JPS5814339A - デイスク等の被処理物の連続メタライジング装置におけるパレツト搬送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特に光学的なビディオ・ディスク等の反射−
を形成する場合に最適に採用できるディスク等の被処理
物の連続メタラ４ジング□装置におけるパレット搬送装
置に関する。

近時、レコード再生系に代わる新しい形態としてビディ
オ・ディスク再生系が注目視されつつある。

ところでビディオ・ディスク・システムとしてはディス
クに記録された信号を再生する場合の相違から、ディス
クに直接、ピックアップが接触することによってディス
クに記録された信号を再生する接触式と、ディスクに直
接、ピックア・ノブが接触しないで信号を再生する非接
触式とがある。

前者にはディスクに信号溝を形成して、この溝の電極の
付いたスタイラスで追従することにより静電容量変化を
とられる溝付静電容量方式によるもの、又は複数のピッ
ト列が信号としてディスクの表面にうず巻状番と形成さ
れ、このピット列を電極の付いたスタイラスで追従して
その静電容量変化をとらえる溝なし静電容量方式による
もの等があり、後者にはディスクに記録されたうず巻状
のピット列に例えば半導体レーザを照射してその反射光
を読み取る光学式ビディオ・ディスク方式に代表される
。

ところが光学式ビディオ・ディスク・システムにおける
ディスクは通常、ディスク表面にはピットは形成されて
いない、即ち透明なプラスチック、例えば透過率の高い
アクリル樹脂や塩化ビニール樹脂を用いて、インジ、ク
シーン或いはコンプレフシ■ン等の方法でプラスチック
成型することにより表面にピットが形成されたディスク
製作基板を先ず成型し、次いで半導体レーザを照射した
場合の反射効率を向上するために、ディスク製作基板の
表面に、例えばアルミニウムの反射膜をピット形状を崩
さずに極く薄く形成し、さらにその表面に透明なプラス
チック保護層を形成することによって製造される０両面
ディスクにおいては一般にこのようにして製造された片
面ディスクを背中合わせに接着することによって形成さ
れている。

ところで上記反射膜を形成するのには、化学めっき法、
電気めっき法、蒸着法、スパッタリング法等が考えられ
るが、公害を考慮した点とピット形状を崩さぜずに反射
効率を向上させるために、蒸着法、スパッタリング法が
普及しつつある。

１着法、スパッタリング法を実施するのには、気密性と
公害面とを考慮して真空室を必要とし、これには従来、
行われているものとしてバッチ法と半連続法とがある。

パッチ法とは第１図に示すように、例えば真空ベルジャ
Ａ内にディスク製作基板２を放射状に数段、配置してか
らドアパルプＢを閉め、その後、真空ポンプ等を用いて
前記ベルジャＡ内を排気し、真空にした後にアルミニウ
ム等の処理金ＩＫ３Ｂを加熱することによって気化し、
被処理物としてのディスク製作基板２にアルミニウムを
蒸着させる方法をいう。

しかし蒸着法においては、メタライジングを行う毎に被
処理物を真空ベルジャＡ内に入れたり出したりするのに
ドアＢを開かなければならないので真空ベルジャＡの気
密性が維持できず、真空ベルジャＡ内を再び真空にする
ために時間がかかること、および被処理物を真空ベルジ
ャＡ内に運んだりセットするのに手間がかかることから
生産能率が悪く、コスト高になっていた。

他面、半連続法とは、第２図に示すように、気密を嘘持
するためのドア付の室Ｃ，Ｅを、中間に　１位璽するメ
タライジング室りの前後にパルプＦ。

Ｇを介して連続して設け、そして前記室Ｃ内にストック
されている被処理物としてのディスク製作基板を用いて
メタライソング室り内に順次、搬送し、メタライジング
室り内においてアルミニウム等の処理金属３Ｂを気化す
る等して被処理物としてのディスク製作基板２にアルミ
ニウムを蒸着させる。そして開いているパルプＧを通っ
て室Ｅ内に処理後の被処理物を搬送し、それからバルブ
Ｆ、Ｇを閉じ、前記室Ｃ，Ｈのドアを開き、室Ｃには未
処理のディスク、製作基板２を取り入れ、他面、室Ｅか
ら処理後のディスク製作基板２を取り出す方法である。

