JPS63282260A - スパッタリング装置 - Google Patents

スパッタリング装置

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JPS63282260A
JPS63282260A JP11756287A JP11756287A JPS63282260A JP S63282260 A JPS63282260 A JP S63282260A JP 11756287 A JP11756287 A JP 11756287A JP 11756287 A JP11756287 A JP 11756287A JP S63282260 A JPS63282260 A JP S63282260A
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pallet
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chamber
rotation stop
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Toshimi Minami
南 俊美
Kinya Kisoda
欣弥 木曽田
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Chugai Ro Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • C23C14/505Substrate holders for rotation of the substrates

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、処理材表面に薄膜を作成するスパッタリング
装置に関するものである。
(従来技術とその問題点) 従来、スパッタリング装置には、処理材とターゲット材
とを相対的に移動させてスパッタ処理を行なう方式と、
処理材とターゲット材とを静止状態で対向させてスパッ
タ処理を行なう方式とがある。
そして、両方式はスパッタ処理条件等によっていずれか
一方の方式を採用している。
したがって、両方式を使用するには、2種のスパッタリ
ング装置を必要とし、設備費が高価になるという問題点
を有する。
本発明は、簡単な構成で、1台で2方式のスパッタ処理
を行なえるスパッタリング装置を提供することを目的と
する。
(問題点を解決すべき手段) 本発明は前記目的を達成するために、スパッタリング装
置を、垂直状態のパレットに複数の処理材を保持し、該
処理材に薄膜を形成するスパッタリング装置において、
前記パレットに複数の処理材を同心円上に保持するとと
もに、処理室の両側壁部対向位置に、それぞれ進退する
パレット支持用スピンドルを設け、このスピンドルの一
方に、ステッピングモータを連結し、かつ、処理室の少
なくとも一方の側壁部に複数のターゲット材を着脱自在
で、放射状に配設する一方、処理室の所定位置にパレッ
ト回転停止位置確認手段を設けたものである。
(実施例) つぎに、本発明を一実施例を示す図面にしたがって説明
する。
本発明にかかるスパッタリング装置は、第1図に示すよ
うに、装入室l、第1〜第3処理室2a。
2 b、 2 cおよび抽出室3とからなり、装入室l
と第1処理室2a、第1処理室2aと第2処理室2b。
第2処理室2bと第3処理室2cおよび第3処理室2c
と抽出室3との間にはそれぞれスリットバルブ4が設け
である。
そして、前記装入室lには、第2図に示すように、複数
対の独立したアーム6を備えたマガジン5が炉幅方向で
移動自在に設けてあり、このマガジン5の各アーム6の
先端部には、凹溝からなる軸支部7が設けられ、この軸
支部7で複数の円板状処理材Wを同心円上に設けた環状
凹溝8に回転自在に遊嵌保持した円板状パレット9の軸
部10を支持するようになっている。
また、装入室1の前記処理室2と同一線上をなす位置に
シリンダ装置11が設けてあり、このシリンダ装置11
の動作で、所定アーム6を軸6aを中心に上・下方向に
旋回させて、当該パレット9を後述するパレット移送装
置14に引き渡すようになっている。
前記抽出室3は、装入室1とほぼ同様な構成からなり、
アーム6の旋回によって抽出室3に位置するパレット移
送装置14上のパレット9をマガジン5内に引き取り、
パレット9を抽出室3から抽出するよ、うになっている
前記装入室11各処理室2 a、 2 b、 2 cお
よび抽出室3の下部には、上・下一対のガイドローラ1
2aj2bを有するガイド部材13が所定間隔で設けら
れている。
また、各処理室2 a、 2 b、 2 cと抽出室3
には、隣接する空間を移動するパレット移送装置14が
設けである。このパレット移送装置14は、第4図から
明らかなように、図示しないピニオンと噛合するラック
15aを有し、かつ、中央部に貫通孔17を設けたキャ
リア本体15と、このキャリア本体15上に設けた昇降
するパレット支持台19とからなる。このパレット支持
台19は上端に凹溝からなる軸支部2Iを有するととも
に、下端に前記キャリア本体15の貫通孔18内に位置
するガイドピン19a、19bを備えている。
さらに、前記各処理室2 a、 2 b、 2 cの底
部中央には、前記キャリア本体15の中央貫通孔17内
を進退するピストンロッド20aを有する押上シリンダ
20が設けである。
一方、前記押上シリンダ20の上方に位置する側壁Bに
は、第5図に示すように、パレット9の軸部10両端を
挾持する抑圧スピンドル23a、23bと、一方の押圧
スピンドル23bを回転させるステッピングモータ24
とからなるパレット回転装置22が設けである。
前記パレット回転装置22の抑圧スピンドル23の周囲
には、第1図、第3図、第6図に示すように、公知のコ
ンベンショナル方式、トライオード方式あるいはプレー
ナーマグネトロン方式の矩形状スパッタリング電極Cと
円形状スパッタリング電極りが放射状に配設しである。
そして、矩形状スパッタリング電極C(ターゲット材2
5)は、第6図に示すように、その中心0′がパレット
9に装着した処理材Wの中心Oと半径方向でずれた位置
(H=15〜25+*s)になるように配設してあり、
一方、円形状スパッタリング電極りの中心は処理材Wの
中心0と一致している。
ただし、スパッタリング電極りは、第9,10図に示す
ように、スパッタリング電極Cと同一形状のアダプタ2
6を介して取り付けたものである。
また、前記パレット9には貫通孔28が設けられ、かつ
、各処理室2a〜2cの対向する側壁Bに投・受光器2
9.30が設けられ(第11.12図)、投光器29か
らの光が貫通孔28を介して受光器30で検出されると
、スパッタリング電極りの中心と処理材Wの中心とが合
致状態となるようになっている。あるいは、貫通孔28
の位置を、投・受光629.30で検知したのち、所定
角度パレット9を回転させて合致状態としてもよい。な
お、貫通孔28、投、受光器29.30でパレット回転
停止位置確認手段27を構成する。
つぎに、前記構成からなるスパッタリング装置の操作を
説明する。
まず、処理材Wを公転させながら処理するには、装入室
1のマガジン5に、予め複数の処理材Wを環状凹部8に
装着したパレット9.を各アーム6の軸支部7に載置す
る(第2a図、第2b図)。そして、装入室1、各処理
室2および抽出室3を図示しな。
い真空装置で真空にするとともに、所定のガス、たとえ
ば、アルゴンガスを供給して所定のスパッタ圧とし、各
スリットバルブ4を開き、図示しないビニオンを駆動す
ることにより、各パレット移送装置14を左方(装入室
1方向)に移動させ、第1処理室2aのパレット移送装
置14を装入室1に位置させる。ここで、前記シリンダ
装置11を駆動して、所定アーム6を軸6aを中心に軸
支部7を旋回−下させ、該所定アーム6に支持されてい
たパレット9aを前記パレット支持台19の軸支部21
上に移載する(第2c図)。
ついで、前記所定アーム6は旋回上昇して元の状態にな
るとともに各パレット移送装置14は、図示しないピニ
オンの駆動により各々右方(抽出室3側)の処理室2と
抽出室3へ移動して停止したのち、各スリットバルブ4
を閉とする。その後、各押上シリンダ20が作動して、
ピストンロッド20aが貫通孔17内に挿入され、第4
b図に示すようにパレット支持台I9を上昇させる。こ
のように、パレット支持台19が上昇すると、これを検
知し、第5図に示すように、押圧スピンドル23が作動
してパレット9の軸部10両端を挾持して、パレット回
転装置22に支持すると同時に、押上シリンダ20の作
動によってパレット支持台19が降下する。この状態で
、第10図に示すように、回転処理用プロセスプログラ
ムP+によりパレット9はパレット回転装置22のステ
ッピングモータ24の駆動により所定速度で回転すると
ともに、スパッタリング電極Cへの印加によりスパッタ
リングが開始される。
このスパッタリング処理中、パレット9の各環状凹溝8
に遊嵌状部で保持された処理材Wは、パレット9の回転
(自転)により、処理材Wの自転中心0の軌跡がターゲ
ット材25の中心0′とずれた状態で自転・公転するこ
とになる。
なお、パレット支持台19が前述したように、元の状態
になると、装入室lのマガジン5が1ピツチ前進移動し
、次パレット9bが受は渡し位置に来る。
したがって、スパッタリング処理中におけるパレット9
の各処理材Wは、加熱−冷却−加熱を受けるとともに、
スパッタリング電極Cから一定方向のみの磁界分布を受
けず、つまり、処理材Wの温度上昇が抑えられる一方、
処理材Wに対するスパッタ方向がランダムとなり、処理
材Wの表裏はほぼ均一に薄膜が形成されることになる。
このようにして、一定時間スパッタ処理が行なわれると
、各スリットバルブ4を開き、各パレット移送装置14
は、前述したように、左方(装入室l側)に移動し、装
入室lで1枚のパレット9bを受は取る一方、処理室2
のパレット支持台19が上昇停止すると、押圧スピンド
ル23が後退して、第1処理室2aのパレット9aを支
持すると同時に、パレット支持台19が下降する(第2
f図)。
その後、パレット移送装置14は、右方(抽出室3側)
に移動し、装入室lのパレット9bは第1処理室2aに
、第1処理室2aのパレット9aは第2処理室内2bに
装入される(第2g図、第2h図)。
ここで、前記同様パレット9bの処理材Wは1回目の、
また、パレット9aの処理材Wは2回目のスバツタ工程
を経て、以下同様にして各処理材Wは各処理室2でそれ
ぞれスパッタ処理されて完成品となる。
このように、抽出室3にパレット9を支持したパレット
移送装置14が装入されると、装入室lでの動作とは逆
に、下方に待機するアーム6の軸支部7が旋回上昇して
当該パレット9を受は取り、マガジン5の移動により、
