JPS5814337A - デイスク等の被処理物の連続メタライジング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特に光学的なビディオ・ディスク等の反射−
を形成する場合に最適に採用できるディスク等の一処理
物の連続メタライジング装置に関する。

近時、レコード再生系に代わる新しい形態としてビデイ
オ・ディスク再生系が注目視されつつあｌ。

ところでビディオ・ディスク・システムとしてはディス
クに記録された信号を再生する場合の相違から、ディス
クに直接、ピンクアップが接触することによってディス
クに記録された信号を再生する接触式と、ディスクに直
接、ピックアップが接触しないで信号を再生する非接触
式とがある。

前者にはディスクに信号渦を形成して、この溝の電極の
付いたスタイラスで追従することにより静電容量変化を
とられる溝付静電容量方式によるもの、又は複藪のピッ
ト列置（信号としてディスクの表面にうず巻状に形成さ
れ、このピット列を電極の付いたスタイラスで追従して
その静電容量変化をとらえる溝なし静電容量方式による
もの等があり、後者にはディスクに記録されたうす巻状
のピット列に例えば半導体レーザを照射してその反射光
を読み取る光学式ビディオ・ディスク方式に代表される
。

ところが光学式ビディオ・ディ゛スク・システムにおけ
るディスクは通常、ディスク表面にはピットは形成され
ていない、即ち透明なプラスチック、例えば透過率の高
いアクリル樹脂や塩化ビニール樹脂を用いて、インジェ
クシ欝ン或いはコンブレラシーン等の方法でプラスチッ
ク成型することにより表面にピットが形成されたディス
ク製作基板を先ず成型し、次いで半導体レーザを照射し
た場合の反射効率を向上するために、ディスク製作基板
の表面に、例えばアルミニウムの反射膜をピット形状を
崩さずに極く薄く形成し、さらにその表面に透明なプラ
スチック保護層を形成することによって製造される０両
面ディスク′においては一般にこのようにして製造され
た片面ディスクを背中合わせに接着することによって形
成されている。

ところで上記反射膜を形成するのには、化学めっき法、
電気めっき法、蒸着法、スパッタリング法等が考えられ
るが、公害を考慮した点とビット形状を崩さぜずに反射
効率を向上させるために、蒸着法、スパッタリング法が
普及しつつある。

蒸着法、スパッタリング法を実施するのに′＆嘘、気密
性と公害面とを考慮して真空室を必要とし、これには従
来、行われているものとしてバッチ法バッチ法とは第１
図に示すように、例えば真空ベルジャＡ内にディスク製
作基板２を放射状に数段、配置してからドアパルプＢを
閉め、その後、真空ポンプ等を用いて前記ベルジャＡ内
を排気し、真空にした後にアルミニウム等の処理金属３
Ｂを加熱することによって気化し、被処理物としてのデ
ィスク製作基板２にアルミニウムを蒸着させる方法をい
う。

しかし蒸着法においては、メタライジングを行う毎に被
処理物を真空ベルジャＡ内に入れたり出したりするのに
ドアＢを開かなければならないので真空ベルジャＡの気
密性が維持できず、真空ベルジャＡ内を再び真空にする
ために時間がかかること、および被処理物を真空ベルジ
ャＡ内に運んだりセフ）するのに手間がかかることから
生産能率が悪く、コスト高になっていた。

他面、半連続法とは、第２図に示すように、気密を維持
するためのドア付の室Ｃ，Ｅを、中間に位置するメタラ
イジング室りの前後にパルプＦ。

Ｇを介して連続して設け、そして前記室Ｃ内にストック
されている被処理物としてのディスク製作基板を用いて
メタライジング室り内に順次、搬送し、メタライジング
室り内においてアルミニウム等の処理金属３Ｂを気化す
る等して被処理物としてのディスク製作基板２にアルミ
ニウムを蒸着させる。そして開いているパルプＧを通っ
て室Ｅ内に処理後の被処理物を搬送し、それからパルプ
Ｆ、Ｇを閉じ、前記室Ｃ，Ｈのドアを開き、室Ｃには未
処理のディスク製作基板２を取り入れ、他面、室Ｅから
処理後のディスク製作基板２を取り出す方法である。

