JPH0419303B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、インライン式のスパツタリング装置
や蒸着装置等のインライン式成膜装置に関する。

（従来の技術） 従来、前記のようなインライン式成膜装置は、
基本的には仕込室、成膜室及び取出室の３室を仕
切バルブを介して連設した構成を備えるものが一
般である。こうしたインライン式の装置は、成膜
室内を大気にさらさないこと、仕込室に於いて基
板又は基板を取付けした治具の脱ガスや加熱等の
前処理を行なえるので成膜室の雰囲気が悪くなら
ないこと、及びバツチ式の装置に較べて作業者一
人当りの生産量が大きいことなどの利点があるの
で生産装置として多用されている。インライン式
の装置として、連続式インライン装置と、ストツ
カー式インライン装置とが知られている。前者の
ものは、第１図示のように基板又は基板を取付け
た治具ａを一枚ずつ大気中より仕込室ｂに導入し
て真空状態としたのち成膜室ｃに移送して処理さ
れる。また後者のものは、第２図示のように、仕
込室ｂに複数の基板ａを導入して真空状態とし、
各基板ａを一つずつ仕込室ｂから成膜室ｃへと送
り、その全数の処理が終えて取出室ｄにたまつた
時点で大気中へ取出される。

（発明が解決しようとする問題点） 該基板ａがプラスチツクの場合、真空中には主
としてH₂Oからなるガスを非常に多く放出する
ので、そのガス成分が膜中に混入する等の不都合
が生ずる。この放出ガスは予め仕込室に於いて脱
ガスを充分に行なうことにより防止出来る。

しかし乍ら、連続式のインライン装置では、脱
ガスを充分に行なおうとすると仕込室に於ける滞
在時間が長くなり、それによつてタクト時間即ち
処理された基板が該装置から取出される時間間隔
が長くなつて好ましくない。このタクト時間は基
板が仕込室に取込まれ、仕込室に滞在し、成膜室
に送り込まれ、次の基板が取込まれるまでの時間
間隔でもあり、このタクト時間が短い程生産性の
良い連続式インライン装置であると言える。

また、この脱ガスのために滞在時間を長くすれ
ば、それに合わせて成膜室ｄでの滞留時間も長く
する必要があるため最適の成膜時間を得にくい。
更にストツカー式のインライン装置に於いても、
脱ガスを充分に行なおうとすると、基板ａの全数
が処理されるに要する時間即ちバツチ時間が長び
き、生産性が悪くなる。またストツカー式のもの
は一度に多数の基板ａを仕込み、脱ガスするが、
最初に成膜処理される基板ａと最後に処理される
基板ａとでは脱ガス時間に差が生じてしまうので
１バツチ内で脱ガス効果の異なる製品が生じ、品
質安定性が欠如する。

こうした欠点の改良のために、連続式のインラ
イン装置に於いて、仕込室ｂの次に脱ガス室を設
けることが考えられるが、タクト時間を長くしな
いで脱ガス時間を長くするには、脱ガス室を長く
する必要があり、スペース及び設備的にデメリツ
トとなる。例えば１時間脱ガスするには、タクト
時間を２分とすると、脱ガス室の長さは、基板の
長さの30倍以上必要となる。

本発明はインライン装置の前記利点を損わずに
プラスチツク等の放出ガスの多い基板ａの脱ガス
を充分に行なえる生産性の良い成膜装置をを提供
することを目的とするものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明では、スパツタリング等の成膜処理が施
される基板を外部から取込む仕込室と、該基板に
成膜処理を施す成膜室及び成膜処理された基板を
外部へ取出す取出室を備え、該成膜室の内部で基
板がその板面を搬送方向の側方に向けて搬送され
るようにした装置に於いて、該成膜室の前方に該
成膜室の基板搬送方向に対して略垂直方向に脱ガ
ス室を連設し、該脱ガス室の端部に該仕込室を接
続して設け、該脱ガス室内に該基板の板面を前方
に向けて搬送する搬送装置を設けて前項の問題点
を解決するようにした。

（作 用） 該仕込室には外部から基板が搬送装置により送
り込まれ、該仕込室内が真空状態となると脱ガス
室へ送られる。

脱ガス室内で基板は搬送装置により成膜室へと
送られ、その間に脱ガスされ、成膜室に於いて例
えばスパツタリングによる成膜処理が終ると取出
室を介して外部へと取出される。

該脱ガス室に於いては、基板が板面を前方に向
けて搬送装置により移送されるのでスペース的に
小さく脱ガス室を構成出来、脱ガスを充分行ない
ながらもタクト時間を長くする必要がなく、最適
のタクト時間を取ることが出来る。

（実施例） 本発明の実施例を図面第３図につき説明する
と、同図はスパツタリングにより成膜する実施例
の側面図を示し、符号１は表面に成膜処理が施さ
れる基板、２は外部から未処理の基板１を仕切バ
ルブ３を開いて取込む密閉の仕込室、４は該仕込
室２内を真空ポンプで排気するための排気口であ
る。

基板１はベルトコンベアやローラー搬送による
手段により外部から仕込室２に水平にして搬送さ
れ、該仕込室２内が真空状態になると更に仕切バ
ルブ５を介して脱ガス室６に同様の搬送手段によ
り送り込まれる。７はスパツタカソード８を備え
た成膜室、９は真空ポンプに接続される排気口
で、該成膜室７内へ脱ガス室６からスリツト１０
を介して水平に基板１が搬入される。該成膜室７
内には、該基板１を水平即ち成膜されるべき板面
を搬送方向の側方へ向けた状態で搬送するコンベ
アが設けられ、該スリツト１０から取出室１１の
仕切バルブ１２を介して送り出されるまでの間に
該基板１にはスパツタリングにより成膜処理され
る。

