JPS60204882A - 放電反応処理装置 - Google Patents
放電反応処理装置Info
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- JPS60204882A JPS60204882A JP6019484A JP6019484A JPS60204882A JP S60204882 A JPS60204882 A JP S60204882A JP 6019484 A JP6019484 A JP 6019484A JP 6019484 A JP6019484 A JP 6019484A JP S60204882 A JPS60204882 A JP S60204882A
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- substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は気体の放電反応を利用して、被処理基板上に膜
堆積、エツチングその他の処理を施す放電反応処理装置
の改良に関し、殊に被処理基板表面に急速に均一な処理
を施すことを目的とする。
堆積、エツチングその他の処理を施す放電反応処理装置
の改良に関し、殊に被処理基板表面に急速に均一な処理
を施すことを目的とする。
以下本発明の放電反応処理装置をマグネトロンスパッタ
リング装置で代表させて説明する。
リング装置で代表させて説明する。
ＬＳＩ等の半導体装置、磁気ディスク等の磁気配録装置
１等の製造にはスパッタリング装置が重用されているが
、被処理基板上に迅速な処理を施すために近時はマグネ
トロン方式のスパッタリング装置が多用されている。
１等の製造にはスパッタリング装置が重用されているが
、被処理基板上に迅速な処理を施すために近時はマグネ
トロン方式のスパッタリング装置が多用されている。
これらスパッタリング装置による処理で問題となるのが
、基板表面における処理の均一性である。
、基板表面における処理の均一性である。
複数の被処理基板がいちどきにもしくは連続的に処理さ
れるときには、基板同志の間でも処理が均一に揃うこと
が要求される。
れるときには、基板同志の間でも処理が均一に揃うこと
が要求される。
例えば、磁気ディスクでは円盤状の基板の表面に極めて
均一な膜付は処理を施すことが必要である。
均一な膜付は処理を施すことが必要である。
磁気ディスクを磁気ディスクコントローラにかけて磁気
記録再生を行なうとき、もし円周方向の膜厚分布に不均
一さがあると、それは直ちにノイズ等の不具合の原因に
なるためである。
記録再生を行なうとき、もし円周方向の膜厚分布に不均
一さがあると、それは直ちにノイズ等の不具合の原因に
なるためである。
従来の磁気ディスクの膜付は処理は、ディスク基板を基
板キャリヤ上に固定し、こわをプレーナ・マグネトロン
・カソードに平行に直線的に移動させながらスパッタリ
ング膜付は処理するか、もしくはディスク基板を基板保
持真上に載置したもυをプレーナー・マグネトロン・カ
ソードに対面させ、これを回転させながらスパッタリン
グ処理することをしていた。そのため前者では基板上の
層厚分布の均一さ、斎−さけ必ずしも充分ではなく、後
者では量産性に問題がありた。そしてこの均一性、ｉｋ
−件、量産性の向上をめざして装置の改良、殊にマグネ
トロン・カソードの形状、構造に様々の工夫がなされた
が問題はなお残っていた。
板キャリヤ上に固定し、こわをプレーナ・マグネトロン
・カソードに平行に直線的に移動させながらスパッタリ
ング膜付は処理するか、もしくはディスク基板を基板保
持真上に載置したもυをプレーナー・マグネトロン・カ
ソードに対面させ、これを回転させながらスパッタリン
グ処理することをしていた。そのため前者では基板上の
層厚分布の均一さ、斎−さけ必ずしも充分ではなく、後
者では量産性に問題がありた。そしてこの均一性、ｉｋ
−件、量産性の向上をめざして装置の改良、殊にマグネ
トロン・カソードの形状、構造に様々の工夫がなされた
が問題はなお残っていた。
本発明はこれを解決するものである。
以下、実施例によって本発明を図示説明する。
第１図り本発明の実施例の磁気ディスクの記録媒体の磁
性薄膜々付は処理装置の概要の平面図を示す。１は仕込
室であってディスク基板１０１等を載せた基板キャリヤ
１０を設置したのち１図示しないガス導入系、真空ポン
プ系で所定圧に調整される。その間に処理室２内では、
基板キャリヤ１０ａに載置されたディスク基板１０１３
等に対し、マグネトロン・スパッタリング膜付は処理が
施される。この処理は、キャリヤ１０ｇを軌道１１にそ
って矢印２０１方向に移動させつ５行なうもので、具体
内容は後述する。
性薄膜々付は処理装置の概要の平面図を示す。１は仕込
室であってディスク基板１０１等を載せた基板キャリヤ
１０を設置したのち１図示しないガス導入系、真空ポン
プ系で所定圧に調整される。その間に処理室２内では、
基板キャリヤ１０ａに載置されたディスク基板１０１３
等に対し、マグネトロン・スパッタリング膜付は処理が
施される。この処理は、キャリヤ１０ｇを軌道１１にそ
って矢印２０１方向に移動させつ５行なうもので、具体
内容は後述する。
基板キャリヤ１０ａが軌道１１ａの位置に到着し処理が
終ると、仕切バルブ２３が開かれて、すでに先述の仕込
室１と同様に所定圧に調整されているＮ出室３のｌｌｂ
の位置に、基板キャリヤ１０ｍが送り込まれる。
終ると、仕切バルブ２３が開かれて、すでに先述の仕込
室１と同様に所定圧に調整されているＮ出室３のｌｌｂ
の位置に、基板キャリヤ１０ｍが送り込まれる。
これと前後して仕込室の新しい基板キャリヤ１０が、仕
切バルブ１２を開いて処理室２０１０ａの位置に送入さ
れ、そのあとスパッタリング処理が再開される。
切バルブ１２を開いて処理室２０１０ａの位置に送入さ
れ、そのあとスパッタリング処理が再開される。
基板を載せた基板キャリヤを外気から仕込室１に持込む
作業及び取出室３から基板、基板キャリヤを外気に取出
す作業は、仕切バルブ１２と２３が閉鎖され、処理室２
内でスパッタリング処理が施されている間に行なわれる
。
作業及び取出室３から基板、基板キャリヤを外気に取出
す作業は、仕切バルブ１２と２３が閉鎖され、処理室２
内でスパッタリング処理が施されている間に行なわれる
。
処理室２に付属する諸装簀、即ちガス導入系。
真空ポンプ系、電源等は図示していない。２０けプレー
ナー・マグネトロン・カソードで−ある。
ナー・マグネトロン・カソードで−ある。
第２図は基板キャリヤ１０の拡大正面図であって、４個
のディスク基板１０１〜１０４が塔載されている状態を
示す。第３図はこれと同じ拡大率で示したプレーナー・
マグネトロン・カソード２０と。
のディスク基板１０１〜１０４が塔載されている状態を
示す。第３図はこれと同じ拡大率で示したプレーナー・
マグネトロン・カソード２０と。
その圧部の軌道１１上に置かれた仮想基板面上のスパッ
タリング膜付けの胛厚分布２０１の図の例である。Ｉ！
Ｉ＊ＨＦｉ中夫の正面Ａ部分で厚く、端部の正面Ｂｌ、
Ｂ２部分で薄くなっている。カソードの形状、構造を工
夫すると曲線２０１が改善出来るが。
タリング膜付けの胛厚分布２０１の図の例である。Ｉ！
Ｉ＊ＨＦｉ中夫の正面Ａ部分で厚く、端部の正面Ｂｌ、
Ｂ２部分で薄くなっている。カソードの形状、構造を工
夫すると曲線２０１が改善出来るが。
なお均一性が不充分であることは先述の通りである。
第４図はこの実施例の装置の要部を簡略化して示すもの
である。図で基板キャリヤ１０の上端にけラック１４が
植えられており、矢印２０１の移動は、このランク１４
に 合うキャリヤ駆動用ビニオン（群）４０で行なわれ
る。
である。図で基板キャリヤ１０の上端にけラック１４が
植えられており、矢印２０１の移動は、このランク１４
に 合うキャリヤ駆動用ビニオン（群）４０で行なわれ
る。
ビニオン（群）４０の軸は処理室２の壁に固定されてお
り、ビニオン（群）４０は図示しない電動機で回転駆動
されている。処理室２の底の軌道１１上には、カソード
２００幅よりもや−大きい長さでラック５０が敷設され
ている。これにビニオン５１が 合っている。ビニオン
５１の軸は基鈑キャリヤＩＯＫ固定されており、ビニオ
ン５１０回転は図示しない歯車系を経由して■溝車４２
を回転させる。８個のＶ溝車４１Ｖ１アイドリンダして
いる。但し、■溝車４１．４２の軸はすべて基枦キャリ
ヤＩＯＫ固定嘔れており、ディスク基＃ｌ１１０１〜１
０４はこれらら■溝車のＶ溝にて第５図のように挿入保
持され、摩擦力で回転駆動されるようになっている。
り、ビニオン（群）４０は図示しない電動機で回転駆動
されている。処理室２の底の軌道１１上には、カソード
２００幅よりもや−大きい長さでラック５０が敷設され
ている。これにビニオン５１が 合っている。ビニオン
５１の軸は基鈑キャリヤＩＯＫ固定されており、ビニオ
ン５１０回転は図示しない歯車系を経由して■溝車４２
を回転させる。８個のＶ溝車４１Ｖ１アイドリンダして
いる。但し、■溝車４１．４２の軸はすべて基枦キャリ
ヤＩＯＫ固定嘔れており、ディスク基＃ｌ１１０１〜１
０４はこれらら■溝車のＶ溝にて第５図のように挿入保
持され、摩擦力で回転駆動されるようになっている。
さて、−Ｆ述の構造のため、基板キャリヤ１０が処理室
２に入ってビニオン（群）４０とラック１４で駆動され
矢印２０１の移動がはじまると間もなく、ビニオン５１
がラック５０の左端に 合ってディスク基１！！１０１
〜１０４は基板キャリヤ１０上で自転１００を開始し、
この自転はヒニ、４ン５１がラック５０の右端から外れ
るまで続く。スパッタリングによる膜付は処理はこの間
に行なわれるものである。
２に入ってビニオン（群）４０とラック１４で駆動され
矢印２０１の移動がはじまると間もなく、ビニオン５１
がラック５０の左端に 合ってディスク基１！！１０１
〜１０４は基板キャリヤ１０上で自転１００を開始し、
この自転はヒニ、４ン５１がラック５０の右端から外れ
るまで続く。スパッタリングによる膜付は処理はこの間
に行なわれるものである。
従って、ディスク基板１０１〜１０４への膜付は処理は
自転１００と移動２０１の複合の中で施され、その膜厚
は極めて均一性の高いものとなる。
自転１００と移動２０１の複合の中で施され、その膜厚
は極めて均一性の高いものとなる。
次に、第６図は本発明の別の実施例の要部概略を示すも
のである。図中第４図と同符号は−１−構成部品を示す
。この実施例では、第４図のラック５０の代りにスズロ
ケット７４．７５Ｋかけられたチェーン７０が敷設され
、ビニオン５１の代９にスプロケット７１がチェーン７
０に 合っている。そしてスズロケット７１の回転は図
示しない歯車系を経由して７内■溝車Ｊ６０を回転させ
ている。６１．６２Ｖｉともにアイドリング■溝車であ
るが、■溝車６１の軸は遊星リング６３に固定され、■
溝車６２の軸は内ｖ＃１車６０の軸及び遊星リング６３
の軸とともに、基板キャリヤ１０の点６００に固定され
ている。スズロケット７４゜７５の軸は処理室２に固定
され、このうち７４は図示しない電動機で回転駆動され
ている。この電動機はビニオン４０を駆動するものと兼
用してもよい。
のである。図中第４図と同符号は−１−構成部品を示す
。この実施例では、第４図のラック５０の代りにスズロ
ケット７４．７５Ｋかけられたチェーン７０が敷設され
、ビニオン５１の代９にスプロケット７１がチェーン７
０に 合っている。そしてスズロケット７１の回転は図
示しない歯車系を経由して７内■溝車Ｊ６０を回転させ
ている。６１．６２Ｖｉともにアイドリング■溝車であ
るが、■溝車６１の軸は遊星リング６３に固定され、■
溝車６２の軸は内ｖ＃１車６０の軸及び遊星リング６３
の軸とともに、基板キャリヤ１０の点６００に固定され
ている。スズロケット７４゜７５の軸は処理室２に固定
され、このうち７４は図示しない電動機で回転駆動され
ている。この電動機はビニオン４０を駆動するものと兼
用してもよい。
さて上述の構成のため、この実施例では、内Ｖ溝車−と
■溝車６１，６２の溝に挿入保持さ第１るディスク基板
１０１〜】０４は、摩擦によって公転（矢印５００）Ｌ
つ＼自転（矢印４００ ） Ｌ。
■溝車６１，６２の溝に挿入保持さ第１るディスク基板
１０１〜】０４は、摩擦によって公転（矢印５００）Ｌ
つ＼自転（矢印４００ ） Ｌ。
そうしながら同時に移！ＩＩＥＩ＋ （矢印２０１）す
る。従ってこの間に行なわれるスパッタリング膜付けの
膜厚の均一性、斉一性は極めて高いものになる。
る。従ってこの間に行なわれるスパッタリング膜付けの
膜厚の均一性、斉一性は極めて高いものになる。
なお上述の各実施例の移動速度２０１．自転１００又は
４００．公転５００の速度比は、歯車系。
４００．公転５００の速度比は、歯車系。
電動機によって自由に選定できるものである。例えば自
転をゼロにして公転のみにすることもできる。
転をゼロにして公転のみにすることもできる。
本発明は以上の通りであって、処理すべき基板を基板キ
ャリヤ上に設博し、基板キャリヤを移動せしめつ＼基板
を自転又は／及び公転させ、スパッタリング等の放電反
応処理によって基板上に所定の処理を施すことをその主
旨とするもので、処！Ｖｉ実施例の膜付けのみならず、
エツチング、表面清浄化等々にも適用できるものである
。 。
ャリヤ上に設博し、基板キャリヤを移動せしめつ＼基板
を自転又は／及び公転させ、スパッタリング等の放電反
応処理によって基板上に所定の処理を施すことをその主
旨とするもので、処！Ｖｉ実施例の膜付けのみならず、
エツチング、表面清浄化等々にも適用できるものである
。 。
これによって被処理基板表面には従来に比し格段の均一
性、斉一性をもつ処理を施すことができ。
性、斉一性をもつ処理を施すことができ。
しかも量産性を損なうことがない。工業上極めて有為の
発明である。
発明である。
なお１本発明は上記の実施例に拘束されることなく、基
板の個数、その取付方法、移動・自転・公転の駆動機構
を選ぶことが可能であり、その設計の自由度は高い。
板の個数、その取付方法、移動・自転・公転の駆動機構
を選ぶことが可能であり、その設計の自由度は高い。
第１図は本発明の実施例のスパッタリング肌付は装置の
概要を示す平面図。 第２図はそのうちの基板ギヤリヤ１０の拡大正面図。 第３図はプレーナー・マグネトロン・カソード２０によ
るスパッタリング膜付けの膜厚分布の例の図。 第４図りこの装置の要部を簡略化して示す正面図。 ’
ｆｉｒＩ！Ｊｒ’ 巻ｆＪ−ｔ Ｖ４Ｌ＝ ｊ＊入ｆｌ
ｌ−オキしｔ、＝４丸ｐ、とえ１幻今ｍ。 第８図は別の実施例の＠４図と同様の陶。 １・・・・・・仕込室、 ２・・・・・処理室、 ３・
・・・・・汐出室、１０．１０ｇ・・・・・基私キャリ
ヤ。 １１−・−移１１＋１７）軌道、１０１，１０２，１０
３，１０４−＝−・基か、 ４０・・川 キャリヤ駆動
ビニオン（群）。 １４．５０ラツク、５１・・・・・ ビニオン、 ７０
・四・チｘ−ｙ 、 ７１．７４．７５・・・・・スズ
ロケット。 ２０１・・・・・・移動、 １００，４００・・・・・
・ 自転、５００・・・・・・公転、４１，４２，６１
．６２・・・・・・ Ｖ溝車。 ６０・・・・・・内Ｖ＃４車。 特許出願人 日電アネルバ株式会社
概要を示す平面図。 第２図はそのうちの基板ギヤリヤ１０の拡大正面図。 第３図はプレーナー・マグネトロン・カソード２０によ
るスパッタリング膜付けの膜厚分布の例の図。 第４図りこの装置の要部を簡略化して示す正面図。 ’
ｆｉｒＩ！Ｊｒ’ 巻ｆＪ−ｔ Ｖ４Ｌ＝ ｊ＊入ｆｌ
ｌ−オキしｔ、＝４丸ｐ、とえ１幻今ｍ。 第８図は別の実施例の＠４図と同様の陶。 １・・・・・・仕込室、 ２・・・・・処理室、 ３・
・・・・・汐出室、１０．１０ｇ・・・・・基私キャリ
ヤ。 １１−・−移１１＋１７）軌道、１０１，１０２，１０
３，１０４−＝−・基か、 ４０・・川 キャリヤ駆動
ビニオン（群）。 １４．５０ラツク、５１・・・・・ ビニオン、 ７０
・四・チｘ−ｙ 、 ７１．７４．７５・・・・・スズ
ロケット。 ２０１・・・・・・移動、 １００，４００・・・・・
・ 自転、５００・・・・・・公転、４１，４２，６１
．６２・・・・・・ Ｖ溝車。 ６０・・・・・・内Ｖ＃４車。 特許出願人 日電アネルバ株式会社
Claims (2)
- （１）仕込室、処理室、取出室を備え、処理すべき基板
を基板キャリヤ上に設置し、該仕込室より連続的に該基
板キャリヤを該処理室へ送り込み該基板キャリヤを移動
せしめっ＼原基板上に気体の放電反応を利用して所定の
処理を施してこれを取出室に送入する２放電反応処理装
置において、該処理中に該基板が核基板キャリヤ上で自
転又は／及び公転するよう装置を構成したことを特徴と
する放電反応処理装置。 - （２）＃基板キャリヤを移動せしめる駆動力が、＃基板
の自転又は／及び公転の駆動力の少くとも一部に兼用さ
れている特許請求の範囲第１項記載の放電反応処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060194A JPH06102829B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 放電反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060194A JPH06102829B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 放電反応処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60204882A true JPS60204882A (ja) | 1985-10-16 |
| JPH06102829B2 JPH06102829B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=13135100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59060194A Expired - Lifetime JPH06102829B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 放電反応処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06102829B2 (ja) |
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| JPS63199867A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Chugai Ro Kogyo Kaisha Ltd | マグネトロン・スパツタリング方法およびその装置 |
| JPS63282260A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-18 | Chugai Ro Kogyo Kaisha Ltd | スパッタリング装置 |
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| JP2010523818A (ja) * | 2007-04-05 | 2010-07-15 | ソルインドラ，インコーポレーテッド | 非平面的形状の表面に材料を成膜する方法 |
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1984
- 1984-03-28 JP JP59060194A patent/JPH06102829B2/ja not_active Expired - Lifetime
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