JP2021533274A - 真空コーティング装置、方法およびフィルターキャビティ膜層の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
表1
表2
表3
表4
表4
表4
Claims (24)
- 入口差圧室、コーティングチャンバ、および出口差圧室を備え、
前記入口差圧室には、少なくとも2本の真空ラインが設けられ、真空ライン毎に、少なくとも2段の順次接続された真空遷移チャンバが含まれ、前記少なくとも2本の真空ラインは並列に接続され、かつ、各々の真空ラインの一端は、いずれも前記コーティングチャンバの入口に接続されており、真空ライン毎に、前記コーティングチャンバの入口に接続される真空遷移チャンバの真空度は、前記コーティングチャンバの真空度に達することができ、
前記コーティングチャンバには、コーティング装置が設置されており、
前記出口差圧室には、少なくとも2本の真空ラインが設けられ、真空ライン毎に、少なくとも2段の順次接続された真空遷移チャンバが含まれ、前記少なくとも2本の真空ラインは並列に接続され、かつ、各々の真空ラインの一端は、いずれも前記コーティングチャンバの出口に接続されており、真空ライン毎に、前記コーティングチャンバの出口に接続される真空遷移チャンバの真空度は、前記コーティングチャンバの真空度に達することができ、
コーティング用の基板を搬送するための搬送装置をさらに備える、
ことを特徴とする真空コーティング装置。 - 前記コーティングチャンバは、ターゲット材を載置するための少なくとも2つの第1部材が設けられている、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 隣接する2つの第1部材のうちの一方の部材におけるターゲットに対応する放射範囲と、前記隣接する2つの第1部材のうちの他方の部材におけるターゲットに対応する放射範囲とが重なり領域を有するように、隣接する2つの第1部材の間に第1距離が設けられている、
ことを特徴とする請求項2に記載の装置。 - 前記入口差圧室の各真空ラインには、前記基板をプラズマ洗浄するための洗浄真空チャンバがさらに設けられ、
前記洗浄真空チャンバの真空度は、前記コーティングチャンバの入口に接続される真空遷移チャンバの真空度よりも小さい、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 各真空ラインにおける隣接する真空遷移チャンバ同士の間には、第2部材が設けられ、
前記基板が相応の真空遷移チャンバに搬送されたとき、設置された第2部材は、隣接する真空遷移チャンバ間の真空隔離を実現し、かつ、前記基板が次の隣接する真空遷移チャンバに搬送されたとき、前記次の隣接する真空遷移チャンバとの間に設けられた第2部材が開かれる、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記コーティングチャンバの入口に接続される真空遷移チャンバと前記コーティングチャンバの間には、前記第2部材が設けられ、
前記コーティングチャンバの出口に接続される前記真空遷移チャンバと前記コーティングチャンバの間には、前記第2部材が設けられている、
ことを特徴とする請求項5に記載の装置。 - 前記入口差圧室、コーティングチャンバ及び出口差圧室内の搬送装置は、それぞれ独立して設けられている、
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記入口差圧室の真空ライン毎に1つの搬送装置が対応して設けられており、
前記出口差圧室の真空ライン毎に1つの搬送装置が対応して設けられている、
ことを特徴とする請求項7に記載の装置。 - 各真空チャンバには、1つの搬送装置が対応して設けられている、
ことを特徴とする請求項7に記載の装置。 - 真空コーティング装置の入口差圧室の少なくとも2本の真空ラインから1本の真空ラインを選択することと、
そのうち、真空ライン毎に、少なくとも2段の順次接続された真空遷移チャンバが含まれ、前記少なくとも2本の真空ラインは、並列に接続されており、
選択された真空ラインの各段の真空遷移チャンバに基板を順次搬送し、真空引きして真空度を各真空遷移チャンバに対応する予め設定された真空度に到達させることと、
選択された真空ラインの最終段の真空遷移チャンバに前記基板が進入し、進入後の真空遷移チャンバの真空度が前記コーティングチャンバの真空度と同じである場合、前記基板を前記真空コーティング装置のコーティングチャンバに搬送し、前記コーティングチャンバのコーティング装置により前記基板上に膜層を堆積させることと、
前記真空コーティング装置の出口差圧室の少なくとも2本の真空ラインから1本の真空ラインを選択することと、
そのうち、真空ライン毎に、少なくとも2段の順次接続された真空遷移チャンバが含まれ、前記少なくとも2本の真空ラインは、並列に接続されており、
膜層が堆積された基板を、選択された真空ラインの各段の真空遷移チャンバに順次搬送し、真空引きして真空度を各真空遷移チャンバに対応する予め設定された真空度に到達させて、膜層が堆積された基板を送り出すことと、を含み、
そのうち、前記基板は、前記真空コーティング装置の搬送装置によって搬送される、
ことを特徴とする真空コーティング方法。 - 前記の真空コーティング装置の入口差圧室の少なくとも2本の真空ラインから1本の真空ラインを選択することは、
真空ライン毎に、相応の真空ラインが真空バッファ状態にあるか否かを検出することと、
前記真空バッファ状態で前記相応の真空ラインが、前記コーティングチャンバに前記基板を搬送する条件を満たさないことと、
真空バッファ状態ではない少なくとも1本の真空ラインを特定することと、
真空バッファ状態ではない少なくとも1本の真空ラインから1本の真空ラインを選択することと、を含む、
ことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 選択された真空ラインの各段の真空遷移チャンバに前記基板を順次搬送し、真空引きして真空度を各真空遷移チャンバに対応する予め設定された真空度に到達させることは、
真空遷移チャンバ毎に、前記基板を相応の真空遷移チャンバに進入させると、前記相応の真空遷移チャンバと前記基板が現在位置されている真空遷移チャンバとの間に設けられた第2部材が開かれて、前記基板が相応の真空遷移チャンバに搬送されることと、
前記基板が前記相応の真空遷移チャンバに進入した後、前記相応の真空遷移チャンバと前記基板が現在位置されている真空遷移チャンバとの間に設けられた第2部材を閉じて真空引きすることと、
真空度が前記相応の真空遷移チャンバに対応する予め設定された真空度を満たしたときに、前記相応の真空遷移チャンバと次の隣接する真空遷移チャンバとの間に設けられた第2部材が開かれて、前記基板が前記次の隣接する真空遷移チャンバに搬送されることと、を含む、
ことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 前記基板が前記最終段の真空遷移チャンバに搬送され、かつ真空遷移チャンバの真空度が前記コーティングチャンバの真空度と同じてある場合、前記最終段の真空遷移チャンバと前記コーティングチャンバとの間に設けられた第2部材が開かれて、前記基板が前記コーティングチャンバに搬送されることと、
前記基板を前記コーティングチャンバに搬送した後、前記最終段の真空遷移チャンバと前記コーティングチャンバとの間に設けられた第2部材を閉じることと、をさらに含む、
ことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 前記の前記真空コーティング装置の出口差圧室の少なくとも2本の真空ラインから1本の真空ラインを選択することは、
真空ライン毎に、相応の真空ラインが真空バッファ状態にあるか否かを検出することと、
前記真空バッファ状態で前記相応の真空ラインが送り出し条件を満たさないことと、
真空バッファ状態ではない少なくとも1本の真空ラインを特定することと、
真空バッファ状態ではない少なくとも1本の真空ラインから1本の真空ラインを選択することと、を含む、
ことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 前記の膜層が堆積された基板を、選択された真空ラインの各段の真空遷移チャンバに順次搬送し、真空引きして真空度を各真空遷移チャンバに対応する予め設定された真空度に到達させることは、
真空遷移チャンバ毎に、前記膜層が堆積された基板を相応の真空遷移チャンバに進入させると、前記相応の真空遷移チャンバと膜層が堆積された基板が現在位置されている真空遷移チャンバとの間に設けられた第2部材が開かれて、前記膜層が堆積された基板を相応の真空遷移チャンバに搬送することと、
前記膜層が堆積された基板が前記相応の真空遷移チャンバに進入した後、前記相応の真空遷移チャンバと前記基板が現在位置されている真空遷移チャンバとの間に設けられた第2部材を閉じて、前記膜層が堆積された基板が現在位置されている真空遷移チャンバに対して真空引きを行うことと、
前記相応の真空遷移チャンバと次の隣接する真空遷移チャンバとの間に設けられた第2部材が開かれて、前記膜層が堆積された基板を前記次の隣接する真空遷移チャンバに搬送することと、を含む、
ことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 前記基板に対する膜層堆積が完了した後、前記コーティングチャンバの出口に接続される真空遷移チャンバと前記コーティングチャンバとの間に設けられた第2部材を開いて、前記膜層が堆積された基板を前記コーティングチャンバの出口に接続される前記真空遷移チャンバに搬送することと、
前記膜層が堆積された基板を前記コーティングチャンバの出口に接続される真空遷移チャンバに搬送した後、前記コーティングチャンバの出口に接続される真空遷移チャンバと前記コーティングチャンバとの間に設けられた第2部材を閉じることと、をさらに含む、
ことを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 前記の前記コーティングチャンバのコーティング装置により前記基板上に膜層を堆積させることは、
前記コーティングチャンバの第1部材に載置された第1ターゲット材に対応する放射範囲と第2ターゲット材に対応する放射範囲との重なり領域に前記基板が搬送されると、前記第2ターゲット材による放射を受けて、前記基板上に遷移層が形成されることを含み、
前記第2ターゲット材は、前記第1ターゲット材が載置された第1部材と第1距離だけ離間した隣接する第1部材に載置される、
ことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 前記の選択された真空ラインの各段の真空遷移チャンバに前記基板を順次搬送し、真空引きして真空度を各真空遷移チャンバに対応する予め設定された真空度に到達させるときには、
選択された真空ラインの洗浄真空チャンバに前記基板を搬送し、真空引きして真空度を前記洗浄真空チャンバの真空度に到達させ、前記基板をプラズマ洗浄することをさらに含む、
ことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の真空コーティング装置により製造されたフィルターキャビティ膜層を用いる、
ことを特徴とするフィルターキャビティ膜層の製造方法。 - 前記フィルターキャビティ膜層を製造するターゲット材は、Crターゲット、Cuターゲット、Agターゲットを含み、
膜層が堆積される場合、前記フィルターキャビティにCr層、Cu層、Ag層が順次に堆積される、
ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記フィルターキャビティ膜層を製造するターゲット材は、Crターゲット、Cuターゲット、Ag−Taターゲットを含み、
膜層が堆積される場合、前記フィルターキャビティにCr層、Cu層、Ag−Ta層が順次に堆積される、
ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - Ag板に塊状のTa材を均一に埋め込むことと、
Ta材が埋め込まれたAg板をAg−Taターゲット材とすることと、をさらに含む、
ことを特徴とする請求項21に記載の方法。 - Ag−Taターゲット材におけるAgとTaの表面積比が1:1〜10:1である、
ことを特徴とする請求項22に記載の方法。 - 堆積したAg−Ta層におけるAgとTaの相対原子比が4:1〜50:1である、
ことを特徴とする請求項21に記載の方法。
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