抽出室3の図示しない抽出口へと順次搬送される。
なお、パレット9の装入室l内のマガジン5(アーム6
)への装着あるいは抽出室3から装置外への抽出時には
、装入室lと抽出室3は外気と連通ずるため、装入室l
内のマガジン5にパレット9を保持したのち、前述した
操作に先立ってスリットバルブ4を閉鎖して、装入室l
内と抽出室3内をパージし、所定雰囲気、圧力に調整す
ることは勿論である。
つぎに、処理材Wとターゲット材とを静止状態で対向さ
せて処理する場合には、スパッタリング電極りを処理材
Wの形状に対応する形状のものとし、前述のように、パ
レット9がパレット回転装置22に支持されると、図示
しない手段でステッピングモータ24をパレット回転停
止位置確認手段27によって確認されるまで回転し、処
理材Wがスパッタリング電極りに正確に対向させる。そ
の後、第10図の静止対向処理用プロセスプログラムP
、により、ステッピングモータ24を停止させた状態で
スパッタリング電極りを所定時間印加してスパッタ処理
を行う。
そして、スパッタ処理が終了すると、ステッピングモー
タ24を予め定められたステッピングパルス数だけ時間
回転させて、未処理の処理材Wをスパッタリング電極り
に対向させ、前記処理を行い、パレット9上の総ての処
理材Wが処理されると、前述のように、他の処理室2あ
るいは抽出室3へと移行される。
前記実施例では、処理室2を3室とするとともに、抽出
室3を設けたが、処理室2は3室に限らない、また、処
理室2を1室とし抽出室3を省略して装入室1で抽出室
3をも兼ねるようにしてもよく、処理室2のみで構成し
てもよい。さらに、スパッタリング電極Cの中心O′を
処理材Wの中心が描ぐ円周上に位置させてもよく、また
、処理材Wをパレットに固定し、公転のみ行なうように
してもよいことは勿論である。
(発明の効果) 以上の説明から明らかなように、本発明にかかるスパッ
タリング装置によれば、パレットに複数の処理材を同心
円上に保持するとともに、処理室の両側壁部対向位置に
、それぞれ進退するパレット支持用スピンドルを設け、
このスピンドルの一方に、ステッピングモータを連結し
、かつ、処理室の両側壁部に複数のターゲット材を着脱
自在で、放射状に配設する一方、処理室の所定位置にパ
レット回転停止位置確認手段を設けたものであるから、
1台のスパッタリング装置で、パレットをステッピング
モータで回転数を制御しながら連続回転することにより
処理材を公転あるいは自・公転させてスパッタ処理を、
また、パレットをステッピングモータの回転数制御と回
転停止確認手段で間欠回転することにより、処理材を正
確に所定位置に静止させ、ターゲット材と静止対向状態
でスパッタ処理を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にかかるスパッタリング装置の概略平面
図、第2a図〜第2h図は第1図においてパレットとキ
ャリア本体との動作を示す平面図と側面図、第3図は処
理室の一部破断斜視図、第4a図と第4b図は押上シリ
ンダとパレット支持台との関係を示す正面図、第5a図
と第5b図はパレット回転装置の動作を示す説明用断面
図、第6図は処理材中心とターゲット材中心との関係を
示す説明図、第7図〜第1θ図はターゲットの側壁部へ
の取り付は状態を示す図およびその断面図、第11図は
処理室の断面図、第12図は第11図のパレットの正面
図で、第13図はステッピングモータおよびスパッタリ
ング電極C,Dの駆動回路図である。 1〜装入室、2(2a、2b、2c)〜処理室、3〜抽
出室、5〜マガジン、9(9a、9b)パレット、14
〜パレツト移送装置、15〜キャリア本体、19〜パレ
ット支持台、20〜昇降(押上)シリンダ、22〜パレ
ット回転装置、23〜押圧スビンドル、24〜ステツピ
ングモータ、25〜ターゲット材、27〜パレット回転
停止位置確認手段、28〜貫通孔、29〜投光器、30
〜受光器、C,D〜スパッタリング電極、0〜処理材中
心、O゛〜〜ターゲット材パッタリング電極)中心。 特 許 出 願 人 中外炉工業株式会社代 理 人 
弁理士 前出  葆ほか2名第2C図 第2d図 第2e図 富4a図       *41)図 第6図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)垂直状態のパレットに複数の処理材を保持し、該
    処理材に薄膜を形成するスパッタリング装置において、
    前記パレットに複数の処理材を同心円上に保持するとと
    もに、処理室の両側壁部対向位置に、それぞれ進退する
    パレット支持用スピンドルを設け、このスピンドルの一
    方に、ステッピングモータを連結し、かつ、処理室の少
    なくとも一方の側壁部に複数のターゲット材を着脱自在
    で、放射状に配設する一方、処理室の所定位置にパレッ
    ト回転停止位置確認手段を設けたことを特徴とするスパ
    ッタリング装置。
  2. (2)前記パレット回転停止確認手段が、パレットに設
    けた貫通孔と処理室の側部に設けた投・受光器からなる
    前記特許請求の範囲第1項に記載のスパッタリング装置
JP11756287A 1987-05-13 1987-05-13 スパッタリング装置 Granted JPS63282260A (ja)

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