KR101683726B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

좌우 대칭으로 마주보도록 이루어진 라인상 혹은 트랙상의 캐소드 전극, 캐소드 전극 사이에 서로 마주보도록 이루어진 타겟(target), 캐소드 전극 주변에 설치되어 플라즈마 밀집 영역을 제한하도록 이루어진 자계 소오스(magnetic field source), 타겟 부분은 개방한 상태로 캐소드 전극(cathode electrode)과 자계 소오스를 둘러싸도록 이루어진 접지 전극, 타겟과 접지 전극 사이에서 위쪽(기판쪽)으로 소오스 가스를 공급하는 소오스 가스 공급장치, 캐소드 전극 및 접지 전극 위쪽에 이격되어 설치되는 가속전극을 구비하고, 캐소드 전극과 가속 전극에는 서로 다른 극성의 직류 전압이 인가되고, 시간에 따라 극성이 서로 바뀔(가변될) 수 있도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리장치가 개시된다.
본 발명에 따르면, 캐소드 전극의 전위가 실질적으로 타겟 표면을 통해 작용하므로 캐소드에 부의 전압이 인가되면 이온이 캐소드로 가속되어 충돌하면서 캐소드에 적층된 증착물질을 제거하는 세정작용을 할 수 있으므로 전극을 교번하면 장기적으로 사용하여도 캐소드의 주변에 증착물질이 덮여서 전극으로서의 기능이 훼손되는 것을 예방할 수 있고, 가속 전극에 의해 양이온이 기판으로 당겨지는 힘을 조절할 수 있으므로 증착물질이 기판에 집중되어 기판에 증착되는 박막의 막질을 조절, 개선할 수 있고, 증착 효율을 높이도록 조절할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 {apparatus for processing substrates}
본 발명은 기판에 화학기상증착(CVD: Chemical Vapor Depisition)이나 플라즈마 처리 등을 실시하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대형 기판에 박막의 증착 작업을 장시간 연속적으로 실시할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판에 트랜지스터 등의 전자 소자와 회로 도선을 형성하는 작업은 반도체 장치 제조나 평판 표시장치 제조 등에서 광범위하게 이루어지고 있다. 가령, 화학기상증착에서는, 전자 소자나 도선 형성을 위한 도전막이나 절연막을 만들기 위해, 기판이 배치된 공간에 소오스 가스(source gas)를 투입하여 기판 표면에 소오스 가스들의 화학작용에 의해 만들어지는 물질의 박막(thin film)을 형성하게 된다.
화학기상증착과 같은 기판 처리에 있어서 별다른 조건 부여 없이 소오스 가스 투입만으로 공정이 이루어지는 경우도 있지만, 대개 기판 처리의 효율을 높이기 위해 공정이 이루어지는 공정실을 고온으로 하거나, 플라즈마(plasma)를 형성하여 박막을 형성할 소오스들의 활성을 높이는 방법을 사용하고 있다.
이러한 기판 처리에 있어서 처리 효과는 이상적으로는 기판 표면에서만 이루어지는 것이 바람직하지만 실제는 챔버(chamber) 내의 모든 표면에서 물질막 증착과 같은 표면 처리 결과가 이루어질 수 있으며, 따라서, 공정 챔버를 비롯하여 그 내부에 설치되는 설비들을 수시로 혹은 정기적으로 유지 보수(maintenance)할 필요가 있다.
특히, 플라즈마를 형성하여 화학기상증착을 효율적으로 이루어지도록 하는 경우, 플라즈마 형성을 위한 전극 표면에 절연성 물질막이 쌓여 전극(electrode)의 기능을 해칠 수 있으므로 중점적인 관리가 필요하게 된다.
액정표시장치(LCD)나 유기발광다이오드(OLED) 등의 표시장치나 연성인쇄회로기판(FPCB)는 기판 표면에 반도체 전자소자나 회로 패턴을 형성하기 위해 기판 표면에 반도체막과 절연체막을 형성할 필요가 있고, 이를 위해 CVD 장치와 같은 기판 처리 장치가 많이 사용된다. 기판 크기가 커지면서 CVD 장치의 챔버나 소오스 공급장치 기타 요소들의 크기도 커지고, 이를 관리하기 위해서는 더욱 많은 시간과 수고가 필요하게 된다.
그런데, 기판 처리 장치의 유지 관리 작업을 할 때에는 장비의 가동을 중단하고 다시 세팅을 해야하는 등 작업에 시간이 많이 들게 되므로 기판을 생산하는 시간이 줄어들고, 공정 효율이 떨어지며, 대형 장비일수록 그 소요 시간과 비용을 증가하게 된다.
따라서, 장비 가동 중단 시간을 짧게 하거나 유지 보수 작업의 필요성을 작게할 수 있는 기판 처리 장치가 요청된다.
대한민국 특허공개 제10-2011-0118622호에는 기판에 박막을 형성하는 공정 과정에서도 전극에 적층되는 물질들을 제거하여 유지보수의 필요성을 줄인 기판 처리 장치 및 방법이 개시된다.
대한민국 특허공개 제10-2011-0118622호
본 발명은 유지 보수를 위한 가동 중단 없이 기판 가공 공정을 장기간 진행할 수 있도록 하는 기판 표면 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판 표면의 증착막 증착 효율을 높일 수 있도록 하는 구성을 가진 기판 표면 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리장치는,
좌우 대칭으로 마주보도록 이루어진 라인상 혹은 트랙상의 캐소드 전극,
상기 캐소드 전극 사이에 서로 마주보도록 이루어진 타겟(target),
상기 캐소드 전극 주변에 설치되어 플라즈마 밀집 영역을 제한하도록 이루어진 자계 소오스(magnetic field source),
상기 타겟 부분은 개방한 상태로 상기 캐소드 전극(cathode electrode)과 자계 소오스를 둘러싸도록 이루어진 접지 전극
상기 타겟과 상기 접지 전극 사이에서 위쪽(기판쪽)으로 소오스 가스를 공급하는 소오스 가스 공급장치,
상기 캐소드 전극 및 상기 접지 전극 위쪽에 이격되어 설치되는 가속전극을 구비하고,
상기 캐소드 전극과 상기 가속 전극에는 서로 다른 극성의 직류 전압이 인가되고, 시간에 따라 극성이 서로 바뀔(가변될) 수 있도록 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 가변되는 시간은 조절될 수 있으며, 캐소드 전극에 부(마이너스) 전압이 걸리는 시간은 정(플러스) 전압이 걸리는 시간보다 크게 조절되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 캐소드 전극과 가속 전극을 통해 공급되는 전력은 가변될 수 있다.
본 발명에서 타겟은 실리콘(규소: Si)으로 형성하고, 소오스 가스는 헥사메칠디실록산(HMDS:hexamethyldisiloxane)와 산소를 사용할 수 있다.
본 발명에 따르면, 캐소드 전극의 전위가 실질적으로 타겟 표면을 통해 작용하므로 캐소드에 부의 전압이 인가되면 이온이 캐소드로 가속되어 충돌하면서 캐소드에 적층된 증착물질을 제거하는 세정작용을 할 수 있으므로 전극을 교번하면 장기적으로 사용하여도 캐소드의 주변에 증착물질이 덮여서 전극으로서의 기능이 훼손되는 것을 예방할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 가속 전극에 의해 양이온이 기판으로 당겨지는 힘을 조절할 수 있으므로 증착물질이 기판에 집중되어 기판에 증착되는 박막의 막질을 조절, 개선할 수 있고, 증착 효율을 높이도록 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 측면에서 타겟의 재질과 소오스 가스의 성분을 조절하는 것에 의해 캐소드에 부의 전압이 인가되는 상황에서도 기판에 대한 증착이 이루어져 증착 효율을 높이는 것이 가능하게 된다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적, 개념적으로 나타내는 측단면도이며,
도2는 본 발명의 일 실시예에 다른 기판 처리 장치의 설치 형태를 나타내는 개략적 사시도이고,
도3은 본 발명의 캐소드 전극 및 가속 전극에 걸리는 전압의 한 형태를 나타내는 그래프이다.
이하 도면을 참조하면서 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.
도1 및 도2에 따른 실시예에서는 좌우 대칭으로 마주보도록 이루어진 평행 라인상의 캐소드 전극(10)이 설치된다. 캐소드 전극(10) 사이에는 타겟(20)이 설치된다. 타겟(20)도 캐소드 전극(10)과 같이 좌우 대칭으로 마주보도록 설치된다.
이 실시예에서 타겟(20)은 실리콘(Si) 재질로 이루어지면, 도1의 단면도 상에서는 플레이트 형태로 이루어지지만 도2의 입체적 형태를 고려하면 긴 띠나 긴 사각 막대 형태를 가진다. 타겟(20)은 캐소드 전극(10)에 접촉되어 있고, 따라서, 캐소드 전극(10)이 부 전압을 가지면 캐소드 전극과 접촉된 표면의 반대쪽 표면(공간에 노출된 표면)은 부의 전압을 가진다고 볼 수 있다.
캐소드 전극(10)의 상, 하부에는 자계 소오스로서 영구 자석(31, 33)이 배치된다. 상, 하부의 영구 자석(31, 33)은 서로 반대 자극 극성으로 배치된다.
캐소드 전극(10) 및 자계 소오스인 영구 자석(31, 33)은 접지 전극(50)으로 감싸진다. 단, 타겟(20)의 캐소드 전극(10)과 접촉되는 표면의 반대쪽 표면은 공간을 향해 개방된 상태를 이루도록 접지 전극(50)은 타겟 부분은 감싸지 않고 개방하고 있다. 캐소드 전극(10)과 접지 전극(50)은 절연체(40)를 통해 서로 절연된다.
캐소드 전극(10) 주변으로 설치되는 타겟(20), 영구 자석(31, 33), 절연체(40), 접지 전극(50)은 모두 도2에 도시되듯이 캐소드 전극과 같은 형태로 평행 라인 상으로 설치되거나, 도시되지 않지만 평행 라인의 앞, 뒤 끝부분이 곡선상으로 연결되는 긴 트랙 형태를 이룬다.
도1의 마주보는 면을 내측면 그 반대쪽 면을 외측면이라 하면, 서로 평행한 두 어셈블리의 두 내측면은 타겟이 설치된 부분을 제외하고, 쉴드(60)로 덮여있다. 쉴드(60)는 타겟(20) 및 캐소드 전극(10) 표면을 보호하고, 이들 부분에 증착막이 직접 형성, 적층되지 않도록 설치되며, 대개 금속으로 이루어진다.
서로 대향하는 좌우의 캐소드 전극(10), 타겟(20), 자계 소오스인 영구 자석(31, 33), 접지 전극(50), 쉴드(60)의 결합 형태를 하나의 어셈블리라고 볼 때 이렇게 구성된 서로 평행한 두 어셈블리 사이에는 공간이 있고, 어셈블리 상부에는 이격되어 가속 전극(70)이 설치된다. 가속 전극(70)의 표면은 쿼츠(quartz) 즉 석영관으로 커버되며, 역시 서로 평행한 라인 상태로 설치되어 있다. 어셈블리 사이 공간에서는 소오스 가스 공급용 노즐(90)이 설치되어 있다. 노즐(90)의 끝단 혹은 상단의 노즐입구는 두 어셈블리의 사이 공간의 좌우 방향 중앙에 있고, 사이 공간의 바로 위쪽에 설치되어 있다.
노즐(90) 및 가속 전극(70) 위쪽에는 증착이나 표면처리가 필요한 기판(110)이 설치된다. 기판(110)은 공정이 이루어지는 과정에서는 일 방향으로 가령 좌에서 우로 화살표 방향으로 일정 속도로 이동하게 된다.
