JPS61113766A - エンドステ−シヨン - Google Patents
エンドステ−シヨンInfo
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- JPS61113766A JPS61113766A JP23702784A JP23702784A JPS61113766A JP S61113766 A JPS61113766 A JP S61113766A JP 23702784 A JP23702784 A JP 23702784A JP 23702784 A JP23702784 A JP 23702784A JP S61113766 A JPS61113766 A JP S61113766A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- carrying
- wafer
- vacuum
- end station
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、大気中のウェハを低真空の搬入室を経て高
真空の処理室に搬送し、そこでイオン注入等の処理の後
低真空の搬出室を経て大気中に取り出すエンドステーシ
ョンに関する。
真空の処理室に搬送し、そこでイオン注入等の処理の後
低真空の搬出室を経て大気中に取り出すエンドステーシ
ョンに関する。
第５図は、従来のエンドステーションの概略を示す平面
図である。このエンドステーションは、一つのウェハ搬
送ラインから成り、高真空（例えば１０−’〜１０−”
Ｔｏ ｒ ｒ）の処理室２と、処理室２への大気の直接
の流入を防止するための低真空（例えばＩ Ｏ”’〜ｌ
０−３Ｔ ｏ ｒ ｒ）の予備室である搬入室１およ
び搬出室３から構成されている。
図である。このエンドステーションは、一つのウェハ搬
送ラインから成り、高真空（例えば１０−’〜１０−”
Ｔｏ ｒ ｒ）の処理室２と、処理室２への大気の直接
の流入を防止するための低真空（例えばＩ Ｏ”’〜ｌ
０−３Ｔ ｏ ｒ ｒ）の予備室である搬入室１およ
び搬出室３から構成されている。
搬入室１、処理室２および搬出室３はそれぞれ真空排気
系を有している。大気と搬入室１との間、搬入室１と処
理室２との間、処理室２と搬出室３との間および搬出室
３と大気との間には、それぞれ、ゲートバルブ４．５．
６．７が設けられており、これによってウェハＷの搬送
時以外は真空気密が保たれる。尚ウェハＷの搬送は、搬
送ベルト８．９．１０．１１．１２によって行われる。
系を有している。大気と搬入室１との間、搬入室１と処
理室２との間、処理室２と搬出室３との間および搬出室
３と大気との間には、それぞれ、ゲートバルブ４．５．
６．７が設けられており、これによってウェハＷの搬送
時以外は真空気密が保たれる。尚ウェハＷの搬送は、搬
送ベルト８．９．１０．１１．１２によって行われる。
第６図は、第５図の装置の概略動作を示すタイムチャー
トである。ウェハＷは、大気中に置かれた複数枚のウェ
ハを装着したキャリアまたは他の搬送ラインから１枚ず
つ搬入室１に搬入され（図中（Ｃ）） 、ｍ入室１を真
空排気（真空荒引き）後（図中（ｄ））処理室２に搬送
され（図中（ｂ））、処理室２においてイオン注入等の
処理が行われる（図中（ａ））。その後ウェハＷは、搬
出室３へ１般送され（図中（ｂ））、搬出室３をガスリ
ークの後再び大気中へ搬出される（図中（Ｃ））。
トである。ウェハＷは、大気中に置かれた複数枚のウェ
ハを装着したキャリアまたは他の搬送ラインから１枚ず
つ搬入室１に搬入され（図中（Ｃ）） 、ｍ入室１を真
空排気（真空荒引き）後（図中（ｄ））処理室２に搬送
され（図中（ｂ））、処理室２においてイオン注入等の
処理が行われる（図中（ａ））。その後ウェハＷは、搬
出室３へ１般送され（図中（ｂ））、搬出室３をガスリ
ークの後再び大気中へ搬出される（図中（Ｃ））。
尚、以上のようなエンドステーションの一例が特開昭５
７−２０５９５５号公報に示されている。
７−２０５９５５号公報に示されている。
上述のようなエンドステーションでは、ウェハの処理能
力（単位時間当たりの処理枚数）は、主として、処理室
２における注入時間および搬入室１、搬出室３における
真空排気（真空荒引き）時間によって決定される。例え
ば、ウェハ交換時間を７秒とした場合、注入時間が１０
秒の場合は処理能力は２００枚／時程度であり、注入時
間が５秒の場合は処理能力は３００枚／時程度である。
力（単位時間当たりの処理枚数）は、主として、処理室
２における注入時間および搬入室１、搬出室３における
真空排気（真空荒引き）時間によって決定される。例え
ば、ウェハ交換時間を７秒とした場合、注入時間が１０
秒の場合は処理能力は２００枚／時程度であり、注入時
間が５秒の場合は処理能力は３００枚／時程度である。
