JPS62161959A

JPS62161959A - インライン式成膜装置

Info

Publication number: JPS62161959A
Application number: JP221686A
Authority: JP
Inventors: Hidenori Suwa; 秀則諏訪
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 1986-01-10
Filing date: 1986-01-10
Publication date: 1987-07-17
Also published as: JPH0419303B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、インライン式のスパッタリング装置や蒸着装
置等のインライン式成膜装置に関する。

（従来の技術）従来、前記のようなインライン式成膜装置は、基本的に
は仕込室、成膜室及び取出室の３室を仕切バルブを介し
て連設した構成を備えるものが一般である。こうしたイ
ンライン式の装置は、成膜室内を大気にさらさないこと
、仕込室に於いて基板又は基板を取付けした治具の脱ガ
スや加熱等の前処理を行なえるので成膜室の雰囲気が悪
くならないこと、及びバッチ式の８間に較べて作業者−
人当りの生産量が大きいことなどの利点があるので生産
装置として多用されている。インライン式の装置として
、連続式インライン装置と、ストッカ一式インライン装
置とが知られている。前者のものは、第１図示のように
基板又は基板を取付けた治具ａを一枚ずつ大気中より仕
込室すに導入して真空状態としたのち成膜室Ｃに移送し
て処理される。また後者のものは、第２図示のように、
仕込室すに複数の基板ａを導入して真空状態とし、各基
板ａを一つずつ仕込室すから成膜ｙｃへと送り、その全
数の処理が終えて取出ｉｄにたまった時点で大気中へ取
出される。

（発明が解決しようとする問題点）該基板ａがプラスデックの場合、真空中には主としてＨ
２Ｏからなるガスを非常に多く放出するので、そのガス
成分が膜中に混入する等の不都合が生ずる。この放出ガ
スは予め仕込室に於いて脱ガスを充分に行なうことによ
り防止出来る。

しかし乍ら、連続式のインライン装置では、脱ガスを充
分に行なおうとすると仕込室に於ける滞在時間が長くな
り、それによってタクト時間即ち処理された基板が該装
置から取出される時間間隔が長くなって好ましくない。

このタクト時間は基板が仕込室に取込まれ、仕込室に滞
在し、成膜室に送り込まれ、次の基板が取込まれるまで
の時間間隔でもあり、このタクト時間が短い程生産性の
良い連続式インライン装置であると言える。

また、この脱ガスのために滞在時間を長くすれば、それ
に合わせて成膜室ｄでのＲ留時間も長くする必要がある
ため最適の成膜時間を得にくい。更にストッカ一式のイ
ンライン装置に於いても、脱ガスを充分に行なおうとす
ると、基板ａの全数が処理されるに要する時間即ちバッ
チ時間が長びき、土産性が悪くなる。またストッカ一式
のものは一度に多数の基板ａを仕込み、脱ガスするが、
最初に成膜処理される基板ａと最後に処理される基板ａ
とでは脱ガス時間に差が生じてしまうので１バツチ内で
脱ガス効果の異なる製品が生じ、品質安定性が欠如する
。

こうした欠点の改良のために、連続式のインライン装置
に於いて、仕込室すの次に脱ガス室を設けることが考え
られるが、タクト時間を短くしないで脱ガス時間を長く
するには、脱ガス室を艮（する必要があり、スペース及
び設備的にデメリットとなる。例えば１時間脱ガスする
には、タクト時間を２分とすると、脱ガス室の長さは、
基板の長さの３０倍以上必要となる。

本発明はインライン装置の前記利点を損わずにプラスチ
ック等の放出ガスの多い基板ａの１１１２ガスを充分に
行なえる生産性の良い成膜装置をを提供することを目的
とするものである。

（問題点を解決するための手段）本発明では、スパッタリング等の成膜処理が施される基
板を外部から取込む仕込室と、ＩＩ板に成膜処理を施す
成膜室及び成膜処理された基板を外部へ取出す取出至を
設けるようにしたものに於いて、該成ｗＡ室の前方に該
成膜室に対して略垂直方向に脱ガス室を連設し、咳脱ガ
ス室の端部に該仕込室を接続して設け、該脱ガス室内に
該基板の板面を前方に向けて搬送する搬送Ｈ置を設けて
前項の問題点を解決するＪ：うにした。

（作　用）該仕込室には外部から基板が搬送装置により送り込まれ
、該仕込室内が真空状態どなると脱ガス室へ送られる。

脱ガス室内で基板は搬送装置により成膜室へど送られ、
その間に脱ガスされ、成膜室に於いて例えばスパッタリ
ングによる成１１Ｑ処理が終ると取出至を介して外部へ
と取出される。

該脱ガス室に於いては、基板が板面を前方に向けて搬送
装置により移送されるのでスペース的に小さく脱ガス室
を構成出来、脱ガスを充分行ないながらもタクト時間を
長くする必要がなく、最適のタクト時間を取ることが出
来る。

（実施例）本発明の実施例を図面第３図につき説明すると、同図は
スパッタリングにより成膜する実施例の側面図を示し、
符号（１）は表面に成膜処理が施される基板、（２）は
外部から未処理の基板（１）を仕切バルブ（３）を開い
て取込む密閉の仕込室、（４）は該仕込室（２）内を真
空ポンプで排気するための排気口である。

基板（１）はベルトコンベアやローラー搬送ににる手段
により外部から仕込室（２）に水平にして搬送され、該
仕込室（２）内が真空状態になると更に仕切バルブ〈５
）を介して脱ガス室（６）に同様の搬送手段により送り
込まれる。（７）はスパッタカソード（８）を備えた成
膜室、（９）は真空ポンプに接続される排気口で、該成
膜Ｔ（７）内へ脱ガス室（６）からスリット（ＩＧを介
して水平に基板（１）が搬入される。

該成膜室（７）内には該基板（１）を水平に搬送Ｊるコ
ンベアが設けられ、該スリットａＯから取出室（′Ｉ′
Ｄの仕切バルブａつを介して送り出されるまでの間に該
基板（１）にはスパッタリングにより成膜処理される。

該脱ガス室（６）は成膜室（７）の前方に垂直方向に接
続して設けられ、図示の例では成膜室（７）に対して上
下の垂直方向に脱ガス室（６）を接続し、仕込下（２）
を該脱ガス室（６）の下端側方に接続して設けるように
した。該脱ガス室（６）内には仕込下（２）から水平に
送り込まれる基板（１）をそのまま受取り、基板（１）
の板面を前方に向けて上方へ移送するエンドレス形の搬
送装置が設けられる。

（１３は脱ガス室（６）に於いて基板（１）から放出さ
れる多聞の放出ガスを排気する排気口で、これには大容
量の高真空ポンプを接続して高速排気を行なえるように
し、成膜室（７）からスリット（ＩＯを介して脱ガス室
（６）へと気体を流すことによって成膜室（７）内が基
板（１）からの放出ガスで汚染されないようにした。

ａ＠は取出室（Ｉｖから仕切バルブ（Ｉ９を介して大気
圧の外部に搬出された処理済みの基板（１）を水平状態
のまま下降さけるリターン搬送装置、（＋７１は該リタ
ーン用搬送装置（′ｌ＠に連続して設けられた水平移送
用のリターン搬送装置で、処理済の基板（１）は未処理
の基板との交換を行なうステーションｌ′ｌＦｊへと運
ばれる。

第３図示の装置に於いて、未処理の基板（１）は一枚ず
つ仕込下（２）に送り込まれ、その内部が真空状態にな
ると脱ガス室（６）へ仕切バルブ（５）を介して順次送
り込まれる。該脱ガス室（６）内の搬送装置は逐次送り
込まれる基板（１）を受は取り、その板面を進行方向に
向けて搬送し、成ｒ！！　（７）の前方に達するとスリ
ット（ＩＯを介してその空白へ送り込まれ、スパッタリ
ングにより成膜を終えた基板（１）から順に取出室（′
ｌｉ＋に送り出される。該取出ｉｎはその内部が真空状
態のときに基板（１）を仕切バルブ（＋２１を開いて受
は入れ、仕切バルブ（＋２１を閉じて内部を大気圧とし
たのちリターン搬送装置ａΦ（’１７１へ仕切バルブａ
９を介して送り出され、ステーション１１Ｇに戻される
。

脱ガス室（６）内に設けられる搬送装置は、例えば第４
図示のように、基板（１）の両側に夫々２種類のｆｉｌ
歯状のラック■ａ９を設け、１対のラックａａ　ａｅは
上下及び前接に往復動自在であり、他のラック（＋！！
１は前接にのみ往復動自在として構成され、ラック（１
！！１が基板（１）に嵌合するとぎはラック（１＆が基
板（１）から外れるように移動し、ラック■が基板（１
）に嵌合してラック１１つが基板（１）より離れたとき
該ラック■は上昇して基板（１）を持ち上げる。そして
再びラック０が基板（１）に嵌合するとラックａ９が基
板（１）から離れると共に下降りる。

これを繰返すことにより複数板の基板（１）を次第に上
方に搬送し、最上段に達すると押し出されて、処理室（
１）内に送り込まれる。搬送装置ａ＠もこれと同ＷＪ造
に構成してもよい。

成膜室（１）のスパッタ装置に代え蒸着装置を設備する
ようにしてもよい。

また本発明の装置を第３図が平面図であるにうに構成す
ることも可能であり、この場合には基板（１）を垂直に
立てて搬送するように、第５図示のような水平往復動自
在の１対の櫛歯状のラック■■とその中間の昇降自在の
これと同形のラック０とで構成した搬送装置を使用し、
ラック＠■が基板を前方に所定ピッチだけ移動中はラッ
ク０は下方に退去し、該ラック■が上界して基板（１）
を保持するとその間にラック■■が後方へ移動し、ラッ
ク■が下降して基板（１）をラック■■に保持させる作
動を繰返すことにより基板（１）を搬送する。

（発明の効果）以上のように本発明に於ては、成膜室に対して垂直方向
の脱ガス室を設け、その内部に基板の板面を前方に向け
て搬送する搬送装置を設けるようにしたので、脱ガス室
を設けたことによる成膜装置のスペースの増大を抑制出
来、仕込下から成膜室まで各基板の１１９ガス時間を一
定にして移送出来るので基板を同一条件で処理し得る。

また開閉の回数の多い仕込下を脱ガスのために高真空に
する必要がなく、仕込至の排気時間が短くなるため基板
の仕込み時間の間隔を短く出来、タクト時間が従来装置
よりも短縮され、例えば光磁気ディスクや光ディスクの
ような、その基板からの放出ガスが多くしかもその放出
ガスにより膜質が悪くなり易い希土類を含んだ物質、Ｍ
などの膜を形成した製品の品質を安定さけ大間生産する
場合に好都合である。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来例の載嵌側面図、第３図は本発
明の実施例の載嵌側面図、第４図及び第５図は搬送装置
の斜視図である。（１）・・・基板　　　（２）・・・仕込至（６）・・
・脱ガス至　（７）・・・成膜テ　（＋１）・・・取出
至第１図第２図第３図・１第４図　　　第５図

Claims

【特許請求の範囲】

スパッタリング等の成膜処理が施される基板を外部から
取込む仕込室と、該基板に成膜処理を施す成膜室及び成
膜処理された基板を外部へ取出す取出室を設けるように
したものに於いて、該成膜室の前方に該成膜室に対して
略垂直方向に脱ガス室を連設し、該脱ガス室の端部に該
仕込室を接続して設け、該脱ガス室内に該基板の板面を
前方に向けて搬送する搬送装置を設けて成るインライン
式成膜装置。