노즐입구는 기판(110)을 향해 설치되지만 노즐(90)을 나온 기체 혹은 소오스 가스가 항상 기판(110) 쪽으로만 흐르는 것은 아니며, 아래쪽의 공간에도 소오스 가스는 저압 진공 상태의 공정 챔버(미도시) 내에서 확산에 의해 공급된다. 소오스 가스의 공급율은 노즐(90)과 이어진 소오스 가스 공급관(91)에 설치된 MFC(Mass Flow Controller)에 의해 조절될 수 있다. 이 실시예에서 소오스 가스는 실리콘 포함 가스와 산소를 포함한다. 실리콘(규소: Si) 포함 가스로는 HMDS(헥사메칠디실록산: hexamethyldisiloxane)를 기화처리한 가스가 사용된다. 소오스 가스인 HMDS는 산소와 반응하여 실리콘 산화막(SiO2)을 만들고, 기판 표면에 증착되도록 한다.
이상의 모든 요소와 기판(110)은 모두 공정 챔버 내에 설치된 상태에서 공정이 이루어진다. 공정 챔버 내의 압력은 통상 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 공정의 진공도보다 낮은 10- 3토르(Torr) 정도로 상당한 진공도를 가지도록 할 수 있다.
접지 전극(50)이나 캐소드 전극(10)에는 냉각수 라인(80)을 설치할 수 있다. 냉각수 라인(80)은 이 라인이 접하여 설치된 캐소드 전극, 절연체, 접지 전극 등으로 이루어지는 어셈블리로부터 열을 빼앗아 그 어셈블리의 온도 및 공정 챔버 내부 온도를 낮추는 역할을 한다.
공정 챔버 내의 온도를 낮게 유지하는 것은 공정 챔버 내의 대형 기판이 온도가 올라감에 따라 변형할 수 있다는 문제점을 예방하는 역할을 하며, 냉각수 라인이 접하는 어셈블리의 온도를 낮추는 것은 이들 어셈블리의 표면에서 증착막 증착을 가능한 한 억제시키는 역할을 할 수도 있다.
이하 이런 구성을 가지는 본원 발명의 실시예에서 공정 중에 이루어지는 작용을 살펴본다.
먼저, 캐소드 전극(10)에 부의 전압이 걸리는 경우에 이루어지는 작용을 설명한다. 공정 과정에서 소오스 가스는 노즐(90)을 통해 계속적으로 공급된다. 캐소드 전극(10), 타겟(20), 자계 소오스인 영구 자석(31,33), 이들을 둘러싸는 접지 전극(50)을 구비하여 이루어지는 평행 라인 형태의 두 어셈블리 사이의 공간에는 소오스 가스 공급관(91)과 노즐(90)을 통해 소오스 가스가 공급되어 있다. 캐소드 전극(10)의 전위는 실질적으로 공간에 노출된 실리콘 타겟(20) 표면으로 옮겨지고, 그 표면 부근의 공간에서 전위차에 의한 방전이 일어난다.
방전에 의해 그 부근 공간에는 플라즈마가 형성된다. 플라즈마를 이루는 입자 가운데 전자는 캐소드 전극(10)으로부터 척력을 받고, 이때, 캐소드 전극(10)은 공간을 중심에 두고 서로 마주보는 형태로 이루어지고, 가속전극은 정전위 혹은 양의 전위를 가지므로 일단 공간의 위쪽인 기판(110) 쪽으로 가속되어 이동한다.
공간에는 캐소드 전극 상하에 배치된 영구자석(자계 소오스: 31, 33)에 의한 자계가 작용하므로 전자는 전자력을 받아 대부분의 전자는 어셈블리 사이의 공간 속에서 벗어나지 못하고 휘어져서 이 공간 내에서 회전하면서 이동을 계속하게 된다.
그 과정에서 전자가 다른 소오스 가스 입자와 만나 충돌, 작용하면 소오스 가스 물질은 이온화되고, 전자가 이동하는 공간에 플라즈마 입자들이 더 생길 수 있다.
한편, 방전에 의한 플라즈마 입자 가운데 양이온은 캐소드 전극에 인가된 부의 전위에 의해 주로 타겟 쪽으로 혹은 타겟 주변으로 가속된다. 타겟과 충돌하면 일종의 스퍼터링이 이루어져 타겟 표면의 물질은 충격에 의해 사방으로 비산된다.
타겟이나 그 주위에 증착막 등의 물질이 쌓여있다면 이런 양이온의 충돌에 의해 증착막을 제거되고 타겟(20) 혹은 실질적 전극의 세정을 할 수 있다.
이러한 충돌이 이루어질 때 타겟 표면이 직접 양이온과 충돌하여 타겟을 이루는 실리콘이 비산될 수도 있다. 이런 실리콘은 주변의 산소 혹은 산소 이온과 반응하여 실리콘 산화막 입자를 이루면서 기판에 적층되는 것도 가능하다.
다음으로, 캐소드 전극에 정전위 혹은 양의 전위가 인가되는 경우를 살펴본다. 어셈블리 사이 공간에 형성된 플라즈마의 입자들 가운데 양이온은 캐소드 전극(10)으로부터 척력을 받고, 가속 전극에는 부의 전압이 인가되어 있으므로 소오스 가스의 양이온은 기판(110) 쪽으로 이동하게 된다.
한편, 전자와 달리 양이온은 질량이 크고 속도가 느려서 양이온에 작용하는 자계에 의한 전자력은 작다. 따라서, 양이온은 공간에 형성된 자계에도 불구하고 크게 휘어짐이 없이 기판(110) 쪽으로 계속 진행되어 기판상에 양이온 물질의 증착막을 형성할 수 있다.
또한, 가속 전극(70)에는 부의 전압이 인가되어 가속 전극 주변에서는 플라즈마 방전이 발생할 수 있고, 이때 발생되는 전자들은 가속 전극의 부의 전압으로 인하여 가속 전극으로부터 멀어지고 양의 전압이 걸린 타겟 표면이 있는 방향으로 이동하며, 이 과정에서 기판(110)을 향하는 양이온과 결합하여 기판 상에 중성의 실리콘 산화막을 형성하도록 작용할 수도 있다.
가속 전극(70) 주변으로도 양이온 일부가 끌려서 오게 되고, 양이온이 가속 전극(70) 주변에 적층되어 있던 물질막과 충돌하여 물질막 비산이 발생할 수 있고, 가속 전극(70) 주변 세정이 이루어지고, 기판에서는 비산된 물질막이 적층되어 일종의 물리적 박막 증착(PVD)의 효과를 가질 수 있다.
한편 타겟(20) 쪽에는 양전위가 걸려있으므로 전자나 산소 음이온이 타겟(20) 쪽에 끌려갈 수 있다. 이때, 타겟에서는 이 반응성 이온이 실리콘 표면과 반응하여 표면에 실리콘 산화막(SiO2)을 만들 수 있으며, 타겟을 통해 캐소드 쪽으로 전자가 공급되어 전류의 정상 흐름이 이루어질 수 있고, 기판 표면 처리 장치의 기능이 유지될 수 있다.
어셈블리 사이에 있던 플라즈마 내의 전자나 가속 전극(20) 부근에서 발생한 플라즈마 내의 전자 일부는 캐소드 전극(10)으로 이동하여 전류의 흐름을 형성하고, 캐소드 전극에 양의 전압이 계속 유지되도록 할 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 캐소드 전극(10)과 가속 전극(70)에 정전압과 부전압이 교번하여 걸리면서 그 극성에 따라 전압이 걸리는 시간이 다르게 이루어진다. 이런 패턴은 도3 (a) 및 (b)에서 도시된 시간 경과에 따라 캐소드 전극 및 가속 전극에 인가되는 전압 그래프를 통해 볼 수 있다.
이를 위해 캐소드 전극(10)과 가속 전극(70)은 전원(100)의 두 전극과 연결되고, 접지 전극(50)은 접지되어 있다. 전원은 통상의 직류 전원(DC)과 직류 방향을 전환시킬 수 있는 전원 컨버터 회로를 구비하여 이루어질 수 있고, 각 전극에 정 전압이 걸리는 시간과 부 전압이 걸리는 시간 및 그 시간 비율, 전압의 크기 혹은 출력을 조절할 수 있는 컨트롤 회로를 더 구비하여 이루어질 수 있다. 이런 커버터 회로나 컨트롤 회로는 통상적으로 잘 알려져 있으므로 여기서는 그 구체적 구성은 생략하기로 한다.