ところが近年のイオンビームの大面積、大電流化に伴い
注入時間の短縮化（例えば１〜２秒）が可能になってき
たが、上述したエンドステーションでは、たとえ注入時
間が５秒以下となっても処理能力は主として搬入室ｌ、
搬出室３の真空荒引き時間によって制限され、処理能力
を大幅に改善させることは非常に難しい（第６図参照）
。この場合荒引き時間を非常に短くすることは、排気系
が巨大になりスペース、コスト等の面から非現実的であ
る。
注入時間の短縮化（例えば１〜２秒）が可能になってき
たが、上述したエンドステーションでは、たとえ注入時
間が５秒以下となっても処理能力は主として搬入室ｌ、
搬出室３の真空荒引き時間によって制限され、処理能力
を大幅に改善させることは非常に難しい（第６図参照）
。この場合荒引き時間を非常に短くすることは、排気系
が巨大になりスペース、コスト等の面から非現実的であ
る。
従ってこの発明は、荒引き時間が隘路になっている点を
解決し、ウェハの処理能力を向上させることを目的とす
る。
解決し、ウェハの処理能力を向上させることを目的とす
る。
この発明のエンドステーションは、処理室に隣接して対
向する搬入室及び搬出室を含む搬送ラインを複数備え、
処理室は各搬送ライン上のウェハを順に搬送する機構を
有している。
向する搬入室及び搬出室を含む搬送ラインを複数備え、
処理室は各搬送ライン上のウェハを順に搬送する機構を
有している。
処理室においては複数の搬送ライン上のウェハは順に搬
送され、処理される。この場合、各搬送ラインの真空荒
引きは独立して（又は一部共通し １［て
）行うことができる。これによって、処理能力向上の隘
路となっている真空荒引き時間が等価的に短縮される。
送され、処理される。この場合、各搬送ラインの真空荒
引きは独立して（又は一部共通し １［て
）行うことができる。これによって、処理能力向上の隘
路となっている真空荒引き時間が等価的に短縮される。
第１図は、この発明の一実施例の概略を示す平面図であ
る。このエンドステーションは、１例として、互いに直
交する２系統の搬送ラインと共通の処理室とから成る。
る。このエンドステーションは、１例として、互いに直
交する２系統の搬送ラインと共通の処理室とから成る。
即ち、このエンドステーションは、高真空（例えば１０
−’〜１０−’Ｔ ｏ ｒｒ）の共通の処理室６０と、
処理室６０に隣接して対向する低真空（例えば１０−１
〜！０−”Ｔｏｒｒ）の第１の搬入室、例えば搬入室２
０および第１の搬出室、例えば搬出室４０と、この搬送
ラインに直行する形で処理室６０に隣接して対向する低
真空（例えば１０−’〜１０−’Ｔ ｏ ｒ ｒ）の第
２の搬入室、例えば搬入室３０および第２の搬出室、例
えば搬出室５０とから構成されている。
−’〜１０−’Ｔ ｏ ｒｒ）の共通の処理室６０と、
処理室６０に隣接して対向する低真空（例えば１０−１
〜！０−”Ｔｏｒｒ）の第１の搬入室、例えば搬入室２
０および第１の搬出室、例えば搬出室４０と、この搬送
ラインに直行する形で処理室６０に隣接して対向する低
真空（例えば１０−’〜１０−’Ｔ ｏ ｒ ｒ）の第
２の搬入室、例えば搬入室３０および第２の搬出室、例
えば搬出室５０とから構成されている。
搬入室２０および３０は、それぞれ第５図で示した従来
のものと同様であり、搬送ベルト２２．３２およびゲー
トバルブ２３．２４．３３．３４が設けられており、か
つ入口部には搬送ヘルド２１．３１が設けられており、
ウェハＷは大気中から一枚ずつ搬入される。搬出室４０
および５０も、それぞれ第５図に示した従来のものと同
様であり、搬送ベルト４２．５２およびゲートバルブ４
３．４４．５３．５４が設けられており、かつ出口部に
は搬送ベルト４１．５１が設けられており、ウェハＷは
大気中に一枚ずつ搬出される。
のものと同様であり、搬送ベルト２２．３２およびゲー
トバルブ２３．２４．３３．３４が設けられており、か
つ入口部には搬送ヘルド２１．３１が設けられており、
ウェハＷは大気中から一枚ずつ搬入される。搬出室４０
および５０も、それぞれ第５図に示した従来のものと同
様であり、搬送ベルト４２．５２およびゲートバルブ４
３．４４．５３．５４が設けられており、かつ出口部に
は搬送ベルト４１．５１が設けられており、ウェハＷは
大気中に一枚ずつ搬出される。
処理室６０においては、搬入室２０と搬出室４０間の搬
送ベルト６エおよび搬入室３０と搬出室５０間の搬送ベ
ルト６２が交差しており、一方の搬送ヘルド、例えば搬
送ベルト６１は上下駆動機構（図示省略）により昇降さ
せられる。第２図は、第１図の線ｎ−ｎに沿う断面図で
あり、上昇位置の搬送ベルトを符号６１で示し、降下位
置の搬送ベルトを符号６１′で示す。上昇位置の搬送ベ
ルト６１と搬送ベルト２２および４２とは同レベルにあ
り、この状態でウェハＷを搬入室２０から処理室６０へ
搬送し、そこでイオン注入等の処理を施した後搬出室４
０へと搬送する。搬送ベルト６２は降下位置の搬送ベル
ト６１′よりも上に位置しており、搬送ベルト６２と搬
送ベルト３２および５２は同レベルにあり、この状態で
ウェハＷを搬入室３０から処理室６０へ搬送し、そこで
前記同様の処理を施した後搬出室６０へと搬送する。
送ベルト６エおよび搬入室３０と搬出室５０間の搬送ベ
ルト６２が交差しており、一方の搬送ヘルド、例えば搬
送ベルト６１は上下駆動機構（図示省略）により昇降さ
せられる。第２図は、第１図の線ｎ−ｎに沿う断面図で
あり、上昇位置の搬送ベルトを符号６１で示し、降下位
置の搬送ベルトを符号６１′で示す。上昇位置の搬送ベ
ルト６１と搬送ベルト２２および４２とは同レベルにあ
り、この状態でウェハＷを搬入室２０から処理室６０へ
搬送し、そこでイオン注入等の処理を施した後搬出室４
０へと搬送する。搬送ベルト６２は降下位置の搬送ベル
ト６１′よりも上に位置しており、搬送ベルト６２と搬
送ベルト３２および５２は同レベルにあり、この状態で
ウェハＷを搬入室３０から処理室６０へ搬送し、そこで
前記同様の処理を施した後搬出室６０へと搬送する。
このようにして処理室６０は、各搬送ライン上のウェハ
Ｗを順に（交互に）搬送する。尚、水平面内で回転可能
な搬送ベルト６１のみを処理室６０に設け、搬送ベルト
２２．３２．４２．５２をそれと同レベルとしてもよい
。
Ｗを順に（交互に）搬送する。尚、水平面内で回転可能
な搬送ベルト６１のみを処理室６０に設け、搬送ベルト
２２．３２．４２．５２をそれと同レベルとしてもよい
。
搬入室２０．３０．搬出室４０．５０および処理室６０
は、それぞれ独立した真空排気系を有する。但し、搬入
室２０．３０および搬出室４０．５０の真空荒引き系は
、排気時期が完全に一致する部屋については、或いは排
気時期が少しも重複しない部屋についてはバルブ切り換
えにより、それぞれ共用可能である。
は、それぞれ独立した真空排気系を有する。但し、搬入
室２０．３０および搬出室４０．５０の真空荒引き系は
、排気時期が完全に一致する部屋については、或いは排
気時期が少しも重複しない部屋についてはバルブ切り換
えにより、それぞれ共用可能である。
１ 第３図は、第１図の装置の動作の一例を示
すタイムチャートである。制御手段（図示省略）により
このような制御が行われる。この場合、ウェハＷの位置
検出、各部屋の真空度検出等は、エンドステーションに
設けられたフォトセンサ、真空度針等で行われる。
すタイムチャートである。制御手段（図示省略）により
このような制御が行われる。この場合、ウェハＷの位置
検出、各部屋の真空度検出等は、エンドステーションに
設けられたフォトセンサ、真空度針等で行われる。
この発明の動作の一例を第３図に従って説明すると、ま
ず搬入室２０に窒素ガスを入れてガスリークさせ大気圧
にしく図中（ａ））、そこヘウェハＷを一枚搬入しく図
中（ｂ））、搬入室２０の荒引きを行う（図中（Ｃ））
。荒引きが完了するとウェハＷを処理室６０へ搬送しく
図中（ｄ））、処理室６０の真空引きを行い（図中（ｅ
））、そこでイオン注入等の処理が行われる（図中（ｆ
））。この場合のイオンビームは、イオン源（図示省略
）から第１図の紙面に垂直に飛来してくるが、ウェハＷ
を立てらせる等すれば紙面に平行に飛来してきてもよい
。処理が完了したウェハＷは搬出室４０へ搬送され（図
中（ｇ）） 、搬出室４０のガスリークをしてウェハＷ
を冷却しく図中（ｈ） ン、その後大気中に搬出される
（図中（ｉ））・そ０後搬出室４°′）荒引きが行われ
る 、・）（図中（ｊ））。以後同様の
動作が繰り返され、かつ他の搬送ラインにおいても同様
の動作が並行して行われている。
ず搬入室２０に窒素ガスを入れてガスリークさせ大気圧
にしく図中（ａ））、そこヘウェハＷを一枚搬入しく図
中（ｂ））、搬入室２０の荒引きを行う（図中（Ｃ））
。荒引きが完了するとウェハＷを処理室６０へ搬送しく
図中（ｄ））、処理室６０の真空引きを行い（図中（ｅ
））、そこでイオン注入等の処理が行われる（図中（ｆ
））。この場合のイオンビームは、イオン源（図示省略
）から第１図の紙面に垂直に飛来してくるが、ウェハＷ
を立てらせる等すれば紙面に平行に飛来してきてもよい
。処理が完了したウェハＷは搬出室４０へ搬送され（図
中（ｇ）） 、搬出室４０のガスリークをしてウェハＷ
を冷却しく図中（ｈ） ン、その後大気中に搬出される
（図中（ｉ））・そ０後搬出室４°′）荒引きが行われ
る 、・）（図中（ｊ））。以後同様の
動作が繰り返され、かつ他の搬送ラインにおいても同様
の動作が並行して行われている。
このように、このエンドステーションにおいては、二つ
の搬送ラインにおいて搬入室２０．３０および搬出室４
０．５０での真空荒引きは独立に（又は一部共通して）
