの角度Ψが90度であっても、わずかに斜めから照射されるイオンビーム16nがイオンビーム16mよりもビーム強度が強い場合、イオンビーム16nによって配向方向が決定され、液晶の配向方向がずれる。
【0017】
以上より、図3および図4の性質を利用してエッジ32bの形状を求めることによって、図5の欠点をカバーし、液晶の配向方向を均一にする。
【0018】
図3のように、エッジ32bに対するイオンビーム16の角度Ψが90度に近いときは、液晶の配向方向とその角度Ψとの間に線形の関係がある。本発明では、この関係を用いてエッジ32bの形状を求め、液晶の配向方向を補正する。
【0019】
例えば、基板28の移動方向に対する垂直方向(Y方向)における配向層の各位置で、液晶の配向方向の分布が関数T(x)であったとする。エッジ32bで配向方向を補正するためには、エッジ32bの形状の分布を関数f(x)とすると、
【0020】
【数1】
【0021】
と表すことができる。式1において、aは定数であり、基板のサイズ、配向層・液晶の種類、およびビームの性質によって変動する。定数aは実験によって求めることができるが、その一例は0.5である。関数T(x)は図6のように液晶の配向方向を表し、関数f(x)は図7のようにエッジ32bの形状を表す。エッジ32bの形状が基板28の移動方向に対して垂直でかつ直線であり、そのエッジ32bを用いて薄膜30にイオンビーム16を照射した場合に、液晶の配向方向が図6のような分布になったとする。補正して真っ直ぐな配向方向の分布にするためには、式1を用いてf(x)を求めると、図7のようになる。図7のような形状のエッジ32bにすることによって、液晶の配向方向をそろえることができる。図6に示された液晶配向方向の分布は一例であり、実際には、使用するビームソース18の特性によっても変わりうる。重要なことは、測定された液晶配向方向の分布がどのようなものであっても、一様な液晶配向方向を与えるようにマスク12のエッジ32bの形状を形成することである。
【0022】
以上をまとめると、エッジ32bの形状は、基板28の移動方向に垂直な直線のエッジを使用して形成した配向層における液晶の配向方向の分布を基にして決定される。その形状は、式1で示すように、液晶の配向方向の分布を示す関数T(x)を上記の直線のエッジに沿って積分することによって決定される。
【0023】
例えば、式1によって決定された図7のエッジ32bを用いたスリット14は、図8のようになる。エッジ32bは基板28の移動方向における下手側である。上手側のエッジ32aは直線形状である。下手側のエッジ32bに液晶の配向方向を基に決定された形状含む理由は、配向方向は、最後に曝されたイオンビーム16に影響されるからである。なお、下手側のエッジ32bが曲線形状を含んでいるが、式1の結果によっては、直線形状を含んだ形状になる場合もある。
【0024】
液晶の配向方向とエッジ32bの形状との間に線形の関係がなくとも補正が可能である。あるエッジ32bの形状の分布をf(x)、補正したい配向方向の分布をT(x)とする。エッジ32bに対するイオンビーム16の角度Ψと配向方向との関係が実験的に求められ、その角度Ψが配向方向Tの関数であるとわかっているとする。そのときの関数をg(T)とおくと、f(x)は、
【0025】
【数2】
【0026】
で表される。この関係に基づいてエッジ32bの形状を求めれば、配向方向のばらつきを補正することができる。
【0027】
以上の配向層形成装置10を使用して配向層を形成する。台の上に基板28を載置して、基板28を移動させる。移動中に、スリット14を通過したイオンビーム16が薄膜30に照射される。エッジ32bの形状によって、液晶の配向方向を制御する。上述したように配向方向が一定になるため、明度むらや色むらのない液晶表示装置を製造することができる。
【0028】
下手側のエッジ32bを式1や2によって変形して、液晶の配向方向を制御したが、図9に示すように、上手側のエッジ32aを下手側のエッジ32bと同様に変形させてもよい。これは、液晶が電界のない状態で自律的に一方向に整列する力、すなわち液晶の配向力は、薄膜30が曝されたイオンビーム16の総量の関数となる。イオンビーム16の総量は、イオンビーム16の強度が一定であれば、イオンビーム16に曝された時間で求められる。配向力も均一にするためには、上手側と下手側のエッジ32a,32bの形状を同一にして、薄膜30が曝されるイオンビーム16の総量を一定にする。
【0029】
他の方法でマスク12のエッジ32bを変形してもよい。例えば、上記の実施形態では、X−Y平面、すなわちマスク12を基板28と平行な平面で変形させたが、その平面に対して鉛直方向(Z方向)に変形させる。図10(a)のように、マスク12をたわませて、波打たせ、エッジ32bも波打たせる。すなわち、Z方向における基板28とエッジ32bとの距離をエッジ32bの位置によって変化させる。図10(b)のように、基板28または薄膜30にエッジ32bを投影すると、エッジ32bの形状が曲線になる。言い換えると、基板28からイオンソース18を見たさい、スリット14のエッジ32bの形状が、曲線になっている。この曲線が式1や2によって求められる形状、言い換えると先の実施形態と同じように液晶の配向方向を基に決定された形状にする。なお、図10においては、基板28に投影されたエッジ32bの形状は、曲線であったが、式1や2の結果によっては、直線を含む形状になる。
【0030】
また、基板28の移動方向の下手側のエッジ32bを変形させ、上手側のエッジ32aを直線形状にする。または、上手側および下手側のエッジ32a,32bを同形状に変形させる。
【0031】
エッジ32bの変形は、マスク12に対して外部より力を加えて変形させることによってできる。したがって、動的にエッジ32bを変形させることができる。
【0032】
以上の構成であっても、エッジ32bによる液晶配向方向の制御ができ、均一な液晶配向を得ることができる。したがって、明度むらや色むらのない液晶表示装置を製造することができる。
【0033】
2枚のマスク12を使用する以外に、図11(a),(b)に示すように、1枚のマスク12でスリット14を形成してもよい。
【0034】
また、イオンビーム16の照射以外に、イオンソース18で生成されたイオンビーム16を中性化して原子ビームを照射する構成でも良い。