이때, 캐소드 전극 및 가속 전극에 인가되는 전압이 교번되고 있지만 캐소드에 부전압이 걸리는 시간은 상대적으로 짧고, 정전압이 걸리는 시간은 많게 된다. 물론, 부전압이 걸리는 시간은 짧아도 이온이나 전자의 움직임에 대해서는 충분한 시간이므로 이온에 의한 캐소드 주변의 세정 작업이 충분히 이루어질 수 있지만, 천천히 움직이는 기판의 관점에서는 교번 주기가 매우 짧기 때문에 실질적으로 볼 때 기판에는 움직이는 방향으로 별다른 균일성의 저하가 없이 물질막 적층(실리콘 산화막 적층)이 지속적으로 이루어진다고 생각할 수 있다.
또한, 타겟에는 틈틈이 상대적으로 짧은 시간동안 그 표면에 형성되는 실리콘 산화막을 양이온이 충돌하여 세정하는 작업이 이루어지고, 이 과정에서 비산된 실리콘 산화막은 오염물질이 아니고 기판에 적층되는 것과 같은 물질이므로 비산된 실리콘 산화막이 기판에 적층되는 효과를 가져올 수 있다.
결국, 공정이 진행되는 동안 통상적으로는 기판에 실리콘 산화막이 적층 형성되는 작업이 우세하게 이루어지며, 이를 조절하여 별도의 유지 보수 없이도 오래동안 기판에 실리콘 산화막을 형성하는 공정을 유지할 수 있게 된다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체적 실시예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한　것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
10: 캐소드 전극 20: 타겟
31, 33: 영구 자석 40: 절연체
50: 접지 전극 60: 쉴드
70: 가속 전극 80: 냉각수 라인
90: 노즐 100: 전원
110: 기판

Claims (4)

  1. 좌우 대칭으로 서로 마주보도록 이루어진 평행 라인 부분을 가지는 캐소드 전극(10),
    상기 캐소드 전극(10) 주변에 상기 캐소드 전극(10)을 따라 설치되어 플라즈마 밀집 영역을 제한하도록 이루어진 자계 소오스(31, 33),
    상기 자계 소오스(31, 33)가 주변에 설치되어 있는 상기 캐소드 전극(10)의 서로 마주보는 평행 라인 부분에서 상기 캐소드 전극을 따라 설치되며 상기 캐소드 전극의 서로 마주보는 면 사이에서 서로 마주보도록 이루어진 타겟(20),
    상기 타겟(20)의 서로 마주보는 부분은 개방한 상태로 상기 캐소드 전극(10) 및 상기 자계 소오스(31, 33)를 둘러싸도록 이루어진 접지 전극(50),
    서로 마주보는 상기 타겟(20)의 사이 공간의 상부에서 위쪽(기판쪽)으로 소오스 가스를 공급하는 소오스 가스 공급장치,
    상기 접지 전극(50) 및 상기 캐소드 전극(10) 위쪽에 이격되어 설치되는 가속전극(70)을 구비하고,
    상기 캐소드 전극(10)과 상기 가속 전극(70)에는 서로 다른 극성의 직류 전압이 인가되고, 시간에 따라 극성이 가변될 수 있도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극과 상기 가속 전극에 인가되는 전압이 가변되는 시간은 조절될 수 있도록 이루어지고, 상기 캐소드 전극에 부 전압이 걸리는 시간이 상기 캐소드 전극에 정 전압이 걸리는 시간의 비율을 조절할 수 있도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극과 상기 가속 전극을 통해 공급되는 전력이 가변될 수 있도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 가운데 어느 한 항에 있어서,
    상기 타겟은 실리콘(규소: Si)으로 형성하고,
    상기 소오스 가스는 헥사메칠디실록산(HMDS:hexamethyldisiloxane)과 산소를 포함하는 것임을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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