KR0170411B1 - 처리시스템 - Google Patents

처리시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR0170411B1
KR0170411B1 KR1019920003309A KR920003309A KR0170411B1 KR 0170411 B1 KR0170411 B1 KR 0170411B1 KR 1019920003309 A KR1019920003309 A KR 1019920003309A KR 920003309 A KR920003309 A KR 920003309A KR 0170411 B1 KR0170411 B1 KR 0170411B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
load lock
carrying
wafer
processed
casing
Prior art date
Application number
KR1019920003309A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920018827A (ko
Inventor
데루오 아사카와
데쓰 오사와
노보루 호사카
Original Assignee
이노우에 아키라
도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이노우에 아키라, 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 filed Critical 이노우에 아키라
Publication of KR920018827A publication Critical patent/KR920018827A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0170411B1 publication Critical patent/KR0170411B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/005—Transport systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

이온주입장치의 처리탱크(1)의 반입축, 반출측에 각각 2기의 위치오차 검출기능을 구비한 로드로크챔버(10),(11),(16),(17)가 설치된다. 반입측, 반출측의 1기씩은 대기용으로서 사용된다. 대기측에는 반입부재(9)와 반출부재(18)가 설치된다. 처리탱크(1) 내에는 2개의 옮겨싣는 부재(12),(13)가 설치되고, 또한 더미웨이퍼 스테이지(14)를 상기 옮겨 싣는 부재(12),(13)의 조작범위 내에 설치한다. 웨이퍼는 로드스테이지(7),(8)로부터 반입부재(9)에 의해 로드로크챔버(10),(11)를 통하여 복선적으로 처리탱크(1) 내로 반입된다. 2기의 옮겨싣는 부재(12),(13)의 타이밍을 잡음으로서, 턴테이블(1a)에 대하여 넣기와 꺼내기가 동시에 행해진다. 그리고 마찬가지로 복선적으로 반출된다. 이때 필요에 따라 처리탱크(1) 내의 더미웨이퍼가 사용된다.

Description

처리시스템
제1도는 본 발명의 처리시스템의 실시예를 나타낸 개략 평면도.
제2도는 제1도의 나타낸 로드로크챔버의 일부의 구성예를 나타낸 측면도.
제3도는 종래의 이온주입장치의 전체 구성을 나타낸 개략도.
제4도는 웨이퍼의 반송장치의 종래예를 나타낸 개략도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 처리탱크 1a : 턴테이블
10,11,16,17 : 로드로크챔버 4 : 입출력포트
5,50 : 캐리어버퍼 4a,5a,50a : 캐리어스테이지
6 : 트래버서 6a : 이동로
7,8 : 로드스테이지 9 : 반입부재
9a,12a,13a,18a : 로봇아암 10,11 : 반입측 로드로크챔버
10a,10b,11a,11b : 반입포트 12,13 : 옮겨싣는 부재
14 : 더미웨이퍼 스테이지 15 : 웨이퍼 플래턴
16,17 : 반출측 로드로크챔버 16a,16b,17a,17b : 반출포트
18 : 반출부재 19,20 : 언로드스테이지
21 : 경사면 22 : 회동부재
S1 : 반입에리어 S2 : 반출에리어
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 옮겨싣기 위한 개량된 기구를 가지는 처리시스템에 관한 것이다.
종래의 이온주입장치에서는, 예를 들어 제3도에 도시된 바와 같이 터미널유니트(T)의 이온발생기(I)에서 발생한 이온을 분석 마그네트(M)를 구부려 가속관(A)을 통해, 처리탱크(1) 내의 턴테이블(1a)에서 정확하게 위치맞춤한 상태로 실리지 않으면 안된다.
그리하여, 종래에는 예를 들면 제4도에 도시한 바와 같이 처리탱크(1) 밖의 소정위치에 놓여진 캐리어(3)로부터 웨이퍼(W)를 대기측의 반송로보트(R1)에 의해 1매씩 일단 위치맞춤장치(OD)로 옮긴다. 여기서 웨이퍼의 방향 및 중심의 위치오차를 검출하고, 그 오차분에 대하여 예를 들면 방향의 수정 및 중심수정의 2스텝을 행하여 위치 결정한다. 이어서 반송로보트(R1)에 의해 위치맞춤장치(OD) 내의 웨이퍼(W)를 로드로크챔버(2) 내로 옮긴다. 그리고 이 속을 진공배기한 후, 처리탱크(1) 쪽의 반송로보트(R2)에 의해 웨이퍼(W)를 로드로크챔버(2)로부터 턴테이블(1a)로 반송하고 있었다.
상술한 바와같이, 진공중에 또는 감압분위기에서 웨이퍼를 배치처리할 경우, 웨이퍼를 옮겨싣는 장치로서는, 제4도에 도시한 방법을 비롯하여 여러 가지 형식이 채용되어 있다. 그러나 진공중으로 웨이퍼를 넣고 빼기가 용이하지는 않은 것이라든지, 처리단위(한번에 처리되는 웨이퍼 매수)가 반송단위(웨이퍼 캐리어의 수납매수)와 다르기 때문에, 종래의 장치에서는 하기의 문제점이 있는 실정이다.
(1) 공장의 자동화를 위한 웨이퍼 캐리어 유통기구 사이의 인터페이스를 취하기 어렵다. 그 때문에 특별한 인터페이스 유니트를 추가해야만 하므로, 코스트가 높아짐과 동시에 장치의 셋팅에도 시간이 걸린다.
(2) 옮겨싣는 스텝의 수가 많고, 또 대기 시간이 발생하는 스텝도 많기 때문에, 전체적으로 옮겨싣는 속도가 늦어진다.
(3) 웨이퍼의 주표면을 클린상태로 유지하는 관점에서, 웨이퍼의 옮겨싣는 순서가 적당하지 않다. 예를 들어 웨이퍼를 옮겨싣는 경우에 어떠한 웨이퍼의 윗쪽에 위치하는 다른 웨이퍼를 움직일 경우도 있으며, 이에 따라 발생되는 더스트에 의해 상기 아래 웨이퍼의 주표면을 오염시키는 원인이 된다.
(4) 웨이퍼의 배치처리 단위가 웨이퍼 캐리어의 수납매수와 다르기 때문에 웨이퍼관리가 어렵다. 예를들어 처리가 끝난 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어에 수납할 때, 원래의 슬로트위치대로 웨이퍼를 되돌아오게 하는 작업이 매우 번거롭다.
(5) 웨이퍼가 위치맞춤장치를 경유하여 옮겨싣는 것이기 때문에, 옮겨싣는 스텝이 증가하고, 이 결과 웨이퍼 손상, 파티클 생성 등의 문제가 생길 가능성이 높아진다. 이것은 생산수율의 저하로 연계된다. 또 핸들링 회수의 증가에 따라 반입시간이 증가하여, 장치의 생산수율 저하의 요인으로 된다.