しかし、半連続法は、被処理物としてのディスク製作基
板２にメタライジングを行うのに被処理物が、室Ｃ１メ
タライジング室Ｄ１室Ｅへと順次移動することになるか
ら、第２図に示すようにメタライジング室り内にローラ
コンベアＨ等の搬送手段を設けなければならず、しかも
１バツチ内では連続となるが、バッチ間では不連続とな
る。従ってローラコンベアＨの駆動力の信頓性を維持す
るのに特別のグリスやメッキを施こさなければならなか
った。また、室Ｃ２メタライジング室Ｄ１室Ｅの真空状
態を維持するのにパルプＦ、Ｇが必要となり、不連続時
間を短縮するには、真空ポンプも大容量となる。

このため、設備費がかかるとともにパッチ式同様に処理
時間がかかり、コスト高となっていた。

本発明は上述の如き点に鑑みてなされたものでありその
目的とするところの１つは、ディスク製作基板等の被処
理物を着脱自在に取付けたパレットを大気中からメタラ
イジング室を含む数個の真空室に縦型に順次、連続して
搬送するとともにパレットを循環させることにより前記
被処理物を連続的にメタライジングして生産能率を向上
し得ることにある。

また本発明の他の目的とするところは、パレットを縦型
に搬送させて循環することにより装置全体の設備面積を
小さくできるとともにパレットの両側に被処理物の連続
メタライジング装置を提供するのにある。

以下本発明の詳細を第３図乃至第１３図に示す一実施例
に従って説明する。

本発明は基本的には以下に示す幾つかの機構部から構成
される。

即ち縦型に連続配置されて順次ＩＩｌ環するように搬送
されるとともにメタライジングすべき被処理物ヲソノ両
側に着脱自在に取付けるためのパレット１と、該パレッ
ト１に装着されたディスク１作基板２等の被処理物をメ
タライジング室３を含む数個の真空室にて形成される連
続処理機構部４に数個を１ブロツクとして連袂的に又は
間歇的に搬送させたり又は該連続処理機構部４から処理
後の被処理物を搬送させるために上下対向して配置され
それぞれ逆向きにパレット１が搬送される搬送機構部５
，５′と、該搬送機構部５，５′に対して直角に設けら
れ数個のパレット１を１ブロツクづつ上昇又は降下させ
るための昇降機構部６゜６′　と、昇降機構部６，６′
　と協同して前記搬送機構部５，５′から送られて来る
パレッ）１を停止するとともに数個で１ブロツクを形成
するパレット１を昇降機構部６，６′で上昇又は降下さ
せる場合のガイド機構部７，７′　とから形成される。

複数台の成型機において成型された被処理物が、１つの
前記連続処理機構部５において処理される場合、一定種
類毎にパレット１に被処理物を選別して装着したり或い
は処理後に被処理物をパレット１から取外すための選別
処理機構部８とで形成される。

その表面にアルミニウム等の金属がメタライジングされ
るべき被処理としての前記ディスク製作基板２は例えば
半導体レーザ等の透過率が高い透明なアクリル樹脂や塩
化ビニール樹脂を用いてコンブレッジ纏ンやインジェク
シ■ンによって成型される。

又前記パレット１は被処理物としてのディスク製作基板
２を例えば前後両側面に縦型に着脱自在に装着して、連
続して配置された後記入口側予備真空室９、イオン洗浄
室１０、高真空室１１．メタライジング室３、出口側予
備真空室１２．１３の各真空室内に連続又は間欠的に搬
送され、しかも、このパレッ）１は軸長方向の前後両側
面にディスク製作基板２が装着される凹面部ＬＡ、ＩＡ
がその大部分を占めるように形成され、さらに進行方向
に対して直交方向の断面形状が後記入口側予備真空室９
、イオン洗浄室１０．高真空室１１、メタライジング室
３、出口側予備真空室１２　、１３の各真空室内に設け
た通路と酷似形状のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢを豹
記凹面部ＩＡ、ＩＡと連設している。

なおパレットｌは、第６図に示すように、両面に凹面部
ＩＡ、ＩＡが形成されるとともに前後両端にシーリング
用膨出部ＩＢ＊ＩＢ：ＩＢ＊ＩＢを設けたもの、また第
７図および第８図に示すように片面のみにディスク製作
基板装置用の凹面部ＩＡを設け、シーリング用膨出部Ｉ
Ｂを後端又は前後両端に設ける等、種々のものが考えら
れる。

前記搬送機構部５，５′は例えば四−ラコンベア、チェ
ンコンベア、ベルトコンベアの上にパレット１を乗せる
とともに前記パレット１の上下縁をガイド枠１４’、　
１４にて摺動自在に支持し、しかも連続処理機構部４の
外部に設けられ、直線状駆動機構としての油圧シリンダ
１５の受圧により連続して直線的に配列された数個のパ
レッ）１を順次メタライジング室３を含む数個の真空室
にて形成される連続処理機構部４に押込むものである。

前記連続処理機構部４は、入口側予備真空室９、イオン
洗浄室１０、高真空室１１．メタライジング室３、出口
側予備真空室１２．１３から成る複数個の真空室間は連
絡通Ｉ＃１１６．１７．Ｉ８，１９．２０によって連続
して接続される。しかも前記入口側予備真空室９と出口
側予備真空室１３のそれぞれの入口側および出口側には
入口側通路２１、出口側通路２２、および前記連絡通路
１６．１７．１ｇ、１９．２０の、パレットｌの進行方
向に対する直交方向の断面形状は、パレッ）１のシーリ
ング用膨出部ＩＢ、ＩＢが接触して搬送方向、に位置す
る通路および之に通ずる真空室をシーリングして真空状
態にするためにシーリング用膨出部ＩＢ、１Ｂの断面形
状と酷似形状で僅かに大きく形状されている。また入口
側予備真空室９、イオン洗浄室１０、高真空室１１、メ
タライジング３、出口側予備真空室１２．１３は真空ポ
ンプ（図示せず）等に！ｌ＃Ｈされて該真空室内を真空
にするための排気口９Ａ、ＩＯＡ、ＩＩＡ、３Ａ、１２
Ａ、１３Ａが形成されている。ｌ０ＢＩ、１０Ｂ２はイ
オン洗浄室ｌＯ内に設けられた１対のイオン洗浄電極、
３Ｂは前記メタライジング室３内に配置された処理金属
、例えばアルミニウムである。

前記昇降機構部６，６′は、チェノ駆動用のモータ２３
と、該モータ２３のモータシャフト２３Ａにプーリ、無
端ベルト２４、減速機２５等を用いて連結された上側の
左右１対のスプロケ・ノ）２６．２６と、下側の左右の
スプロケッ）２７．２７との間に回転自在に架設された
左右１対のチェノ２８．２８と、このチ１ン２Ｂ、２Ｂ
との間に上下対向して三段（片面のみ三段、前後面だと
大股）に架設されたガイド枠２９ｔ２９＋２９ｔ２９；
２９．２９と、下段の又は上段のガイド枠２９゜２９内
に挿入されたパレットｌ、１の有無を検出して搬送機構
部６，６′における油圧シリンダ１５される。

また前記選別処理機構部８はコンブレッジ慟ン、インジ
ェクシ髄ン等、複数台の成型機（図示せず）において形
成されたディスク製作基板２等の被処理物が１つの連続
処理機構部４において処理される場合、特定のパレット
１に対して一定種類毎に選別された被処理物がバレン）
１の搬送方向に対して特定の位置、例えば任意のパレッ
ト１を１番目にすると１番目と３番目のバレン）１．１
の左右に２個づつ、合計４個設けられた供給用選別機８
Ａ＋　　、８Ａ２　　；　８Ａ３．８Ａ４　と、連続処
理機構部４において目処理された一定種類毎のディスク
製作基板２，２ｉ２，２をバレン）１．１から一定種類
毎に取り出すための排出用選別機８Ｂ１＝８Ｂ２　Ｈ８
Ｂ５．８８４　とで形成される。

さらに前記ガイド機構部７，７′は昇降機構部６．６′
の上下のガイド枠２９，２９の軸長方向に対し直交して
数個のガイドローラ３０を保持枠３１を介して支柱３２
．３２に固定するとともにこのうち少なくとも１つの保
持枠３１は支柱３２に対してピン３３を用いて枢着され
、しかも該枢　１着部にピン３３に対してその先端が押
付けられるように螺入された螺子３４を緩めることによ
り開閉可能に形成される。

