JPS5814341A - デイスク等の被処理物のメタライジング装置におけるパレツト・ガイド機構 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特に光学的なビヂイオ・ディスク等の反射膜
を形成する場合に最適に採用できるディスク等の被処理
物のメタライジング族−におけるパレット・ガイド機構
に関する。

近時、レコー′ド再生系に代わる新しい形態としてビデ
ィオ・ディスク再生系が注目視されつつある。

ところでビディオ・ディスク・システムとしてはディス
ク番こ記録された信号を再生する場合の相違から、ディ
スクに直接、ピックアップが接触することによってディ
スクに記録された信号を再生する接触式と、ディスクに
直接、ピンクアップが接触しないで信号を再生する非接
触式とがある。

前者にはディスクに信号瀦を形成して、この溝の電極の
付いたスタイラスで追従することにより静電容量変化を
とられる溝付静電容量方式によるもの、又は複数のビッ
ト列が信号としてディスクの表面にうず巻状に形成され
、このビット列を電極の付いたスタイラスで追従してそ
の静電容量炭化をとらえる溝なし静電容量方式によるも
の等があり、後者にはディスクに記録されたうず巻状の
ビット列に例えば半導体レーザを照射してその反射光を
読み取る光学式ビディオ・ディスク方式に代表される。

ところが光学式ビディオ・ディスク・システムにおける
ディスクは通常、ディスク表面にはピットは形成されて
いない、即ち透明なプラスチック、例１４ｆ透過牢の高
いアクリル樹脂や塩化ビニール樹脂を用いて、インジェ
クシーン或いはコンブレッジ■ン等の方法でプラスチッ
ク成型することにより表面にピットが形成されたディス
ク製作基板を先ず成型し、次いで半導体レーザを照射し
た場合の反射効率を向上するために、ディスク製作基板
の表面に、例えばアルミニウムの反射１１をピット形状
を崩さずに極く薄く形成し、さらにその表面に透明なプ
ラスチック保護層を形成することによって製造される０
両面ディスクにおいては一般にこのようにして製造され
た片面ディスクを背中合わせに接着することによって形
成されている。

ところで上記反射膜を形成するのには、化学めっき法、
電気めっき法、蒸着法、スパッタリング法等が考えられ
るが、公ｉを考慮した点とピット形状を崩さぜずに反射
効率を向上させるために、蒸着法、スパッタリング法が
普及しつつある。

蒸着法、スパッタリング法を実施するのには、気密性と
公害面とを考慮して真空室を必要とし、これには従来、
行われているものとしてパッチ法と半連続法とがある。

パッチ法とは第１図に示すように、例えば真空ベルジャ
Ａ内にディスク製作基板２を放射状に数段、配置してか
らドアパルプＢを閉め、その後、真空ポンプ等を用いて
前記ベルジャＡ内を排気し、真空にした後にアルミニウ
ム等の処理金属３Ｂを加熱することによって気化し、被
処理物としてのディスク製作基板２にアルミニウムを蒸
着させる方法をいう。

しかし蒸着法においては、メタライソングを行う毎に被
処理物を真空ベルジャＡ内に入れたり出したりするのに
ドアＢを開かなければならないので真空ベルジャＡの気
密性が維持できず、真空ベルジャＡ内を再び真空にする
ために時間がかかること、および被処理物″□を真空ベ
ルジャＡ内に運んだリセットするのに手間がかかること
から生産能率が悪く、コスト高になっていた。

他面、半連続法とは、第２図に示すように、気密な維持
するためのドア付の室Ｃ，Ｅを、中間に位置するメタラ
イジング室りの前後にパルプＦ。

Ｇを介して連続して設け、そして前記室Ｃ内にストック
されている被処理物としてのディスク製作基板を用いて
メタライジング室り内に順次、搬送し、メタライジング
室り内においてアルミニウム等の処理金属３Ｂを気化す
る等して被処理物としてのディスク製作基板２にアルミ
ニウムを蒸着させる。そして開いているパルプＧを通っ
て室Ｅ内に処理後の被処理物を搬送し、それからパルプ
Ｆ、Ｇを閉じ、前記室Ｃ，Ｅのドアを開き、室Ｃには未
処理のディスク製作基、板２を皐り入れ、他面、室Ｅか
ら処理後のディスク製作基板２を取り出す方法である。

しかし、半連続法は、被処理物としてのディスク製作基
＠２にメタライジングを行うのに被処理物が、室Ｃ，メ
タライジノグ室Ｄ１室Ｅへと順次移動することになるか
ら、第２図に示すようにメタライジング室り内にローラ
コンベアＨ等の搬送手段を設けなければならず、しかも
１バフチ内では連続となるが、パッチ間では不連続とな
る。従ってローラコンベアＨの駆動力の信頓性を維持す
るのに特別のグリスやメッキを施こさなければならなか
った。また、室Ｃ，メタライジング室Ｄ１室Ｅの真空状
態を維持するのにパルプＦ、Ｇが必要となり、不連続時
間を短縮するには、真空ポンプも大容量となる。

このため、設備費がかかるとともにパッチ式同様に処理
時間がかかり、コスト高となっていた。

本発明は上述の如き点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、縦型にしかも連続した直線状に
配置されたパレットを順次、連袂して搬送させるのに上
下に平行配置された搬送機構部に対し、その左右に直交
して配置された昇降機構部における昇降又は降下動作と
協同して前記パレットを循環させて、該パレットに装着
されたディスク等の被処理物にメタライジどグを行う場
合に、搬送機構部から搬送されて来゛るパレットの搬送
を規制するとともに前記昇降機構部におけるパレットの
上昇又は降下をガイドして適正な動作が行えるようにし
たディスク等の被処理物のメタライジング装置における
パレット・ガイド機構を提供するのにある。

以下本発明の詳細を第３図乃至第１３図に従い、ディス
ク等の被処理物のメタライジング装置全体に組込んだ場
合につき説明する。

本発明は基本的には以下に示す幾つかの機構部から構成
される。

即ち縦型に連続配置されて順次ｌ循環するように搬送さ
れるとともにメタライジングすべき被処理物をその両側
に着脱自在に取付けるためのバレッ）１と、該パレット
１に装着されたディスク製作基板２等の被処理物をメタ
ライジング室３を含む数個の真空室にて形成される連袂
処理機構部４に数個を１ブロツクとして連続的に又は間
歇的に搬送させたり又は該連続処理機構ＷＩｋ４から処
理後の被処理物を搬送させるため、に上下対向して配置
されそれぞれ逆向きにパレット１が搬送される搬送機構
部５，５′と、該搬送機構部５，５′に対りづつ上昇又
ｉｔ降下させるための昇降機構部６゜６′　と、昇降機
構部６，６′と協同して前記搬送機構部５，５′から送
られて来るパレット１を停止するとともに数個で１ブロ
ツクを形成するパレット１を昇降機構部６，６′で上昇
又は降下させる場合のガイド機構部７，７′　とから形
成される。

複数台の成型機において成型された被処理物が、１つの
前記連続処理機構部５において処理される場合、一定１
１ｓ毎にパレット１に被処理物を選別して装着したり或
いは処理後に被処理物をパレットｌから取外すための選
別処理機構部８とで形成される。

その表面にアルミニウム等の金属がメタライジングされ
るべき被処理としての前記ディスク製作基板２は例えば
半導体レーザ等の透過率が高い透明なアクリル樹脂や塩
化ビニール樹脂を用いてコンプレッシーンやインジェク
シ纏ンによって成型される。

又前記バレッ）１は被処理物としてのディスク製作基板
２を例えば前後両側面にｌ１Ｉｔ！に着脱自在に装着し
て、連続して配置された後記入口側予備真空室９、イオ
ン洗浄室ｌＯ１高真空室１１１メタライジング室３、出
口側予備真空室１２．１３の各真空室内に連袂又４１間
欠的に搬送され、しかも、このパルフ）１は軸長方向の
前後両側面にディスク製作基板２が装着される凹面部Ｉ
Ａ、ＩＡがその大部分を占めるように形成され、さらに
進行方向に対して直交方向の断面形状が後記入口側予備
真空室９、イオン洗浄室ｌＯ１高真空室１１、メタライ
ジング室３、出口側予備真空室１２　、１３の各真空室
内に設けた通路と１ｌＩａ＋形状のシーリング用膨出部
ＩＢ、ＩＢを前記凹面部ＩＡ、ＬＡと。

連設している。

なおパルフ）１は、第６図に示すように、両面に凹面部
ＩＡ、ＩＡが形成されるとともに前後゛両端にシーリン
グ用膨出部ＩＢ、ＩＢ；ＩＢ、ＩＢを設けたもの、また
第７図および第８図に示すように片面のみにディスク製
作基板装置用の凹面部１Ａを設け、シーリング用膨出部
ＩＢを後端又番ま前後両端に設ける等、種々のものが考
えられる。

前記搬送機構部５，５′は例えばローラコンベア、チェ
ンコンベア、ベルトコンベアの上にノずレットｌを乗せ
るとともに前記ノ寸レット１の上下縁をガイド枠１４　
、１４１こて摺動自在に支持し、しかも連続処理機構部
４の外部に設けられ、直線状駆動機構としての油圧シリ
ンダ１５の受圧により連続して直線的に配列された数個
のノ寸レット１を順次メタライジング室３を含む数個の
真空室１こて形成される連袂処！機構部４に押込むもの
である。

前記連続処理機構部４は、入口側予備真空室９、イオン
洗浄室１０、高真空室１１、メタライジング室３、出口
側予備真空室１２，１３力１ら威る複数側の真空室間は
連絡通路１６，１７，１８，１９．２０によって連続し
て接続される。しかも前記入口側予備真空室９と出口側
予備真空室１３のそれぞれの入口側および出口側にはム
ロ側通路２ｉ出ロ側通路２２、および前記連絡通路１６
．１７．１Ｂ、１９，２０の、パレ・ノド１の進行方向
１こ対する直交方向の断面形状は、パレット１のシーリ
ング用膨出部ＩＢ、ＩＢが接触して搬送方向に位置する
通路および之に通ずる真空室をシーリングして真空状態
にするためにシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢの断面形状
と酷領形状で僅かに大きく形状されている。また入口側
予備真空室９、イオン洗浄室ｌＯ１高真空室１１、メタ
ライジング３、出口側予備真空室１２．１３は真空ポン
プ（図示せず）等に接続されて該真空室内を真空にする
ための排気口９Ａ、ＩＯＡ、１１Ａ、３Ａ、１２Ａ、１
３Ａが形成されている−　１０Ｂｌ　、１０Ｂ＊はイオ
ン洗浄室１０内に設けられた１対のイオン洗浄電極、３
Ｂは前記メタライジング室３内に配置された処理金属、
例えばアルミニウムである。

前記昇降機構部６，６′は、チェン駆動用のモータ２３
と、該モータ２３のモータシャツ）２３Ａにプーリ、無
端ベルト２４、減速機２５等を用いて連結された上側の
左右１対辺スプロケッ）２６．２６゛と、下−の左右の
スプロケフ）２７．２７との間に回転自在に架設された
左右１対のチ異ン２８．２８と、このチェン２８，２８
との間に上下対向して三段（片面のみ三段、前後面だと
大股）に架設されたガイド枠２９，２９．２９，２９；
２９．２９と、下段の又は上段のガイド枠２９゜２９内
に挿入されたパレット１，１の有無を検出して搬送機構
部６，６′における油圧シリンダ１５．１５を駆動させ
るセンサーＳ＋−５ｔ　とで形成される。

また前記選別処理機構部８はコンブレラシーン、インジ
、クシ暑ン等、複数台の成型Ｗａ（図示せず）において
形成されたディスク製作基板２等の被処理物が１つの連
続処理機構部４において処理される場合、特定のバレン
）１に対して一定種類毎に選別された被処理物がパレッ
ト１の搬送方向に対して特定の位置、例えば任意のパレ
ット１を１番目にすると１番目と３番目のパレット１，
１の左右に２１１づつ、合計４個設けられた供給用選別
機８Ａｌ　、８Ａ＊　　；　８Ａ３　．８Ａ４　と、連
続処理機構部４において自処理ざ゛れた一定種類毎のデ
ィスク製作基板２，２；２，２をパレット１，１から一
定種類毎に取り出すための排出用選別機８Ｂ＋、８Ｂ＊
　　；　８Ｂａ　　−８８４とで形成される。

さらに前記ガイド機構部７，７′は昇降機構部６．６′
の上下のガイド枠２９，２９の軸長方向に対し直交して
数個のガイドローラ３０を保持枠３１を介して支柱３２
．３２に固定するとともにこのうち少なくとも１つの保
持枠３１は支柱３２に対してピン３３を用いて枢着され
、しかも該枢着部にピン３３に対してその先端が押付け
られるように螺入された螺子３４をｉめることにより開
閉可能に形成される。

本発明の一実施例は上述のような構成からなるものであ
り、被処理物とし′てのアクリル樹脂のような透明度の
高いプラスチックにてうず巻状のビットを表面に成型さ
れたディスク製作基板２を搬送機構部５′において縦型
に連続して搬送して来る（第３図において矢印イ方向）
バレン）１の特定位置、例えば任意のパレット１を１番
目にすると１番目と３番目（パレット１を２枚で１ブロ
ツクにするから）のバレン）１．１の左右に２個づつ、
合計４個、配置されたそれぞれの供給用選別機８ｊ’ｌ
　、’８Ａ＊　　＋８Ａ３　．８Ａ４から供給すること
により１番目と３番目のバレン）１．ｌの両面に形成さ
れた凹面部ＩＡ、ＩＡ；　ＩＡ、ＩＡに装着する。この
場合、４個の供給用選別機８Ａ＋−８Ａ２　：　８Ａｓ
　＊　８Ａ４から供給されて来るディスク製作基板２の
種類が同じであれば先行するバレン）１と之に後続のパ
レット１の左右の凹面部ＩＡ、ＩＡ；　ＩＡ、ＩＡの両
側に同種類のディスク製作基板２，２１．２が装着され
るが、４個の供給用選別機８Ａ皿　、８Ａｅ　　；　８
．Ａ３．８Ａ、から供給されて来るディスク製作基板２
０種類がそれぞれ興？Ｊれば先行するパレット１と之に
後続のバレン）１の左右のそれぞれの一凹面部Ｉ　Ａ　
ｔＩＡ；　ＩＡ、ＩＡの両側にそれぞれ種類の興ったデ
ィスク製作基板２．２＋２．２を装着できる。

しかもこの場合凹面部ＩＡ、ＩＡにはディスク製作基板
２，２の中心に設けたスピンドル挿通孔２Ａ、２Ａ内に
挿通されるスピンドルＩＡＩ、ＩＡｌが挿入されること
により容易にディスク製作基板２，２をバレン）１に装
着できる。

そして先ず搬送機構部１５の油圧シリンダ１５等の連続
的又は間欠的な受圧を受けて、ディスク製作基板２．２
を装着し且つ連続して配電されたパレット１は後続する
ものに押圧されることによって連続処理機４１１部４の
入口便通１ａ２１内に押込まれていく。入口便通ａ２１
の断面形状はパレット１の連行方向に対して直交方向の
断面形状と酷似形状で僅かに大きく形成されているので
パレットｌが入口側通路２１内に押込まれていくに従い
バレン）１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢが入口側通
路２１の内壁に接触して閉塞する。従って入口便通Ｒ２
１に通ずる入口側予備真空室９は真空ポンプ（図示せず
）等で排気され真空状態となる。この場合、１つのバレ
ンＦ１が入口側真空予備室９内に完全収容されると、後
続のパレット１のシーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢが入口
側通路２１を閉塞するので入口側真空予備室９は常時、
真空状態となる。

次にパレット１のシーリング用膨出１１Ｂ、１路１Ｂに
シーリング用膨出部ＩＢ、ＩＢが接触しながら気密を維
持してパレット１は順次イオン洗浄室１０内に搬送され
る。従って、イオン洗浄室１０内に搬送されたパレット
１に装着されているディスク製作基板２，２は特定ガス
を流入しながら真空排気されている定真空下においてイ
オン洗浄電極１０Ｂ＋　　−１０Ｂ２間に高電圧を印加
することによってイオン洗浄される。この場合、通路１
６内には＆Ｍのパレット１のシーリング用膨出部ＩＢ、
ＩＢが接触し、しかも真空ポンプ（図示せず）にて排気
されているからイオン洗浄室１０内は真空状筋を維持し
てイオン洗浄が速やかに行われるとともに後記の処理金
属のメタライジング効果を高めることができる。

その後、最初のパレット１は通路１７から高真空室ｌｌ
内に搬送されてくる。この高真空室１１においては真空
ポンプ（図示せず）等を用いて排気がされるとともに通
路′１７内は＆統のパレット１のシーリング用膨出部Ｉ
Ｂ、ＩＢが接触して閉塞され、さらには大気と接する入
口側通路２１から入口側予備真空室９、イオン洗浄室１
０と２つの真空室を経ているから高真空室１１は高真空
状態になっている。

ここにおいてディスク製作基板２が高真空室を通過する
ことはそのディスク製作基板２の表面付着ガスを除きで
きる作用があり、後記のメタライジング効１′をさらに
高めることができるからである。

更に、最初のパレット１は通路１８を経てメタ　□ライ
ジング室３内に搬送されて来る。このメタライジング３
内は、前部に通路１８を介して前記高真空室１１が、ま
た後部には通路１９．２０を経て２つの出口側予備真空
室１２．１３が連続して設けられ、そのうえそれぞれ真
空ポンプ（図示せず）によって排気が行われているから
、前記高真、　　空室１１と同様、高真空となっている
。

次に、この高真空下でのメタライジング室３内に不活性
ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）を送入して、同雰囲気の
下に高電圧又は高周波電圧が処理金属、たとえばアルミ
ニウム３Ｂに印加される等スパッタリングにより処理金
属の薄膜がディスク製作基板２，２に形成できる。この
場合、アル旬ニウムの膿の厚さはｓｏｏλ〜２０００Ａ
程度であり、ディスク製作基板２，２０表面に形成され
た信号としてのピット列の形状はアルミニウム膿によっ
て埋められて形状が崩れることはない。

メタライジング室３においてスパッタリングによりメタ
ライジングされたディスク製作基板２゜２は通路１９，
２０を介して接続されている２つの出口側予備真空室１
２，１３を経て出口側通路２２からパレット１とともに
搬送されることにより被処理物としてのディスク製作基
板２のメタライジングが完了する。この場合、メタライ
ジング室３に通ずる２つの通路１９．２０には後続のパ
レット１，１のシーリング用膨出ＩＩＩＢ、ＩＢ；ＩＢ
、ＩＢが接触して閉塞されるため、また出口側通路２２
には先行するパレット１のシーリング用膨出部ＩＢ、Ｉ
Ｂが接触しているため、出口、側予働真空室１２．１３
の排気を行えば、この出口側予倫真空室１２．１３を真
空状筋に維持できるとともにメタライジング室３を高真
空に繰持できる。なお、上記メタライジング室３での被
処理物のメタライジングをスパッタリングによって行う
ように説明したけれども、その他、真空蒸着によっても
メタライジングが行える。

この場合、従来の半連袂法のようにメタライジング室３
を仕切る特別のパルプを設けなくてもパレット１と之が
通り抜ける通路２１，１６，１７．１８，１９，２０．
２２によって連続して設けた数個の真空室内を真空雰囲
気にできるから被処理物としてのディスク製作基板２を
大気中からこれらの真空室内をパレット１を縦型に用い
て順次搬送するだけで多量のディスク製作基板２をメタ
ライジングすることができる。

連続処理機構部４においてメタライジングされたディス
ク製作基板２，２はパレット１に取付けられてそのまま
数個（図面では２個）を１ブロツクとして連続処理機構
部４から後続の昇降機構部６′の左右１対のチ墨ン２８
．２８間に上下対向して三段に架設されたガイド枠２９
，２９ｉ２９．２９：２９，２９のうち最下段のガイド
枠２９．２９内に挿入されていく。そしてガイド枠２９
．２９内に例えば２個のパルプ）１．１が１ブロツクと
しｔ挿入されたことをセンサーＳ２が感知すると、モー
タ２３が作動することによってスプロケット２６が駆動
するのでチェ２２８．２８が回転駆動する。従って数個
で１ブロツク毎のパレット１，１は下段から中段へ、さ
らに中段から上段へと上昇する。バレフ）１．１が最上
段に上昇されたことを最上部に配置したセンサーＳ３に
て感知すると、モータ２３の回転駆動が停止するのでチ
ェ２２８，２８の回転は止まる。従ってパレット１，１
の左右に装着し、メタライジングされたディスク製作基
板２，２；２，２は排出用選別機８Ｂ＋　　、８Ｂ＊　
　；８Ｂａ　　、８Ｂ４にて一定種類毎に区分けされて
バレソ）１．１から取り外される。

次にシーケンス制御等により油圧シリンダ１５が駆動す
ると、この油圧シリンダ１５のピストンロフトの先端に
固着されたガイドローラ３０を介して数個（図面では２
個）で１ブロツクのノ寸レット１．ｌは押圧され、上方
の搬送機構部５のローラコンベア上に送り出される。そ
して後続のノでレット１が先行するパレットｌを順次、
押圧することによりパレット１はローラコンベア上を搬
送する。

このようにして空になったパレット１が順次、ローラコ
ンベア上に搬送されてくるが、この実施例ではパレット
１．１は２個で１ブロツクを形成し且つパレット１，１
は縦型に搬送されて左右両面に被処理物としてのディス
ク製作基板２を装着すべき凹面部ＩＡ、ＩＡ；　ＩＡ、
ＩＡを形成しているから、パレット１，１の搬送方向番
こ対して左右２個づつ、合計４個、特定の位置、例え＆
！先行するイｆレット１に対して１対の供給用選別機８
Ａ１．８Ａ＊を搬送方向の左右の両側に対向して配置し
、また後行のパレ・ノＨに対して１対の供給用選別機８
　Ａｌ　　、８　Ａ４をそれから先行するノくレット位
−から４番目の位置における左右側１こ対向して設けれ
ば、２個で１ブロツクのパレット１．１に対して特定の
種類のディスク製作基板２゜２；２，２を両側に装着で
きることになる。

このようにして左右両面にディスク製作基板２．２；２
．２を装着した２個で１ブロツクを形成するパレット１
，１が昇降機構部６に搬送されてくると、センサラ−Ｓ
４で之を感知することによりモータ２３が駆動する。従
ってチェ２２８゜２８間に上下に架設されたガイド枠２
９，２９内に挿入、保持された２個で１ブロツクのパレ
・ノド１．１はディスク製作基板２，２；２，２を保持
した状態で、上段から中段、中段から下段へと順次降下
することによって１循環する。そして最初に述べた如く
シリンダ１５等２個づつ搬送機構部５へ押出されて空に
なったガイド枠２９，２９４ｔチュン２８，２８がモー
タ２３により回転されるのにつれて下段から上段へと移
動し、次回に、パレット１，１が挿入されて来るのに備
える。

また昇降機構部６，６′の上下のガイド枠２９．２９の
延長方向に対し直交にガイド機構部７゜７′のがイドロ
ーラ３０が数個づつ保持枠３１を介して支柱３２．３２
に固定されているので、搬送機構部５，５′から搬送さ
れて来るバレッ）１はこのガイドローラ３０に衝突する
ことにより搬送が規制され、しかも昇降機構部６，６′
で上昇又は降下される場合に、ガイドされるため喝れを
生ぜずに円滑に上昇又は降下する。しかも連続処理機構
部４のメタライジング室３でディスク製作基板２に長期
にわたりメタライジングすると、バレッ）１の両面に積
層される処理金属の膜厚や、カスが付着することによっ
てパレットｌが入口側通路２１、通路１６．１？、１８
，１９，２０出口側通路２２内に搬送されて各真空室内
のシーリング作用に邪魔となって鋼洩を生じたり、パレ
ット１の搬送速度を遅くする等の支障を生ずる。したが
って螺子３４を緩めてピン３３を中心に保持枠３１を開
くことにより昇降機構部６の上下の保持枠２９．２９内
からパレット１を抜き出して処理金属を落し、掃除を行
゛□う。

本発明は上述のように、縦型にしかも連続した直線状に
配置されたパレットを順次、連続して搬送させるのに上
下に平行配冒した搬送機構部に一対し、その左右に直交
して配置された昇降機構部の外（１１に数個のガイドロ
ーラを上下方向に列設した構造としているから、パレッ
トが搬送機構部から搬送して来ると之を規制し、しかも
前記昇降機構部における上昇又は降下を陽動なく適正に
行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来のメタライジング法としての
バッジ法と半連袂法を示す断面図、第３図は装置の全景
を示す側面図、第４図は同じ（本発明の一部を構成する
連続処理機構部における原理を示す説明用の水平断面図
、第５図は同じくパレットとディスク製作基板と、通路
とを示す斜面図、第６図乃至第８図は同じくパレットの
いくつかの変形例を示す斜面図、第９図は本発明の一実
施例を示す側面図、第１−０図は同じく平面図、第１１
図は同じく部分横断平面図、第１２図は他の機構部とし
ての選別処理機構部を示す平面図、第１３図は同じくそ
の使用状態を示す説明図である。 タライジング室、４・・・連続処理機構部、５，５′・
・・搬送機構部、６，６′・・・昇降機構部、７，７′
・・・ガイド機構部、９・・・入口側予備真空室、１１
・・・高真空室、１２．１３・・・出口側予備真空室、
２３・・・モータ、２４・・・無端ベルト、２５・・・
減速機、２６．２７・・・スプロケット、２８・・・チ
ェノ、２９・・・ガイド枠、３０・・・ガイドローラ、
３１・・・保持枠、３３・・・ピン、３４・・・螺子。 特許出願人　　パイオニア株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. バレッＦを縦型に用いて搬送させるように上下に平行配
   置された搬送機構部と、該搬送機構部の左右に直交して
   配置された昇降機構部における上昇又は降下動作と協同
   して前記パレットを循環させて該パレットに装着された
   ディスク等の被処理物にメタライジングを行う、ディス
   ク等の被処理物のメタライジング装置において、前記昇
   降機構部の外側に前記パレットの外側縁が衝合してガイ
   ドされる数個のガイドローラを上下方向に列設したこと
   を特徴としたディスク等の被処理物のメタライジング装
   置におけるパレットガイド機構。