JPWO2009154009A1 - 磁気抵抗素子の製造方法、スパッタ成膜チャンバー、スパッタ成膜チャンバーを有する磁気抵抗素子の製造装置、プログラム、記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
前記第一磁化固定層と第二磁化固定層と磁化自由層のうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して一定の入射方向から一定の入射角度で斜めに入射させ、静止した非回転の基板を用いて行う第1工程と、
前記緩衝層と、反共時性層と、交換結合用非磁性層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とのうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して一定の入射角度で斜めに入射させ、回転した基板を用いて行う第2工程と、
を有することを特徴とする。
前記第一磁化固定層と第二磁化固定層と磁化自由層のうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して一定の入射方向から一定の入射角度で斜めに入射させ、静止した非回転の基板を用いて行う第1工程と、
前記緩衝層と、反共時性層と、交換結合用非磁性層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とのうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して垂直に入射させて行う第2工程と、
を有することを特徴とする。
前記第一磁化固定層と第二磁化固定層と磁化自由層のうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を基板に対して一定の入射方向から一定の入射角度で斜めに入射させて行う第1工程と、
前記第1工程の後、前記入射方向から180°ずれた一定の入射方向から前記入射角度と同じ一定の入射角度で斜めに入射させることスパッタ成膜を行う第2工程と、
を有することを特徴とする。
薄膜を堆積させるための基板を支持するための基板支持ホルダーと、
前記基板とは電気的に絶縁され、前記基板に対向するように配置されたスパッタリングカソードと、
前記スパッタリングカソードに支持され、前記薄膜と同一材料またはその元となる材料からなるスパッタリングターゲットと、を備え、
前記スパッタリングターゲットの中心と前記基板の中心を結ぶ線分と、前記基板の表面上の法線とがなす角度が10°以上80°以下となっていることを特徴とする。
薄膜を堆積させるための基板を支持するための基板支持ホルダーと、
前記基板とは電気的に絶縁され、前記基板に対向するように配置されたスパッタリングカソードと、
前記スパッタリングカソードに支持され、前記薄膜と同一材料またはその元となる材料からなるスパッタリングターゲットと、を備え、
前記基板支持ホルダーは、前記基板の表面およびスパッタリングターゲットの表面と平行な傾動軸を中心に左右に傾動可能で、左右への傾動時に、前記スパッタリングターゲットの中心と前記基板の中心を結ぶ線分と、前記基板の表面上の法線とがなす角度がそれぞれ10°以上80°以下となることを特徴とする。
薄膜を堆積させるための基板を支持するための基板支持ホルダーと、
前記基板とは電気的に絶縁され、前記基板に対向するように配置されたスパッタリングカソードと、
前記スパッタリングカソードのそれぞれに支持され、前記薄膜と同一材料またはその元となる材料からなるスパッタリングターゲットと、を備え、
前記スパッタリングターゲットを支持した前記スパッタリングカソードは、前記基板の表面に対して略平行になる同一面内に2箇所に設けられており、
前記スパッタリングターゲットの中心と前記基板の中心を結ぶ線分と、前記基板の表面上の法線とがなす角度がそれぞれ10°以上80°以下となっていると共に、両スパッタリングカソード間で電力の投入を切り替え可能であることを特徴とする。
基板搬送機構を備えた真空搬送チャンバーと、
前記真空搬送チャンバーに接続され、前記第一磁化固定層と、第二磁化固定層と、磁化自由層とのうちの少なくとも一層を成膜する第1スパッタ成膜チャンバーと、
前記真空搬送チャンバーに接続され、前記緩衝層と、反強磁性層と、第一磁化固定層と、交換結合用非磁性層と、第二磁化固定層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とのうちの前記第1スパッタ成膜チャンバーで成膜される層を除く他の層を成膜する第2スパッタ成膜チャンバーと、を有することを特徴とする。
図8は本発明の製造方法および製造装置を用いて作製したトンネル磁気抵抗素子の膜構成図である。
図10は、本発明の製造方法および製造装置を用いて作製したトンネル磁気抵抗素子の膜構成図である。
実施例1および2の磁気トンネル素子の作製に際し、第一磁化固定層の成膜を、図5に示すように、成膜の途中で成膜を一旦停止し、基板支持ホルダーを傾動軸周りに傾動させてスパッタ粒子の入射角を反転させた二方向斜め入射スパッタ成膜で行った。この場合も同様の効果が得られた。
実施例1、2および3の磁気トンネル素子において、第一磁化固定層に加えて第二磁化固定層も、一方向斜め入射スパッタ成膜もしくは二方向斜め入射スパッタ成膜することによって、交換結合用非磁性層を介した第一磁化固定層と第二磁化固定層の間の反強磁性結合磁界を向上することができた。
図12は、本発明の製造方法および製造装置を用いて作製したトンネル磁気抵抗素子の膜構成図である。
実施例5の磁気トンネル素子において、CoFe磁化自由層の成膜時に、図5に示すように、成膜の途中で成膜を一旦停止し、基板支持ホルダーを基板支持ホルダーの傾動軸周りに傾動させて、スパッタ粒子の入射方向を反転させた二方向斜め入射スパッタ成膜を行っても同様の効果が得られた。
