KR20110029500A - 플라즈마 성막 장치 - Google Patents

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KR20110029500A
KR20110029500A KR1020090087196A KR20090087196A KR20110029500A KR 20110029500 A KR20110029500 A KR 20110029500A KR 1020090087196 A KR1020090087196 A KR 1020090087196A KR 20090087196 A KR20090087196 A KR 20090087196A KR 20110029500 A KR20110029500 A KR 20110029500A
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최용섭
꺄사바안드레이
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삼성에스디아이 주식회사
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract

본 발명의 일 실시예는 진공 챔버의 안쪽에 놓여 있는 코팅 물질이 기판보다 시스템의 다른 면들에 코팅되는 것을 줄이는 플라즈마 성막 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 성막 장치는, 진공 챔버, 상기 진공 챔버 내에 배치되며, 상기 진공챔버 내에 배치되는 기판에 증착될 코팅 물질을 수납하는 하스, 플라즈마 건에 의하여 형성되는 전자 흐름에 자기력을 가하여 형성되는 플라즈마 제트를 상기 코팅 물질에 운송하는 전극들, 및 복수의 자석 요소들을 포함하며, 상기 코팅 물질의 이온화 파티클을 상기 진공 챔버 안쪽으로 반사하는 적어도 하나의 플라즈마 리프렉터를 포함한다.
Figure P1020090087196
플라즈마, 성막, 이온 도금, 리프렉터

Description

플라즈마 성막 장치 {FILM FORMING APPARATUS USING PLASMA BASED ION PLANTING}
본 발명은 플라즈마 성막 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 이온 도금을 이용하여 기판에 유전체와 같은 전도성 코팅층(coatings)을 형성하는 플라즈마 성막 장치에 관한 것이다.
플라즈마 공정은 기판 표면 상에 점착성 코팅층을 형성하기 위하여, 중성 입자들과 이온들의 혼합물을 형성하는 코팅 물질들의 증착 용으로 개발되었다.
플라즈마 제트 증착과 아크 증착은 실제로 완전히 이온화된 플라즈마의 형상 안에서 기판에 증착되는 코팅 물질의 고밀도 흐름을 생산할 수 있다.
이 방법들은, 특별한 적용에서 유용하지만, 코팅 물질이 기판보다 시스템의 다른 표면들을 코팅하므로, 청소를 위하여 진공 챔버를 빈번히 개방해야 하고, 코팅 물질의 증착율과 균일도를 감소시키며, 또한 코팅 물질을 낭비하게 된다.
그래서, 디스플레이 패널 및 건축 글라스를 제조하는 데 사용되는 플라즈마 이온 코팅 방법에서, 기판보다 시스템의 다른 표면들에 코팅되는 코팅 물질을 감소하는 증착 방법과 장치가 필요하다.
본 발명의 일 실시예는 진공 챔버의 안쪽에 놓여 있는 코팅 물질이 기판보다 시스템의 다른 표면들에 코팅되는 것을 줄이는 플라즈마 성막 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 성막 장치는, 진공 챔버, 상기 진공 챔버 내에 배치되며, 상기 진공챔버 내에 배치되는 기판에 증착될 코팅 물질을 수납하는 하스, 플라즈마 건에 의하여 형성되는 전자 흐름에 자기력을 가하여 형성되는 플라즈마 제트를 상기 코팅 물질에 운송하는 전극들, 및 복수의 자석 요소들을 포함하며, 상기 코팅 물질의 이온화 파티클을 상기 진공 챔버 안쪽으로 반사하는 적어도 하나의 플라즈마 리프렉터를 포함한다.
상기 플라즈마 리프렉터는, 상기 진공 챔버의 보호 쉴드 내부에서, 서로 마주하는 상기 하스와 상기 기판의 수평 방향에 대하여 경사지게 설치되는 제1 플라즈마 리프렉터를 포함할 수 있다.
상기 제1 플라즈마 리프렉터는, 판상의 베이스, 상기 베이스에 설치되어 N극과 S극이 교호적으로 상기 진공 챔버의 중심을 향하는 상기 복수의 자석 요소들, 및 상기 복수의 자석 요소들 상에 배치되고 서로 평행하게 상기 베이스와 결합되어 워터 재킷을 형성하는 경사판을 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 리프렉터는, 이웃하여 배치되는 상기 복수의 자석 요소들을 이격하는 다첨단 배열로 형성한다.
상기 복수의 자석요소들은, 상기 진공 챔버의 중심을 향하는 N극들과 S극들이 상기 플라즈마 리프렉터에서 수직 방향을 따라 각각 선형으로 배치되며, 상기 N극들과 상기 S극들의 각 선형이 수평 방향을 따라 교호적으로 배치될 수 있다.
상기 복수의 자석요소들은, 상기 진공 챔버의 중심을 향하는 N극들과 S극들 중 한 극들이 상기 플라즈마 리프렉터에서 수직 방향을 따라 선형으로 배치되고, 다른 한 극들이 상기 한 극들의 선형을 둘러싸는 수직 방향의 폐루프로 배치될 수 있다.
상기 복수의 자석요소들은, 상기 진공 챔버의 중심을 향하는 N극들과 S극들 중 한 극들이 상기 플라즈마 리프렉터에서 수평 방향을 따라 선형으로 배치되고, 다른 한 극들이 상기 한 극들의 선형을 둘러싸는 수평 방향의 폐루프로 배치될 수 있다.
상기 플라즈마 리프렉터는, 서로 마주하는 상기 하스와 상기 기판의 수직 방향에 대하여 나란하게 설치되어, 상기 진공 챔버의 보호 쉴드의 일부를 형성하는 제2 플라즈마 리프렉터를 포함할 수 있다.
상기 제2 플라즈마 리프렉터는, 판상의 베이스, 상기 베이스에 설치되어 N극과 S극이 교호적으로 상기 진공 챔버의 중심을 향하는 상기 복수의 자석 요소들, 및 상기 복수의 자석 요소들 상에 배치되고 서로 평행하게 상기 베이스와 결합되어 워터 재킷을 형성하는 수직판을 포함할 수 있다.
상기 전극들은, 상기 플라즈마 건의 캐소드 전극에 의하여 형성되는 상기 플라즈마 제트를 상기 코팅 물질에 운송하는 그리드 전극과 애노드 전극를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 진공 챔버 내에 플라즈마 리프렉터를 구비하여, 코팅 물질의 이온화 파티클을 진공 캠버 안쪽으로 반사시켜 기판에 코팅되게 함으로써, 코팅 물질이 시스템의 다른 표면에 코팅되는 것을 줄이는 효과가 있다.
따라서 코팅 물질의 낭비가 줄어들고, 유지보수 없는 상태에서 장치의 작동 기간이 증가되며, 코팅 물질의 부착율이 증대되고, 코팅층들의 균일도가 향상된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
도1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 성막 장치의 단면도이다. 도1을 참조하면, 제1 실시예의 플라즈마 성막 장치는 플라즈마 공정으로 대상물에 코팅층을 형성하거나, 대상물을 에칭할 수 있다. 예를 들면, 제1 실시예는 플라즈마 제트 증착 방법으로 디스플레이 패널과 같은 글라스 기판에 산화마그네슘(MgO)을 증착할 수 있다.
편의상, 제1 실시예에서 플라즈마 성막 장치는 기판(11)에 코팅층을 형성하 는 플라즈마 공정에 대하여 설명하며, 또한 다양한 코팅 물질(21)을 사용하여 기판(11)에 코팅층을 형성할 수 있도록 형성된다.
제1 실시예의 플라즈마 성막 장치는 진공을 형성하는 진공 챔버(10), 진공 챔버(10)에 내장되어, 기판(11)에 코팅될 코팅 물질(21, 이하, 일례로서 "MgO"라 한다)을 수납하는 하스(hearth)(20), 플라즈마 건(30)에 의하여 발생되는 전자 흐름에 자기력을 가하여 형성되는 플라즈마 제트(J)를 코팅 물질(21)에 운송하는 전극들(40), 및 플라즈마 리프렉터(50)를 포함한다.
진공 챔버(10)는 내부에 보호 쉴드(12)를 구비하며, 별도로 구비되는 진공펌프(미도시)의 작동에 의하여 진공 상태로 된다. 진공 챔버(10)는 플라즈마 제트(J)의 작용에 의하여 코팅 물질(21)로부터 증발되는 이온화 파티클로 기판(11)에 코팅층을 형성하는 공간을 제공한다.
플라즈마 건(30)은 전원의 음극에 연결되는 캐소드 전극(31)을 가지고 전자흐름을 형성한다. 전극들(40)은 전원의 양극에 연결되며, 전자 흐름을 플라즈마 제트(J)로 형성하는 그리드 전극(41)과 애노드 전극(42)을 포함한다.
그리드 전극(41)은 캐소드 전극(31)의 인접 측에 구비되어 전자 흐름에 자기력을 가하므로 전자 흐름을 가속시켜 플라즈마 제트(J)를 형성하고, 플라즈마 제트(J)를 하스(20)의 코팅 물질(21)에 조사한다.
이때, 애노드 전극(42)은 코팅 물질(21)에 조사된 플라즈마 제트(J)에 의하여 생기는 반사 전자를 귀환시켜, 반사 전자가 진공 챔버(10)의 내벽 및 보호 쉴드(12)에 접지되는 것을 방지한다.
플라즈마 건(30) 및 전극들(40)이 설치되는 진공 챔버(10)의 입구 외측에는 집속 코일(43)이 더 구비된다. 즉 집속 코일(43)은 입구에 전자기장을 가하여 하스(20)에 작용하는 플라즈마 제트(J)의 궤도, 형상, 또는 궤도와 형상을 제어한다.
또한, 하스(20)는 하측에 양극으로 형성되는 영구 자석(22)을 구비한다. 영구 자석(22)은 그리드 전극(41)과 애노드 전극(42)에 의하여 가속되고, 집속 코일(43)에 의하여 제어된 플라즈마 제트(J)의 방향을 하스(20) 쪽으로 돌려 하스(20)에 구비된 코팅 물질(21)에 작용시킨다.
따라서 영구 자석(22)은 양극으로 형성되므로 전자들로 이루어지는 플라즈마 제트(J)를 코팅 물질(21) 쪽으로 끌어 당긴다. 플라즈마 제트(J)에 의하여 하스(20)의 코팅 물질(21)은 이온화 파티클 상태로 변화되어 진공 챔버(10)의 내부로 증발되어, 기판(11)에 증착된다.
한편, 플라즈마 리프렉터(50)는 진공 챔버(10) 내에서 다첨단 자계(multi-cusp magnetic field)를 형성하여, 플라즈마 제트(J)에 의하여 코팅 물질(21)로부터 증발되는 이온화 파티클을 진공 챔버(10)의 안쪽으로 반사한다. 따라서 진공 챔버(10)의 내벽 또는 보호 쉴드(12)를 향하는 이온화 파티클은 진공 챔버(10)의 안쪽으로 반사되어 기판(11)의 증착에 사용된다.
즉 플라즈마 리프렉터(50)가 코팅 물질(21)의 이온화 파티클을 진공 챔버(10)의 안쪽으로 반사하므로 플라즈마 공정의 다른 조건의 변화가 없는 상태에서도, 기판(11)에 대한 코팅 물질(21)의 증착율과 균일도가 향상된다. 또한 플라즈마 증착 및 에칭 공정에서 야기될 수 있는 진공 챔버(10)의 내벽 및 보호 쉴드(12)의 내면 오염이 저감되고, 코팅 물질(21)이 절약된다.
예를 들면, 플라즈마 리프렉터(50)는 다첨단 자계를 형성하기 위하여, 복수의 자석 요소들(512, 522)을 포함하여 형성된다. 플라즈마 리프렉터(50)는 진공 챔버(10)에서 1개 또는 복수 개로 형성 및 배치될 수 있다. 또한 플라즈마 리프렉터(50)는 진공 챔버(10)의 내벽 또는 보호 쉴드(12)의 내측에 플로팅 상태로 배치되거나, 진공 챔버(10) 내벽의 일부 또는 보호 쉴드(12)의 일부를 형성할 수 있다.
도1의 본 실시예에서, 플라즈마 리프렉터(50)는 제1, 제2 플라즈마 리프렉터(51, 52)를 동시에 예시하고 있으나, 제1, 제2 플라즈마 리프렉터(51, 52) 중 어느 하나를 선택하여 적용되거나, 둘 모두 적용될 수 있다.
제1 플라즈마 리프렉터(51)는 진공 챔버(10)의 보호 쉴드(12) 내부에 플로팅 상태로 설치되며, 서로 마주하는 하스(20)와 기판(11)의 수평 방향에 대하여 경사진 상태로 설치된다.
예를 들면, 제1 플라즈마 리프렉터(51)는 판상의 베이스(511), 복수의 자석요소들(512) 및 경사판(513)을 포함한다. 복수의 자석 요소들(512)은 베이스(511) 상에 설치되어 N극과 S극이 교호적으로 진공 챔버(10)의 중심을 향한다. 경사판(513)은 복수의 자석 요소들(512) 상에 배치되어 베이스(511)와 결합된다. 베이스(511)와 경사판(513)의 결합은 워터 재킷을 형성할 수 있다. 즉 제1 플라즈마 리프렉터(51)는 기판(11)의 평면에 대하여 경사지게 배치되어, 이온화 파티클을 기판(11) 측으로 반사시킬 수 있다.
제2 플라즈마 리프렉터(52)는 진공 챔버(10)의 보호 쉴드(12)의 일부를 형성 하며, 서로 마주하는 하스(20)와 기판(11)의 수직 방향에 대하여 나란하게 설치된다.
예를 들면, 제2 플라즈마 리프렉터(52)는 판상의 베이스(521), 복수의 자석요소들(522) 및 수직판(523)을 포함한다. 복수의 자석 요소들(522)은 베이스(521) 상에 설치되어 N극과 S극이 교호적으로 진공 챔버(10)의 중심을 향한다. 수직판(523)은 복수의 자석 요소들(522) 상에 배치되어 베이스(521)와 결합된다. 베이스(521)와 수직판(523)의 결합은 워터 재킷을 형성할 수 있다. 즉 제2 플라즈마 리프렉터(52)는 기판(11)의 평면에 대하여 수직하게 배치되어, 이온화 파티클을 기판(11) 측으로 반사시킬 수 있다.
도2는 도1의 플라즈마 리프렉터의 표면 사시도고, 도3은 도2의 선형 다첨단 자석 배열의 구성도이다. 제1, 제2 플라즈마 리프렉터(51, 52)는 동일한 구조로 형성되므로 편의상, 이하에서 제1 플라즈마 리프렉터(51)로 설명한다.
실질적으로, 도2에 도시된 제1 실시예의 플라즈마 리프렉터(50), 즉 제1 플라즈마 리프렉터(51)는 워터 재킷을 형성하는 베이스(511)의 내표면을 나타낸다. 즉 베이스(511)에 구비되는 복수의 자석 요소들(512)은 서로 이웃하여 이격되고 베이스(511)로부터 돌출되는 다첨단 배열(magnetic multi-cusp arrangement)을 형성한다.
도3을 참조하면, 복수의 자석 요소들(512)은 경사판(513)을 향하는 부분에서 각각 N극과 S극을 형성한다. 이때, 경사판(513)의 평면에 대하여, N극과 S극은 수직 방향을 따라 선형으로 배치되고, 또한 각 선형은 수평 방향을 따라 교호적으로 배치된다.
따라서 제1, 제2 플라즈마 리프렉터(51, 52)는 진공 챔버(10) 내에서 다첨단 자계(multi-cusp magnetic field)를 형성하여, 하스(20)에서 기판(11) 이외 측으로 증발되는 이온화 파티클을 진공 챔버(10) 안쪽으로 반사시켜, 기판(11)에 증착되게 한다.
따라서 진공 챔버(10)의 내벽 또는 보호 쉴드(12)의 표면에 대한 이온화 파티클의 증착률이 줄어들고, 기판(11)에 대한 증착 물질(21)의 증착률 및 균일도가 향상된다.
도4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 리프렉터의 표면 사시도고, 도5는 도4의 수직 방향 폐루프 다첨단 자석 배열의 구성도이다.
제1 실시예의 플라즈마 리프렉터(50)는 복수의 자석 요소들(512)을 경사판(513)의 평면에 대하여 수직 방향의 선형으로 배치하고, 또한 선형을 수평 방향으로 번갈아 배치한다.
이에 비하여, 도4 및 도5에 도시된 제2 실시예의 플라즈마 리프렉터(250)는 복수의 자석 요소들, 즉 서로 다른 배열을 형성하는 제1, 제2 자석 요소들(612, 622)을 포함한다.
제1 자석 요소들(612)은 경사판(513)을 향하는 부분에서 N극을 형성하여, 수직 방향을 따라 선형으로 배치된다. 제2 자석 요소들(622)은 경사판(513)을 향하는 부분에서 S극을 형성하여, 제1 자석 요소들(612)을 선형으로 둘러싸는 수직 방향의 폐루프로 배치된다. 제1 자석 요소들(612)의 선형 및 이를 둘러싸는 제2 자석 요 소(622)의 폐루프는 베이스(511)의 일측에서 수평 방향을 따라 반복된다.
도6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 리프렉터의 표면 사시도며, 도7은 도6의 수평 방향 폐루프 다첨단 자석 배열의 구성도이다.
제2 실시예의 플라즈마 리프렉터(250)는 경사판(513)의 평면에 대하여, 제1 자석 요소들(612)이 수직 방향의 선형으로 배치되고, 제2 자석 요소들(622)이 수직 방향의 폐루프로 배치된다.
이에 비하여, 도6 및 도7에 도시된 제3 실시예의 플라즈마 리프렉터(350)는 경사판(513)의 평면에 대하여, 제1 자석 요소들(712)이 수평 방향의 선형으로 배치되고, 제2 자석 요소들(722)이 수평 방향의 폐루프로 배치된다. 즉 제2 자석 요소들(722)은 제1 자석 요소들(712)을 선형을 둘러싸는 수평 방향의 폐루프로 배치된다. 제1 자석 요소들(712)의 선형은 하나로 형성되고, 제2 자석 요소들(722)의 폐루프는 베이스(511)의 중심에서 외측으로 가면서 반복된다.
제2, 제3 실시예의 플라즈마 리프렉터(250, 350)는 진공 챔버(10) 내에서 다첨단 자계를 형성하는 다양한 예를 보여 주며, 실험을 통하여 제1 실시예와 같은 효과를 확인할 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
도1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 성막 장치의 단면도이다.
도2는 도1의 플라즈마 리프렉터의 표면 사시도다.
도3은 도2의 선형 다첨단 자석 배열의 구성도이다.
도4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 리프렉터의 표면 사시도다.
도5는 도4의 수직 방향 폐루프 다첨단 자석 배열의 구성도이다.
도6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 리프렉터의 표면 사시도다.
도7은 도6의 수평 방향 폐루프 다첨단 자석 배열의 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 진공 챔버 20 : 하스(hearth)
30 : 플라즈마 건 40 : 전극
50, 250, 350 : 플라즈마 리프렉터 11 : 기판
12 : 보호 쉴드 21 : 코팅 물질
22 : 영구 자석 31 : 캐소드 전극
41 : 그리드 전극 42 : 애노드 전극
43 : 집속 코일 50 : 플라즈마 리프렉터
51, 52 : 제1, 제2 리프렉터 511, 521 : 베이스
512, 522 : 자석 요소 513 : 경사판
523 : 수직판 612, 712 : 제1 자석 요소
622, 722 : 제2 자석 요소

Claims (10)

  1. 진공 챔버;
    상기 진공 챔버 내에 배치되며, 상기 진공챔버 내에 배치되는 기판에 증착될 코팅 물질을 수납하는 하스;
    플라즈마 건에 의하여 형성되는 전자 흐름에 자기력을 가하여 형성되는 플라즈마 제트를 상기 코팅 물질에 운송하는 전극들; 및
    복수의 자석 요소들을 포함하며, 상기 코팅 물질의 이온화 파티클을 상기 진공 챔버 안쪽으로 반사하는 적어도 하나의 플라즈마 리프렉터를 포함하는 플라즈마 성막 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 리프렉터는,
    상기 진공 챔버의 보호 쉴드 내부에서, 서로 마주하는 상기 하스와 상기 기판의 수평 방향에 대하여 경사지게 설치되는 제1 플라즈마 리프렉터를 포함하는 플라즈마 성막 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 리프렉터는,
    판상의 베이스,
    상기 베이스에 설치되어, N극과 S극이 교호적으로 상기 진공 챔버의 중심을 향하는 상기 복수의 자석 요소들, 및
    상기 복수의 자석 요소들 상에 배치되고 서로 평행하게 상기 베이스와 결합되어 워터 재킷을 형성하는 경사판을 포함하는 플라즈마 성막 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 리프렉터는,
    이웃하여 배치되는 상기 복수의 자석 요소들을 이격하는 다첨단 배열로 형성하는 플라즈마 성막 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 자석요소들은,
    상기 진공 챔버의 중심을 향하는 N극들과 S극들이 상기 플라즈마 리프렉터에서 수직 방향을 따라 각각 선형으로 배치되며,
    상기 N극들과 상기 S극들의 각 선형이 수평 방향을 따라 교호적으로 배치되는 플라즈마 성막 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 자석요소들은,
    상기 진공 챔버의 중심을 향하는 N극들과 S극들 중 한 극들이 상기 플라즈마 리프렉터에서 수직 방향을 따라 선형으로 배치되고,
    다른 한 극들이 상기 한 극들의 선형을 둘러싸는 수직 방향의 폐루프로 배치되는 플라즈마 성막 장치.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 자석요소들은,
    상기 진공 챔버의 중심을 향하는 N극들과 S극들 중 한 극들이 상기 플라즈마 리프렉터에서 수평 방향을 따라 선형으로 배치되고,
    다른 한 극들이 상기 한 극들의 선형을 둘러싸는 수평 방향의 폐루프로 배치되는 플라즈마 성막 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 리프렉터는,
    서로 마주하는 상기 하스와 상기 기판의 수직 방향에 대하여 나란하게 설치되어, 상기 진공 챔버의 보호 쉴드의 일부를 형성하는 제2 플라즈마 리프렉터를 포함하는 플라즈마 성막 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 플라즈마 리프렉터는,
    판상의 베이스,
    상기 베이스에 설치되어 N극과 S극이 교호적으로 상기 진공 챔버의 중심을 향하는 상기 복수의 자석 요소들, 및
    상기 복수의 자석 요소들 상에 배치되고 서로 평행하게 상기 베이스와 결합되어 워터 재킷을 형성하는 수직판을 포함하는 플라즈마 성막 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 전극들은,
    상기 플라즈마 건의 캐소드 전극에 의하여 형성되는 상기 전자 흐름을 상기 코팅 물질에 운송하는 그리드 전극과 애노드 전극를 포함하는 플라즈마 성막 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101312922B1 (ko) * 2011-12-14 2013-10-01 주식회사 테스 플라즈마 처리장치 및 처리방법
CN106062925A (zh) * 2014-03-06 2016-10-26 应用材料公司 霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统

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