【0035】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されることはない。その他、本発明は、主旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々の改良、修正、変更を加えた態様で実施できるものである。
【0036】
【発明の効果】
本発明によると、エッジとイオンビームとの角度を制御することによって、均一な配向層を形成することができる。したがって、明度むらや色むらのない液晶表示装置を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の配向層形成装置の図であり、(a)は側面図であり、(b)は上面図である。
【図2】図1における各平面とイオンビームの関係を示す図である。
【図3】エッジに対するイオンビームの角度による配向方向の関係を示す図である。
【図4】エッジが傾いた場合のイオンビームの薄膜への到達を示す図である。
【図5】薄膜のある点への多方向からのイオンビームの到達を示す図である。
【図6】配向方向の分布を示す図である。
【図7】図6に示す配向方向を補正するためのエッジの形状を示す図である。
【図8】スリットを形成するエッジの形状を示す上面図である。
【図9】両方のエッジを同形状にした場合のスリットの図である。
【図10】エッジをたわませた配向層形成装置の図であり、(a)は基板に対して上下方向にたわんだエッジを示す断面図であり、(b)は基板または薄膜にエッジを投影した上面図である。
【図11】1枚のマスクでスリットを形成した図であり、(a)は一方を変形させた図であり、(b)は両方を変形させた図である。
【図12】従来の配向層を形成するときの図であり、(a)は側面図であり、(b)は上面図である。
【図13】図12における各平面とイオンビームの関係を示す図である。
【図14】薄膜の各点におけるイオンビームの角度Ψを示す上面図である。
【符号の説明】
10:配向層形成装置
12:マスク
14:スリット
16,16a,16b,16c,16m,16n:イオンビーム
18:イオンソース
20:グリッド
22:加速電極
24:プラズマ生成室
26:ガス導入口
28:基板
30:薄膜
32a,32b:エッジ
Claims (12)
- 液晶表示装置の基板上の配向層を形成する装置であって、
イオンビームまたは原子ビームを生成する手段と、
前記基板と生成する手段との間に設けられ、配向層の各位置における液晶の配向方向を基にした形状のエッジを含むマスクと、
複数の前記マスクのエッジで形成されるスリットと
を含む配向層形成装置。 - 前記エッジの形状が、基板の移動方向に垂直でかつ直線のエッジを用いて配向層を形成したときの液晶の配向方向を該直線のエッジに沿って積分して求められる形状である請求項1に記載の配向層形成装置。
- 前記エッジにおいて、基板の移動方向の下手側のエッジが液晶の配向方向の分布を基にした形状を含み、基板の移動方向の上手側のエッジが直線形状である請求項1または2に記載の配向層形成装置。
- 前記エッジにおいて、基板の移動方向の上手側および下手側のエッジが同形状である請求項1または2に記載の配向層形成装置。
- 前記エッジが曲線形状を含む請求項1乃至4に記載の配向層形成装置。
- 液晶表示装置の基板上の配向層を形成する装置であって、
イオンビームまたは原子ビームを生成する手段と、
前記基板と生成する手段との間に設けられる複数のマスクと、
前記複数のマスクのエッジで形成されるスリットとを含み、
前記基板に投影される前記マスクのエッジが、前記配向層の各位置における液晶の配向方向を基にした形状を有する配向層形成装置。 - 前記基板に投影されたエッジの形状が、基板の移動方向に垂直でかつ直線のエッジを用いて配向層を形成したときの液晶の配向方向を該直線のエッジに沿って積分して求められる形状である請求項6に記載の配向層形成装置。
- 前記エッジにおいて、基板の移動方向の下手側のエッジにおいて、基板に投影されたマスクのエッジの形状が、液晶の配向方向の分布を基にした形状を含み、基板の移動方向の上手側のエッジが直線形状である請求項6または7に記載の配向層形成装置。
- 前記エッジにおいて、基板の移動方向の上手側および下手側のエッジが同形状である請求項6または7に記載の配向層形成装置。
- 前記エッジが、該エッジのそれぞれの位置で、該エッジと基板との距離が異なり、基板に投影されたマスクのエッジの形状が曲線を含む請求項6乃至9に記載の配向層形成装置。
- イオンビームを生成するステップと、
マスクのエッジで形成されるスリットを介して、前記イオンビームを基板上の薄膜に照射し、配向層を形成するステップと
を含む配向層形成方法であって、
前記エッジを用いて、基板上に形成される配向層の液晶の配向方向を補正するステップを含む配向層形成方法。 - 前記補正するステップが、基板の移動方向に垂直でかつ直線のエッジを用いて配向層を形成したときの液晶の配向方向を該直線のエッジに沿って積分するステップを含む請求項11に記載の配向層形成方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002224054A JP3760409B2 (ja) | 2002-07-31 | 2002-07-31 | 配向層形成装置 |
US10/604,553 US7057692B2 (en) | 2002-07-31 | 2003-07-30 | Apparatus and method for forming alignment layer with mask having a curved or warped surface |
US11/342,178 US7400376B2 (en) | 2002-07-31 | 2006-01-27 | Apparatus and method for forming alignment layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002224054A JP3760409B2 (ja) | 2002-07-31 | 2002-07-31 | 配向層形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004062098A true JP2004062098A (ja) | 2004-02-26 |