実施例1、2、3または4において、実施例5または6のように磁化自由層の成膜時に一方向または二方向斜め入射スパッタ成膜を行い、磁化自由層にも磁気異方性を付与することによって、磁化固定層と磁化自由層の熱安定性がともに向上したトンネル磁気抵抗素子を作製することができた。
実施例1〜7で用いたトンネル磁気抵抗素子において、MgOトンネルバリア層をCuを含んだ非磁性伝導層に置き換えた巨大磁気抵抗素子にしても同様の効果が得られた。
なお、本発明の目的は、前述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを記録したコンピュータ可読の記憶媒体を、システムあるいは装置に供給することによっても、達成されることは言うまでもない。また、システムあるいは装置のコンピュータ(またはCPUやMPU)が記憶媒体に格納されたプログラムを読出し実行することによっても、達成されることは言うまでもない。
技術分野
[0001]
本発明は、スピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子の製造方法、スパッタ成膜チャンバー、スピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子の製造装置、プログラム、記憶媒体に関する。
背景技術
[0002]
スピンバルブ型のトンネル磁気抵抗素子および巨大磁気抵抗素子の多層膜は、特許文献1に示されているようにスパッタリング法で作製されている。磁性層を成膜する際、磁性層の磁化方向を揃えるために一軸方向の磁気異方性を付与しなければならない。
[0003]
磁性層に一軸方向の磁気異方性を付与する方法としては、例えば特許文献2のように基板面に平行かつ一方向に向きが揃った磁場を印加しながら磁性層をスパッタ成膜する方法が一般的であった。このように外部磁場を印加することによって付与される磁気異方性は誘導磁気異方性と言われる。
[0004]
一方、磁性膜に磁気異方性を付与する前記以外の方法として、例えば非特許文献1および2に示されているように、磁性膜が基板に堆積する際、蒸着粒子が一定の斜め方向から入射するように配置する、いわゆる斜め入射成膜法が知られている。これら非特許文献1、2では入射角が30°以上から異方性磁界Hkが増大していることがわかる。このように斜め入射成膜法によって付与された磁気異方性は非特許文献3に示されているように斜めに成長した結晶粒の形状がその起源と考えられていることから形状磁気異方性と考えられる。
[0005]
上記斜め入射成膜による形状異方性の付与は、薄膜インダクタ等に用いられる数ミクロンオーダーの厚い膜厚の磁性単層膜に対してしばしば用いられていたが、数ナノメートルオーダーの薄い膜の多層膜からなるスピンバルブ型磁気抵抗素子の作製には用いられていなかった。
特許文献1:特開2002―167661号公報
[0009]
上記の目的を達成する本発明にかかるスピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子の製造方法は、基板上に、緩衝層と、反強磁性層と、第一磁化固定層と、交換結合用非磁性層と、第二磁化固定層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とがスパッタ成膜により積層されたスピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子の製造方法において、
前記第一磁化固定層と第二磁化固定層のうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して一定の入射方向から一定の入射角度で斜めに入射させ、静止した非回転の基板を用いて行う第1工程と、
前記緩衝層と、反共時性層と、交換結合用非磁性層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とのうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して一定の入射角度で斜めに入射させ、回転した基板を用いて行う第2工程と、
を有し、
前記第1の工程により、前記第一磁化固定層と第二磁化固定層のうち少なくとも一層に磁気異方性を付与することを特徴とする。
[0010]
あるいは、本発明にかかるスピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子の製造方法は、基板上に、緩衝層と、反強磁性層と、第一磁化固定層と、交換結合用非磁性層と、第二磁化固定層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とがスパッタ成膜により積層されたスピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子の製造方法において、
前記第一磁化固定層と第二磁化固定層のうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して一定の入射方向から一定の入射角度で斜めに入射させ、静止した非回転の基板を用いて行う第1工程と、
前記緩衝層と、反共時性層と、交換結合用非磁性層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とのうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して垂直に入射させて行う第2工程と、
を有し、
前記第1の工程により、前記第一磁化固定層と第二磁化固定層とのうち少なくとも一層に磁気異方性を付与することを特徴とする。
[0011]
あるいは、本発明にかかるスピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子の製造
方法は、基板上に、緩衝層と、反強磁性層と、第一磁化固定層と、交換結合用非磁性層と、第二磁化固定層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とがスパッタ成膜により積層されたスピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子の製造方法において、
前記第一磁化固定層と第二磁化固定層とのうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を基板の表面上の法線に対して一定の入射方向から一定の入射角度θaで斜めに入射させて行う第1工程と、
前記第1工程の後、前記第1の工程の前記入射角度θaと同じ一定の入射角度θbで斜めに入射させてスパッタ成膜を行う第2工程と、
を有し、
前記入射角度θaの入射方向と前記入射角度θbの入射方向とが基板の表面上の法線に対して対称であり、
前記第1の工程により、前記第一磁化固定層と第二磁化固定層とのうち少なくとも一層に磁気異方性を付与することを特徴とする。
[0012]
あるいは、本発明にかかるスパッタ成膜チャンバーは、
薄膜を堆積させるための基板を支持するための基板支持ホルダーと、
前記基板とは電気的に絶縁され、前記基板に対向するように配置されたスパッタリングカソードと、
前記スパッタリングカソードに支持され、前記薄膜と同一材料またはその元となる材料からなるスパッタリングターゲットと、
前記基板の表面に平行であり、かつ前記スパッタ粒子が基板に入射する方向と同じ向きまたは直角の向きであり、しかも前記磁場の磁力線同士が前記基板の表面内で平行に揃っている磁場を形成する磁界発生装置を備え、
前記スパッタリングターゲットの中心と前記基板の中心を結ぶ線分と、前記基板の表面上の法線とがなす角度が30°以上80°以下となっていることを特徴とする。
[0013]
あるいは、本発明にかかるスパッタ成膜チャンバーは、
薄膜を堆積させるための基板を支持するための基板支持ホルダーと、
前記基板とは電気的に絶縁され、前記基板に対向するように配置されたスパッタリングカソードと、
前記スパッタリングカソードに支持され、前記薄膜と同一材料またはその元となる材料からなるスパッタリングターゲットと、
前記基板の表面に平行であり、かつ前記スパッタ粒子が基板に入射する方向と同じ向きまたは直角の向きであり、しかも前記磁場の磁力線同士が前記基板の表面内で平行に揃っている磁場を形成する磁界発生装置と、を備え、
前記基板支持ホルダーは、前記基板の表面およびスパッタリングターゲットの表面と平行な傾動軸を中心に左右に傾動可能で、左右への傾動時に、前記スパッタリングターゲットの中心と前記基板の中心を結ぶ線分と、前記基板の表面上の法線とがなす角度がそれぞれ30°以上80°以下となっていることを特徴とする。
[0014]
あるいは、本発明にかかるスパッタ成膜チャンバーは、
薄膜を堆積させるための基板を支持するための基板支持ホルダーと、
前記基板とは電気的に絶縁され、前記基板に対向するように配置されたスパッタリングカソードと、
前記スパッタリングカソードのそれぞれに支持され、前記薄膜と同一材料またはその元となる材料からなるスパッタリングターゲットと、
前記基板の表面に平行であり、かつ前記スパッタ粒子が基板に入射する方向と同じ向きまたは直角の向きであり、しかも前記磁場の磁力線同士が前記基板の表面内で平行に揃っている磁場を形成する磁界発生装置と、を備え、
前記スパッタリングターゲットを支持した前記スパッタリングカソードは、前記基板の表面に対して略平行になる同一面内に2箇所に設けられており、前記スパッタリングターゲットの中心と前記基板の中心を結ぶ線分と、前記基板の表面上の法線とがなす角度がそれぞれ30°以上80°以下となっていると共に、両スパッタリングカソード間で電力の投入を切り替え可能であることを特徴とする。
[0015]
あるいは、本発明にかかるスピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子の製造装置は、基板上に、緩衝層と、反強磁性層と、第一磁化固定層と、交換結合用非磁性層と、第二磁化固定層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とがスパッタ成膜により積層されたスピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子の製造装置において、
基板搬送機構を備えた真空搬送チャンバーと、
前記真空搬送チャンバーに接続され、前記第一磁化固定層と、第二磁化固定層とのうちの少なくとも一層を成膜する第1スパッタ成膜チャンバーと、
前記真空搬送チャンバーに接続され、前記緩衝層と、反強磁性層と、第一磁化固定層と、交換結合用非磁性層と、第二磁化固定層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とのうちの前記第1スパッタ成膜チャンバーで成膜される層を除く他の層を成膜する第2スパッタ成膜チャンバーと、
を有することを特徴とする。
発明の効果
[0016]
本発明に拠れば、スピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子の磁性層に高い磁気異方性を付与することができ、熱安定性を高めることができ、スピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子を小型化することが可能となる。そして、これにより、磁気ディスクや磁気ランダムアクセスメモリの記憶容量の増大に対応することが可能になる。
図面の簡単な説明
[0017]