본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적은 피처리체의 반입에서 반출에 이르기까지의 옮겨싣는 속도가 빠르고, 높은 생산수율을 가지는 처리시스템을 제공하는 것이다.
또한 본 발명은, 받아 넘기거나 받아서 처리함에 따른 피처리체의 관리를 용이하게 할 수 있는 처리시스템을 제공함에 있다.
본 발명에 의하면, 피처리체가 수납되고, 그 내부에서 이 피처리체가 처리되는 고감압분위기로 조정가능한 공간을 규정하는 제1 케이싱과, 상기 제1 케이싱과 상기 피처리체의 반송로를 통하여 접속되고, 고감압분위기로 조정가능한 공간을 규정하는 제2케이싱과, 상기 제2케이싱에 형성된 상기 피처리체의 반입구와, 상기 반입구와 별개로 상기 제2케이싱에 형성된 상기 피처리체의 반출구와, 상기 반입구에 접속되고, 이것을 개폐하는 게이트를 가지며, 서로 다른 공간을 규정하고 독립적으로 내부 분위기를 조정하는 제1로드로크챔버와, 상기 반출구에 접속되고, 이것을 개폐하는 게이트를 가지며, 서로 다른 공간을 규정하고 독립적으로 내부 분위기를 조정하는 제2 로드로크 챔버와, 상기 제1로드로크챔버로부터 상기 반입구를 통하여 상기 제2케이싱 내로 상기 피처리체를 반입하기 위하여 상기 제2 케이싱 내에 배열설치되며, 독립적으로 작동가능한 제1 옮겨싣는 수단과, 상기 제2 케이싱 내로부터 상기 반출구를 통하여 상기 제2 로드로크 챔버 내로 상기 피처리체를 반출하기 위하여 상기 제2 케이싱 내에 배열설치되며, 상기 제1옮겨싣는 수단과 별개로 독립적으로 작동가능한 제2 옮겨싣는 수단과, 상기 제1 및 제2 케이싱 이외의 공간으로 연결되어 통하도록 상기 제1 로드로크챔버에 형성되고, 게이트에 의해 개폐되는 반입포트와, 상기 반입포트를 통하여 상기 제1 로드로크챔버 내로 상기 피처리체를 반입하는 반입수단과, 상기 제1 및 제2 케이싱 이외의 공간으로 연결되어 통하도록 상기 제2 로드로크 챔버에 형성되고, 게이트에 의해 개폐되는 반출포트와, 상기 반출포트를 통하여 상기 제2 로드로크챔버 내로 상기 피처리체를 반출하는 반출수단을 구비하는 처리시스템이 제공된다.
본 발명에 의하면, 처리하지 않은 피처리체의 집어넣기와 처리가 끝난 피처리체의 꺼내기를 병행하여 행할 수 있다. 이에 따라 전체적으로 보면 피처리체가 입력라인과 출력라인을 연속하여 이송된다. 또 로드로크챔버를 2개 설치하는 등에 의해, 복선화에도 용이하게 대응할 수 있다. 따라서 옮겨싣는 속도의 향상을 도모할 수 있다.
로드로크챔버 내에서 피처리체의 위치오차를 검출하도록 하면, 종래와 같이 피처리체를 일단 위치맞춤장치에 놓는다고 하는 핸들링이 필요 없어진다. 이 결과 피처리체의 손상 및 파티클을 저감시킬 수 있다. 또한 외부에 위치맞춤장치가 불필요하게 되므로, 그만큼 장치 전체의 소형화를 도모할 수 있다.
처리탱크 내에 더미용 피처리체를 수납하는 수납부를 설치하면, 별도로 설치한 언로드스테이지로부터 로드스테이지로 더미용 피처리체를 반송하거나, 이것을 로드로크챔버를 통하여 처리탱크 내로 반입하는 등의 옮겨싣는 스텝을 필요로 하지 않는다. 따라서 이 점에 의해서도 생산수율의 향상을 도모할 수 있다.
[실시예]
본 발명의 실시예를 제1도를 참조하면서 설명한다. 이 실시예에서는 웨이퍼 캐리어(C)를 반송하는 반송차나 작업자와의 사이에서 웨이퍼 캐리어(C)를 받아서 건네주는 캐리어 입출력포트(4)가 설치된다. 이 입출력포트(4)는 일직선상으로 늘어선 4개의 캐리어스테이지(4a)를 구비하고 있으며, 4개까지의 캐리어(C)를 한번에 주고받을 수 있도록 되어 있다. 또 이 입출력포트(4)의 양쪽에는 캐리어(C)를 일시 보관하기 위하여 각각 반입 캐리어버퍼(5) 및 반출 캐리어버퍼(50)가 설치된다. 각 캐리어버퍼(5),(50)는 2개의 캐리어스테이지(5a),(50a)를 가진다.
이 예에서는 각 슬로트가 U 자 형상으로 형성되고 또한 예를 들면 25매의 피처리체인 웨이퍼를 수납할 수 있는 캐리어(C)를 사용한다. 이 예에서는 각 웨이퍼가 수직으로 선 상태로 되게 캐리어(C)를 놓도록 하고 있으나, 각 웨이퍼가 수평으로 쌓여진 상태로 되도록 하여도 좋다. 이 캐리어(C)는 HEPA 필터를 가지는 송풍장치로부터 송풍되는 청정한 공기의 환경속에 항상 놓이도록 하고 있다.
상기 입출력 포트(4) 및 캐리어버퍼(5),(50)로 된 TM테이지라인을 따라서 캐리어(C)를 반송하는 트래버서(6)의 이동로(6a)가 설치된다. 이 트래버서(6)는 이동로(6a)의 화살표(L) 방향을 따라서 이동하기 위한 자유도와, 지면에 수직으로 캐리어(C)를 들어올리기 위한 자유도와, 각 캐리어 스테이지에 캐리어(C)를 놓기 위하여 이동로(6a)의 긴쪽방향과 직교하는 방향으로 캐리어(C)를 이동시키는 자유도를 가진다. 그리고 트래버서(6)는 일렬로 늘어선 8개의 상기 캐리어스테이지 (4a),(5a),(50a)와, 후술하는 반입에리어(S1)의 2개의 로드스테이지 및 반출에리어(S2)의 2개의 언로드스테이지와의 합계 12개의 스테이지 사이에서 임의의 장소로부터 임의의 장소로 이동할 수 있도록 구성된다.
상기 스테이지라인에 대하여 상기 이동로(6a)를 통하여 마주보듯이 반입에리어(S1) 및 반출에리어(S2)가 설치된다. 반입에리어(S1) 및 반출에리어(S2)의 사이에 처리탱크(1)(process chamber)가 설치된다. 상기 반입에리어(S1) 및 반출에리어(S2)가 설치된다. 반입에리어(S1) 및 반출에리어(S2)의 사이에 처리탱크(1)(process chamber)가 설치된다. 상기 반입에리어(S1)에는 캐리어(C)로부터 웨이퍼를 꺼내기 위하여 캐리어(C)를 놓는 2개의 로드스테이지(7),(8)와 반입부재(9)가 설치된다.