行うことが可能な為、二つの搬送ラインから交互にウェ
ハＷを搬送して処理することにより、処理能力向上の妨
げとなっている真空荒引き時間を等価的に短縮すること
ができる。例えば第３図において各部屋２０．３０．４
０．５０の荒引き時間が従来と同程度の時間、例えは６
〜８秒程程度あっても、イオン注入時間が１〜２秒程程
度おいては、期間Ｔは１３秒程度となる。このｊｔＪｉ
間中にイオン注入が２回行われているから、処理能力は
５００枚／時以上となる。
の搬送ラインにおいて搬入室２０．３０および搬出室４
０．５０での真空荒引きは独立に（又は一部共通して）
行うことが可能な為、二つの搬送ラインから交互にウェ
ハＷを搬送して処理することにより、処理能力向上の妨
げとなっている真空荒引き時間を等価的に短縮すること
ができる。例えば第３図において各部屋２０．３０．４
０．５０の荒引き時間が従来と同程度の時間、例えは６
〜８秒程程度あっても、イオン注入時間が１〜２秒程程
度おいては、期間Ｔは１３秒程度となる。このｊｔＪｉ
間中にイオン注入が２回行われているから、処理能力は
５００枚／時以上となる。
尚、このエンドステーションにおいては、処理室６０が
共通な為一つの処理設備でよく、しかもウェハＷは搬入
室２０．３０から特別な部屋等を介さずに直接処理室６
〇−搬送され、かつ処理室６０から直接搬出室４０．５
０へ搬送される為、装置の小型化が図られる。又、処理
室６０での搬送機構以外は従来と同様の搬送機構が適用
でき、しかも２系統の搬送ラインは略同様の動作を行う
為これの制御系は同一のものが使用できる。更に、各搬
送ラインにおいてはウェハＷを一枚ずつ搬送する為、他
の装置との搬送ラインの結合により連続処理が可能であ
る。
共通な為一つの処理設備でよく、しかもウェハＷは搬入
室２０．３０から特別な部屋等を介さずに直接処理室６
〇−搬送され、かつ処理室６０から直接搬出室４０．５
０へ搬送される為、装置の小型化が図られる。又、処理
室６０での搬送機構以外は従来と同様の搬送機構が適用
でき、しかも２系統の搬送ラインは略同様の動作を行う
為これの制御系は同一のものが使用できる。更に、各搬
送ラインにおいてはウェハＷを一枚ずつ搬送する為、他
の装置との搬送ラインの結合により連続処理が可能であ
る。
第４図は、この発明の他の実施例の概略を示す平面図で
ある。第１図の実施例においては２系統の搬送ラインは
直交していたが、本図のように搬送ラインＬＡおよびＬ
Ｂを９０度より小さい角度θで交差させてもよい。この
ようにすると保守点検領域ＭＡが大きく取れて作業性が
良くなる。
ある。第１図の実施例においては２系統の搬送ラインは
直交していたが、本図のように搬送ラインＬＡおよびＬ
Ｂを９０度より小さい角度θで交差させてもよい。この
ようにすると保守点検領域ＭＡが大きく取れて作業性が
良くなる。
また搬送ラインは上記のように２系統に限られることは
なく、３系統以上でもよい。尚、ウェハＷの搬送は、上
記のようにベルトに限定されることなく、ローラ、チェ
ーン、ギヤ等によって行っても良い。
なく、３系統以上でもよい。尚、ウェハＷの搬送は、上
記のようにベルトに限定されることなく、ローラ、チェ
ーン、ギヤ等によって行っても良い。
以上のようにこの発明によれば、処理能力向上の妨げと
なっている真空荒引き時間を等価的に短縮でき、これに
よってウェハの処理能力を大幅に向上させることができ
る。
なっている真空荒引き時間を等価的に短縮でき、これに
よってウェハの処理能力を大幅に向上させることができ
る。
第１図は、この発明の一実施例の概略を示す平面図であ
イ・。第２図は、第１図の線■−Ｈに沿う部分断面図で
ある。第３図は、第１図の装置の動作の一例を示すタイ
ムチャートである。第４図は、この発明の他の実施例の
概略を示す平面図である。 第５図は、従来のエンドステーションの概略を示す平面
図である。第６図は、第５図の装置の概略動作を示すタ
イムチャートである。
イ・。第２図は、第１図の線■−Ｈに沿う部分断面図で
ある。第３図は、第１図の装置の動作の一例を示すタイ
ムチャートである。第４図は、この発明の他の実施例の
概略を示す平面図である。 第５図は、従来のエンドステーションの概略を示す平面
図である。第６図は、第５図の装置の概略動作を示すタ
イムチャートである。
Claims (1)
- （１）大気中のウェハを相対的に低真空の搬入室を経て
相対的に高真空の処理室に搬送し、そこで処理の後相対
的に低真空の搬出室を経て大気中に取り出すエンドステ
ーションにおいて、処理室に隣接して対向する搬入室及
び搬出室を含む搬送ラインを複数備え、処理室は各搬送
ライン上のウェハを順に搬送する機構を有することを特