添付図面は明細書に含まれ、その一部を構成し、本発明の実施の形態を示し、その記述を共に本発明の原理を説明するために用いられる。
[図1]本発明に係る磁気抵抗素子の製造装置の一例を示す構成図である。
Claims (17)
- 基板上に、緩衝層と、反強磁性層と、第一磁化固定層と、交換結合用非磁性層と、第二磁化固定層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とがスパッタ成膜により積層された磁気抵抗素子の製造方法において、
前記第一磁化固定層と第二磁化固定層と磁化自由層のうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して一定の入射方向から一定の入射角度で斜めに入射させ、静止した非回転の基板を用いて行う第1工程と、
前記緩衝層と、反共時性層と、交換結合用非磁性層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とのうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して一定の入射角度で斜めに入射させ、回転した基板を用いて行う第2工程と、
を有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。 - 基板上に、緩衝層と、反強磁性層と、第一磁化固定層と、交換結合用非磁性層と、第二磁化固定層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とがスパッタ成膜により積層された磁気抵抗素子の製造方法において、
前記第一磁化固定層と第二磁化固定層と磁化自由層のうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して一定の入射方向から一定の入射角度で斜めに入射させ、静止した非回転の基板を用いて行う第1工程と、
前記緩衝層と、反共時性層と、交換結合用非磁性層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とのうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して垂直に入射させて行う第2工程と、
を有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。 - 前記第一磁化固定層と第二磁化固定層と磁化自由層のうち少なくとも一層のスパッタ成膜中に、一旦成膜を中断し、この中断中に前記基板をその中心軸周りに180°回転させてから成膜を再開することを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
- 基板上に、緩衝層と、反強磁性層と、第一磁化固定層と、交換結合用非磁性層と、第二磁化固定層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とがスパッタ成膜により積層された磁気抵抗素子の製造方法において、
前記第一磁化固定層と第二磁化固定層と磁化自由層のうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を基板に対して一定の入射方向から一定の入射角度で斜めに入射させて行う第1工程と、
前記第1工程の後、前記入射方向から180°ずれた一定の入射方向から前記入射角度と同じ一定の入射角度で斜めに入射させることスパッタ成膜を行う第2工程と、
を有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。 - 前記第一磁化固定層と第二磁化固定層と磁化自由層のうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタリングターゲットの中心と前記基板の中心を結ぶ線分と、前記基板の表面上の法線とがなす角度を10°以上80°以下の範囲として行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
- 前記第一磁化固定層と第二磁化固定層と磁化自由層のうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、前記基板の表面に平行かつ前記スパッタ粒子の入射方向と平行または直角方向に向きが揃い、しかも磁力線同士が前記基板の表面内で平行に揃った磁場を印加しながら行うことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
- 前記第一磁化固定層と第二磁化固定層と磁化自由層のうち少なくとも一層のスパッタ成膜後、前記基板の表面に平行かつ前記スパッタ粒子の入射方向と平行または直角方向に向きが揃い、しかも磁力線同士が前記基板の表面内で平行に揃った磁場を印加しながら230〜400℃の温度でアニール処理を行うことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
- スパッタ成膜チャンバーであって、
薄膜を堆積させるための基板を支持するための基板支持ホルダーと、
前記基板とは電気的に絶縁され、前記基板に対向するように配置されたスパッタリングカソードと、
前記スパッタリングカソードに支持され、前記薄膜と同一材料またはその元となる材料からなるスパッタリングターゲットと、を備え、
前記スパッタリングターゲットの中心と前記基板の中心を結ぶ線分と、前記基板の表面上の法線とがなす角度が10°以上80°以下となっていることを特徴とするスパッタ成膜チャンバー。 - 成膜中に一旦成膜を中断させるプロセスの制御を行うコントローラと、
前記プロセスの中断中に前記基板の中心軸周りに前記基板支持ホルダーを180°回転させる回転機構と、を更に有することを特徴とする請求項8に記載のスパッタ成膜チャンバー。 - スパッタ成膜チャンバーであって、
薄膜を堆積させるための基板を支持するための基板支持ホルダーと、
前記基板とは電気的に絶縁され、前記基板に対向するように配置されたスパッタリングカソードと、
前記スパッタリングカソードに支持され、前記薄膜と同一材料またはその元となる材料からなるスパッタリングターゲットと、を備え、
前記基板支持ホルダーは、前記基板の表面およびスパッタリングターゲットの表面と平行な傾動軸を中心に左右に傾動可能で、左右への傾動時に、前記スパッタリングターゲットの中心と前記基板の中心を結ぶ線分と、前記基板の表面上の法線とがなす角度がそれぞれ10°以上80°以下となることを特徴とするスパッタ成膜チャンバー。 - スパッタ成膜チャンバーであって、
薄膜を堆積させるための基板を支持するための基板支持ホルダーと、
前記基板とは電気的に絶縁され、前記基板に対向するように配置されたスパッタリングカソードと、
前記スパッタリングカソードのそれぞれに支持され、前記薄膜と同一材料またはその元となる材料からなるスパッタリングターゲットと、を備え、
前記スパッタリングターゲットを支持した前記スパッタリングカソードは、前記基板の表面に対して略平行になる同一面内に2箇所に設けられており、
前記スパッタリングターゲットの中心と前記基板の中心を結ぶ線分と、前記基板の表面上の法線とがなす角度がそれぞれ10°以上80°以下となっていると共に、両スパッタリングカソード間で電力の投入を切り替え可能であることを特徴とするスパッタ成膜チャンバー。 - 前記スパッタリングカソードは、周方向に回転可能な正多角柱の形をなし、その各側面に前記スパッタリングターゲットが支持されており、周方向への回転により、前記基板と対向するスパッタリングカソードを切り替え可能であることを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1項に記載のスパッタ成膜チャンバー。
- 前記基板の表面に平行かつ前記スパッタ粒子の入射方向と平行または直角方向に向きが揃い、しかも磁力線同士が前記基板の表面内で平行に揃った磁場を形成する磁気発生装置を有することを特徴とする請求項8乃至12のいずれか1項に記載のスパッタ成膜チャンバー。
- 基板上に、緩衝層と、反強磁性層と、第一磁化固定層と、交換結合用非磁性層と、第二磁化固定層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とがスパッタ成膜により積層された磁気抵抗素子の製造装置において、
基板搬送機構を備えた真空搬送チャンバーと、
前記真空搬送チャンバーに接続され、前記第一磁化固定層と、第二磁化固定層と、磁化自由層とのうちの少なくとも一層を成膜する請求項8乃至13のいずれか1項に記載の第1スパッタ成膜チャンバーと、
前記真空搬送チャンバーに接続され、前記緩衝層と、反強磁性層と、第一磁化固定層と、交換結合用非磁性層と、第二磁化固定層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とのうちの前記第1スパッタ成膜チャンバーで成膜される層を除く他の層を成膜する請求項8乃至13のいずれか1項に記載の第2スパッタ成膜チャンバーと、
を有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造装置。 - 基板上に、緩衝層と、反強磁性層と、第一磁化固定層と、交換結合用非磁性層と、第二磁化固定層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とがスパッタ成膜により積層された磁気抵抗素子の製造方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、当該磁気抵抗素子の製造方法が、
前記第一磁化固定層と第二磁化固定層と磁化自由層のうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して一定の入射方向から一定の入射角度で斜めに入射させ、静止した非回転の基板を用いて行う第1工程と、
前記緩衝層と、反共時性層と、交換結合用非磁性層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とのうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して一定の入射角度で斜めに入射させ、回転した基板を用いて行う第2工程と、
を有することを特徴とするプログラム。 - 基板上に、緩衝層と、反強磁性層と、第一磁化固定層と、交換結合用非磁性層と、第二磁化固定層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とがスパッタ成膜により積層された磁気抵抗素子の製造方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、当該磁気抵抗素子の製造方法が、
前記第一磁化固定層と第二磁化固定層と磁化自由層のうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して一定の入射方向から一定の入射角度で斜めに入射させ、静止した非回転の基板を用いて行う第1工程と、
前記緩衝層と、反共時性層と、交換結合用非磁性層と、トンネルバリア層または非磁性伝導層と、磁化自由層と、保護層とのうち少なくとも一層のスパッタ成膜を、スパッタ粒子を前記基板に対して垂直に入射させて行う第2工程と、
を有することを特徴とするプログラム。 - 請求項15または16に記載のプログラムを格納したコンピュータにより読取可能な記憶媒体。
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