한쪽의 로드스테이지(7)는 트래버서(6)와 반입부재(9)로부터 공통으로 억세스할 수 있는 위치에 있으므로 고정된다. 다른쪽의 로드스테이지(8)는 트레버서(6)와의 사이에서 웨이퍼 캐리어를 받아서 건네주는 위치와 반입부재(9)에 의해 웨이퍼를 꺼내는 위치를 일치시킬 수 없기 때문에, 양자 사이를 회전하여 이동하도록 되어 있다. 로드스테이지(7),(8)에는 반입부재(9)를 향하여 U자 부분의 개구부가 위치하도록 웨이퍼 캐리어가 실려 놓여지게 된다.
상기 반입부재(9)는 예를 들면 선단에 진공척을 가진 수평다관절형의 로보트아암(9a)을 구비한다. 상기 반입부재(9)는 선회, 신축, 상하의 3가지 자유도, 혹은 선회, 신축의 2가지 자유도를 가지며, 로드스테이지(7),(8)와 후술하는 로드로크챔버의 사이에서 웨이퍼를 받아 건네준다.
예를 들어 이온주입처리를 행하기 위한 처리탱크(1)와 반입에리어(S1)의 사이에는, 2기의 반입용 로드로크챔버(10),(11)가 설치된다. 본 실시예에서는 로드로크챔버(10),(11)는 1매의 웨이퍼를 수납하는 형태를 이룬다. 각 로드로크챔버(10),(11)는 각각 도시하지 않는 대기측의 게이트, 처리실(1) 측의 게이트 및 진공펌프를 구비한다. 또한 각 로드로크챔버(10),(11)는 웨이퍼의 위치오차량, 즉 회전각 오차 및 중심 오차를 검출하기 위한 위치오차 검출부재(D)를 내장하고 있다.
웨이퍼의 위치오차를 검출하는 방법으로서는, 예컨대 회전부재에 의해 웨이퍼를 수평면을 따라서 회전시킴과 동시에, 웨이퍼의 둘레 가장자리로부터 회전중심까지의 거리를 계측하도록 해당 둘레 가장자리에 대하여 웨이퍼면과 직교하도록 레이저를 조사한다. 이에 의해 각 회전위치마다의 상기 거리를 계측하여, 상기 위치오차량을 구할 수 있다. 단 본 발명에서는 다른 방식 예를 들면 TV카메라를 이용하여 그 화상에 의거한 위치 오차량을 구할 수도 있다.
로드로크챔버(10),(11)의 한쪽 또는 양쪽은, 여러매의 웨이퍼, 예를 들면 캐리어와 같은 25매의 웨이퍼를 배치식으로 수납하는 타입으로 할 수 있다. 여러매의 웨이퍼를 로드로크챔버 내에 수납하고, 이에 대하여 위치오차를 검출할 경우, 예를 들면 웨이퍼 캐리어에 승강부재를 짜맞춤과 동시에, 웨이퍼 캐리어의 승강시에 로드로크챔버 내의 턴테이블과 충돌하지 않는 형상으로 한다. 그리고 여러매의 웨이퍼가 쌓여진 캐리어를 간헐적으로 하강시키고, 아래쪽의 웨이퍼로부터 차례로 턴테이블로 회전시켜서 위치오차를 검출한 후에 꺼내는 방식에 의해 대처할 수 있다. 이 경우에 웨이퍼들의 둘레 가장자리를 검출하는 광학 유니트에 대하여는, 웨이퍼의 이동로 안쪽과 그 바깥쪽 사이에서 이동할 수 있는 구성으로 하면 좋다.
웨이퍼의 위치오차량을 수정함에 관하여, 본 예에서는 로드로크챔버(10),(11)내의 회전축에 의해 웨이퍼를 회전시켜서 회전각 오차(오리엔테이션 플래트 방향)를 수정한다. 또 중심 오차에 대하여는, 처리탱크(1) 내의 제1옮겨싣는 부재(12)가 웨이퍼를 받을 때에 그 신축량을 조정함으로써 수정하고 있다. 그러나 회전각의 오차에 대하여도 제1옮겨싣는 부재에 의해 수정하여도 좋고, 혹은 회전각 오차 및 중심 오차의 쌍방 로드로크챔버(10),(11)내에서 수정하여도 좋다.
상기 처리탱크(1) 내에는 제1옮겨싣는 부재(12) 및 제2옮겨싣는 부재(13)가 설치된다. 제1 및 제2 옮겨싣는 부재(12),(13)는 예컨대 상기 반입부재(9)와 같은 구성, 즉 수평다관절형의 로보트아암(12a),(13a)을 각각 구비하며, 어느 것이나 선회와 신축의 자유도를 갖고 있다. 또 이 처리탱크(1) 내에는 턴테이블(1a)에 더미로서 재치되는 더미웨이퍼를 놓기 위한 더미웨이퍼 스테이지(14)가 설치된다. 또한 턴테이블(1a)은 둘레방향을 따라 늘어서는, 예컨대 캐리어(C)의 수납매수와 같은 25매의 웨이퍼 플래턴(15)을 가진다. 이온주입처리에서는 이 테이블(1a)을 세워 차례로 회전시켜서 각 웨이퍼의 처리가 행해진다.
다음에, 각 부분의 위치관계 및 로드로크챔버의 형상에 대하여 설명한다. 한쪽 로드로크챔버(10) 내의 웨이퍼 기준위치(위치오차가 없는 웨이퍼의 위치)의 중심(P)으로부터 대기측 반입부재(9)의 회동중심까지의 거리와, 상기 중심(P)으로부터 처리탱크(1) 내의 제1옮겨싣는 부재(12)의 회동중심까지의 거리는 같다. 이 관계에 대하여는 다른 쪽의 로드로크챔버(11)에 대하여도 마찬가지이다. 또 상기 더미웨이퍼 스테이지(14)의 중심은 제1옮겨싣는 주재(12)의 회동중심으로부터 상기 거리만큼 떨어진 곳에 위치하고 있다. 각 로드로크챔버(10),(11)의 평면형태는 오각형을 이룬다. 대기측의 각 게이트는 서로 그 긴축이 예각(銳角)으로 교차하도록 반입부재(9)에 대하여 마주 향하고 있다. 또 처리탱크(1)쪽의 각 게이트도 마찬가지로 제1옮겨싣는 부재(12)를 향하고 있다.
즉, 로드로크챔버(10),(11)의 각 반입포트(10a),(10b),(11a),(11b)는 도시한 위치에 배치된다. 이와같이 하면 반입부재(9) 및 제1옮겨싣는 부재(12)와 2기의 로드로크챔버(10),(11)를 서로 접근하여 설치할 수 있으므로, 시스템 전체의 소형화를 도모할 수 있다. 이와 같은 위치관계 및 로드로크챔버의 형상은 후술하는 반출쪽에 대해서도 같다. 즉 로드로크챔버(16),(17)의 각 반출포트(16a),(16b),(17a),(17b)는 도시한 위치에 배치된다.
상기 제1옮겨싣는 부재(12)는 로드로크챔버(10),(11)에서 웨이퍼를 RJ내어 턴테이블(1a) 위의 웨이퍼 플래턴(15)으로 옮겨싣는다. 또 제1옮겨싣는 부재(12)는 더미웨이퍼를 더미웨이퍼 스테이지(14)에서 꺼내어, 웨이퍼 플래턴(15)으로 옮겨싣는다. 이 경우에 직접 플래턴(15)으로 옮겨싣거나, 일단 로드로크챔버(10),(11)로 넘겨 위치맞춤을 행하고, 다시 받아서 플래턴(15)으로 옮겨실을 수도 있다.
또한 상기 제2옮겨싣는 부재(13)는 웨이퍼 플래턴(15)에서 웨이퍼를 떼어내고, 후술하는 버퍼가 들어있는 로드로크챔버(16),(17)로 옮겨 싣는다. 또 제2 옮겨싣는 부재(13)는 웨이퍼 플래턴(15) 상의 웨이퍼가 더미웨이퍼인 경우에는 이것을 더미웨이퍼 스테이지(14)로 되돌린다.
상기 처리탱크(1)와 반출에리어(S2)의 사이에는, 2기의 반출용 로드로크챔버(16),(17)가 설치된다. 이 로드로크챔버(16),(17)는 웨이퍼 캐리어(C)와 같은 수의 웨이퍼를 수납할 수 잇는 웨이퍼 캐리어로 된 버퍼를 내장한다. 로드로크챔버(16),(17)는 각각 도시하지 않은 대기측의 게이트, 처리탱크(1) 측의 게이트 및 진공펌프를 구비한다. 로드로크챔버(16),(17)의 한쪽 또는 양쪽은, 1매의 웨이퍼를 수납하는 타입으로 할 수 있다.
상기 반출에리어(S2)에는 반출부재(18)와 언로드스테이지(19),(20)가 설치된다. 반출부재(18)는 예를 들어 반입부재(9)와 같은 구성, 즉 수평다관절형의 로보트아암(18a)을 구비하며, 선회와 신축의 자유도를 갖고 있다. 반출부재(18)는 로드로크챔버(16),(17)와 언로드스테이지(19),(20)의 사이에서 웨이퍼의 받아넘기는 동작을 행한다. 상기 언로드스테이지(19),(20)는 처리가 끝난 웨이퍼가 수납되는 웨이퍼 캐리어를 놓기 위한 받이대이다.
한쪽의 언로드스테이지(19)는 캐리어 트래버서(6)와 반출부재(18)로부터 공통으로 억세스할 수 있는 위치에 있으므로 고정된다. 다른 쪽의 언로드스테이지(20)는 트래버서(6)에 의해 캐리어를 받는 위치와 반출부재(18)에 의해 웨이퍼를 삽입하는 위치를 일치시킬 수 없기 때문에, 양자 사이를 회전하여 이동하도록 되어 있다. 언로드스테이지(19),(20)에는 반출부재(18)에 대하여 U자 부분의 개구부가 향하도록 웨이퍼 캐리어가 놓여진다.
즉, 이 실시예에서는, 반입에리어(S1)의 각 부분과 반출에리어(S2)의 각 부분이 처리탱크(1)를 통해 대칭으로 배치된다. 또, 처리탱크(1)내에 있어서도 2대의 옮겨싣는 부재가 대칭으로 배치된다. 따라서 시스템 전체적으로 좌우 대칭적인 레이아웃으로 되어 있다.
다음에, 상술한 실시예의 작용에 대하여 설명한다. 본 시스템의 전단계의 공정을 종료한 웨이퍼는, 일반적으로 25매가 수납된 웨이퍼 캐리어의 2개를 1롯트로 하여 도시하지 않은 웨이퍼 캐리어의 반송로보트에 의해 반송된다. 그리고 본 시스템의 캐리어 받아넘김대인 캐리어 입출력포트(4)의 반입에리어(S1) 측(도면중 좌측)의 2개의 캐리어스테이지(4a)로 받아 넘겨진다. 이 캐리어 입출력포트(4)는 4개의 캐리어스테이지(4a)를 구비하기 때문에, 상기 2개의 캐리어로 이루어진 1롯트를 받음과 동시에, 본 시스템에서 이미처리가 종료된 2개의 캐리어로 이루어진 1롯트를, 반출에리어(S2) 측(도면중 우측)의 2개의 캐리어스테이지(4a)를 받는 동작에 간섭하지 않고 상기 웨이퍼 캐리어의 반송로보트로 받아 넘길 수 있다.
캐리어 입출력포트(4)에서 받은 캐리어(C)는, 여기에서 캐리어 트래버서(6)에 의해 반송되어, 로드스테이지(7),(8)의 어느 것인가에 차례로 옮겨싣는다. 로드스테이지(7),(8)가 비어 있지 않은 경우는, 도면 중 좌측의 반입 캐리어버퍼(5)의 캐리어스테이지(5a)로 옮겨진다. 그리고 로드스테이지(7),(8)가 빈 시점에서 다시 캐리어 트래버서(6)에 의해 로드스테이지(7),(8)로 옮겨 싣는다. 로드스테이지(7),(8)에 놓여진 캐리어(C)에서는, 반입부재(9)에 의해 웨이퍼가 아래의 슬로트에서 차례로 꺼내지고, 예를 들면 매엽식의 제1로드로크챔버(10),(11)로 번갈아 반입된다. 웨이퍼를 받은 제1로드로크챔버(10),(11)에서는 대기축의 게이트를 닫고 진공배기를 개시함과 동시에 상술한 바와 같이 하여 웨이퍼의 위치오차를 검출한다.
제1 로드로크챔버(10),(11) 내의 진공배기가 종료하면, 로드로크챔버(10),(11)의 처리탱크(1)의 게이트가 개방된다. 그리고 제1옮겨싣는 부재(12)에 의해 웨이퍼가 꺼내지고, 턴테이블(1a) 위의 웨이퍼 플래턴(15)에 장착된다. 이때 해당 제1 옮겨싣는 부재(12)는 로드로크챔버(10),(11)에서 검출된 위치오차정보에 의거하여, 웨이퍼를 받을 때에 그 위치오차를 수정하도록 제어된다.
턴테이블(1a)은 웨이퍼를 받으면 시계방향으로 회전하고, 모든 웨이퍼 플래턴(15)에 웨이퍼가 장착될 때까지 상기 동작이 되풀이 된다. 이때 장착될 웨이퍼가 부족한 경우는 미리 처리탱크(1) 내의 더미웨이퍼 스테이지(14)에 준비하고 있는 더미웨이퍼를 제1옮겨싣는 부재(12)로 꺼내어, 웨이퍼 플래턴(15)으로 옮겨싣는다. 이 경우 직접 플래턴(15)으로 옮겨싣던가, 일단 로드로크챔버(10),(11)로 되돌려서 위치오차 검출을 행하고, 다시 이것을 웨이퍼 플래턴(15)에 장착한다. 한편 이미 턴테이블(1a) 상에서의 처리가 종료한 웨이퍼는, 상술한 웨이퍼 플래턴으로의 각각의 웨이퍼 장착동작에 앞서, 웨이퍼의 장착이 행해지는 위치에 인접한 제1도의 (15a)로 나타낸 위치 또는 장착위치와 같은 위치에서, 제2 옮겨싣는 부재(13)에 의해 꺼내진다. 이 꺼내기에 대하여는 웨이퍼의 장착순서에 따라 행해지며, 각 웨이퍼는 버퍼가 든 로드로크챔버(16),(17) 내의 웨이퍼 캐리어(C)와 같은 매수가 든 버퍼(도시하지 않음)에 위에서 차례로 삽입된다. 로드로크챔버(16),(17) 중의 한쪽이 수납가능 매수에 도달하면, 다른쪽이 사용된다. 이때 더미웨이퍼는 제2옮겨싣는 부재(13)에 의해 더미웨이퍼 스테이지(14)로 되돌려진다.
수납가능매수에 도달한 쪽의 로드로크챔버에 있어서는, 신속히 처리탱크(1)의 게이트를 닫아 대기압으로 복구하고, 이어서 대기압쪽의 게이트를 연다. 이렇게 한 후 해당 로드로크챔버 내의 웨이퍼는, 반출부재(18)에 의해 아래에서 차례로 꺼내지고, 언로드스테이지(19),(20)에 놓여진 웨이퍼 캐리어 내로 되돌려 진다. 이때 사용되는 웨이퍼 캐리어가, 해당 웨이퍼를 로드할 때에 사용하고 있던 웨이퍼 캐리어로 되도록, 로드스테이지(7),(8)에서 빈 웨이퍼 캐리어를 트래버서(6)에 의해 운반해 오도록 제어한다. 웨이퍼가 되돌려진 캐리어는 차례로 언로드스테이지(19),(20)로부터 캐리어로 되도록, 로드스테이지(7),(8)에서 빈 웨이퍼 캐리어를 트래버서(6)에 의해 운반해 오도록 제어한다. 웨이퍼가 되돌려진 캐리어는 차례로 언로드스테이지(19),(20)로부터 캐리어 트래버서(6)에 의해 운반된다. 필요에 따라 반출캐리어버퍼(50) 내의 캐리어 받아넘김대인 캐리어스테이지(50a)로 일시 퇴피하고, 2개의 캐리어를 1롯트로서 캐리어 입출력포트(4)를 통하여 도시하지 않은 캐리어 반송로보트로 받아 넘겨진다.
다음에, 상술한 실시예의 각 프로세스에 있어서의 웨이퍼 꺼냄 순서에 대하여 설명한다. 먼저 입출력포트(4)로부터 캐리어(C)를 받은 로드스테이지(7),(8)에서는 캐리어(C)의 아래쪽 슬로트로부터 차례로 웨이퍼를 꺼내고 있다. 그리고 반입쪽의 로드로크챔버(10),(11)를 매엽식의 것으로 하고, 여기에서의 웨이퍼의 순번을 없앰과 동시에, 처리탱크(1)의 턴테이블(1a)에 있어서는 먼저 탑재한 것을 먼저 꺼내도록 하여, 여기서의 순번의 역전도 없애고 있다. 그리고 반출쪽의 로드로크챔버(16),(17)내의 버퍼의 웨이퍼 수납수는 캐리어(C) 수납수와 같고, 여기에 위에서 삽입하여 아래에서 꺼냄으로써 순번을 역전시킨다. 따라서 반출쪽의 로드로크챔버(16),(17)에서는 반입쪽의 로드로크챔버(10),(11)에 있어서 최후에 꺼낸 최상 슬로트의 웨이퍼가 제일 먼저 꺼내지고, 이어서 언로드스테이지(19),(20)에서는 로드스테이지(7),(8)에 있어서 빈 캐리어(C)를 트래버서(6)에 의해 이송하여 사용하고, 해당 캐리어(C)의 제일 위의 슬로트로부터 차례로 웨이퍼를 삽입하고 있다. 따라서 어떤 캐리어에 대하여 보았을 대, 처리전의 캐리어와 같은 캐리어에 같은 순번으로 되돌려지게 되어, 이것은 롯트관리에 적합하다.
또한 로드로크챔버(10),(11)로서 웨이퍼를 여러매 수납할 수 있는 버퍼가 든 로드로크챔버를 사용할 경우에는, 버퍼의 수납매수를 예컨대 턴테이블(1a)의 수납매수와 같게 하여 두고, 다음과 같은 옮겨싣는 순서로 함으로써, 롯트관리에 대하여 용이하게 대처할 수 있다. 즉 먼저 로드스테이지(7),(8)에서는 캐리어(C) 아래의 슬로트로부터 차례로 웨이퍼를 꺼내어, 로드로크챔버(10),(11) 내의 버퍼로 위에서 차례로 삽입하고 아래에서 꺼낸다. 이에 따라 배치단위에서 웨이퍼의 순번이 역전하지 않는다.
그 후 턴테이블(1a)의 회전방향을, 웨이퍼를 로드할 때와 언로드할 때에 역전시키고, 상기 배치단위의 웨이퍼 순번의 역전을 되돌린다. 예컨대 제1 및 제2 옮겨싣는 부재(12),(13)의 턴테이블(1a)에 있어서의 억세스위치를 제1도의 (15)로 나타낸 위치로 하여, 턴테이블(1a)을 로드시에는 시계반대방향으로 회전시키고, 언로드시에는 시계방향으로 회전시키도록 하면 좋다. 이어서 반출쪽의 로드로크챔버(16),(17)내의 같은 버퍼에 위에서 차례로 삽입하여 아래에서 꺼냄으로써 재차 웨이퍼의 순번을 역전시킨다. 이 결과 로드스테이지(7),(8)의 캐리어(C)에서 최후에 꺼낸 최상 슬로트의 웨이퍼가 제일 먼저 꺼내지게 된다. 언로드스테이지(19),(20)에서는 상술과 마찬가지로 로드스테이지(7),(8)에 있어서의 빈 캐리어(C)를 트레버서(6)에 의해 이송하여 사용한다.
그리고, 해당 캐리어(C)의 제일 위의 슬로트로부터 차례로 웨이퍼를 삽입하면, 처리전의 캐리어와 같은 캐리어에 같은 순번으로 되돌려지게 되어, 롯트관리에 적합하다.
따라서, 이와 같이 함으로써, 다른 웨이퍼 유통기구와의 사이에서 특별한 영역을 마련하지 않아도 된다. 또 웨이퍼를 캐리어에 대하여 위에서 삽입하고, 아래에서 꺼내고 있기 때문에, 핸들링되는 웨이퍼 아래에는 다른 웨이퍼가 존재하지 않으므로, 웨이퍼의 클린화를 도모할 수 있다.
상술한 실시예에서는, 턴테이블(1a)에 소정매수의 웨이퍼가 실리면, 턴테이블(1a)이 수직으로 세워진다. 그리고 제3도에 도시한 터미널 유니트(T)에 의해 이온의 주입처리가 행해진다. 이에 따라서 옮겨싣는 부재(12),(13)가 배치되는 영역은 옮겨싣는 영역에서, 턴테이블(1a)로부터 터미널유니트(T)쪽은 처리영역에 상당하는 것이다. 그러나 이 실시예에서는 처리탱크(1)와 옮겨싣는 영역이 공통의 분위기에 놓여 있다.
여기서 상술한 실시예에서는, 다음과 같은 특유의 이점이 있다. 즉 캐리어 입출력포트(4)에, 다른 장소로부터 반송로보트에 의해 운반되어 오는 캐리어(C)를 받기 위한 캐리어스테이지(4a)와 처리가 끝난 웨이퍼를 운반해 내기 위한 캐리어스테이지(4a)를 별개로 설치하였으므로, 반송로보트는 캐리어(C)를 받아 넘긴 후 즉시 처리가 끝난 웨이퍼를 수납한 캐리어(C)를 받을 수 있다. 더구나 캐리어(C)를 일시적으로 보관하기 위한 캐리어스테이지(5a),(50a)를 설치함으로써, 예를 들면 반송로보트의 도착이 늦더라도 여기에 놓여 있는 캐리어(C)를 넣는다. 또 캐리어(C)를 둘 수 있으므로, 헛된 대기시간을 없앨 수 있다.
또 로드스테이지, 언로드스테이지로서 각각 2개씩 배치하고 있으므로, 한쪽 스테이지의 캐리어에 대하여 웨이퍼의 꺼내기 또는 받아넘김이 끝난 후, 즉시 다른쪽 스테이지의 캐리어에 대하여 조작이 행해진다. 이점에서도 헛된 대기시간을 없앨 수 있고, 이 결과 웨이퍼의 옮겨싣는 속도를 빠르게 할 수 있다.
또한, 각 로드로크챔버(10),(11),(16),(17)의 게이트에 있어서는, 제2도에 도시한 바와 같이 웨이퍼의 도입구를 수직축에 대하여 예를 들면 45도 기울어진 경사면(21)으로 형성함과 동시에, 이 도입구를 개폐하기 위한 게이트(G)를 수평의 축(Q) 둘레를 회전하는 회동부재(22)에 부착되도록 구성된다. 따라서 게이트(G)의 이동로가 가로방향으로 넓어지지 않고, 또 그 이동거리도 작아서 되므로, 설치 공간을 작게 할 수 있는 등의 이점이 있다. 이 경우 게이트(G)를 회동시키는 대신에 상하방향으로 직선 이동하도록 하여도 좋다.
또, 반입측 및 반출측의 로드로크챔버로서 실시예와 같이 2기씩 설치하면, 한쪽에서 웨이퍼의 꺼내기작업을 행하고 있는 동안에 다른쪽에서 집어넣기작업을 할 수 있다. 따라서 한층 더 효율 향상을 도모할 수 있다. 그러나 본 발명에서는 2기로 한정하지 않고 1기 또는 3기 이상 설치하여도 좋다.
그리고, 반입측, 반출측의 로드로크챔버의 양쪽에 위치오차 검출부재를 설치하면, 반입측이 고장난 경우에도, 웨이퍼의 흐름을 역으로 하여 반출측의 위치 오차 검출부재를 이용할 수 있으므로, 고장에 의한 처리효율의 저하를 억제할 수 있다.
또 로드로크챔버 중에는 반드시 웨이퍼의 위치오차 검출부재를 설치하지 않아도 좋고, 이 경우에는 대기중의 반입부재(9)에 의해 억세스할 수 있는 범위 내에서 위치오차 검출부재를 배치하도록 하면 좋다.
또한 본 발명은, 시스템 전체의 레이아웃을 실제예와 같이 좌우대칭으로 하면, 예컨대 반입에리어(S1)와 반출에리어(S2)의 사이를 이동하는 트래버서(6)를 설치함으로써, 각 옮겨싣는 스텝의 타이밍을 용이하게 취할 수 있는 등의 이점이 있다. 그러나 반드시 좌우대칭이 아니라도 좋다.
또 본 발명에서는, 서로 다른 압력의 기체분위기 사이만이 아니고, 서로 기체의 종류가 다른 기체분위기 사이에서의 웨이퍼를 받아넘김을 행하는 경우에 대해서도 적용할 수 있다.

Claims (12)

  1. 피처리체가 수납되고, 그 내부에서 이 피처리체가 처리되는 고감압분위기로 조정가능한 공간을 규정하는 제1케이싱과, 상기 제1 케이싱과 상기 피처리체의 반송로를 통하여 접속되고, 고감압분위기로 조정가능한 공간을 규정하는 제2 케이싱과, 상기 제2 케이싱에 형성된 상기 피처리체의 반입구와, 상기 반입구와 별개로 상기 제2 케이싱에 형성된 상기 피처리체의 반출구와, 상기 반입구에 접속되고, 이것을 개폐하는 게이트(G)를 가지며, 서로 다른 공간을 규정하고, 독립적으로 내부 분위기를 조정하는 제1 로드로크챔버(10),(11)와, 상기 반출구에 접속되고, 이것을 개폐하는 게이트(G)를 가지며, 서로 다른 공간을 규정하고 독립적으로 내부분위기를 조정하는 제2 로드로크챔버(16),(17)와, 상기 제1 로드로크챔버(10),(11)로부터 상기 반입구를 통하여 상기 제2 케이싱 내로 상기 피처리체를 반입하기 위하여 상기 제2 케이싱 내에 배열 설치되며, 독립적으로 작동 가능한 제1 옮겨 싣는 수단과, 상기 제2 케이싱 내에 배열설치되며, 독립적으로 작동 가능한 제1 옮겨 싣는 수단과, 상기 제2 케이싱내로부터 상기 반출구를 통하여 상기 제2 로드로크챔버(16),(17)내로 상기 피처리체를 반출하기 위하여 상기 제2 케이싱 내에 배열설치되며, 상기 제1옮겨싣는 수단과 별개로 독립적으로 작동가능한 제2 옮겨 싣는 수단과, 상기 제1 및 제2케이싱 이외의 공간으로 연결되어 통하도록 상기 제1 로드로크챔버(10),(11)에 형성되고, 게이트(G)에 의해 개폐되는 반입포트와, 상기 반입포트를 통하여 상기 제1 로드로크챔버(10),(11) 내로 상기 피처리체를 반입하는 반입수단과, 상기 제1 및 제2 케이싱 이외의 공간으로 연결되어 통하도록 상기 제2로드로크챔버(16),(17)에 형성되고, 게이트(G)에 의해 개폐되는 반출포트와, 상기 반출포트를 통하여 상기 제2 로드로크챔버(16),(17)내로 상기 피처리체를 반출하는 반출수단을 구비하는 처리시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 로드로크챔버(10),(11)는, 상기 피처리체의 위치오차를 검출하는 검출수단을 가지는 처리시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반입구 및 반출구, 상기 제1 및 제2 로드로크챔버(10),(11),(16),(17). 상기 반입포트 및 반출포트, 상기 제1 및 제2 옮겨싣는 수단, 상기 반입수단 및 반출수단의 각 쌍이 좌우대칭으로 배치되는 처리시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반입구 및 반출구, 상기 제1 및 제2 로드로크챔버(10),(11),(16),(17), 상기 반입포트 및 반출포트가 각각 여러개가 배열설치되는 처리시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 로드로크챔버(10),(11)가 한 개의 피처리체를 수납하는 구조를 이루는 처리시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2 로드로크챔버(16),(17)가 여러개의 피처리체를 수납하는 구조를 이루는 처리시스템.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1로드로크챔버(10),(11)가 여러개의 피처리체를 수납하는 구조를 이루는 처리시스템.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2 로드로크챔버(16),(17)가 한 개의 피처리체를 수납하는 구조를 이루는 처리시스템.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 케이싱 내부가 공통된 분위기를 가지는 처리시스템.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 케이싱이 이온주입장치의 처리탱크(1)를 구비하고, 상기 처리탱크(1) 내에 여러개의 상기 피처리체를 재치하는 재치대가 배열설치되는 처리시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1 옮겨싣는수단이 상기 제1 로드로크챔버(10),(11)로부터 상기 재치대 상으로 상기 피처리체를 반송하고, 상기 제2옮겨싣는 수단이 상기 재치대 상으로부터 상기 제2 로드로크챔버(16),(17) 내로 상기 피처리체를 반송하는 처리시스템.
  12. 제11항에 있어서, 상기 재치대 상에 상기 피처리체의 더미로서 재치하는 더미체를 수납하는 수납부가 상기 제2케이싱 내에 배열설치되고, 상기 제1옮겨싣는 수단이 상기 수납부로부터 상기 재치대 상으로 상기 더미체를 반송하고, 상기 제2옮겨싣는 수단이 상기 재치대 상으로부터 상기 수납부에 상기 더미체를 반송하는 처리시스템.
KR1019920003309A 1991-03-01 1992-02-29 처리시스템 KR0170411B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP91-62660 1991-03-01
JP3062660A JPH05275511A (ja) 1991-03-01 1991-03-01 被処理体の移載システム及び処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920018827A KR920018827A (ko) 1992-10-22
KR0170411B1 true KR0170411B1 (ko) 1999-03-30

Family

ID=13206680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920003309A KR0170411B1 (ko) 1991-03-01 1992-02-29 처리시스템

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5248886A (ko)
EP (1) EP0502412B1 (ko)
JP (1) JPH05275511A (ko)
KR (1) KR0170411B1 (ko)
DE (1) DE69210290T2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100673006B1 (ko) * 2005-07-15 2007-01-24 삼성전자주식회사 이온 주입 장치
KR101530513B1 (ko) * 2006-12-06 2015-06-24 액셀리스 테크놀러지스, 인크. 고 생산성 직렬 웨이퍼 처리 엔드 스테이션

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2644912B2 (ja) * 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
US7089680B1 (en) * 1990-08-29 2006-08-15 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
TW276353B (ko) 1993-07-15 1996-05-21 Hitachi Seisakusyo Kk
DE4340522A1 (de) * 1993-11-29 1995-06-01 Leybold Ag Vorrichtung und Verfahren zum schrittweisen und automatischen Be- und Entladen einer Beschichtungsanlage
JP3288554B2 (ja) * 1995-05-29 2002-06-04 株式会社日立製作所 イオン注入装置及びイオン注入方法
JPH09102530A (ja) * 1995-06-07 1997-04-15 Varian Assoc Inc ウェーハの向き検査システム
US6672819B1 (en) 1995-07-19 2004-01-06 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same
JPH0936198A (ja) 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
TW371796B (en) * 1995-09-08 1999-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device
US5746565A (en) * 1996-01-22 1998-05-05 Integrated Solutions, Inc. Robotic wafer handler
KR100213439B1 (ko) * 1996-10-24 1999-08-02 윤종용 더미 웨이퍼를 사용하지 않는 웨이퍼상에 막형성 방법
US5943230A (en) * 1996-12-19 1999-08-24 Applied Materials, Inc. Computer-implemented inter-chamber synchronization in a multiple chamber substrate processing system
KR100246860B1 (ko) * 1997-01-14 2000-03-15 윤종용 스퍼터링장치의 웨이퍼 이송장치
US6239441B1 (en) 1997-01-20 2001-05-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device
KR100251274B1 (ko) * 1997-02-14 2000-04-15 윤종용 매엽식반도체시스템의시퀀스처리방법
JP3737604B2 (ja) * 1997-06-03 2006-01-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
CH692741A5 (de) * 1997-07-08 2002-10-15 Unaxis Trading Ltd C O Balzers Verfahren zur Herstellung in Vakuum oberflächenbehandelter Werkstücke und Vakuumbehandlungsanlage zu dessen Durchführung
US5882413A (en) * 1997-07-11 1999-03-16 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer
US6313469B1 (en) * 1998-03-13 2001-11-06 Ebara Corporation Substrate handling apparatus and ion implantation apparatus
JP2000150836A (ja) * 1998-11-06 2000-05-30 Canon Inc 試料の処理システム
TW484184B (en) * 1998-11-06 2002-04-21 Canon Kk Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
US6672358B2 (en) 1998-11-06 2004-01-06 Canon Kabushiki Kaisha Sample processing system
TW442891B (en) * 1998-11-17 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing system
US20020157691A1 (en) * 2000-03-29 2002-10-31 Sadayuki Wada Substrate transfer device
JP2002043229A (ja) * 2000-07-25 2002-02-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US6516244B1 (en) * 2000-08-25 2003-02-04 Wafermasters, Inc. Wafer alignment system and method