JP3760409B2 JP3760409B2 (ja) | 2006-03-29 |
Family
ID=31943650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002224054A Expired - Fee Related JP3760409B2 (ja) | 2002-07-31 | 2002-07-31 | 配向層形成装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7057692B2 (ja) |
JP (1) | JP3760409B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006047724A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | International Display Technology Kk | イオンビーム照射装置 |
KR20070044924A (ko) * | 2005-10-26 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 배향막과 배향막 인쇄 마스크 및 배향막형성 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4113547B2 (ja) * | 2005-12-12 | 2008-07-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 配向層形成装置および配向層形成方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5567550A (en) * | 1993-03-25 | 1996-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a mask for making integrated circuits |
JPH06337416A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-12-06 | Alps Electric Co Ltd | 液晶素子の配向膜及びその製造方法 |
JPH0756172A (ja) | 1993-08-17 | 1995-03-03 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体の製造方法 |
JPH09244027A (ja) | 1996-03-05 | 1997-09-19 | Nissin Electric Co Ltd | 液晶パネルの製造方法 |
US5770826A (en) * | 1996-05-10 | 1998-06-23 | International Business Machines Corporation | Atomic beam alignment of liquid crystals |
US6124914A (en) * | 1996-05-10 | 2000-09-26 | International Business Machines Corporation | Method an apparatus for forming an alignment pattern on a surface using a particle beam useful for a liquid crystal |
JP3671578B2 (ja) | 1997-03-07 | 2005-07-13 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置の製造方法 |
JPH11160711A (ja) | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Victor Co Of Japan Ltd | 液晶配向膜の製造方法及びその装置 |
US6300993B1 (en) * | 1998-01-20 | 2001-10-09 | Industrial Technology Research Institute | Wide viewing angle liquid crystal display panel |
US6061114A (en) * | 1998-02-23 | 2000-05-09 | International Business Machines Corporation | Alignment of liquid crystal layers |
US6061115A (en) * | 1998-11-03 | 2000-05-09 | International Business Machines Incorporation | Method of producing a multi-domain alignment layer by bombarding ions of normal incidence |
US6313896B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-11-06 | International Business Machines Corporation | Method for forming a multi-domain alignment layer for a liquid crystal display device |
KR100475107B1 (ko) * | 1999-10-14 | 2005-03-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정셀의 제조방법 |
US6331381B1 (en) * | 2000-04-14 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Method for making a liquid crystal alignment layer |
-
2002
- 2002-07-31 JP JP2002224054A patent/JP3760409B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-07-30 US US10/604,553 patent/US7057692B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-27 US US11/342,178 patent/US7400376B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006047724A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | International Display Technology Kk | イオンビーム照射装置 |
KR20070044924A (ko) * | 2005-10-26 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 배향막과 배향막 인쇄 마스크 및 배향막형성 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060132689A1 (en) | 2006-06-22 |
US20040246419A1 (en) | 2004-12-09 |
US7057692B2 (en) | 2006-06-06 |
US7400376B2 (en) | 2008-07-15 |
JP3760409B2 (ja) | 2006-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10145014B2 (en) | Film forming apparatus | |
US8308921B1 (en) | Mask for increased uniformity in ion beam deposition | |
JP4642789B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP4113547B2 (ja) | 配向層形成装置および配向層形成方法 | |
TWI630605B (zh) | Ion beam etching method and ion beam etching device | |
WO2006025452A1 (ja) | イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法 | |
JP2004069414A (ja) | プラズマディスプレイパネルにおけるマスクと基板との間のギャップの測定方法 | |
TW200903555A (en) | Ion implanter | |
US8772142B2 (en) | Ion implantation method and ion implantation apparatus | |
JP2008019498A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
US6593586B2 (en) | Method and apparatus for making a crystal alignment layer | |
TWI654643B (zh) | 離子植入系統及用於離子植入的方法 | |
TW201730911A (zh) | 離子佈植系統與製程 | |
JP2004062098A (ja) | 配向層形成装置および形成方法 | |
JP6567119B1 (ja) | 基板処理装置及びその制御方法、成膜装置、電子部品の製造方法 | |
JP3731883B2 (ja) | 配向層形成装置および配向層形成方法 | |
KR20180008578A (ko) | 다층 증착을 위한 장치 및 방법 | |
US6849858B2 (en) | Apparatus and method for forming alignment layers | |
WO2017188132A1 (ja) | イオンビーム照射装置及びイオンビーム照射方法 | |
JP2006047724A (ja) | イオンビーム照射装置 | |
TWI533358B (zh) | 離子佈植機及其離子佈植方法 | |
KR102644783B1 (ko) | 빔 프로세싱 시스템에서 빔 스캔 크기 및 빔 위치를 사용하여 높은 처리량을 위한 방법 | |
JP2009217980A (ja) | イオン源の電圧決定方法 | |
JP6503859B2 (ja) | イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法 | |
KR101319497B1 (ko) | 배향막을 형성하기 위한 이온 빔 조사 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050607 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050810 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051220 |
|
RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20051222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100120 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100120 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110120 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120120 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130120 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140120 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |