KR20190091739A - 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 영역이 확장된 반응형 스퍼터장치에 관한 것이다. 이는, 진공을 유지할 수 있는 내부공간을 갖는 진공챔버와; 상기 진공챔버의 내부에 회전 가능하도록 설치되며 그 외주면에 증착대상물을 고정하는 드럼과; 상기 드럼을 바라보도록 배치되며, 상기 드럼의 회전에 따라 일정경로를 따라 공전하는 증착대상물의 표면에 막을 증착하는 스퍼터부와; 상기 드럼의 주연부에 설치되며, 상기 증착대상물과의 사이에 플라즈마를 형성하고, 외부로부터 주입된 산소를 형성된 플라즈마를 이용하여 이온화시켜 상기 증착대상물에 가하는 것으로서, 상호 나란하게 이격되며 상기 드럼을 바라보도록 배치되는 한 쌍의 자계형성바디와, 일측 자계형성바디에 고정되며 일측 자계형성바디의 전방으로 제1극성의 자기력을 생성하는 제1전자석군과, 타측 자계형성바디에 고정되며 타측 자계형성바디의 전방으로 제2극성의 자기력을 생성하는 제2전자석군과, 상기 제1전자석군과 제전2자석군의 자력을 각각 제어하는 제1자력제어부와 제2자력제어부와, 상기 제1,2자력제어부를 제어하는 콘트롤러를 포함하는 스퍼터건을 구비한다. 본 발명에 의하여 기계적 화학적 특성이 뛰어난 증착막을 제공할 수 있고, 표면 전체에 걸쳐 형성된 전자석들의 자력을 미세하게 조절하기 때문에 스퍼터장치에 의해 형성되는 박막 두께의 균일성이 향상될 수 있다.
Description
본 발명은 플라즈마를 이용하는 스퍼터장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 자력의 증가를 통해 스퍼터건 전방의 프라즈마영역을 확장하는 것은 물론, 두 개 이상의 열로 배열된 전자석들 각각의 자력을 미세 제어함으로써 상대적으로 긴 자계형성바디에 의해 형성되는 박막의 균일성을 향상시키는 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치에 관한 것이다.
글래스기판 등의 대상물 표면에 박막을 적층하기 위한 적층방법으로서, CVD(Chemical Vapor Deposition), 증발법(Evaporation) 및 스퍼터링(Sputtering) 등이 알려져 있다. 상기한 적층방법은 각자의 특징이 있어 필요에 맞추어 적절히 선택된다.
상기 CVD 방법은, 증착막이 균일하지 못하고 특성의 재현에 어려움이 있으며, 증착시 고온의 환경을 요구하므로 에너지 소모가 심하다는 단점이 있다. 또한, 증발법은 증착율이 높다는 장점이 있으나 증착막의 밀도나 밀착력이 떨어지는 불리한 점이 있다.
이에 비해, 스퍼터링 방식은, 증착 조건을 제어하기 쉽고 대면적의 기판 증착에 적합하며, 특히 박막의 두께나 밀도 등과 같은 박막 특성의 균일화를 용이하게 구현할 수 있다는 장점을 갖는다. 이러한 이유로 반도체 분야나 전기전자분야는 물론 디스플레이 분야에서 박막 형성을 위한 방법으로 스퍼터링 방식이 가장 널리 사용되고 있다.
상기 스퍼터링 증착방식은, 진공이 유지되는 진공챔버내에서 진행되는데, 자석을 이용해 타겟의 표면에 자기장을 유지한 상태로 챔버내에 불활성 기체인 아르곤(Ar)을 주입하고, 타겟에 음극 전력을 인가하여 플라즈마를 형성하는 과정을 포함한다.
상기 아르곤은 플라즈마에 의해 이온화 되고, 이온화된 아르곤의 양이온은 타겟에 고속으로 충돌하여 타겟을 이루는 원자에 충돌에너지를 가하여 타겟으로부터 원자들이 방출되게 한다. 타겟의 표면으로부터 방출된 타겟 물질은 전방에 대기하고 있는 증착대상물, 가령, 기판으로 날아가 기판에 증착되게 된다.
참고로, 충돌하는 입자들이 양이온이라면 음극 스퍼터링이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 음극 스퍼티링이다. 음극 스퍼터링이 많이 사용되는 이유는, 양이온이 가속되기 쉽고 또한 타겟에 충돌하기 직전 타겟으로부터 방출되는 전자에 의하여 중성화되어 중성 원자로 타겟에 충돌하기 때문이다.
상기 증착과정에 있어서, 플라즈마 속에 존재하는 음이온에 의해 리스퍼터링(re-sputtering) 현상이 발생하기도 한다. 상기 리스퍼터링은 플라즈마 내부의 음이온이, 타겟이 아닌 증착대상물의 표면을 타격하여, 증착층에 손상을 주고 경우에 따라 증착물질을 증착대상로부터 다시 분리하는 현상이다.
이러한 리스퍼터링은, 타겟의 후방에 배치되어 있는 자석의 배열이나 출력 자기력을 조절함으로써 해결할 수 있다. 발생된 플라즈마에 자기장을 인가하면 플라즈마 내의 음이온에 로렌쯔 힘을 가하여 플라즈마의 밀도 분포를 달리할 수 있기 때문이다.
그런데, 도 2를 통해 후술되는 바와 같이, 스퍼터장치에 포함되는 자계형성바디는 대략적으로 직사각형의 형상을 가지며 직사각형의 장변의 길이가 길어짐에 따라서 전체 길이에 걸쳐 일정한 자계를 형성하는 것이 어려워진다. 자계형성바디에 의해 생성되는 자계가 일정하지 않으면 외부로부터 주입된 산소를 플라즈마를 이용하여 이온화시킬 때 이온화되는 정도가 달라진다. 따라서, 자계형성바디의 길이방향에 따른 자계의 균일도가 열화되고, 이것은 글래스기판 상에 형성되는 박막 두께의 균일성이 감소되는 결과를 가져 온다.
그러므로, 자계형성바디의 길이방향 전체에 걸쳐 일정한 자계가 형성되도록 자계형성바디에 형성된 자석들의 자력을 미세하게 조절하기 위한 기술이 절실히 요구된다.
본 발명은 상기 문제점을 해소하고자 창출한 것으로서, 플라즈마 영역이 크게 확대되어 증착막의 부착력이 뛰어나고 기계적 화학적 특성이 양호한 증착막을 제공할 수 있으며, 자계형성바디의 길이방향 전체에 걸쳐 일정한 자계가 형성되도록 자계형성바디 표면 전체에 걸쳐 형성된 전자석들의 자력을 미세하게 조절하여 스퍼터장치에 의해 형성되는 박막 두께의 균일성을 향상시키는 반응형 스퍼터장치를 제공함에 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치는 진공을 유지할 수 있는 내부공간을 갖는 진공챔버와; 상기 진공챔버의 내부에 회전 가능하도록 설치되며 그 외주면에 증착대상물을 고정하는 드럼과; 상기 드럼을 바라보도록 배치되며, 상기 드럼의 회전에 따라 일정경로를 따라 공전하는 증착대상물의 표면에 막을 증착하는 스퍼터부와; 상기 드럼의 주연부에 설치되며, 상기 증착대상물과의 사이에 플라즈마를 형성하고, 외부로부터 주입된 산소를 형성된 플라즈마를 이용하여 이온화시켜 상기 증착대상물에 가하는 것으로서, 상호 나란하게 이격되며 상기 드럼을 바라보도록 배치되는 한 쌍의 자계형성바디와, 일측 자계형성바디에 고정되며 일측 자계형성바디의 전방으로 제1극성의 자기력을 생성하는 제1전자석군과, 타측 자계형성바디에 고정되며 타측 자계형성바디의 전방으로 제2극성의 자기력을 생성하는 제2전자석군과, 상기 양측 자계형성바디의 사이에 위치하며 양측 자계형성바디를 서로 연결하는 센터홀더와, 상기 제1전자석군과 제2전자석군의 자력을 각각 제어하는 제1자력제어부와 제2자력제어부와, 상기 제1,2자력제어부를 제어하는 콘트롤러를 포함하는 스퍼터건을 구비한다.
또한, 상기 제1전자석군과 제2전자석군은 상호대칭적인 구조를 가지고, 적어도 둘 이상의 열로 나란히 배열된 다수의 전자석을 각각 포함하며, 상기 제1자력제어부와 제2자력제어부는 상기 제1전자석군과 제2전자석군에 포함된 전자석 각각의 자력을 각각 제어한다.
아울러, 상기 일측 자계형성바디와 타측 자계형성바디에서 생성되는 자기력은, 상기 센터홀더를 기준으로 상호 대칭을 이룬다.
또한, 상기 양측 자계형성바디는, 상기 드럼에 대향하는 대향면이 둔각의 사이각을 가지도록 배치된다.
아울러, 상기 스퍼터건은, 상기 한 쌍의 자계형성바디의 후방에 상기 제1,2전자석군을 보호하는 하우징을 더 포함한다.
또한, 상기 스퍼터부는; 그 내부에 실리콘 캐소오드를 갖는 제1스퍼터부와, 그 내부에 티타늄 캐소오드를 갖는 제2스퍼터부를 포함한다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명의 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치는, 상호 나란한 양측 자계형성바디에 배치된 자석의 극성을 자계형성바디 별로 동일하게 구성하여, 플라즈마 영역이 크게 확대되어 그만큼 에너지가 증가하므로, 증착막의 부착력이 양호하고 기계적 화학적 특성이 뛰어난 증착막을 제공할 수 있다.
또한 자계형성바디의 길이방향 전체에 걸쳐 일정한 자계가 형성되도록 자계형성바디 표면 전체에 걸쳐 형성된 전자석들의 자력을 미세하게 조절하기 때문에 스퍼터장치에 의해 형성되는 박막 두께의 균일성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치의 전체적인 구성을 나타내 보인 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 반응형 스퍼터장치에 포함된 스퍼터건(31)이 가지는 한 쌍의 자계형성바디(35)를 상세하게 도시하는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시한 반응형 스퍼터장치에 포함된 스퍼터건(31)에 의해 형성되는 플라즈마 영역을 개념적으로 설명하는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시한 반응형 스퍼터장치에 포함된 스퍼터건(31)이 가지는 한 쌍의 자계형성바디(35)를 상세하게 도시하는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시한 반응형 스퍼터장치에 포함된 스퍼터건(31)에 의해 형성되는 플라즈마 영역을 개념적으로 설명하는 도면이다.
이하, 본 발명에 따른 하나의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치(10)의 전체적인 구성을 나타내 보인 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 반응형 스퍼터장치에 포함된 스퍼터건(31)이 가지는 한 쌍의 자계형성바디(35)를 상세하게 도시하는 도면이다. 또한, 도 3은 도 1에 도시한 반응형 스퍼터장치에 포함된 스퍼터건(31)에 의해 형성되는 플라즈마 영역을 개념적으로 설명하는 도면이다. 이하 각 도면을 유기적으로 참조하여 본 발명에 의한 스퍼터장치(10)에 대해 설명한다.
기본적으로 본 실시예에 따른 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치(10)는, 글래스기판(22)의 표면에 SiO2 또는 TiO2 층을 형성하기 위한 최적의 구조를 갖는다. 글래스기판(22)에 대한 Si의 증착은 제1스퍼터부(14)에 의해 이루어지고, Ti의 증착은 제2스퍼터부(16)에 의해 구현된다. 아울러, 상기 제1스퍼터부(14)와 제2스퍼터부(16)는 동시에 작동할 수도 있고, 필요에 따라 하나만 동작할 수도 있다.
도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 스퍼터장치(10)는, 진공챔버(12), 드럼(20), 제1,2스퍼터부(14,16), 산소이온발생부(30), 진공펌프(18) 등을 포함하는 구성을 갖는다.
상기 진공챔버(12)는, 다수의 진공펌프(18)에 의해 진공을 유지하는 내부공간(12a)을 갖는 챔버로서, 상기 드럼(20)을 회전 가능하게 수용한다. 이를 위해 진공챔버(12)의 하부에는 드럼 구동용 모터가 구비되어 있음은 물론이다.
상기 드럼(20)은 가령 60rpm 정도의 속도로 회전하는 부재로서 그 주연부에 글래스기판(22)을 갖는다. 상기 글래스기판(22)은 가령 SiO2나 TiO2를 증착할 증착대상물이다. 글래스기판(22)은 적절한 지그를 통해 드럼(20)의 주연부에 고정되며 드럼의 회전에 따라 일정경로를 공전한다. 말하자면 제1스퍼터부(14)와 스퍼터건(31)과 제2스퍼터부(16)의 앞을 스쳐 지나가는 것이다.