本発明の一実ｓＮは上述のような構成からなるものであ
り、被処理物としてのアクリル樹脂のような透明度の高
いプラスチ・ツクにてうず巻状のピットを表面に成型さ
れたディスク製作基板２を搬送機構部５′においてＮ型
に連続して搬送して来る（第３図において矢印イ方向）
バレン）１の特定位置、例えば任意のパレット１を１番
目にすると１番目と３番目（バレン）１を２枚で１ブロ
ツクにするから）のパレット１，１の左右に２個づつ、
合計４個、配置されたそれぞれの供給用選別機８Ａ１　
＊　８Ａｔ　　：　８Ａ３　−８Ａ４から供給すること
により１番目と３番目のパレット１．１の両面に形成さ
れた凹面部ＩＡ、ＩＡ：　ＩＡ、ＩＡに装着する。この
場合、４個の供給用選別機８Ａ１＝　８Ａ２　　：　８
．／’ｌ　　−８Ａ４から供給されて来るディスク製作
基板２の種類が同じであれば先行するパレット１と之に
後続のパレット１の左右の凹面部ＩＡ、ＩＡ：　ＩＡ、
ＩＡの両側に同種類のディスク製作基板２，２．２．２
が装着されるが、４個の供給用選別機８Ａ＋　　、８Ａ
２　　；８Ａ３　．８Ａ４から供給されて来るディスク
製作基板２の種類がそれぞれ興なれば先行するパレット
１と之に後続のバレン）１の左右のそれぞれの凹面部Ｉ
Ａ。

ＩＡ；　ＩＡ、ＩＡの両側にそれぞれ種類の興ったディ
スク製作基板２，２ｉ２，２を装着できる。

しかもこの場合凹面部ＩＡ、ＩＡにはディスク製作基板
２，２の中心に設けたスピンドル挿通孔２Ａ、２Ａ内に
挿通されるスピンドルＩＡＩ　、ＩＡＩが挿入されるこ
とにより容易にディスク製作基板２，２をバレン）１に
装着できる。

そして先ず搬送機構部１５の油圧シリンダ１５等の連袂
的又は間欠的な受圧を受けて、ディスク製作基板２，２
を装着し且つ連続して配置されたパレット１は後続する
ものに押圧されることによって連続処理機構部４の入口
側通路２１内に押込まれていく、入口側通路２１の断面
形状はパレット１の通行方向に対して直交方向の断面形
状と酷似形状で僅かに大きく形成されているのでパレッ
ト１が入口側通路２１内に押込まれていくに従いバレン
）１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢが入口側通路２１
の内壁に接触して閉塞する。従って入口側通路２１に通
ずる入口側予備真空室９は真空ポンプ（図示せず）等で
排気され真空状態となる。この場合、１つのパレットｌ
、が入口側真空予備室９内に完全収容されると、後続の
パレット１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢが入口側通
路２１を閉塞するので入口側真空予備室９は常時、真空
状態となる。

次にパレット１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢと近位
形状で僅かに大きい断面形状を有する通路１６にシーリ
ング用膨出部ＩＢ、ＩＢが接触しながら気密を維持して
パレット１は順次イオン洗浄室１０内に搬送される。従
って、イオン洗浄室１０内に搬送されたパレットｌに装
着されているディスク製作基板２，２は特定ガスを流入
しながら真空排気されている定真空下においてイオン洗
浄電極１０Ｂ＋　　、１０Ｂ２間に高電圧を印加するこ
とによってイオン洗浄される。この場合、通路１６内に
は後続のパレット１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢが
接触し、しかも真空ポンプ（図示せず）にて排気されて
いるからイオン洗浄室１０内は真空状態を維持してイオ
ン洗浄が速やかに行われるとともに後記の処理金属のメ
タライジング効果を高めることができる。

その後、最初のパレット１は通路１７から高真空室１１
内に搬送されてくる。この高真空室１１においては真空
ポンプ（図示せず）等を用いて排気がされるとともに通
路１７内は後続のパレット。

１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢが接触して閉塞され
、さらには大気と接する入口側通路２１から入口側予備
真空室９、イオン洗浄室ｌＯと２つの真空室を経ている
から高真空室１１は高真空状態になっている。

ここにおいてディスク製作基板２が高真空室を通過する
ことはそのディスク製作基板２の表面付着ガスを除去で
きる作用があり、後記のメタライソング効果をさらに高
めることができるからである。

更に、最初のバレン）１は通路１８を経てメタライジン
グ室３内に搬送されて来る。このメタライジング３内は
、前部に通路１８を介して前記高真空室１１が、また後
部には通路１９．２０を経て２つの出口側予備真空室１
２．１３が連続して設けられ、そのうえそれぞれ真空ポ
ンプ（図示せず）によって排気が行われているから、前
記高真空室１１と同様、高真空となっている。

次に、この高真空下でのメタライジング室３内に不活性
ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）を送入して、同雰囲気の
下に高電圧又は高周波電圧が処理金属、たとえばアルミ
ニウム３Ｂに印加される等スパッタリングにより処理金
属の薄膜がディスク製作基板２，２に形成できる。この
場合、アルミニウムの膿の厚さは５００Ａ〜２０００Ａ
程度で”あり、ディスク製作基板２，２の表面に形成さ
れた信号としてのビット列の形状はアルミニウム膿によ
って埋められて形状が崩れることはない。

メタライジング室３においてスパッタリングによりメタ
ライジングされたディスク製作基板２゜２は通路１９．
２０を介して接続されている２つの出口側予備真空室１
２．１３を経て出口側通路２２からバレントｌとともに
搬送されることにより被処理物としてのディスク製作基
板２のメタライジングが完了する。この場合、メタライ
ジング室３に通ずる２つの通路１９，２０には後続のパ
レット１．１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢｉＩＢ、
ＩＢが接触して閉塞されるため、また出口（ｌＩａｌ１
２２には先行するパレットｌのシーリング用膨出部ＩＢ
、ＩＢが接触・しているため、出口側予備真空室１２．
１３の排気を行えば、この出口側予備真空室１２．１３
を真空状態に維持できるとともにメタライジング室３を
高真空に維持できる。なお、上記メタライジング室３で
の被処理物のメタライジングをスパッタリングによって
行うように説明したけれども、その他、真空蒸着によっ
てもメタライジングが行える。

この場合従来の半連続法のようにメタライジング室３を
仕切る特別のバルブを設けなくてもバルブ）１と之が通
り抜ける通路２１．１６．１？。

１８．１９，２０，２２によって連続して設けた数個の
真空室内を真空雰囲気にできるから被処理物としてのデ
ィスク製作基板２を大気中からこれらの真空室内をバル
ブ）１を縦型に用いて順次搬送するだけで多量のディス
ク製作基板２をメタライジングすることができる。

連続処理機構ＷＬ４においてメタライジングされたディ
スク製作基板２，２はパレット１に取付けられてそのま
ま数個（図面では２個）を１ブロツクとして連続処理機
構部４から＆統の昇降機構部６′の左右１対のチェ２２
８，２８間に上下対向して三段に架設されたガイド枠２
９　、２９；２９．２９：２９，２９のうち最下段のガ
イド枠２９．２９内に挿入されていく、そしてガイド枠
２９．２９内に例えば２１１のパレット１，１が１ブロ
ツクとして挿入されたことをセンサーＳ２が感知すると
、モータ２３が作動することによってスプロケット２６
が駆動するのでチ、ン２８，２８が回転駆動する。従っ
て数個で１ブロツク毎のバルブ）１．１は下段から中段
へ、さらに中段から上段へと上昇する。パレフ）１．１
が最上段に上昇されたことを最上部に配置したセンサー
Ｓ３にて感知すると、モータ２３の回転駆動が停止する
のでチーン２８，２８の回転は止まる。従ってパレット
１．１の左右に装着し、メタライジングされたディスク
製作基板２，２ｉ２，２は排出用選別＠８Ｂｔ　　、８
８２　　；　８Ｂ３　．８８４にて一定種類毎に区分け
されてバルブ）１．１から取り外される。

次にシーケンス制御等により油圧シリンダ１５が駆動す
ると、この油圧シリンダ１５のピストンロンドの先端に
固着されたがイドローラ３０を介して数個（図面では２
個）で１ブロツクのパレット１．ｌは押圧され、上方の
搬送機構部５のローラコンベア上に送り出される。そし
て後続のパレフ）ｌが先行するパレット１を順次、押圧
することによりパレット１はローラコンベア上を搬送す
る。

このようにして空になったパレット１が順次、ローラコ
ンベア上に搬送されてくるが、この実施例ではパレット
１．１は２個で１ブロツクを形成し且つパレット１，１
はＨ型に搬送されて左右両面に被処理物としてのディス
ク製作基板２を装着すべき凹面部ＩＡ、ＩＡ：　ＩＡ、
ＩＡを形成しているから、バルブ）１．１の搬送方向に
対して左右２個づつ、合計４個、特定の位置、例えば先
行するバルブ１１に対して１対の供給用選別１ａ８Ａ１
＠８Ａ＊を搬送方向の左右の両側に対向して配置し、ま
た後行のパレット１に対して１対の供給用選別機８　Ａ
３　　、８　Ａ４をそれから先行するノ（し７）位置か
ら４番目の位置における左右両側６二対向して設ければ
、２ＩＩで１プロνりのパレット１．１に対して特定の
種類のディスク製作基板２゜２；２．２を両側に装着で
きることになる。

このようにして左右両面にディスク製作基板２．２；２
．２を装着した２個で１ブロツクを形成するパレット１
，１が昇降機構部６に搬送されてくると、センサラ−Ｓ
４で之を感知することによりモータ２３が駆動する。従
ってチ異ン２８゜２８間に上下に架設されたガイド枠２
９，２９内に挿入、保持された２個で１ブロツクのパレ
７）１．１はディスク製作基板２，２；２，２を保持し
た状態で、上段から中段、中段から下段へと順次降下す
ることによって１循環する。そして最初に述べた如くシ
リンダ１５等２個づつ搬送機構部５へ押出されて空にな
ったガイド枠−２９，２９は＋　−ン２８　ｓ　２　Ｂ
がモータ２３により回転されるのにつれて下段から上段
へと移動し、次回に、パレット１，１が挿入されて来る
のに備える。

また昇降機構部６，６′の上下のガイド枠２９．２９の
延長方向に対し直交にガイド機構部７゜７′のガイドロ
ーラ３０が数個づつ保持枠３１を介して支［３２，３２
に固定されているので、搬送機構部５，５′から搬送さ
れて来るパレット１はこのガイドローラ３０に衝突する
ことにより搬送が規制され、しかも昇降機構部６，６′
で上昇又は降下される場釡に、ガイドされるため揺れを
生ぜずに円滑に上昇又は降下する。しかも連続処理機構
部４のメタライジング室３でディスク製作基板２に長期
にわたりメタライジングすると、バレッ）１の両面に積
層される処理金属の膜厚や、カスが付着することによっ
てパレット１が入口側通路２１通路１６．１７．１ｇ、
１９．２０出口側通路２２．内に搬送されて各真空室内
のシーリング作用に邪魔となって漏洩を生じたり、パレ
ット１の搬送速度を遅くする等の支障を生ずる。したが
って螺子３４を緩めてピン３３を中心に保持枠３１を開
くことにより昇降機構部６の上下の保持枠２９．２９内
からバレッ）１を抜き出して処理金属を落し、掃除を行
う。

上述のように本発明はディスク製作基板等の被処理物を
大気中からメタライソング室を含む数個の真空室に縦型
に順次、連続して搬送するとともにパレットを循環させ
る・なうにしたから、被処理物をパレットに着脱するだ
けで連続的にメタライジングできる。従って生産能率が
向上でき、コストを低廉にできる。

また本発明はパレットを縦型に用い、順次搬送させて循
環できる構造なので装獣全体の設値面積を水平にパレッ
トを搬送させる形式の装値に比較して小さくできるとと
もにパレットの両側に被処理物を装着することができる
ため、生産能率が向上する等の効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来のメタライジング法としての
バッジ法と半連袂法を示す断面図、第３図は本発明の装
習の全景を示す側面図、第４図は同じく本発明の一部を
構成する連続処理機構部における原理を示す説明用の水
平断面図、第５図は同じくパレットと、ディスク製作基
板と通路とを示す斜視図、第６図乃至第８図は同じくパ
レットのいくつかの変形例を示す斜視図、第９図は同じ
く本発明の一部を構成する搬送機構部と昇降機構部とガ
イド機構部とを示す側面図、第１Ｏ図は同じく平面図、
第１１図は同じく昇降機構部とガイド機構部と衛示す部
分横断平面図、第１２図は同じく本発明の一部を構成す
る選別処理機構部を示す平面図、第１３図はその使用状
態を示す説明図である。 ｌ・・・パレット、２・・・ディスク製作基板、３・・
・メタライジング室、４・・・連続処理機構部、５，５
′・・・搬送機構部、６，６′・・・昇降機構部、７，
７′・・・ガイド機構部、９・・・入口側予備真空室、
１１・・・高真空室、１２．１３・・・出口側予備真空
室。 特許出願人　パイオニア株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 連袂して循環するようにパレットを縦型に搬送自在に配
   置し、該パレットに被処理物を着脱自在に装着し、前記
   パレットの遊行方向の途中にメタライジング室を含む数
   個の真空室を連続的に設けて前記被処理物を連続的にメ
   タライジングす−ことを特徴としたディスク等の被処理
   物の連続メタライジング装置。