脱ガス室６は成膜室７の前方に垂直方向に接続
して設けられ、図示の例では成膜室７に対して上
下の垂直方向に脱ガス室６を接続し、仕込室２を
該脱ガス室６の下端側方に接続して設けるように
した。該脱ガス室６内には仕込室２から水平に送
り込まれる基板１をそのまま受取り、基板１の板
面を前方に向けて上方へ移送するエンドレス形の
搬送装置が設けられる。

１３は脱ガス室６に於いて基板１から放出され
る多量の放出ガスを排気する排気口で、これには
大容量の高真空ポンプを接続して高速排気を行な
えるようにし、成膜室７からスリツト１０を介し
て脱ガス室６へと気体を流すことによつて成膜室
７内が基板１からの放出ガスで汚染されないよう
にした。

１４は取出室１１から仕切バルブ１５を介して
大気圧の外部に搬出された処理済みの基板１を水
平状態のまま下降させるリターン搬送装置、１７
は該リターン用搬送装置１４に連続して設けられ
た水平移送用のリターン搬送装置で、処理済の基
板１は未処理の基板との交換を行なうステーシヨ
ン１６へと運ばれる。

第３図示の装置に於いて、未処理の基板１は一
枚ずつ仕込室２に送り込まれ、その内部が真空状
態になると脱ガス室６へ仕切バルブ５を介して順
次送り込まれる。該脱ガス室６内の搬送装置は逐
次送り込まれる基板１を受け取り、その板面を進
行方向に向けて搬送し、成膜室７の前方に達する
とスリツト１０を介してその室内へ送り込まれ、
スパツタリングにより成膜を終えた基板１から順
に取出室１１に送り出される。該取出室１１はそ
の内部が真空状態のときに基板１を仕切バルブ１
２を開いて受け入れ、仕切バルブ１２を閉じて内
部を大気圧としたのちリターン搬送装置１４，１
７へ仕切バルブ１５を介して送り出され、ステー
シヨン１６に戻される。

脱ガス室６内に設けられる搬送装置は、例えば
第４図のように、基板１の両側に夫々２種類の櫛
歯状のラツク１８，１９を設け、１対のラツク１
８，１８は上下及び前後に往復動自在であり、他
のラツク１９は前後にのみ往復動自在として構成
され、ラツク１９が基板１に嵌合するときはラツ
ク１８が基板１から外れるように移動し、ラツク
１８が基板１に嵌合してラツク１９が基板１より
離れたとき該ラツク１８は上昇して基板１を持ち
上げる。そして再びラツク１９が基板１に嵌合す
るとラツク１８が基板１から離れると共に下降す
る。これを繰返すことにより複数板の基板１を次
第に上方に搬送し、最上段に達すると押し出され
て、処理室７内に送り込まれる。搬送装置１４も
これと同構造に構成してもよい。

成膜室７のスパツタ装置に代え蒸着装置を設備
するようにしてもよい。

また本発明の装置を第３図が平面図であるよう
に構成することも可能であり、この場合には基板
１を垂直に立てて搬送するように、第５図示のよ
うな水平往復動自在の１対の櫛歯状のラツク２
０，２０とその中間の昇降自在のこれと同形のラ
ツク２１とで構成した搬送装置を使用し、ラツク
２０，２０が基板を前方に所定ピツチだけ移動中
はラツク２１は下方に退去し、該ラツク２０が上
昇して基板１を保持するとその間にラツク２０，
２０が後方移動し、ラツク２１が下降して基板１
がラツク２０，２０に保持させる作動を繰返すこ
とにより基板１を搬送する。

（発明の効果） 以上のように本発明に於ては、成膜室に対して
垂直方向の脱ガス室を設け、その内部に基板の板
面を前方に向けて搬送する搬送装置を設けるよう
にしたので、脱ガス室を設けたことによる成膜装
置のスペースの増大を抑制出来、仕込室から成膜
室まで各基板の脱ガス時間を一定にして移送出来
るので基板を同一条件で処理し得る。また開閉の
回数の多い仕込室を脱ガスのために高真空にする
必要がなく、仕込室の排気時間が短くなるため基
板の仕込み時間の間隔を短く出来、タクト時間が
従来装置よりも短縮され、例えば光磁気デイスク
や光デイスクのような、その基板からの放出ガス
が多くしかもその放出ガスにより膜質が悪くなり
易い希土類を含んだ物質、Alなどの膜を形成し
た製品の品質を安定させ大量生産する場合に好都
合である。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来例の截断側面図、第３
図は本発明の実施例の截断側面図、第４図及び第
５図は搬送装置の斜視図である。 １…基板、２…仕込室、６…脱ガス室、７…成
膜室、１１…取出室。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ スパツタリング等の成膜処理が施される基板
   を外部から取込む仕込室と、該基板に成膜処理を
   施す成膜室及び成膜処理された基板を外部へ取出
   す取出室を備え、該成膜室の内部で基板がその板
   面を搬送方向の側方に向けて搬送されるようにし
   た装置に於いて、該成膜室の前方に該成膜室の基
   板搬送方向に対して略垂直方向に脱ガス室を連設
   し、該脱ガス室の端部に該仕込室を接続して設
   け、該脱ガス室内に該基板の板面を前方に向けて
   搬送する搬送装置を設けて成るインライン式成膜
   装置。