상기 제1스퍼터부(14)는, 두 개의 실리콘캐소오드(14a)와, 아르곤가스를 주입하는 가스공급관(14b)을 포함하며, 공지의 방법에 따라 글래스기판(22)에 실리콘층을 증착한다. 이를테면, 내부공간(12a)에 주입된 아르곤가스가 플라즈마에 의해 이온화된 상태로 실리콘캐소오드(14a)를 타격하고, 타격에 의해 실리콘캐소오드(14a)에서 발생하는 실리콘 원자가 글래스기판(22)에 증착되는 것이다.
제2스퍼터부(16)는, 두 개의 티타늄캐소오드(16a)와, 아르곤가스를 주입하는 가스공급관(16b)을 구비한다. 가스공급관(16b)을 통해 내부공간(12a)으로 주입된 아르곤가스는 플라즈마 분위기에서 이온화되고, 아르곤가스의 양이온이 티타튬캐소오드(16a)를 타격한다. 상기 타격에 의해 발생한 티타늄 원자가 글래스기판(22)의 표면으로 이동하여 증착됨은 물론이다.
한편, 상기 스퍼터건(31)은 외부로부터 주입된 산소를 이온화시키는 산소이온발생부(30)의 역할을 한다. 산소이온발생부(30)의 기본 역할은, 외부로부터 공급된 산소를 플라즈마 환경을 통해 이온화시켜, 실리콘이나 티타늄이 증착되고 있는 글래스기판(22)에 가하는 것이다.
경우에 따라, 스퍼터건(31)의 전면, 즉, 드럼(20)을 향하는 면(가령, 도 3의 커버 자리)에 타겟소스를 장착할 수도 있다. 타겟소스를 장착할 경우, 스퍼터건(31)을 통한 스퍼터링이 가능해짐은 물론이다. 상기 타겟소스를 사용하지 않는 경우에는 산소를 이온화시키거나, 산소나 복합가스를 사용하여 기판의 반응성 처리 및 표면 트리트먼트의 기능을 할 수 있다.
스퍼터건(31)의 전방에는 플라즈마영역(P)이 형성된다. 상기 플라즈마영역(P)은 넓을수록 좋다. 글래스기판(22)과의 사이에 형성된 플라즈마를 이용하여 산소를 이온화시키기 때문이다. 플라즈마영역이 넓으면 그만큼 산소의 반응속도가 당연히 신속해진다.
스퍼터건(31)은, 상기 진공챔버(12)에 고정되며 밀폐공간부(32a)를 갖는 하우징(32)과, 하우징(32)의 내부 중앙에 위치하는 센터홀더와, 상기 센터홀더의 양측에 대칭으로 구비된 자계형성바디(35)와, 상기 자계형성바디(35)의 배면에 구비되는 다수의 전자석(37f)을 포함한다.
후술되는 바와 같이, 일측 자계형성바디(35)에 배치된 전자석(37f)는 동일한 극성을 가지도록 배치된다. 또한, 전자석(37f)는 자계형성바디(35)의 너비방향을 커버하도록 적어도 두 열로 배치되는 것이 바람직하다. 본 명세서에서는 전자석(37f)이 세 열로 배열되는 경우를 예시하지만, 이것은 설명의 편의를 위한 것이고 본 발명을 제한하는 것이 아니다.
상기 자계형성바디(35)는, 진공챔버(12)의 높이방향을 따라 수직으로 연장된 부재로서 그 전면에 보호용 커버(33)를 갖는다. 필요에 따라 상기 보호용 커버(33)를 분리하고 그 자리에 소스타겟을 장착할 수도 있음은 위에 언급한 바와 같다. 아울러, 자계형성바디(35)의 배면에는 자석(37f)이 삽입 고정되는 다수의 자석설치홈(35a)이 형성되어 있다.
자석에 의해 형성되는 플라즈마영역은 자기력의 크기 및 범위와 관련되므로, 영구자석간에 작용하는 자기장의 범위가 작다면, 당연히 플라즈마 영역도 작다. 본 발명에 의한 스퍼터장치(10)에 포함되는 스퍼터건(31)은 각 자계형성바디(35)에 설치되는 자석들이 동일한 극성을 가지도록 배치된다. 말하자면, 도면상 좌측에 위치한 자계형성바디(35)에는 오로지 제1극성의 자석만이 배치되어 있고, 우측에 위치한 자계형성바디(35)에는 오로지 제2극성의 자석만이 배치되어 있는 것이다. 도 3에서 좌측의 자계형성바디(35)에는 N극의 자극을 가지는 자석들이 배치되고, 우측의 자계형성바디(35)에는 S극의 자극을 가지는 자석들이 배치되는 것으로 도시되었지만 이는 설명의 편의를 위한 것이고 본 발명을 한정하는 것이 아니다.
따라서 좌측 자계형성바디(35)에서 발생한 자기력은, 센터홀더를 가로질러 반대편 자계형성장치(35)에 도달한다. 스퍼터건(31)의 전방 상대편에 자기력이 미치는 것이다. 상기한 바와 같이, 플라즈마 영역은 자기력의 범위와 관련되므로, 결국, 스퍼터건(31)의 전방에 플라즈마영역(P)이 넓게 분포하게 된다.
한편, 상기 양측 자계형성바디(35)는 한 평면상에 위치하지 않고, 내측으로 꺾인 상태를 유지한다. 즉, 양측 자계형성바디(35)의 드럼을 향하는 대향면이 둔각의 사이각을 가지도록 배치된 것이다. 상기 사이각은 135도 내지 170도 일 수 있다.
도 3을 참조하면, 산소이온발생부(30)와 드럼(20)의 사이에 플라즈마영역(P)이 넓게 분포함을 알 수 있다. 외부로부터 주입된 산소분자가 플라즈마영역(P) 내부에 포함되어 에너지를 전달받기 용이하다. 산소는 상기 플라즈마영역(P) 내부로 유도되어 이온화 된 상태로, (실리콘이나 티타늄이 증착되고 있는) 글래스기판(22) 상에 가해져 글래스기판(22)상에 SiO2(이산화규소) 또는 TiO2(이산화티타늄)층을 형성한다.
이제 각 자계형성바디(35)에 배치되는 전자석(37f)의 구성에 대해서 도 2 를 참조하여 상세히 후술한다.
도 2를 참조하면, 좌측 및 우측 자계형성바디(35)에는 각각 세 열로 배열되는 전자석(37f)이 배치되고, 각 자계형성바디(35)에 배치되는 전자석(37f)은 동일한 극성을 가지며, 좌측 자계형성바디(35)에 배치되는 전자석(37f)과 우측 자계형성바디(35)의 표면에 배치되는 전자석(37f)은 서로 대응되는 극성을 가진다.
자계형성바디(35)는 경우에 따라 길이가 1m에 달할 정도로 긴 직사각형 형상을 가진다. 그런데 길이 방향으로 길게 배열된 자석의 자성을 일정하게 유지하는 것은 매우 어려운 일이다. 공장에서 제조할 때 길이방향 자성을 일정하게 세팅했다고 하더라도, 스퍼터장치(10)의 운용 중 여러 변수와 선택적 노화에 의하여 자계형성바디(35)가 생성하는 자성의 균일성은 열화되게 된다. 본 발명에 의한 스퍼터장치(10)에 포함되는 스퍼터건(31)은 이에 대비하여 자계형성바디(35)에 배치된 자석들을 모두 전자석(37f)으로 배치한다.
자계형성바디(35)에 배치된 전자석(37f)은 각각 제1,2자력제어부(41)에 의해 그 자력이 제어되고, 제1,2자력제어부(41)는 콘트롤러(43)에 의해 제어된다. 도 3에 도시된 스퍼터건(31)은 두 개의 제1,2자력제어부(41)를 포함하는 것으로 도시되었지만, 이는 본 발명을 제한하는 것이 아니고, 양측 자계형성바디(35)에 포함되는 전자석(37f) 각각을 공통의 자력제어부(41)를 사용하여 제어할 수도 있다.
자력제어부(41)에 의해 전자석(37f)의 자력이 제어되면, 길이 방향으로 긴 자계형성바디(35)에서 발생되는 자력이 자계형성바디(35) 전체에 걸쳐 일정하게 유지되도록 미세제어하는 것이 가능해진다. 그러므로, 스퍼터건(31)에 의해 증착되는 산소이온의 농도를 글래스기판(22) 전체에 걸쳐 일정하게 유지할 수 있기 때문에, 박막 두께의 균일성이 개선된다.
전술된 바와 같이, 도 3에 도시된 양측의 자계형성바디(35)에서 발생되는 자력은 센터홀더를 기준으로 상호대칭을 이뤄야 하므로, 자력제어부(41)는 좌측 자계형성바디(35)와 우측 자계형성바디(35)에 설치된 전자석(37f)의 자력을 상호 대칭이 되도록 제어하는 것이 바람직하다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정하지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
10:스퍼터장치 12:진공챔버
12a:내부공간 14:제1스퍼터부
14a:실리콘캐소오드 14b:가스공급관
16:제2스퍼터부 16a:티타늄캐소오드
16b:가스공급관 18:진공펌프
20:드럼 22:글래스기판
31:스퍼터건 32:하우징
32a:밀폐공간부 33:커버
35:자계형성바디 35a:자석설치홈
37f:전자석 30:산소이온발생부
12a:내부공간 14:제1스퍼터부
14a:실리콘캐소오드 14b:가스공급관
16:제2스퍼터부 16a:티타늄캐소오드
16b:가스공급관 18:진공펌프
20:드럼 22:글래스기판
31:스퍼터건 32:하우징
32a:밀폐공간부 33:커버
35:자계형성바디 35a:자석설치홈
37f:전자석 30:산소이온발생부
Claims (6)
- 진공을 유지할 수 있는 내부공간을 갖는 진공챔버와;
상기 진공챔버의 내부에 회전 가능하도록 설치되며 그 외주면에 증착대상물을 고정하는 드럼과;
상기 드럼을 바라보도록 배치되며, 상기 드럼의 회전에 따라 일정경로를 따라 공전하는 증착대상물의 표면에 막을 증착하는 스퍼터부와;
상기 드럼의 주연부에 설치되며, 상기 증착대상물과의 사이에 플라즈마를 형성하고, 외부로부터 주입된 산소를 형성된 플라즈마를 이용하여 이온화시켜 상기 증착대상물에 가하는 것으로서, 상호 나란하게 이격되며 상기 드럼을 바라보도록 배치되는 한 쌍의 자계형성바디와, 일측 자계형성바디에 고정되며 일측 자계형성바디의 전방으로 제1극성의 자기력을 생성하는 제1전자석군과, 타측 자계형성바디에 고정되며 타측 자계형성바디의 전방으로 제2극성의 자기력을 생성하는 제2전자석군과, 상기 양측 자계형성바디의 사이에 위치하며 양측 자계형성바디를 서로 연결하는 센터홀더와, 상기 제1전자석군과 제2전자석군의 자력을 각각 제어하는 제1자력제어부와 제2자력제어부와, 상기 제1,2자력제어부를 제어하는 콘트롤러를 포함하는 스퍼터건을 구비하는 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1전자석군과 제2전자석군은 상호대칭적인 구조를 가지고, 적어도 둘 이상의 열로 나란히 배열된 다수의 전자석을 각각 포함하며,
상기 제1자력제어부와 제2자력제어부는 상기 제1전자석군과 제2전자석군에 포함된 전자석 각각의 자력을 각각 제어하는 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치. - 제2항에 있어서,
상기 일측 자계형성바디와 타측 자계형성바디에서 생성되는 자기력은, 상기 센터홀더를 기준으로 상호 대칭을 이루는 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치. - 제3항에 있어서,
상기 양측 자계형성바디는, 상기 드럼에 대향하는 대향면이 둔각의 사이각을 가지도록 배치된 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치. - 제1항에 있어서,
상기 스퍼터건은, 상기 한 쌍의 자계형성바디의 후방에 상기 제1,2전자석군을 보호하는 하우징을 더 포함하는 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치. - 제1항에 있어서,
상기 스퍼터부는,
그 내부에 실리콘 캐소오드를 갖는 제1스퍼터부와,
그 내부에 티타늄 캐소오드를 갖는 제2스퍼터부를 포함하는 박막 균일성이 향상된 반응형 스퍼터장치.
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