徴とするエンドステーション。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23702784A JPS61113766A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | エンドステ−シヨン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23702784A JPS61113766A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | エンドステ−シヨン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113766A true JPS61113766A (ja) | 1986-05-31 |
Family
ID=17009305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23702784A Pending JPS61113766A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | エンドステ−シヨン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61113766A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364770U (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | ||
| JPS6431970A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Tokuda Seisakusho | Vacuum treatment equipment |
| EP0969119A3 (de) * | 1998-05-29 | 2003-11-26 | RWE Solar GmbH | Anordnung sowie Verfahren zum Beschichten von Gegenständen |
| WO2009141319A1 (en) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Applied Materials, Inc. | Next generation screen printing system |
| ITUD20080262A1 (it) * | 2008-12-18 | 2010-06-19 | Applied Materials Inc | Sistema di stampa serigrafica di nuova generazione |
-
1984
- 1984-11-09 JP JP23702784A patent/JPS61113766A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364770U (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | ||
| JPS6431970A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Tokuda Seisakusho | Vacuum treatment equipment |
| JPH0159354B2 (ja) * | 1987-07-28 | 1989-12-15 | Tokuda Seisakusho Kk | |
| EP0969119A3 (de) * | 1998-05-29 | 2003-11-26 | RWE Solar GmbH | Anordnung sowie Verfahren zum Beschichten von Gegenständen |
| WO2009141319A1 (en) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Applied Materials, Inc. | Next generation screen printing system |
| US8215473B2 (en) | 2008-05-21 | 2012-07-10 | Applied Materials, Inc. | Next generation screen printing system |
| ITUD20080262A1 (it) * | 2008-12-18 | 2010-06-19 | Applied Materials Inc | Sistema di stampa serigrafica di nuova generazione |
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