JPS5814339A - デイスク等の被処理物の連続メタライジング装置におけるパレツト搬送装置 - Google Patents
デイスク等の被処理物の連続メタライジング装置におけるパレツト搬送装置Info
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- JPS5814339A JPS5814339A JP11078981A JP11078981A JPS5814339A JP S5814339 A JPS5814339 A JP S5814339A JP 11078981 A JP11078981 A JP 11078981A JP 11078981 A JP11078981 A JP 11078981A JP S5814339 A JPS5814339 A JP S5814339A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特に光学的なビディオ・ディスク等の反射−
を形成する場合に最適に採用できるディスク等の被処理
物の連続メタラ4ジング□装置におけるパレット搬送装
置に関する。
を形成する場合に最適に採用できるディスク等の被処理
物の連続メタラ4ジング□装置におけるパレット搬送装
置に関する。
近時、レコード再生系に代わる新しい形態としてビディ
オ・ディスク再生系が注目視されつつある。
オ・ディスク再生系が注目視されつつある。
ところでビディオ・ディスク・システムとしてはディス
クに記録された信号を再生する場合の相違から、ディス
クに直接、ピックアップが接触することによってディス
クに記録された信号を再生する接触式と、ディスクに直
接、ピックア・ノブが接触しないで信号を再生する非接
触式とがある。
クに記録された信号を再生する場合の相違から、ディス
クに直接、ピックアップが接触することによってディス
クに記録された信号を再生する接触式と、ディスクに直
接、ピックア・ノブが接触しないで信号を再生する非接
触式とがある。
前者にはディスクに信号溝を形成して、この溝の電極の
付いたスタイラスで追従することにより静電容量変化を
とられる溝付静電容量方式によるもの、又は複数のピッ
ト列が信号としてディスクの表面にうず巻状番と形成さ
れ、このピット列を電極の付いたスタイラスで追従して
その静電容量変化をとらえる溝なし静電容量方式による
もの等があり、後者にはディスクに記録されたうず巻状
のピット列に例えば半導体レーザを照射してその反射光
を読み取る光学式ビディオ・ディスク方式に代表される
。
付いたスタイラスで追従することにより静電容量変化を
とられる溝付静電容量方式によるもの、又は複数のピッ
ト列が信号としてディスクの表面にうず巻状番と形成さ
れ、このピット列を電極の付いたスタイラスで追従して
その静電容量変化をとらえる溝なし静電容量方式による
もの等があり、後者にはディスクに記録されたうず巻状
のピット列に例えば半導体レーザを照射してその反射光
を読み取る光学式ビディオ・ディスク方式に代表される
。
ところが光学式ビディオ・ディスク・システムにおける
ディスクは通常、ディスク表面にはピットは形成されて
いない、即ち透明なプラスチック、例えば透過率の高い
アクリル樹脂や塩化ビニール樹脂を用いて、インジ、ク
シーン或いはコンプレフシ■ン等の方法でプラスチック
成型することにより表面にピットが形成されたディスク
製作基板を先ず成型し、次いで半導体レーザを照射した
場合の反射効率を向上するために、ディスク製作基板の
表面に、例えばアルミニウムの反射膜をピット形状を崩
さずに極く薄く形成し、さらにその表面に透明なプラス
チック保護層を形成することによって製造される0両面
ディスクにおいては一般にこのようにして製造された片
面ディスクを背中合わせに接着することによって形成さ
れている。
ディスクは通常、ディスク表面にはピットは形成されて
いない、即ち透明なプラスチック、例えば透過率の高い
アクリル樹脂や塩化ビニール樹脂を用いて、インジ、ク
シーン或いはコンプレフシ■ン等の方法でプラスチック
成型することにより表面にピットが形成されたディスク
製作基板を先ず成型し、次いで半導体レーザを照射した
場合の反射効率を向上するために、ディスク製作基板の
表面に、例えばアルミニウムの反射膜をピット形状を崩
さずに極く薄く形成し、さらにその表面に透明なプラス
チック保護層を形成することによって製造される0両面
ディスクにおいては一般にこのようにして製造された片
面ディスクを背中合わせに接着することによって形成さ
れている。
ところで上記反射膜を形成するのには、化学めっき法、
電気めっき法、蒸着法、スパッタリング法等が考えられ
るが、公害を考慮した点とピット形状を崩さぜずに反射
効率を向上させるために、蒸着法、スパッタリング法が
普及しつつある。
電気めっき法、蒸着法、スパッタリング法等が考えられ
るが、公害を考慮した点とピット形状を崩さぜずに反射
効率を向上させるために、蒸着法、スパッタリング法が
普及しつつある。
1着法、スパッタリング法を実施するのには、気密性と
公害面とを考慮して真空室を必要とし、これには従来、
行われているものとしてバッチ法と半連続法とがある。
公害面とを考慮して真空室を必要とし、これには従来、
行われているものとしてバッチ法と半連続法とがある。
パッチ法とは第1図に示すように、例えば真空ベルジャ
A内にディスク製作基板2を放射状に数段、配置してか
らドアパルプBを閉め、その後、真空ポンプ等を用いて
前記ベルジャA内を排気し、真空にした後にアルミニウ
ム等の処理金IK3Bを加熱することによって気化し、
被処理物としてのディスク製作基板2にアルミニウムを
蒸着させる方法をいう。
A内にディスク製作基板2を放射状に数段、配置してか
らドアパルプBを閉め、その後、真空ポンプ等を用いて
前記ベルジャA内を排気し、真空にした後にアルミニウ
ム等の処理金IK3Bを加熱することによって気化し、
被処理物としてのディスク製作基板2にアルミニウムを
蒸着させる方法をいう。
しかし蒸着法においては、メタライジングを行う毎に被
処理物を真空ベルジャA内に入れたり出したりするのに
ドアBを開かなければならないので真空ベルジャAの気
密性が維持できず、真空ベルジャA内を再び真空にする
ために時間がかかること、および被処理物を真空ベルジ
ャA内に運んだりセットするのに手間がかかることから
生産能率が悪く、コスト高になっていた。
処理物を真空ベルジャA内に入れたり出したりするのに
ドアBを開かなければならないので真空ベルジャAの気
密性が維持できず、真空ベルジャA内を再び真空にする
ために時間がかかること、および被処理物を真空ベルジ
ャA内に運んだりセットするのに手間がかかることから
生産能率が悪く、コスト高になっていた。
他面、半連続法とは、第2図に示すように、気密を嘘持
するためのドア付の室C,Eを、中間に 1位璽するメ
タライジング室りの前後にパルプF。
するためのドア付の室C,Eを、中間に 1位璽するメ
タライジング室りの前後にパルプF。
Gを介して連続して設け、そして前記室C内にストック
されている被処理物としてのディスク製作基板を用いて
メタライソング室り内に順次、搬送し、メタライジング
室り内においてアルミニウム等の処理金属3Bを気化す
る等して被処理物としてのディスク製作基板2にアルミ
ニウムを蒸着させる。そして開いているパルプGを通っ
て室E内に処理後の被処理物を搬送し、それからバルブ
F、Gを閉じ、前記室C,Hのドアを開き、室Cには未
処理のディスク、製作基板2を取り入れ、他面、室Eか
ら処理後のディスク製作基板2を取り出す方法である。
されている被処理物としてのディスク製作基板を用いて
メタライソング室り内に順次、搬送し、メタライジング
室り内においてアルミニウム等の処理金属3Bを気化す
る等して被処理物としてのディスク製作基板2にアルミ
ニウムを蒸着させる。そして開いているパルプGを通っ
て室E内に処理後の被処理物を搬送し、それからバルブ
F、Gを閉じ、前記室C,Hのドアを開き、室Cには未
処理のディスク、製作基板2を取り入れ、他面、室Eか
ら処理後のディスク製作基板2を取り出す方法である。
しかし、半連続法は、被処理物としてのディスク製作基
板2にメンライジングを行うのに被処理物が、室C2メ
タライジング室D1室Eへと順次移動することになるか
ら、第2図に示すようにメタライソング室り内にローラ
コンベアH等の搬送手段を設けなければならず、しかも
1バツチ内では連続となるが、バッチ間では不連続とな
る。従ってローラコンベアHの駆動力の信頓性を維持す
るのに特別のグリスやメッキを施こさなければならなか
った。また、室C1メタライジング室D1室Eの真空状
態を維持するのにバルブF、Gが必要となり、不連続時
間を短縮するには、真空ポンプも大容量となる。
板2にメンライジングを行うのに被処理物が、室C2メ
タライジング室D1室Eへと順次移動することになるか
ら、第2図に示すようにメタライソング室り内にローラ
コンベアH等の搬送手段を設けなければならず、しかも
1バツチ内では連続となるが、バッチ間では不連続とな
る。従ってローラコンベアHの駆動力の信頓性を維持す
るのに特別のグリスやメッキを施こさなければならなか
った。また、室C1メタライジング室D1室Eの真空状
態を維持するのにバルブF、Gが必要となり、不連続時
間を短縮するには、真空ポンプも大容量となる。
このため、設備費がかかるとともにパッチ式同様に処理
時間がかかり、コスト高となっていた。
時間がかかり、コスト高となっていた。
本発明は上述の如き点に鑑みてなされたもので、その目
的と4するところは、被処理物を搬送するのにパレット
を用いるとともに、このパレットを直線的に連続して配
置することによりメタライジング室を含む数個の真空室
の外部に設けた直線駆動機構によって数個の真空室内に
簡単且確実に送り込むことができ、しかもパレットの搬
送手段としての信頓性もd<、製作費及び維持費も低摩
なディスク等の被処理物゛の連続メタライジング装置に
おけるパレット搬送装置を提供するのにある。
的と4するところは、被処理物を搬送するのにパレット
を用いるとともに、このパレットを直線的に連続して配
置することによりメタライジング室を含む数個の真空室
の外部に設けた直線駆動機構によって数個の真空室内に
簡単且確実に送り込むことができ、しかもパレットの搬
送手段としての信頓性もd<、製作費及び維持費も低摩
なディスク等の被処理物゛の連続メタライジング装置に
おけるパレット搬送装置を提供するのにある。
以下本発明の詳細を第3図乃至第13図に従い、ディス
ク等の被処理物の連続メタライジング装置全体に組込ん
だ場合につき説明する。
ク等の被処理物の連続メタライジング装置全体に組込ん
だ場合につき説明する。
本発明は基本的には以下に示す幾つかの機構部から構成
される。
される。
即ち縦型に連続配置されて順次1循環するように搬送さ
れるとともにメタライジングすべき被処理物をその両側
に着脱自在に取付けるためのパレット1と、該パレット
1に装着されたディスク製作基板2等の被処理物をメタ
ライジング室3を含む数個の真空室にて形成される連続
処理機構部4に数個を1ブロツクとして連続的に又は間
歇的に搬送させたり又は該連続処理機構部4から処理後
の被処理物を搬送させるために上下対向して配置されそ
れぞれ逆向きにパレット1が搬送される搬送機構部5.
5′と、該搬送機構部5,5′に対して直角に設けられ
数個のパレット1を1ブロツクづつ上昇又は降下させる
ための昇降機構部6゜6′と、昇降機構部6,6′ と
協同して前記搬送機構部5,5′から送られて来るバル
ツ)1を停止するとともに数個で1ブロツクを形成する
バレる場合のガイド機構部7,7′とから形成される。
れるとともにメタライジングすべき被処理物をその両側
に着脱自在に取付けるためのパレット1と、該パレット
1に装着されたディスク製作基板2等の被処理物をメタ
ライジング室3を含む数個の真空室にて形成される連続
処理機構部4に数個を1ブロツクとして連続的に又は間
歇的に搬送させたり又は該連続処理機構部4から処理後
の被処理物を搬送させるために上下対向して配置されそ
れぞれ逆向きにパレット1が搬送される搬送機構部5.
5′と、該搬送機構部5,5′に対して直角に設けられ
数個のパレット1を1ブロツクづつ上昇又は降下させる
ための昇降機構部6゜6′と、昇降機構部6,6′ と
協同して前記搬送機構部5,5′から送られて来るバル
ツ)1を停止するとともに数個で1ブロツクを形成する
バレる場合のガイド機構部7,7′とから形成される。
複数台の成型機において成型された被処理物が、1つの
前記連続処理機構部5において処理される場合、一定種
類毎にパレットlに被処理物を選別して装着したり或い
は処理後に被処理物をパレットlから取外すための選別
処理機構部8とで形成される。
前記連続処理機構部5において処理される場合、一定種
類毎にパレットlに被処理物を選別して装着したり或い
は処理後に被処理物をパレットlから取外すための選別
処理機構部8とで形成される。
ソノ表面にアルミニウム等の金属がメタライジングされ
るべき被処理としての前記ディスク製作基板2喜嘘例え
ば半導体レーザ等の透過率が高い透明なアクリル樹脂や
塩化ビニール樹脂を用いてコンブレラシーンやインジェ
クシ日ンによって成型される。
るべき被処理としての前記ディスク製作基板2喜嘘例え
ば半導体レーザ等の透過率が高い透明なアクリル樹脂や
塩化ビニール樹脂を用いてコンブレラシーンやインジェ
クシ日ンによって成型される。
又前記パレット1は被処理物としてのディスク製作基板
2を例えば前後両側面にIIIt!に着脱自在に装着し
て、連続して配置された後記入口側予備真空室9、イオ
ン洗浄室10.高真空室11、メタライジング室3、出
口側予備真空室12.13の各真空室内に連続又は間欠
的に搬送され、しがも、このパレット1は軸長方向の前
後両側面にディスク製作基板2が装着される凹面部IA
、IAがその大部分を占めるように形成され、さらに進
行方向に対して直交方向の断面形状が後記入口側 1予
備真空室9、イオン洗浄室10、高真空室11、メタラ
イジング室3、出口側予備真空室12 、13の各真空
室内に設けた通路と酷似形状のシーリング用膨出部IB
、IBを前記凹面部IA、IAと連設している。
2を例えば前後両側面にIIIt!に着脱自在に装着し
て、連続して配置された後記入口側予備真空室9、イオ
ン洗浄室10.高真空室11、メタライジング室3、出
口側予備真空室12.13の各真空室内に連続又は間欠
的に搬送され、しがも、このパレット1は軸長方向の前
後両側面にディスク製作基板2が装着される凹面部IA
、IAがその大部分を占めるように形成され、さらに進
行方向に対して直交方向の断面形状が後記入口側 1予
備真空室9、イオン洗浄室10、高真空室11、メタラ
イジング室3、出口側予備真空室12 、13の各真空
室内に設けた通路と酷似形状のシーリング用膨出部IB
、IBを前記凹面部IA、IAと連設している。
なおパレットlは、第6図に示すように、両面に凹面部
IA、IAが形成されるとともに前後両端にシーリング
用膨出部IB、IB、IB、IBを設けたもの、また第
7図および第8図に示すように片面のみにディスク製作
基板装置用の凹面部IAを設け、シーリング用膨出部I
Bを後嶋又は前後両端に設ける等、種々のものが考えら
れる。
IA、IAが形成されるとともに前後両端にシーリング
用膨出部IB、IB、IB、IBを設けたもの、また第
7図および第8図に示すように片面のみにディスク製作
基板装置用の凹面部IAを設け、シーリング用膨出部I
Bを後嶋又は前後両端に設ける等、種々のものが考えら
れる。
前記搬送機構as 、s’ は例えばローラコンベア、
チェンコンベア、ベルトコンベアの上にパレット1を乗
せるとともに前記パレット1の上下縁なガイド枠14,
14にて摺動自在に支持し、しかも連続処理機構部4の
外部に設けられ、直線状駆動機構としての油圧シリンダ
15の受圧により連続して直線的に配列された数個のバ
ルッ)1を順次メタライジング室3を含む数個の真空室
にて形成される連続処理機構部4に押込むものである。
チェンコンベア、ベルトコンベアの上にパレット1を乗
せるとともに前記パレット1の上下縁なガイド枠14,
14にて摺動自在に支持し、しかも連続処理機構部4の
外部に設けられ、直線状駆動機構としての油圧シリンダ
15の受圧により連続して直線的に配列された数個のバ
ルッ)1を順次メタライジング室3を含む数個の真空室
にて形成される連続処理機構部4に押込むものである。
前記連続処理機構部4は、入口側予備真空室9、イオン
洗浄室10、高真空室11メタライジング室3、出口側
予備真空室12.13から成る複数個の真空室間は連絡
通路16,17,18,19.20によって連続して接
続される。しかも前記入口側予備真空室9と出口側予備
真空室13のそれぞれの入口側および出口側には入口側
通路21、出口側通路22、および前記連絡通路16.
17.1g、19.20の、パレット1の進行方向に対
する直交方向の断面形状は、パレット1のシーリング用
膨出部IB、IBが接触して搬送方向に位置する通路お
よび2喜こ通ずる真空室をシーリングして真空状態にす
るためにシーリ・イブ用膨出部IB、1Bの断面形状と
#Ia!形状で僅か1こ大きく形状されている。また入
口側予備真空室9、イオン洗浄室10、高真空室11、
メタライジング3、出口側予備真空室12.13は真空
ポンプ(図示せず)等に#統されて該真空室内を真空に
するための排気口9A、IOA、IIA、3A、12A
、13Aが形成すtL”rイ!。l0BI、1082は
イオン洗浄室lO内に設けられた1対のイオン洗浄電極
、3Bは前記メタライジング室3内に配置された処理金
属、例えばアルミニウムである。
洗浄室10、高真空室11メタライジング室3、出口側
予備真空室12.13から成る複数個の真空室間は連絡
通路16,17,18,19.20によって連続して接
続される。しかも前記入口側予備真空室9と出口側予備
真空室13のそれぞれの入口側および出口側には入口側
通路21、出口側通路22、および前記連絡通路16.
17.1g、19.20の、パレット1の進行方向に対
する直交方向の断面形状は、パレット1のシーリング用
膨出部IB、IBが接触して搬送方向に位置する通路お
よび2喜こ通ずる真空室をシーリングして真空状態にす
るためにシーリ・イブ用膨出部IB、1Bの断面形状と
#Ia!形状で僅か1こ大きく形状されている。また入
口側予備真空室9、イオン洗浄室10、高真空室11、
メタライジング3、出口側予備真空室12.13は真空
ポンプ(図示せず)等に#統されて該真空室内を真空に
するための排気口9A、IOA、IIA、3A、12A
、13Aが形成すtL”rイ!。l0BI、1082は
イオン洗浄室lO内に設けられた1対のイオン洗浄電極
、3Bは前記メタライジング室3内に配置された処理金
属、例えばアルミニウムである。
前記昇降機構部6,6′は、チェン駆動用のモータ23
と、該モータ23のモータシャフト23Aにグーリ、無
端ベルト24、減速機25等を用いて連結された上側の
左右1対のスプロヶッ)26.26と、下側の左右のス
プロヶッ)27.27との間に回転自在に架設された左
右1対のチ1ン28.2gと、このチェン28,2gと
の間に上下対向して三段(片面のみ三段、前後面だと内
股)に架設されたガイド枠29,29;29,29;2
9.29と、下段の又は上段のガイド枠29゜29内に
挿入されたパレット1,1の有無を検出して搬送機構部
6,6′における油圧シリンダ15.15を駆動させる
センサーS+、Ss とで形成される。
と、該モータ23のモータシャフト23Aにグーリ、無
端ベルト24、減速機25等を用いて連結された上側の
左右1対のスプロヶッ)26.26と、下側の左右のス
プロヶッ)27.27との間に回転自在に架設された左
右1対のチ1ン28.2gと、このチェン28,2gと
の間に上下対向して三段(片面のみ三段、前後面だと内
股)に架設されたガイド枠29,29;29,29;2
9.29と、下段の又は上段のガイド枠29゜29内に
挿入されたパレット1,1の有無を検出して搬送機構部
6,6′における油圧シリンダ15.15を駆動させる
センサーS+、Ss とで形成される。
また前記選別処理機構部8はコンブレラシーン、インシ
ュクシ日ン等、複数台の成型機(図示せず)において形
成されたディスク製作基板2等の被処理物が1つの連続
処理機構部4において処理される場合、特定のバルッ)
1に対して一定種類毎に選別された被処理物がパレット
lの搬送方向に対して特定の位置、例えば任意のパレッ
ト1を1番目にすると1番目と3番目のバルッ)1.1
の左右に2個づつ、合計4個設けられた供給用選別機8
A1 * 8AQ ; 8A3 .8A4 と、連続処
理機構部4において自処理された一定種類毎のディスク
製作基@2 、2 i 2 、2をパレット1.1から
一定種類毎に取り出すための排出用選別機8B+=8B
2 18B3.8B4とで形成される。
ュクシ日ン等、複数台の成型機(図示せず)において形
成されたディスク製作基板2等の被処理物が1つの連続
処理機構部4において処理される場合、特定のバルッ)
1に対して一定種類毎に選別された被処理物がパレット
lの搬送方向に対して特定の位置、例えば任意のパレッ
ト1を1番目にすると1番目と3番目のバルッ)1.1
の左右に2個づつ、合計4個設けられた供給用選別機8
A1 * 8AQ ; 8A3 .8A4 と、連続処
理機構部4において自処理された一定種類毎のディスク
製作基@2 、2 i 2 、2をパレット1.1から
一定種類毎に取り出すための排出用選別機8B+=8B
2 18B3.8B4とで形成される。
さらに前記ガイド機構部7,7′は昇降機構部6.6′
の上下のガイド枠29.29の軸長方向に対し直交して
数個のガイドローラ3oを保持枠31を介して支柱32
.32に固定するとともにこのうち少なくとも1つの保
持枠31は支柱32に対してピン33を用いて枢着され
、しかも該枢411+にビン33に対してその先端が押
付けられるように螺入された螺子34を緩めることによ
り開閉可能に形成される。
の上下のガイド枠29.29の軸長方向に対し直交して
数個のガイドローラ3oを保持枠31を介して支柱32
.32に固定するとともにこのうち少なくとも1つの保
持枠31は支柱32に対してピン33を用いて枢着され
、しかも該枢411+にビン33に対してその先端が押
付けられるように螺入された螺子34を緩めることによ
り開閉可能に形成される。
本発明の一実施例は上述のような構成からなるものであ
り、被処理物としそのアクリル樹脂のような透明度の高
いプラスチックにてうず巻状のピットを表面に成型され
たディスタ製作基板2を搬送機構部5′において縦型に
連続して搬送して来る(第3図において矢印イ方向)パ
レットlの特定位置、例えば任意のパレット1を1番目
にすると1番目と3番目(パレット1を2枚で1ブロツ
クにするから)のパレット1.1の左右に2個づつ、合
計4個、配置されたそれぞれの供給用選別機8 A+
e 8 At ; 8 A3 e 8 A鴫から
供給することにより1番目と3番゛目のパレット1,1
の両面に形成された凹面部IA、IA; IA、IAに
装着する。この場合、4個の供給用選別機8As、8A
* ’: 8A3.8A4から供給されて来るディス
ク製作基板20種類が同じであれば先行するバルッ)1
と之に後続のパレットlの左右の凹面部IA、IA;
IA、IAの両側に同種類のディスク製作基板2,2;
2,2が装着されるが、4個の供給用選別機8A1 *
8A2 i 8A3.8A4から供給されて来るデ
ィスク製作基板2の種類がそれぞれ興なれば先行するバ
ルッ)1と之に後続のパレット1の左右のそれぞれの凹
面部IA。
り、被処理物としそのアクリル樹脂のような透明度の高
いプラスチックにてうず巻状のピットを表面に成型され
たディスタ製作基板2を搬送機構部5′において縦型に
連続して搬送して来る(第3図において矢印イ方向)パ
レットlの特定位置、例えば任意のパレット1を1番目
にすると1番目と3番目(パレット1を2枚で1ブロツ
クにするから)のパレット1.1の左右に2個づつ、合
計4個、配置されたそれぞれの供給用選別機8 A+
e 8 At ; 8 A3 e 8 A鴫から
供給することにより1番目と3番゛目のパレット1,1
の両面に形成された凹面部IA、IA; IA、IAに
装着する。この場合、4個の供給用選別機8As、8A
* ’: 8A3.8A4から供給されて来るディス
ク製作基板20種類が同じであれば先行するバルッ)1
と之に後続のパレットlの左右の凹面部IA、IA;
IA、IAの両側に同種類のディスク製作基板2,2;
2,2が装着されるが、4個の供給用選別機8A1 *
8A2 i 8A3.8A4から供給されて来るデ
ィスク製作基板2の種類がそれぞれ興なれば先行するバ
ルッ)1と之に後続のパレット1の左右のそれぞれの凹
面部IA。
lA11’A、IAの両側にそれぞれIl@の興ったデ
ィスク製作基板2,2;2,2を装着できる。
ィスク製作基板2,2;2,2を装着できる。
しかもこの場合凹面部IA、IAにはディスク製作基板
2,2の中心に設8′すたスピンドル挿通孔2A、2A
内に挿通されるスピンドルIA+、IAlが挿入される
ことにより容易にディスク製作基板2,2をパレット1
に装着できる。
2,2の中心に設8′すたスピンドル挿通孔2A、2A
内に挿通されるスピンドルIA+、IAlが挿入される
ことにより容易にディスク製作基板2,2をパレット1
に装着できる。
そして先ず搬送機”構部15の油圧シリンダ15等の連
続的又は間欠的な受圧を受けて、ディスク製作基板2,
2を装着し且つ連続して配置されたパレット1番嘘後続
するものに押圧されることによって連続処理機構部40
入口側通路21内に押込まれていく、入口側通路21の
断面形状はパレット1の進行方向に対して直交方向の断
面形状と酷似形状で僅かに大きく形成されているのでパ
レットlが入口側通路21内に押込まれていくに従いパ
レット1のシーリング用膨出部IB、IBが入口側通路
21の内壁に接触して閉塞する。従って入口側通路21
に通ずる入口側予備真空室9は真空ポンプ(図示せず)
等で排気され真空状態となる。この場合、1つのパレッ
ト1が入口側真空予備室9内に完全収容されると、後続
のパレット1のシーリング用膨出部IB、IBが入口側
通路21を閉塞するので入口側真空予備室9は常時、真
空状態となる。
続的又は間欠的な受圧を受けて、ディスク製作基板2,
2を装着し且つ連続して配置されたパレット1番嘘後続
するものに押圧されることによって連続処理機構部40
入口側通路21内に押込まれていく、入口側通路21の
断面形状はパレット1の進行方向に対して直交方向の断
面形状と酷似形状で僅かに大きく形成されているのでパ
レットlが入口側通路21内に押込まれていくに従いパ
レット1のシーリング用膨出部IB、IBが入口側通路
21の内壁に接触して閉塞する。従って入口側通路21
に通ずる入口側予備真空室9は真空ポンプ(図示せず)
等で排気され真空状態となる。この場合、1つのパレッ
ト1が入口側真空予備室9内に完全収容されると、後続
のパレット1のシーリング用膨出部IB、IBが入口側
通路21を閉塞するので入口側真空予備室9は常時、真
空状態となる。
次にパレット1のシーリング用膨出部IB、IBと近似
形状で僅かに大きい断面形状を有する通路16にシーリ
ング用膨出部IB、IBが接触しながら気密を繊持して
パレット1は順次イオン洗浄室10内に搬送される。従
って、イオン洗浄室10内に搬送されたパレット1に装
着されているディスク製作基板2,2は特定ガスを流入
しながら真空排気されている定真空下においてイオン洗
浄電極10BI、10B2間に高電圧を印加す・為こと
によってイオン洗浄される。この場合、通路16内には
後続のパレット1のシーリング用膨出BIB、IBが接
触し、しかも真空ポンプ(図示せず)にて排気されてい
るがらイオン洗浄室10内は真空状態を繰持してイオン
洗浄が速やかに行われるとともに後記の処理金属のメタ
ライソング効果を高めることができる。
形状で僅かに大きい断面形状を有する通路16にシーリ
ング用膨出部IB、IBが接触しながら気密を繊持して
パレット1は順次イオン洗浄室10内に搬送される。従
って、イオン洗浄室10内に搬送されたパレット1に装
着されているディスク製作基板2,2は特定ガスを流入
しながら真空排気されている定真空下においてイオン洗
浄電極10BI、10B2間に高電圧を印加す・為こと
によってイオン洗浄される。この場合、通路16内には
後続のパレット1のシーリング用膨出BIB、IBが接
触し、しかも真空ポンプ(図示せず)にて排気されてい
るがらイオン洗浄室10内は真空状態を繰持してイオン
洗浄が速やかに行われるとともに後記の処理金属のメタ
ライソング効果を高めることができる。
その後、最初のパレット1は通路17がら高真空室11
内に搬送されて(る。この高真空室11においては真空
ポンプ(図示せず)等を用いて排気がされるとともに通
路17内は後続のパレット1のシーリング用膨出部IB
、IBが接触して閉塞され、さらには大気と接する入口
側通路21から入口側予備真空室9、イオン洗浄室1o
と2つの真空室を経ているから高真空室11は高真空状
態になっている。
内に搬送されて(る。この高真空室11においては真空
ポンプ(図示せず)等を用いて排気がされるとともに通
路17内は後続のパレット1のシーリング用膨出部IB
、IBが接触して閉塞され、さらには大気と接する入口
側通路21から入口側予備真空室9、イオン洗浄室1o
と2つの真空室を経ているから高真空室11は高真空状
態になっている。
ここにおいてディスク製作基板2が高真空室を通過する
ことはそのディスク製作基板2の表面付着ガスを除去で
きる作用があり、後記のメタライソング効果をさらに高
めることができるからである。
ことはそのディスク製作基板2の表面付着ガスを除去で
きる作用があり、後記のメタライソング効果をさらに高
めることができるからである。
更に、最初のバレン)1は通路18を経てメタライジン
グ室3内に搬送されて来る。このメタライジング3内は
、前部に゛通路18を介して前記高真空室11が、また
後部には通路19.20を経て2つの出口側予備真空室
12,13が連続して設けられ、そのうえそれぞれ真空
ポンプ(図示せず)によって排気が行われているから、
前記高真空室11と同様、高真空と、なっている。
グ室3内に搬送されて来る。このメタライジング3内は
、前部に゛通路18を介して前記高真空室11が、また
後部には通路19.20を経て2つの出口側予備真空室
12,13が連続して設けられ、そのうえそれぞれ真空
ポンプ(図示せず)によって排気が行われているから、
前記高真空室11と同様、高真空と、なっている。
次に、この高真空下でのメタライジング室3内に不活性
ガス、例えばアルゴン(Ar)を送入して、同雰囲気の
下に高電圧又は高周波電圧が処理金属、たとえばアルミ
ニウム3Bに印加される等スパッタリングにより処理金
−の薄膜がディスク製作基板2,2に形成できる。この
場合、アルミニウムの膿の厚さは500A〜2000A
程度であり、ディスク製作基板2,2の表面に形成され
た信号としてのピット列の形状はアルミニウム膜によっ
て埋められて形状が崩れることはない。
ガス、例えばアルゴン(Ar)を送入して、同雰囲気の
下に高電圧又は高周波電圧が処理金属、たとえばアルミ
ニウム3Bに印加される等スパッタリングにより処理金
−の薄膜がディスク製作基板2,2に形成できる。この
場合、アルミニウムの膿の厚さは500A〜2000A
程度であり、ディスク製作基板2,2の表面に形成され
た信号としてのピット列の形状はアルミニウム膜によっ
て埋められて形状が崩れることはない。
メタライジング室3においてスパッタリングによりメタ
ライジングされたディスク製作基板2゜2は通路19,
20を介して接続されている2つの出口側予備真空室1
2.13を経て出口側通路22からパレット1とともに
搬送されることにより被処理物としてのディスク製作基
板2のメタライジングが完了する。この場合、メタライ
ジング室3に通ずる2つの通路199204.:は後続
のパレット1.1のシーリング用膨出部IBtlB;I
B、IBが接触して閉塞されるため、また出口側通路2
2には先行するパレット1のシーリング用膨出部IB、
IBが接触しているため、出口側予備真空室12.13
の排気を行えば、この出口側予備真空室12.13を真
空状態に繰持できるとともにメタライジング室3を高真
空に繊持できる。なお、上記メタライジング室3での被
処理物のメタライジングをスパッタリングによって行う
ように説明したけれども、その他、真空蒸着によっても
メタライジングが行える。
ライジングされたディスク製作基板2゜2は通路19,
20を介して接続されている2つの出口側予備真空室1
2.13を経て出口側通路22からパレット1とともに
搬送されることにより被処理物としてのディスク製作基
板2のメタライジングが完了する。この場合、メタライ
ジング室3に通ずる2つの通路199204.:は後続
のパレット1.1のシーリング用膨出部IBtlB;I
B、IBが接触して閉塞されるため、また出口側通路2
2には先行するパレット1のシーリング用膨出部IB、
IBが接触しているため、出口側予備真空室12.13
の排気を行えば、この出口側予備真空室12.13を真
空状態に繰持できるとともにメタライジング室3を高真
空に繊持できる。なお、上記メタライジング室3での被
処理物のメタライジングをスパッタリングによって行う
ように説明したけれども、その他、真空蒸着によっても
メタライジングが行える。
この場合、従来の半連続法のようにメタライジング室3
を仕切る等の特別のパルプを設けなくても、又メタライ
ジング室3内にローラコンベアを各別に配装しなくても
連続処理機構部4の外部に設けた直線状駆動機構として
の油圧シリンダ15が押圧するだけで、パレット1と之
を通り抜ける通路21,16.1?、18,19,20
,22によって真空状態が維持される数個の真空室内に
パレットを搬送できるとともにメタライソングが行える
。
を仕切る等の特別のパルプを設けなくても、又メタライ
ジング室3内にローラコンベアを各別に配装しなくても
連続処理機構部4の外部に設けた直線状駆動機構として
の油圧シリンダ15が押圧するだけで、パレット1と之
を通り抜ける通路21,16.1?、18,19,20
,22によって真空状態が維持される数個の真空室内に
パレットを搬送できるとともにメタライソングが行える
。
上述のように本発明は、被処理物としてのディスク製作
基板をパレットに装着して、このパレットを直線的に連
続して配置するとともにメタライジング室を含む数個の
真空室の外部に設けた直線状駆動機構としての油圧シリ
゛ンダ等を用いてパレットを押すような構造としたので
数個の真空室内に被処理物を順次、搬送することができ
、之により被処理物にメタライジングが連続して行える
。
基板をパレットに装着して、このパレットを直線的に連
続して配置するとともにメタライジング室を含む数個の
真空室の外部に設けた直線状駆動機構としての油圧シリ
゛ンダ等を用いてパレットを押すような構造としたので
数個の真空室内に被処理物を順次、搬送することができ
、之により被処理物にメタライジングが連続して行える
。
しかも従来の半連続法のようにメタライジング室内に被
処理物の搬送手段を設けなくてもよいので、之に要する
特別なメッキやグリスは革装となる。従って製作費及び
維持費を低摩にできるとともに故障はなく搬送手段とし
ての信頼性が向上する。
処理物の搬送手段を設けなくてもよいので、之に要する
特別なメッキやグリスは革装となる。従って製作費及び
維持費を低摩にできるとともに故障はなく搬送手段とし
ての信頼性が向上する。
第1図および第2図は従来のメタライジング法としての
バッジ法と半連続法を示す断面図、第3図は本発明の装
置の全景を示す側面図、第4図は同じく本発明の一部を
構成する連続処理機構部における原理を示す説明用の水
平断面図、第5図は同じくパルプtと、ディスク製作基
板と通路とを示す斜視図、第6図乃至第8図は同じ(パ
レットのいくつかの変形例を示す斜視図、第9図は同じ
く本発明の一部を構成する搬送機構部と昇降機構部とガ
イド機構部とを示す側面図、第10図は同じく平面図、
第11図は同じく昇降機構部とガイド機構部とを示す部
分横断平面図、第12図は同じく本発明の一部を構成す
る選別処理機構部を示す平面図、第13図はその使用状
態を示す説明図である。 1・・・パレット、2・・・ディスク製作基板、3・・
・メタライジング室、4・・・連続処理機構部、5,5
′・・・搬送機構部、6,6′・・・昇降機構部、7,
7′・・・ガイド機構部、9・・・入口側予備真空室、
11・・・高真空室、12.13・・・出口側予備真空
室。 特許出願人 パイオニア株式会社
バッジ法と半連続法を示す断面図、第3図は本発明の装
置の全景を示す側面図、第4図は同じく本発明の一部を
構成する連続処理機構部における原理を示す説明用の水
平断面図、第5図は同じくパルプtと、ディスク製作基
板と通路とを示す斜視図、第6図乃至第8図は同じ(パ
レットのいくつかの変形例を示す斜視図、第9図は同じ
く本発明の一部を構成する搬送機構部と昇降機構部とガ
イド機構部とを示す側面図、第10図は同じく平面図、
第11図は同じく昇降機構部とガイド機構部とを示す部
分横断平面図、第12図は同じく本発明の一部を構成す
る選別処理機構部を示す平面図、第13図はその使用状
態を示す説明図である。 1・・・パレット、2・・・ディスク製作基板、3・・
・メタライジング室、4・・・連続処理機構部、5,5
′・・・搬送機構部、6,6′・・・昇降機構部、7,
7′・・・ガイド機構部、9・・・入口側予備真空室、
11・・・高真空室、12.13・・・出口側予備真空
室。 特許出願人 パイオニア株式会社
Claims (1)
- ディスク製作基板等の被処理物を、メタライジング室を
含むように連袂して設けられた数個の真空室内に大気中
から連続して送り込む連続メタライジング装置において
、前記被処理物を装着したパレットを直線的に連続して
配置するとともに前記真空室の外部゛に設けた直線駆動
機構にて前記バレントを前記各真空室内に送り込むこと
を特徴としたディスク等被処理物の連iメタライワング
装置におけるパレット−送装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11078981A JPS5814339A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | デイスク等の被処理物の連続メタライジング装置におけるパレツト搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11078981A JPS5814339A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | デイスク等の被処理物の連続メタライジング装置におけるパレツト搬送装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5814339A true JPS5814339A (ja) | 1983-01-27 |
Family
ID=14544666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11078981A Pending JPS5814339A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | デイスク等の被処理物の連続メタライジング装置におけるパレツト搬送装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5814339A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60204882A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-16 | Anelva Corp | 放電反応処理装置 |
EP2441857A3 (en) * | 2008-10-23 | 2012-07-18 | P2i Ltd | Vacuum processing apparatus |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP11078981A patent/JPS5814339A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60204882A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-16 | Anelva Corp | 放電反応処理装置 |
EP2441857A3 (en) * | 2008-10-23 | 2012-07-18 | P2i Ltd | Vacuum processing apparatus |
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