しかし、半連続法は、被処理物としてのディスク製作基
板２にメンライジングを行うのに被処理物が、室Ｃ２メ
タライジング室Ｄ１室Ｅへと順次移動することになるか
ら、第２図に示すようにメタライソング室り内にローラ
コンベアＨ等の搬送手段を設けなければならず、しかも
１バツチ内では連続となるが、バッチ間では不連続とな
る。従ってローラコンベアＨの駆動力の信頓性を維持す
るのに特別のグリスやメッキを施こさなければならなか
った。また、室Ｃ１メタライジング室Ｄ１室Ｅの真空状
態を維持するのにバルブＦ、Ｇが必要となり、不連続時
間を短縮するには、真空ポンプも大容量となる。

このため、設備費がかかるとともにパッチ式同様に処理
時間がかかり、コスト高となっていた。

本発明は上述の如き点に鑑みてなされたもので、その目
的と４するところは、被処理物を搬送するのにパレット
を用いるとともに、このパレットを直線的に連続して配
置することによりメタライジング室を含む数個の真空室
の外部に設けた直線駆動機構によって数個の真空室内に
簡単且確実に送り込むことができ、しかもパレットの搬
送手段としての信頓性もｄ＜、製作費及び維持費も低摩
なディスク等の被処理物゛の連続メタライジング装置に
おけるパレット搬送装置を提供するのにある。

以下本発明の詳細を第３図乃至第１３図に従い、ディス
ク等の被処理物の連続メタライジング装置全体に組込ん
だ場合につき説明する。

本発明は基本的には以下に示す幾つかの機構部から構成
される。

即ち縦型に連続配置されて順次１循環するように搬送さ
れるとともにメタライジングすべき被処理物をその両側
に着脱自在に取付けるためのパレット１と、該パレット
１に装着されたディスク製作基板２等の被処理物をメタ
ライジング室３を含む数個の真空室にて形成される連続
処理機構部４に数個を１ブロツクとして連続的に又は間
歇的に搬送させたり又は該連続処理機構部４から処理後
の被処理物を搬送させるために上下対向して配置されそ
れぞれ逆向きにパレット１が搬送される搬送機構部５．
５′と、該搬送機構部５，５′に対して直角に設けられ
数個のパレット１を１ブロツクづつ上昇又は降下させる
ための昇降機構部６゜６′と、昇降機構部６，６′　と
協同して前記搬送機構部５，５′から送られて来るバル
ツ）１を停止するとともに数個で１ブロツクを形成する
バレる場合のガイド機構部７，７′とから形成される。

複数台の成型機において成型された被処理物が、１つの
前記連続処理機構部５において処理される場合、一定種
類毎にパレットｌに被処理物を選別して装着したり或い
は処理後に被処理物をパレットｌから取外すための選別
処理機構部８とで形成される。

ソノ表面にアルミニウム等の金属がメタライジングされ
るべき被処理としての前記ディスク製作基板２喜嘘例え
ば半導体レーザ等の透過率が高い透明なアクリル樹脂や
塩化ビニール樹脂を用いてコンブレラシーンやインジェ
クシ日ンによって成型される。

又前記パレット１は被処理物としてのディスク製作基板
２を例えば前後両側面にＩＩＩｔ！に着脱自在に装着し
て、連続して配置された後記入口側予備真空室９、イオ
ン洗浄室１０．高真空室１１、メタライジング室３、出
口側予備真空室１２．１３の各真空室内に連続又は間欠
的に搬送され、しがも、このパレット１は軸長方向の前
後両側面にディスク製作基板２が装着される凹面部ＩＡ
、ＩＡがその大部分を占めるように形成され、さらに進
行方向に対して直交方向の断面形状が後記入口側　１予
備真空室９、イオン洗浄室１０、高真空室１１、メタラ
イジング室３、出口側予備真空室１２　、１３の各真空
室内に設けた通路と酷似形状のシーリング用膨出部ＩＢ
、ＩＢを前記凹面部ＩＡ、ＩＡと連設している。

なおパレットｌは、第６図に示すように、両面に凹面部
ＩＡ、ＩＡが形成されるとともに前後両端にシーリング
用膨出部ＩＢ、ＩＢ、ＩＢ、ＩＢを設けたもの、また第
７図および第８図に示すように片面のみにディスク製作
基板装置用の凹面部ＩＡを設け、シーリング用膨出部Ｉ
Ｂを後嶋又は前後両端に設ける等、種々のものが考えら
れる。

前記搬送機構ａｓ　、ｓ’　は例えばローラコンベア、
チェンコンベア、ベルトコンベアの上にパレット１を乗
せるとともに前記パレット１の上下縁なガイド枠１４，
１４にて摺動自在に支持し、しかも連続処理機構部４の
外部に設けられ、直線状駆動機構としての油圧シリンダ
１５の受圧により連続して直線的に配列された数個のバ
ルッ）１を順次メタライジング室３を含む数個の真空室
にて形成される連続処理機構部４に押込むものである。

前記連続処理機構部４は、入口側予備真空室９、イオン
洗浄室１０、高真空室１１メタライジング室３、出口側
予備真空室１２．１３から成る複数個の真空室間は連絡
通路１６，１７，１８，１９．２０によって連続して接
続される。しかも前記入口側予備真空室９と出口側予備
真空室１３のそれぞれの入口側および出口側には入口側
通路２１、出口側通路２２、および前記連絡通路１６．
１７．１ｇ、１９．２０の、パレット１の進行方向に対
する直交方向の断面形状は、パレット１のシーリング用
膨出部ＩＢ、ＩＢが接触して搬送方向に位置する通路お
よび２喜こ通ずる真空室をシーリングして真空状態にす
るためにシーリ・イブ用膨出部ＩＢ、１Ｂの断面形状と
＃Ｉａ！形状で僅か１こ大きく形状されている。また入
口側予備真空室９、イオン洗浄室１０、高真空室１１、
メタライジング３、出口側予備真空室１２．１３は真空
ポンプ（図示せず）等に＃統されて該真空室内を真空に
するための排気口９Ａ、ＩＯＡ、ＩＩＡ、３Ａ、１２Ａ
、１３Ａが形成すｔＬ”ｒイ！。ｌ０ＢＩ、１０８２は
イオン洗浄室ｌＯ内に設けられた１対のイオン洗浄電極
、３Ｂは前記メタライジング室３内に配置された処理金
属、例えばアルミニウムである。

前記昇降機構部６，６′は、チェン駆動用のモータ２３
と、該モータ２３のモータシャフト２３Ａにグーリ、無
端ベルト２４、減速機２５等を用いて連結された上側の
左右１対のスプロヶッ）２６．２６と、下側の左右のス
プロヶッ）２７．２７との間に回転自在に架設された左
右１対のチ１ン２８．２ｇと、このチェン２８，２ｇと
の間に上下対向して三段（片面のみ三段、前後面だと内
股）に架設されたガイド枠２９，２９；２９，２９；２
９．２９と、下段の又は上段のガイド枠２９゜２９内に
挿入されたパレット１，１の有無を検出して搬送機構部
６，６′における油圧シリンダ１５．１５を駆動させる
センサーＳ＋、Ｓｓ　とで形成される。

また前記選別処理機構部８はコンブレラシーン、インシ
ュクシ日ン等、複数台の成型機（図示せず）において形
成されたディスク製作基板２等の被処理物が１つの連続
処理機構部４において処理される場合、特定のバルッ）
１に対して一定種類毎に選別された被処理物がパレット
ｌの搬送方向に対して特定の位置、例えば任意のパレッ
ト１を１番目にすると１番目と３番目のバルッ）１．１
の左右に２個づつ、合計４個設けられた供給用選別機８
Ａ１　＊　８ＡＱ　；　８Ａ３　．８Ａ４　と、連続処
理機構部４において自処理された一定種類毎のディスク
製作基＠２　、２　ｉ　２　、２をパレット１．１から
一定種類毎に取り出すための排出用選別機８Ｂ＋＝８Ｂ
２　１８Ｂ３．８Ｂ４とで形成される。

さらに前記ガイド機構部７，７′は昇降機構部６．６′
の上下のガイド枠２９．２９の軸長方向に対し直交して
数個のガイドローラ３ｏを保持枠３１を介して支柱３２
．３２に固定するとともにこのうち少なくとも１つの保
持枠３１は支柱３２に対してピン３３を用いて枢着され
、しかも該枢４１１＋にビン３３に対してその先端が押
付けられるように螺入された螺子３４を緩めることによ
り開閉可能に形成される。

本発明の一実施例は上述のような構成からなるものであ
り、被処理物としそのアクリル樹脂のような透明度の高
いプラスチックにてうず巻状のピットを表面に成型され
たディスタ製作基板２を搬送機構部５′において縦型に
連続して搬送して来る（第３図において矢印イ方向）パ
レットｌの特定位置、例えば任意のパレット１を１番目
にすると１番目と３番目（パレット１を２枚で１ブロツ
クにするから）のパレット１．１の左右に２個づつ、合
計４個、配置されたそれぞれの供給用選別機８　Ａ＋　
　ｅ　８　Ａｔ　　；　８　Ａ３　　ｅ　８　Ａ鴫から
供給することにより１番目と３番゛目のパレット１，１
の両面に形成された凹面部ＩＡ、ＩＡ；　ＩＡ、ＩＡに
装着する。この場合、４個の供給用選別機８Ａｓ、８Ａ
＊　　’：　８Ａ３．８Ａ４から供給されて来るディス
ク製作基板２０種類が同じであれば先行するバルッ）１
と之に後続のパレットｌの左右の凹面部ＩＡ、ＩＡ；　
ＩＡ、ＩＡの両側に同種類のディスク製作基板２，２；
２，２が装着されるが、４個の供給用選別機８Ａ１　＊
　８Ａ２　　ｉ　８Ａ３．８Ａ４から供給されて来るデ
ィスク製作基板２の種類がそれぞれ興なれば先行するバ
ルッ）１と之に後続のパレット１の左右のそれぞれの凹
面部ＩＡ。

ｌＡ１１’Ａ、ＩＡの両側にそれぞれＩｌ＠の興ったデ
ィスク製作基板２，２；２，２を装着できる。

しかもこの場合凹面部ＩＡ、ＩＡにはディスク製作基板
２，２の中心に設８′すたスピンドル挿通孔２Ａ、２Ａ
内に挿通されるスピンドルＩＡ＋、ＩＡｌが挿入される
ことにより容易にディスク製作基板２，２をパレット１
に装着できる。

そして先ず搬送機”構部１５の油圧シリンダ１５等の連
続的又は間欠的な受圧を受けて、ディスク製作基板２，
２を装着し且つ連続して配置されたパレット１番嘘後続
するものに押圧されることによって連続処理機構部４０
入口側通路２１内に押込まれていく、入口側通路２１の
断面形状はパレット１の進行方向に対して直交方向の断
面形状と酷似形状で僅かに大きく形成されているのでパ
レットｌが入口側通路２１内に押込まれていくに従いパ
レット１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢが入口側通路
２１の内壁に接触して閉塞する。従って入口側通路２１
に通ずる入口側予備真空室９は真空ポンプ（図示せず）
等で排気され真空状態となる。この場合、１つのパレッ
ト１が入口側真空予備室９内に完全収容されると、後続
のパレット１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢが入口側
通路２１を閉塞するので入口側真空予備室９は常時、真
空状態となる。

次にパレット１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢと近似
形状で僅かに大きい断面形状を有する通路１６にシーリ
ング用膨出部ＩＢ、ＩＢが接触しながら気密を繊持して
パレット１は順次イオン洗浄室１０内に搬送される。従
って、イオン洗浄室１０内に搬送されたパレット１に装
着されているディスク製作基板２，２は特定ガスを流入
しながら真空排気されている定真空下においてイオン洗
浄電極１０ＢＩ、１０Ｂ２間に高電圧を印加す・為こと
によってイオン洗浄される。この場合、通路１６内には
後続のパレット１のシーリング用膨出ＢＩＢ、ＩＢが接
触し、しかも真空ポンプ（図示せず）にて排気されてい
るがらイオン洗浄室１０内は真空状態を繰持してイオン
洗浄が速やかに行われるとともに後記の処理金属のメタ
ライソング効果を高めることができる。

その後、最初のパレット１は通路１７がら高真空室１１
内に搬送されて（る。この高真空室１１においては真空
ポンプ（図示せず）等を用いて排気がされるとともに通
路１７内は後続のパレット１のシーリング用膨出部ＩＢ
、ＩＢが接触して閉塞され、さらには大気と接する入口
側通路２１から入口側予備真空室９、イオン洗浄室１ｏ
と２つの真空室を経ているから高真空室１１は高真空状
態になっている。

ここにおいてディスク製作基板２が高真空室を通過する
ことはそのディスク製作基板２の表面付着ガスを除去で
きる作用があり、後記のメタライソング効果をさらに高
めることができるからである。

更に、最初のバレン）１は通路１８を経てメタライジン
グ室３内に搬送されて来る。このメタライジング３内は
、前部に゛通路１８を介して前記高真空室１１が、また
後部には通路１９．２０を経て２つの出口側予備真空室
１２，１３が連続して設けられ、そのうえそれぞれ真空
ポンプ（図示せず）によって排気が行われているから、
前記高真空室１１と同様、高真空と、なっている。

次に、この高真空下でのメタライジング室３内に不活性
ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）を送入して、同雰囲気の
下に高電圧又は高周波電圧が処理金属、たとえばアルミ
ニウム３Ｂに印加される等スパッタリングにより処理金
−の薄膜がディスク製作基板２，２に形成できる。この
場合、アルミニウムの膿の厚さは５００Ａ〜２０００Ａ
程度であり、ディスク製作基板２，２の表面に形成され
た信号としてのピット列の形状はアルミニウム膜によっ
て埋められて形状が崩れることはない。

メタライジング室３においてスパッタリングによりメタ
ライジングされたディスク製作基板２゜２は通路１９，
２０を介して接続されている２つの出口側予備真空室１
２．１３を経て出口側通路２２からパレット１とともに
搬送されることにより被処理物としてのディスク製作基
板２のメタライジングが完了する。この場合、メタライ
ジング室３に通ずる２つの通路１９９２０４．：は後続
のパレット１．１のシーリング用膨出部ＩＢｔｌＢ；Ｉ
Ｂ、ＩＢが接触して閉塞されるため、また出口側通路２
２には先行するパレット１のシーリング用膨出部ＩＢ、
ＩＢが接触しているため、出口側予備真空室１２．１３
の排気を行えば、この出口側予備真空室１２．１３を真
空状態に繰持できるとともにメタライジング室３を高真
空に繊持できる。なお、上記メタライジング室３での被
処理物のメタライジングをスパッタリングによって行う
ように説明したけれども、その他、真空蒸着によっても
メタライジングが行える。

この場合、従来の半連続法のようにメタライジング室３
を仕切る等の特別のパルプを設けなくても、又メタライ
ジング室３内にローラコンベアを各別に配装しなくても
連続処理機構部４の外部に設けた直線状駆動機構として
の油圧シリンダ１５が押圧するだけで、パレット１と之
を通り抜ける通路２１，１６．１？、１８，１９，２０
，２２によって真空状態が維持される数個の真空室内に
パレットを搬送できるとともにメタライソングが行える
。

上述のように本発明は、被処理物としてのディスク製作
基板をパレットに装着して、このパレットを直線的に連
続して配置するとともにメタライジング室を含む数個の
真空室の外部に設けた直線状駆動機構としての油圧シリ
゛ンダ等を用いてパレットを押すような構造としたので
数個の真空室内に被処理物を順次、搬送することができ
、之により被処理物にメタライジングが連続して行える
。

しかも従来の半連続法のようにメタライジング室内に被
処理物の搬送手段を設けなくてもよいので、之に要する
特別なメッキやグリスは革装となる。従って製作費及び
維持費を低摩にできるとともに故障はなく搬送手段とし
ての信頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来のメタライジング法としての
バッジ法と半連続法を示す断面図、第３図は本発明の装
置の全景を示す側面図、第４図は同じく本発明の一部を
構成する連続処理機構部における原理を示す説明用の水
平断面図、第５図は同じくパルプｔと、ディスク製作基
板と通路とを示す斜視図、第６図乃至第８図は同じ（パ
レットのいくつかの変形例を示す斜視図、第９図は同じ
く本発明の一部を構成する搬送機構部と昇降機構部とガ
イド機構部とを示す側面図、第１０図は同じく平面図、
第１１図は同じく昇降機構部とガイド機構部とを示す部
分横断平面図、第１２図は同じく本発明の一部を構成す
る選別処理機構部を示す平面図、第１３図はその使用状
態を示す説明図である。 １・・・パレット、２・・・ディスク製作基板、３・・
・メタライジング室、４・・・連続処理機構部、５，５
′・・・搬送機構部、６，６′・・・昇降機構部、７，
７′・・・ガイド機構部、９・・・入口側予備真空室、
１１・・・高真空室、１２．１３・・・出口側予備真空
室。 特許出願人　パイオニア株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ディスク製作基板等の被処理物を、メタライジング室を
   含むように連袂して設けられた数個の真空室内に大気中
   から連続して送り込む連続メタライジング装置において
   、前記被処理物を装着したパレットを直線的に連続して
   配置するとともに前記真空室の外部゛に設けた直線駆動
   機構にて前記バレントを前記各真空室内に送り込むこと
   を特徴としたディスク等被処理物の連ｉメタライワング
   装置におけるパレット−送装置。