US6609877B1 (en) * 2000-10-04 2003-08-26 The Boc Group, Inc. Vacuum chamber load lock structure and article transport mechanism
US6591161B2 (en) 2001-01-31 2003-07-08 Wafermasters, Inc. Method for determining robot alignment
KR100781351B1 (ko) * 2001-04-02 2007-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 패턴 검사장치
JP4937459B2 (ja) * 2001-04-06 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 クラスタツールおよび搬送制御方法
JP2002353081A (ja) 2001-05-25 2002-12-06 Canon Inc 板部材の分離装置及び分離方法
JP2002353423A (ja) * 2001-05-25 2002-12-06 Canon Inc 板部材の分離装置及び処理方法
DE60214763T2 (de) * 2001-11-29 2007-09-06 Diamond Semiconductor Group LLC., Gloucester Waferhandhabungsvorrichtung und verfahren dafür
US6729824B2 (en) * 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
JP4070994B2 (ja) * 2001-12-20 2008-04-02 株式会社ダイヘン ワーク搬送用ロボット及びこのロボットを備えたワーク加工装置
JP2003264214A (ja) 2002-03-07 2003-09-19 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置及び真空処理方法
JP4040499B2 (ja) * 2003-03-06 2008-01-30 キヤノン株式会社 ロードロック室、処理システム及び処理方法
US6748293B1 (en) * 2003-03-24 2004-06-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Methods and apparatus for high speed object handling
US7010388B2 (en) * 2003-05-22 2006-03-07 Axcelis Technologies, Inc. Work-piece treatment system having load lock and buffer
TWI290901B (en) * 2003-06-23 2007-12-11 Au Optronics Corp Warehousing conveyor system
TW200532043A (en) * 2004-02-10 2005-10-01 Ulvac Inc Thin film forming apparatus
JP4281065B2 (ja) * 2004-10-18 2009-06-17 村田機械株式会社 搬送車システム
CN100591799C (zh) * 2005-06-15 2010-02-24 株式会社爱发科 成膜装置、薄膜的制造装置及成膜方法
US7949425B2 (en) * 2006-12-06 2011-05-24 Axcelis Technologies, Inc. High throughput wafer notch aligner
JP4546556B2 (ja) * 2008-04-18 2010-09-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び真空処理方法
JP5336885B2 (ja) 2009-03-03 2013-11-06 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
JP5249098B2 (ja) * 2009-03-17 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP5433290B2 (ja) * 2009-04-20 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板収納方法及び制御装置
JP5223778B2 (ja) * 2009-05-28 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5187274B2 (ja) 2009-05-28 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5101567B2 (ja) * 2009-06-23 2012-12-19 シャープ株式会社 搬送装置および搬送方法
JP5394969B2 (ja) * 2010-03-30 2014-01-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法
US9004788B2 (en) 2010-06-08 2015-04-14 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JP5348290B2 (ja) * 2012-07-17 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR101686032B1 (ko) * 2013-03-28 2016-12-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP6271322B2 (ja) * 2014-03-31 2018-01-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
US9378992B2 (en) 2014-06-27 2016-06-28 Axcelis Technologies, Inc. High throughput heated ion implantation system and method
US9607803B2 (en) 2015-08-04 2017-03-28 Axcelis Technologies, Inc. High throughput cooled ion implantation system and method
JP6598242B2 (ja) * 2015-08-19 2019-10-30 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置、および基板処理方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4433951A (en) * 1981-02-13 1984-02-28 Lam Research Corporation Modular loadlock
US4553069A (en) * 1984-01-05 1985-11-12 General Ionex Corporation Wafer holding apparatus for ion implantation
US5004924A (en) * 1985-01-28 1991-04-02 Tokyo Electron Limited Wafer transport apparatus for ion implantation apparatus
JPS6235513A (ja) * 1985-08-09 1987-02-16 Hitachi Ltd 分子線エピタキシ装置
US4700077A (en) * 1986-03-05 1987-10-13 Eaton Corporation Ion beam implanter control system
US4705951A (en) * 1986-04-17 1987-11-10 Varian Associates, Inc. Wafer processing system
US4745287A (en) * 1986-10-23 1988-05-17 Ionex/Hei Ion implantation with variable implant angle
US4831270A (en) * 1987-05-21 1989-05-16 Ion Implant Services Ion implantation apparatus
US4986715A (en) * 1988-07-13 1991-01-22 Tokyo Electron Limited Stock unit for storing carriers
US5064337A (en) * 1988-07-19 1991-11-12 Tokyo Electron Limited Handling apparatus for transferring carriers and a method of transferring carriers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100673006B1 (ko) * 2005-07-15 2007-01-24 삼성전자주식회사 이온 주입 장치
KR101530513B1 (ko) * 2006-12-06 2015-06-24 액셀리스 테크놀러지스, 인크. 고 생산성 직렬 웨이퍼 처리 엔드 스테이션

Also Published As

Publication number Publication date
US5248886A (en) 1993-09-28
DE69210290D1 (de) 1996-06-05
US5357115A (en) 1994-10-18
EP0502412A1 (en) 1992-09-09
EP0502412B1 (en) 1996-05-01
DE69210290T2 (de) 1996-10-02
KR920018827A (ko) 1992-10-22
JPH05275511A (ja) 1993-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0170411B1 (ko) 처리시스템
US5404894A (en) Conveyor apparatus
TWI442447B (zh) 高產量之處理成列晶圓的終端站及一種在離子植入系統內處理多個工件之方法
TWI408766B (zh) Vacuum processing device
JP2905857B2 (ja) 縦型処理装置
US7059817B2 (en) Wafer handling apparatus and method
US6790286B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2010512026A (ja) 高生産性ウエハノッチアライメント装置
TW201123340A (en) Vacuum processing system and vacuum processing method of semiconductor processing substrate
TW202247318A (zh) 用於支持多個半導體處理模組或腔室的模組化主機佈局
JP2010283334A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JPH0294647A (ja) ウェーハ処理装置
JP3380570B2 (ja) 搬送装置
JPH1092900A (ja) 真空処理装置
JPH098094A (ja) 真空処理装置
JPH06349931A (ja) 処理システム
JPH08181183A (ja) 試料の搬送装置
JPH10189685A (ja) 基板処理装置
JP2992571B2 (ja) バッチ処理方法及びバッチ処理装置
JP3665716B2 (ja) 処理システム
JP2001035904A (ja) ロードロック装置およびウェハ搬送システム
JP2004221610A (ja) 半導体処理装置
KR20120117316A (ko) 기판처리장치
JP2570580Y2 (ja) ウェーハ処理装置
KR20230037990A (ko) Efem을 포함하는 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101012

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee