JP2003313658A

JP2003313658A - 成膜装置

Info

Publication number: JP2003313658A
Application number: JP2002121198A
Authority: JP
Inventors: Shunji Wada; 俊司和田; Shiyougo Kiyota; 正悟清田; Yukihiro Katou; 之啓加藤
Original assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority date: 2002-04-23
Filing date: 2002-04-23
Publication date: 2003-11-06

Abstract

(57)【要約】【課題】優れた生産性を発揮し、且つ、製造コストの
低い成膜装置を提供する。【解決手段】成膜装置１０は成膜する基板の移動方向
に沿って順に並設されたロード室１１、バッファー室１
２、成膜室１３、バッファー室１５、及びアンロード室
１６を備える。各室と室とはゲート１７ａによって仕切
られている。ロード室１１の端部にはゲート１７ｂが配
設され、アンロード室１６の端部にはゲート１７ｃが配
設されているので、ロード室１１及びアンロード室１６
は外部環境から隔離できる。成膜室１３は、パッタ法に
よって基板に酸化膜であるＳｉＯ₂膜を成膜するＳｉＯ₂
膜成膜部１３ａとイオンプレーティング法によって基板
にＩＴＯ膜を成膜するＩＴＯ膜成膜部１３ｂとから構成
される。ＳｉＯ₂膜成膜部１３ａとＩＴＯ膜成膜部１３
ｂとはゲートによって仕切られることなく開通してい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に導電膜を成
膜する成膜装置に関し、詳しくは、フラットパネルディ
スプレイに使用される基板に透明導電膜を成膜する成膜
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】フラットパネルディスプレイとして有機
ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ、プラズマディス
プレイ、及びフィールドエミッション型ディスプレイな
どが使用されている。これらディスプレイのための透明
導電膜としてはＩＴＯ（IndiumTin Oxide：インジウム
錫酸化物）膜がすぐれている。このＩＴＯ膜はガラス基
板にばかりでなく、樹脂基板にも導電膜として成膜され
る。

【０００３】斯かるＩＴＯ膜の成膜方法としては、従来
から、真空蒸着法、スパッタリング法、ＲＦ（高周波）
イオンプレーティング法が知られている。これらの成膜
方法の何れを実行する場合であっても、基板にソーダラ
イムガラス基板を用いるときには、このガラス基板中か
らのアルカリイオンの溶出を防止するために基板上に中
間層としてＳｉＯ₂膜、ＳｉＯＮ膜、Ｓｉ₃Ｎ₄膜等を成
膜し、その後、ＩＴＯ膜を成膜することによって透明導
電膜付き基板が形成されていた。また、カラー液晶ディ
スプレイ用のカラーフィルター基板や樹脂基板の上に成
膜する場合には、基板とＩＴＯ膜との密着性を高めるた
めにＩＴＯ膜の成膜以前に中間層としてＳｉＯ₂膜、Ｓ
ｉＯＮ膜、Ｓｉ₃Ｎ₄膜、Ｔａ₂Ｏ₅膜等を成膜し、この中
間膜の上にＩＴＯ膜を成膜する必要がある。

【０００４】これら中間膜とＩＴＯ膜とは連続して成膜
されるので、成膜装置にはＩＴＯ膜を成膜するためのＩ
ＴＯ膜成膜室の前段に中間膜を成膜するための中間膜成
膜室が並設されている。これら中間膜成膜室とＩＴＯ膜
成膜室とでは夫々の成膜室内の成膜雰囲気の種類が異な
るので、それらを分離しておくために中間膜成膜室とＩ
ＴＯ膜成膜室との間にはゲートと呼ばれる弁が設けられ
ている。或いは、中間膜成膜室とＩＴＯ膜成膜室との間
にバッファー室と呼ばれる真空室が配設されている。

【０００５】上記の中間膜の成膜には、一般に、高周波
スパッタリング法が用いられている。この方法では、成
膜中の成膜雰囲気の圧力は２ｍＴｏｒｒ（２．６６×１
０^-1Ｐａ）以上に維持される。これは、２ｍＴｏｒｒ
（２．６６×１０^-1Ｐａ）未満の圧力下では、アーキン
グと呼ばれる異常放電が発生することがあり、このアー
キングの発生によってターゲット周辺の部材が溶けて基
板上に飛散し、基板に付着するので、生産の歩留まりが
悪くなるからである。

【０００６】なお、成膜雰囲気中の放電ガスにはＡｒガ
スのみが使用される。これは、図４に示すように、中間
膜としてＳｉＯ₂膜を成膜する場合に、成膜中の放電ガ
スに酸素を添加すると、中間膜の成膜速度が急激に低下
して生産性が悪くなるからである。この酸素の添加によ
る成膜速度の減少は、ＳｉＯ₂膜の代わりにＴａ₂Ｏ₅膜
を成膜する場合も同様に起こる。

【０００７】ＩＴＯ膜の成膜方法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、高周波イオンプレーティング法
等が知られている。これらのうち、真空蒸着法及び高周
波イオンプレーティング法では、成膜中の成膜雰囲気の
圧力は１ｍＴｏｒｒ（１．３３×１０^-1Ｐａ）以下に維
持される。これは、１ｍＴｏｒｒ（１．３３×１０^-1Ｐ
ａ）以上の圧力下では蒸発機構である電子ビーム発生源
のフィラメントが消失してしまうからである。

【０００８】これに対してスパッタリング法では、成膜
中の成膜雰囲気の圧力は２ｍＴｏｒｒ（２．６６×１０
^-1Ｐａ）以上に維持される。また、成膜されるＩＴＯ膜
の酸素欠損を補うために、放電ガス中に微量の酸素ガス
が添加される。添加する酸素ガスの量は、Ａｒに対して
０．１〜０．２ａｔ．％の濃度範囲になる量である。放
電ガス中に酸素ガスを添加しない場合は、成膜されたＩ
ＴＯ膜には多くの酸素欠損が存在するのでディスプレイ
のための透明導電膜として使用することができない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記のことから、中間
膜とＩＴＯ膜とを連続して成膜する際は、中間膜の成膜
時の中間膜成膜室の雰囲気をＩＴＯ膜成膜室に流入させ
ないこと、及びＩＴＯ膜の成膜の際にＩＴＯ膜成膜室内
の雰囲気を中間膜成膜室内に流入させないことが必要で
ある。このために、中間膜成膜室及びＩＴＯ膜成膜室そ
れぞれの成膜雰囲気の圧力を等しくすれば良いが、この
場合、成膜キャリア等の移動が生じてガスの流れやガス
の混入が起こってしまう。すると、酸素濃度に微少な変
化が生じ、この変化に起因してＩＴＯ膜の特性も変化し
てしまう。即ち、一定の特性を有するＩＴＯ膜の安定し
た成膜ができないという問題がある。但し、中間膜を成
膜した後に雰囲気を調整し、その後、ＩＴＯ膜を成膜す
るようにすればこの問題点は解決可能であるが、この方
法では雰囲気の圧力の調整等に時間がかかり過ぎるので
生産性が悪いという新たな問題が生じる。これらの問題
を解決するために、中間膜成膜室とＩＴＯ膜成膜室とを
隔離できる手段（例えば、バッファー室）を設けること
が考えられる。

【００１０】図５は、内部を真空にできるバッファー室
を中間膜成膜室とＩＴＯ膜成膜室との間に配設した成膜
装置の構成を示す模式図である。

【００１１】成膜装置６０は、成膜される基板の移動方
向（矢印Ｂ方向）に沿って順に並設されたロード室６
１、バッファー室６２、ＳｉＯ₂成膜室（中間膜成膜
室）６３、バッファー室６８、ＩＴＯ膜成膜室６４、バ
ッファー室６５、及びアンロード室６６を備えている。
これらの各室と室とはそれらの間に配設されたゲート６
７ａによって仕切られている。また、ロード室６１の端
部にはゲート６７ｂが配設されており、アンロード室６
６の端部にはゲート６７ｃが配設されている。

【００１２】成膜装置６０は、ＳｉＯ₂膜成膜室（中間
膜成膜室）６３とＩＴＯ膜成膜室６４との間にバッファ
ー室６８が配設されている。この場合、基板が導入され
たバッファー室６８内で放電ガスの切り替えが成される
ので、成膜装置５０の場合のように中間膜成膜室とＩＴ
Ｏ膜成膜室との間で成膜雰囲気を調整する必要がない。
従って、生産性の問題は生じない。しかしながら、Ｓｉ
Ｏ₂膜成膜室６３とＩＴＯ膜成膜室６４との間にバッフ
ァー室６８を設ける必要があるので、バッファー室６８
を真空にするための真空装置が必要になり、その分、成
膜装置の製造コストが余計にかかるという問題点があ
る。

【００１３】本発明の目的は優れた生産性を発揮し、且
つ、製造コストの低い成膜装置を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の成膜装置は、基板に導電膜を成膜す
る成膜装置において、金属酸化膜及び金属窒化膜のいず
れか一方の金属膜を基板に成膜する金属膜成膜部と、ア
ーク放電プラズマを発生させるプラズマ発生手段を有
し、該プラズマ発生手段により、前記金属膜の上にイオ
ンプレーティング法によるＩＴＯ（インジウム錫酸化
物）膜の成膜を行うＩＴＯ膜成膜部とを備え、前記金属
膜成膜部とＩＴＯ膜成膜部とを開通して並設したことを
特徴とする。

【００１５】請求項２記載の成膜装置は、前記プラズマ
発生手段が圧力勾配型プラズマガンであることを特徴と
する。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１７】図１は本発明の実施の形態にかかる成膜装
置の構成を示す模式図である。

【００１８】成膜装置１０は成膜する基板（図示せず）
の移動方向（矢印Ｃ方向）に沿って順に並設されたロー
ド室１１、バッファー室１２、成膜室１３、バッファー
室１５、及びアンロード室１６を備えている。これらの
各室と室とはそれらの間に配設されたゲート１７ａによ
って仕切られている。また、ロード室１１の端部にはゲ
ート１７ｂが配設されており、アンロード室１６の端部
にはゲート１７ｃが配設されているので、ロード室１１
及びアンロード室１６は外部環境から隔離できる。

【００１９】ロード室１１は成膜処理する基板を成膜装
置１０内に導入するための部屋である。端部のゲート１
７ｂが開いて基板が導入されるとゲート１７ｂが閉ま
り、室内の気圧が大気圧から５ｍＴｏｒｒ（６．６５×
１０^-1Ｐａ）まで減圧される。次に、バッファー室１２
との間を仕切っているゲート１７ａが開いて、基板がバ
ッファー室１２に導入される。

【００２０】バッファー室１２は次の成膜室１３に基板
を導入する際の環境条件を整えるための部屋である。ゲ
ート１７ａが閉じるとバッファー室１２では排気が行わ
れ、ロード室１１で５ｍＴｏｒｒ（６．６５×１０^-1Ｐ
ａ）まで減圧された気圧がさらに０．０１ｍＴｏｒｒ
（１．３３×１０^-3Ｐａ）まで減圧される。これによ
り、成膜に悪影響を及ぼす不純物ガスが除去される。こ
の後、室内にＡｒガスが注入され、室内の気圧が３ｍＴ
ｏｒｒ（３．９９×１０^-1Ｐａ）にまで上げられる。次
に、成膜室１３との間を仕切っているゲート１７ａが開
いて、基板が成膜室１３に搬送される。

【００２１】成膜室１３は、スパッタ法によって基板に
酸化膜であるＳｉＯ₂膜を成膜するＳｉＯ₂膜成膜部１３
ａ（金属膜成膜部）とイオンプレーティング法によって
基板にＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化
物）膜を成膜するＩＴＯ膜成膜部１３ｂとから構成され
る。ＳｉＯ₂膜成膜部１３ａとＩＴＯ膜成膜部１３ｂと
は矢印Ｃ方向にこの順に配設されており、両成膜部はゲ
ート等によって仕切られることなく開通している。ゲー
ト１７ａが閉じて成膜室１３が密閉されると、ＳｉＯ₂
膜成膜部１３ａでは、放電ガスとしてＡｒガスのみを使
用してスパッタ法によって基板にＳｉＯ₂膜が成膜され
る。なお、このＳｉＯ₂膜に代えてＴａ₂Ｏ₅膜のような
酸化膜を基板に成膜してもよい。

【００２２】ＳｉＯ₂膜成膜部１３ａでＳｉＯ₂膜が成膜
された基板はＩＴＯ膜成膜部１３ｂに搬送されてＩＴＯ
膜の成膜処理を受ける。ＩＴＯ膜成膜部１３ｂは圧力勾
配型プラズマガンを備えたイオンプレーティング装置で
ある。

【００２３】以下、イオンプレーティング装置について
説明する。

【００２４】図２は、図１のＩＴＯ膜成膜部１３ｂであ
るイオンプレーティング装置の全体構成を示す図であ
る。

【００２５】図２において、イオンプレーティング装置
１００はＳｉＯ₂膜成膜部１３ａ側から観たときの構成
が示されている。真空容器１１８内でガラス基板にＩＴ
Ｏ膜を成膜する。この真空容器１１８の側壁１１８ａに
は排気口１１９が設けられ、これと略対向する側壁１１
８ｂには外部に突出した筒状部１２０が設けられてい
る。この筒状部１２０には圧力勾配型のプラズマガン１
２２が装着されると共に筒状部１２０を囲繞して収束コ
イル１２１が配設されている。真空容器１１８の内側天
井近傍には、ＳｉＯ₂膜成膜部１３ａでＳｉＯ₂膜が成膜
されたガラス基板１１１がＳｉＯ₂膜成膜部１３ａから
移され、配置されている。

【００２６】プラズマガン１２２は、電磁石コイル１２
３が内蔵されて筒状部１２０に接続された第１の中間電
極１２４と、環状永久磁石１２５が内蔵されて第１の中
間電極１２４と並設された第２の中間電極１２６と、陰
極１２７と、該陰極１２７と第２の中間電極１２６との
間に介在する円筒状のガラス管１２８とを備えている。

【００２７】電磁石コイル１２３は可変電源１２９によ
って励磁され、収束コイル１２１は可変電源１３０によ
って励磁される。

【００２８】第１及び第２の中間電極１２４、１２６の
夫々は垂下抵抗器１３１、１３２を介して可変電圧型の
主電源１３３の一端（正側）に接続されている。この主
電源１３３の他端（負側）は陰極１２７に接続されてい
る。また、主電源１３３はスイッチ１３６、補助放電電
源１３４、及び垂下抵抗器１３５と並列に接続されてい
る。

【００２９】また、ガラス管１２８の内部には陰極１２
７に固着されたＭｏ（モリブデン）からなる円筒部材１
３７と、Ｔａ（タンタル）からなるパイプ１３８と、こ
のパイプ１３８の先方であって円筒部材１３７に固着さ
れたＬａＢ₆からなる円盤状部材１３９とが設けられ、
外部からの放電ガス（例えば、所定量の酸素を添加した
Ａｒガス）が矢印Ｄ方向にパイプ１３８を通されてプラ
ズマガン１２２の内部に供給される。

【００３０】真空容器１１８の底部には、タブレット
（被蒸発物質）としてのＩＴＯ焼結体１４０を収容する
主ハース１４１が配設されており、この主ハース１４１
を囲繞して補助ハース１４２が配設されている。

【００３１】主ハース１４１は熱伝導率の良好な導電性
材料、例えば、銅で形成されており、プラズマガン１２
２から発射されたプラズマビームが入射する凹部を有し
ている。この主ハース１４１は主電源１３３の正側に接
続されて陽極となるので、プラズマビームを吸引する。

【００３２】補助ハース１４２は主ハース１４１と同様
に熱伝導率の良好な銅等の導電性材料で形成された環状
の容器であり、内部には永久磁石１４３及び電磁石１４
４が同軸に積層して収容されている。電磁石１４４は可
変電源であるハースコイル電源１４５によって励磁され
る。これにより、電磁石１４４によって形成される磁界
と永久磁石１４３によって形成される磁界とが重畳す
る。この場合、永久磁石１４３によって発生する磁界と
電磁石１４４によって発生する磁界双方の向きとが補助
ハース１４２の中心側で同一になるので、ハースコイル
電源１４５の電圧を変化させることにより、電磁石１４
４に供給される電流を変化させることができる。

【００３３】また、補助ハース１４２は垂下抵抗器１４
６を介して主電源１３３の正側に接続されているので、
主ハース１４１と同様に陽極となる。

【００３４】なお、真空容器１１８の内側天井近傍には
ガラス基板１１１を所定温度に加熱するための加熱ヒー
タ１４７が配設されている。

【００３５】このように構成されたイオンプレーティン
グ装置１００においては、酸化スズ（ＳｎＯ₂）の含有
率が４〜６質量％とされたＩＴＯ焼結体１４０を主ハー
ス１４１の凹部に収容し、プラズマガン１２２の陰極１
２７側から放電ガスがパイプ１３８に供給されると、主
ハース１４１との間で放電が生じ、これによりプラズマ
ビームが生成される。このプラズマビームは環状永久磁
石１２５及び電磁石コイル１２３により収束され、収束
コイル１２１と補助ハース１４２内の永久磁石１４３及
び電磁石１４４によって生じる磁界に案内されて主ハー
ス１４１に到達する。

【００３６】主ハース１４１に収容されているＩＴＯ焼
結体１４０はプラズマビームにより加熱されて蒸発し、
蒸発粒子はプラズマビームによりイオン化され、加熱ヒ
ータ１４７により加熱されているガラス基板１１１にＩ
ＴＯ膜が成膜される。

【００３７】以上のようにイオンプレーティング装置１
００から成るＩＴＯ膜成膜部１３ｂは、放電ガスとして
Ａｒガスに酸素を添加したガスを使用する。酸素を添加
するのは、ＩＴＯ膜に生じる酸素欠損の一部を補うため
である。添加する酸素濃度は９〜１２％である。このよ
うな酸素を添加した放電ガスの圧力はＳｉＯ₂膜成膜部
１３ａ内の放電ガスの圧力よりも低く維持される。この
圧力は、パイプ１３８から真空容器１１８内に供給する
放電ガスの供給量あるいは排気口１１９から排出する排
出量を調整することによって維持される。ＩＴＯ膜成膜
部１３ｂ内の放電ガスの圧力をＳｉＯ₂膜成膜部１３ａ
内の放電ガスの圧力よりも低く維持するのは、ＳｉＯ₂
膜成膜部１３ａ内の放電ガスはＡｒガスのみでなければ
ならないので、ＩＴＯ膜成膜部１３ｂ内の酸素を含む放
電ガスがＳｉＯ₂膜成膜部１３ａ内に流入することを防
止するためである。なお、逆に、ガラス基板１１１の移
動等に伴ってＳｉＯ₂膜成膜部１３ａ内のＡｒガスがＩ
ＴＯ膜成膜部１３ｂ内に流入しても、ＩＴＯ膜を成膜す
る際のＩＴＯ膜成膜部１３ｂ内の酸素濃度は高いのでＩ
ＴＯ膜の品質に支障は生じない。このため、ＳｉＯ₂膜
成膜部１３ａでガラス基板にＳｉＯ₂膜の成膜が行われ
ているときに、同時に、ＩＴＯ膜成膜部１３ｂで他のガ
ラス基板にＩＴＯ膜の成膜を行うことができるので、高
い生産性が得られる。

【００３８】ＩＴＯ膜を成膜の成膜が終了するとゲート
１７ａが開いてガラス基板１１１はバッファー室１５に
移される。ガラス基板１１１の移動が完了するとゲート
１７ａが閉じてバッファー室１５の圧力は３ｍＴｏｒｒ
（３．９９×１０^-1Ｐａ）から５ｍＴｏｒｒ（６．６５
×１０^-1Ｐａ）まで上げられる。

【００３９】次に、バッファー室１５とアンロード室１
６との間に設けられたゲート１７ａが開いてガラス基板
１１１がアンロード室１６に移される。ゲート１７ａが
閉じられた後にアンロード室１６内の圧力が５ｍＴｏｒ
ｒ（６．６５×１０^-1Ｐａ）から大気圧まで上げられ
る。この後、ゲート１７ｃが開いてガラス基板１１１は
成膜装置１０の外に搬送される。

【００４０】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。

【００４１】実施例で使用した成膜装置は図１に示した
成膜装置１０と同じものである。

【００４２】ＳｉＯ₂膜成膜部１３ａにおけるＳｉＯ₂膜
の成膜条件及びＩＴＯ膜成膜部１３ｂにおけるＩＴＯ膜
の成膜条件は下記の通りである。ＳｉＯ₂膜の成膜条件・成膜法：スパッタリング法・ＳｉＯ₂膜成膜部内圧力：３ｍＴｏｒｒ（３．９９
×１０^-1Ｐａ）・放電ガス：Ａｒのみ・投入電力：２０００ＷＩＴＯ膜の成膜条件・成膜法：圧力勾配型プラズマガンを用いるイオンプ
レーティング法・ＩＴＯ膜成膜部内圧力：２．９ｍＴｏｒｒ（３．８
６×１０^-1Ｐａ）・放電ガス：Ａｒ＋酸素（酸素濃度１０ａｔ．％）・放電電流：１５０Ａ上記の条件の下で１００枚のガラス基板を順次に成膜装
置で成膜した。この結果、成膜されたガラス基板には下
記の表１に示す特性が得られた。

【００４３】

【表１】

【００４４】ＳｉＯ₂膜厚の平均値は２１ｎｍであり、
最大値が２２ｎｍ、最小値が１９ｎｍであった。また、
最大バラツキは＋４.８％及び−９.５％であり、±１０
％以内であった。

【００４５】ＩＴＯ膜比抵抗の平均値は１５０μΩ・ｃ
ｍであり、最大値が１５５μΩ・ｃｍ、最小値が１４６
μΩ・ｃｍであった。また、最大バラツキは＋１.３％
及び−２.７％であり、±３％以内であった。

【００４６】次に、比較例を説明する。

【００４７】比較例で使用した成膜装置は図３に示す成
膜装置３０である。成膜装置３０は図１に示す成膜装置
１０と同様にロード室３１、バッファー室３２、成膜室
３３、バッファー室３５、アンロード室３６、及びゲー
ト３７ａ,３７ｂ,３７ｃを備えている。成膜室３３はＳ
ｉＯ₂膜成膜部３３ａとＩＴＯ膜成膜部３３ｂとから構
成される。成膜装置１０と異なる点は、成膜装置１０の
ＩＴＯ膜成膜部１３ｂがイオンプレーティング法によっ
て基板にＩＴＯ膜を成膜するのに対して成膜装置３０の
ＩＴＯ膜成膜部３３ｂはスパッタリング法によって基板
にＩＴＯ膜を成膜する点である。

【００４８】ＳｉＯ₂膜成膜部３３ａにおけるＳｉＯ₂膜
の成膜条件及びＩＴＯ膜成膜部３３ｂにおけるＩＴＯ膜
の成膜条件は下記の通りである。ＳｉＯ₂膜の成膜条件・成膜法：スパッタリング法・ＳｉＯ₂膜成膜部内圧力：３ｍＴｏｒｒ（３．９９
×１０^-1Ｐａ）・放電ガス：Ａｒのみ・投入電力：２０００ＷＩＴＯ膜の成膜条件・成膜法：スパッタリング法・ＩＴＯ膜成膜部内圧力：３ｍＴｏｒｒ（３．９９×
１０^-1Ｐａ）・放電ガス：Ａｒ＋酸素（酸素濃度２ａｔ．％）・投入電力：１８００Ｗ上記の条件の下で１００枚のガラス基板を順次に成膜装
置で成膜した。この結果、成膜されたガラス基板には下
記の表２に示す特性が得られた。

【００４９】

【表２】

【００５０】ＳｉＯ₂膜厚の平均値は１９ｎｍであり、
最大値が２１ｎｍ、最小値が１６ｎｍであった。また、
最大バラツキは＋１５.８％及び−１５.８％であり、±
１６％に近いものであった。

【００５１】ＩＴＯ膜比抵抗の平均値は１７０μΩ・ｃ
ｍであり、最大値が１９３μΩ・ｃｍ、最小値が１６７
μΩ・ｃｍであった。また、最大バラツキは＋１３.５
％及び−１.８％であり、最大バラつきのうち−側は２
％以内で良い結果であるものの、プラス側が１０％を大
きく超えて１３％以上であった。

【００５２】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項１記
載の成膜装置によれば、ＩＴＯ膜成膜部はアーク放電プ
ラズマを発生させ、イオンプレーティング法によるＩＴ
Ｏ膜の成膜を行うので、ＩＴＯ膜成膜部が金属膜成膜部
と開通して並設されていてもＩＴＯ膜の成膜に影響を受
けない。このため、ＩＴＯ膜成膜部と金属膜成膜部との
成膜を同時に行えるので優れた生産性を発揮する。ま
た、ＩＴＯ膜成膜部と金属膜成膜部との間にバッファー
室が無いのでバッファー室を真空にするための真空装置
が不要であり、製造コストの低い成膜装置となる。

【００５３】請求項２記載の成膜装置によれば、前記プ
ラズマ発生手段は圧力勾配型プラズマガンであるので、
ＩＴＯ膜成膜部が金属膜成膜部と開通して並設されてい
ることによるＩＴＯ膜の成膜への影響をより確実に受け
ないこととなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる成膜装置の構成を
示す模式図である。

【図２】図１のＩＴＯ膜成膜部１３ｂであるイオンプレ
ーティング装置の全体構成を示す図である。

【図３】実施例の比較例に使用した成膜装置の構成を示
す模式図である。

【図４】ＳｉＯ₂膜の成膜速度と成膜中の酸素濃度との
関係を示す図である。

【図５】内部を真空にできるバッファー室を中間膜成膜
室とＩＴＯ膜成膜室との間に配設した成膜装置の構成を
示す模式図である。

【符号の説明】

１０成膜装置１３ａＳｉＯ₂膜成膜部１３ｂＩＴＯ膜成膜部とを備え、１００イオンプレーティング装置１１１ガラス基板１２２圧力勾配型プラズマガン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者加藤之啓大阪府大阪市中央区北浜四丁目７番28号日本板硝子株式会社内Ｆターム(参考） 4K029 AA09 AA24 BA45 BA46 BA58 BC09 CA04 DD05 5G323 BA02 BB06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に導電膜を成膜する成膜装置におい
て、金属酸化膜及び金属窒化膜のいずれか一方の金属膜を基
板に成膜する金属膜成膜部と、アーク放電プラズマを発生させるプラズマ発生手段を有
し、該プラズマ発生手段により、前記金属膜の上にイオ
ンプレーティング法によるＩＴＯ（インジウム錫酸化
物）膜の成膜を行うＩＴＯ膜成膜部とを備え、前記金属膜成膜部とＩＴＯ膜成膜部とを開通して並設し
たことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】前記プラズマ発生手段は圧力勾配型プラ
ズマガンであることを特徴とする成膜装置。