CN107740046A - 液晶面板的镀膜方法 - Google Patents

Abstract

一种液晶面板的镀膜方法，包括：提供第二真空环境和第四真空环境，所述第二真空环境的温度为120℃～160℃，所述第四真空环境的温度为60℃～90℃，所述第二真空环境能够与所述第四真空环境连通；以及将所述液晶面板置于第二真空环境一段时间之后，再将所述液晶面板置于所述第四真空环境中进行镀膜。本发明通过先将所述液晶面板置于所述第二真空环境，然后将所述液晶面板置于所述第四真空环境来真空镀膜的方法，可以消除由于液晶中的气泡的产生而导致的不良现象，大大提高了镀膜的良率。

Description

液晶面板的镀膜方法

技术领域

本发明涉及显示器领域，特别是涉及一种液晶面板的镀膜方法。

背景技术

液晶面板一般由两片玻璃基板和设置在该两片玻璃基板中的液晶层组成，该两片玻璃基板由边框胶贴合在一起，液晶层设置于该两片玻璃基板和边框胶限定的容纳腔内。

在用所述边框胶贴合所述液晶面板时，可能会存在边框胶松动或边框胶致密性差等问题。后续在液晶面板上进行真空镀膜时，在真空状态下会将松动的、、致密性不好的边框胶的孔洞扩大，在镀膜结束后，当液晶面板进入大气状态时，由于液晶面板外部的压力大于内部的压力，会使水分、空气等通过扩大的孔洞进入液晶面板内形成气泡，从而导致液晶面板不良。

发明内容

基于此，有必要提供一种解决液晶面板容易产生气泡的镀膜方法。

一种液晶面板的镀膜方法，包括：

提供第二真空环境和第四真空环境，所述第二真空环境的温度为120℃～160℃，所述第四真空环境的温度为60℃～90℃，所述第二真空环境能够与所述第四真空环境连通；

将所述液晶面板置于所述第二真空环境一段时间之后，再将所述液晶面板置于所述第四真空环境中进行镀膜。

在其中一个实施例中，所述第二真空环境为中真空状态，所述第四真空环境为高真空状态。

在其中一个实施例中，所述第二真空环境的真空压力为1Pa至10Pa，所述第四真空环境的真空压力为0.1Pa至0.5Pa。

在其中一个实施例中，所述液晶面板置于所述第二真空环境中的时间为10秒至30秒。

在其中一个实施例中，在将所述液晶面板置于所述第二真空环境前，对所述液晶面板进行等离子清洗并使所述液晶面板预进行镀膜的基板减薄。

在其中一个实施例中，采用所述等离子清洗使所述液晶面板预进行镀膜的基板厚度减薄5nm至10nm。

在其中一个实施例中，所述等离子清洗在第一真空环境中进行，所述第一真空环境为低真空状态，所述第一真空环境的温度为60℃～90℃。

在其中一个实施例中，所述第一真空环境的真空压力为10Pa至50Pa。

在其中一个实施例中，提供第三真空环境，使置于所述第二真空环境的液晶面板通过所述第三真空环境后再进入所述第四真空环境，所述第三真空环境的温度为60℃～90℃。

在其中一个实施例中，所述第三真空环境的压力为0.1Pa至0.5Pa。

本发明通过先将所述液晶面板置于所述第二真空环境，然后将所述液晶面板置于所述第四真空环境来进行真空镀膜的方法，可以消除由于液晶中的气泡的产生而导致的不良现象，大大提高了镀膜的良率。具体地，本发明通过先将所述液晶面板置于所述第二真空环境可以达到以下目的：(1)在120℃～160℃温度范围内，能够使所述液晶面板的边框胶变软，变软的边框胶可以发生适当的变形，使所述液晶面板贴合过程中产生的边框胶的松动、边框胶致密性差等工艺问题进行修正，此时，修正后的边框胶进入温度为60℃～90℃的所述第四真空环境进行镀膜时，所述边框胶发生硬化，从而得到致密性和密封性更好的所述液晶面板；(2)在120℃～160℃温度范围内，能够使所述液晶材料发生流动，从而将所述液晶材料中残留的气泡赶出所述液晶面板；(3)在120℃～160℃温度范围内，不会由于温度过高而损坏液晶材料和边框胶；(4)在120℃～160℃温度范围内，能够使得所述液晶基板上附着的水和油等杂质更容易从所述液晶基板表面脱离，从而增加了所述液晶基板对后续镀膜膜层的吸附力。

附图说明

图1为本发明提供的液晶面板的镀膜方法的流程图；

图2为本发明提供的镀膜装置的结构示意图；

图3为本发明提供的液晶面板的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅图1和图2，本发明提供一种液晶面板的镀膜方法，包括：

S1，提供液晶面板；

S2，提供第二真空环境22和第四真空环境24，所述第二真空环境22的温度为120℃～160℃，所述第四真空环境24的温度为60℃～90℃，所述第二真空环境能够与所述第四真空环境24连通；以及

S3，将所述液晶面板置于所述第二真空环境22一段时间后，再将所述液晶面板置于所述第四真空环境24中进行镀膜。

在步骤S1中，请参阅图3，所述液晶面板可以包括上基板12、下基板14、边框胶16以及液晶层18。所述上基板12和所述下基板14可通过所述边框胶16粘结在一起。在所述边框胶16界定的区域内可设置有由液晶材料形成的所述液晶层18。所述上基板12和所述下基14板均可为玻璃板。所述边框胶16可以是热固化胶和光固化胶中的至少一种。

在步骤S2和步骤S3中，本发明通过先将所述液晶面板置于所述第二真空环境22，然后将所述液晶面板置于所述第四真空环境24来真空镀膜的方法，可以消除由于液晶中的气泡的产生而导致的不良现象，大大提高了镀膜的良率。具体地，本发明通过先所述液晶面板置于所述第二真空环境22可以达到以下目的：(1)在120℃～160℃温度范围内，能够使所述液晶面板的边框胶16变软，变软的边框胶16可以发生适当的变形，使所述液晶面板贴合过程中产生的边框胶16的松动、边框胶16致密性差等工艺问题进行修正，此时，修正后的边框胶16进入温度为60℃～90℃的所述第四真空环境24进行镀膜时，所述边框胶16发生硬化，从而得到致密性和密封性更好的所述液晶面板；(2)在120℃～160℃温度范围内，能够使所述液晶材料发生流动，从而将所述液晶材料中残留的气泡赶出所述液晶面板；(3)在120℃～160℃温度范围内，不会由于温度过高而损坏液晶材料和边框胶16；(4)在120℃～160℃温度范围内，能够使得所述液晶基板上附着的水和油等杂质更容易从所述液晶基板表面脱离，从而增加了所述液晶基板对后续镀膜膜层10的吸附力。

优选地，所述第二真空环境22为中真空状态。在中真空状态下，能够使得变软的边框胶16发生适当的变形，既能够修正边框胶的松动、致密性差等问题，又不会造成对所述边框胶16的过度挤压。更为优选地，所述第二真空环境22的压力可以为1Pa到10Pa。优选地，将所述液晶面板置于所述第二真空环境22的时间为10s至30s，该范围既能够使得所述边框胶16存在的问题得到修正，又不会使得所述液晶面板在高温环境中的时间过长而影响液晶性能。

优选地，所述第四真空环境24为高真空状态，在高真空状态下，在所述液晶面板上能够得到性能更好的镀膜膜层10。更为优选地，所述第四真空环境24的压力可为0.1pa～0.5Pa。

所述第二真空环境22能够与所述第四真空环境24连通，以使得所述液晶面板经过所述第二真空环境22处理后，可以在真空状态下进入所述第四真空环境24，使所述液晶面板在镀膜过程中始终处于真空状态。所述第二真空环境22可以为蒸镀装置的进片室。所述第四真空环境24可以为蒸镀装置的镀膜室。

可进一步提供第三真空环境23，使置于所述第二真空环境22的液晶面板通过所述第三真空环境23后再进入所述第四真空环境24。经过所述第二真空环境22处理的液晶面板可以通过所述第三真空环境23进入所述第四真空环境24。所述第二真空环境22能够通过所述第三真空环境23与所述第四真空环境24连通。所述第三真空环境23的温度可以为60℃～90℃。所述第三真空环境23可以起到缓冲的作用，所述变软的边框胶16可以在所述第三真空环境23中慢慢冷却定型，以保证所述边框胶16硬化后的致密性和密封性。所述第三真空环境23可以容纳多个所述液晶面板，当某一个液晶面板已充分定型和冷却后，可以使该液晶面板进入所述第四真空环境中进行镀膜，而其他液晶面板可以在所述第三真空环境中继续冷却和定型，这样设置可以在保证所述边框胶16致密性和密封性的前提下，提高所述液晶面板的镀膜效率。所述第三真空环境23的真空压力也可以与所述第四真空环境24相同，例如也可为0.1Pa至0.5Pa。所述第三真空环境23可以为蒸镀装置设置于所述进片室和所述镀膜室之间的缓冲室。

在所述步骤S3之前，可进一步包括对所述液晶面板进行清洗的步骤，以去除所述液晶面板表面的杂质，提高所述液晶面板对膜层的附着力。优选地，可采用等离子清洗的方法使所述液晶面板预进行镀膜的基板(上基板12和/或下基板14)减薄，从而可以将所述液晶面板预进行镀膜的表面的杂质充分去除，增加所述液晶面板对后续镀膜膜层10的附着力。优选地，可将所述液晶面板预进行镀膜的基板厚度减薄5nm～10nm，该范围既能够使得所述液晶面板预进行镀膜的表面的杂质充分能去除，又不会破坏液晶材料。在对所述液晶面板进行等离子冲洗之前，可进一步用水对所述液晶面板先进行冲洗，从而先将所述液晶面板表面的大颗粒脏污去除，为后续的等离子清洗作铺垫。采用水冲洗的方法，不需要使用化学清洗剂，减少了环境污染，降低了生产成本。

优选地，所述等离子清洗可在第一真空环境21中进行。所述第一真空环境21可为低真空状态，由于维持所述低真空状态时泵组抽气速度快，能够较快地将清洗出来的杂质抽走。优选地，所述第三真空环境的真空压力可为10Pa至50Pa。所述第一真空环境21的温度可为60℃～90℃，所述液晶面板可以现在所述第一真空环境21中进行预热，从而缩短了所述液晶面板在所述第二真空环境22中的软化时间。所述第一真空环境21可以为蒸镀装置的清洗室。

实施例1

使用纯水对液晶面板进行洗涤后，将所述液晶面板放入等离子清洗室21，采用大气压Glow(辉光)式等离子技术对所述液晶面板进行等离子清洗，具体地，采用RF射频作为激发能源，RF射频的工作频率是13.56MHZ，采用氩气作为反应气体，流量为10SCCM，轰击所述液晶面板30S，即可将所述液晶面板减薄5nm～10nm。所述等离子清洗室20的压力为10Pa至50Pa，所述等离子清洗室的温度为80±5℃。

将洗涤后的液晶面板在进片室22中放置20秒，所述进片室22的真空压力为1Pa至10Pa，温度为150±5℃。然后将所述液晶面板在缓冲室23中放置20秒，所述缓冲室23的真空压力为0.2Pa至0.3Pa，温度为80±5℃。

将所述液晶面板置于镀膜室24，采用Al₂O₃颗粒为蒸发材料，在0.2Pa至0.3Pa的真空压力下，在80±5℃下对所述液晶面板进行膜层的镀膜。镀膜功率可以为3000-6000W，成膜时间为15-30S，得到的蓝宝石膜层厚度为20-25nm，膜层附着力大于5B，硬度大于9H。镀膜完毕后的液晶面板没有气泡产生，膜层透过率大于98％。

本发明提供的液晶面板的镀膜方法，液晶面板没有气泡产生，提高了液晶器件制备良率，且所述液晶面板对膜层的附着力强，膜层硬度高。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种液晶面板的镀膜方法，包括：

提供第二真空环境和第四真空环境，所述第二真空环境的温度为120℃～160℃，所述第四真空环境的温度为60℃～90℃，所述第二真空环境能够与所述第四真空环境连通；

将所述液晶面板置于所述第二真空环境一段时间之后，再将所述液晶面板置于所述第四真空环境中进行镀膜。

2.根据权利要求1所述的液晶面板的镀膜方法，其特征在于，所述第二真空环境为中真空状态，所述第四真空环境为高真空状态。

3.根据权利要求2所述的液晶面板的镀膜方法，其特征在于，所述第二真空环境的真空压力为1Pa至10Pa，所述第四真空环境的真空压力为0.1Pa至0.5Pa。

4.根据权利要求3所述的液晶面板的镀膜方法，其特征在于，所述液晶面板置于所述第二真空环境中的时间为10秒至30秒。

5.根据权利要求1所述的液晶面板的镀膜方法，其特征在于，在将所述液晶面板置于所述第二真空环境前，对所述液晶面板进行等离子清洗并使所述液晶面板预进行镀膜的基板减薄。

6.根据权利要求5所述的液晶面板的镀膜方法，其特征在于，采用所述等离子清洗使所述液晶面板预进行镀膜的基板厚度减薄5nm至10nm。

7.根据权利要求5所述的液晶面板的镀膜方法，其特征在于，所述等离子清洗在第一真空环境中进行，所述第一真空环境为低真空状态，所述第一真空环境的温度为60℃～90℃。

8.根据权利要求7所述的液晶面板的镀膜方法，其特征在于，所述第一真空环境的真空压力为10Pa至50Pa。

9.根据权利要求1所述的液晶面板的镀膜方法，其特征在于，提供第三真空环境，使置于所述第二真空环境的液晶面板通过所述第三真空环境后再进入所述第四真空环境，所述第三真空环境的温度为60℃～90℃。

10.根据权利要求9所述的液晶面板的镀膜方法，其特征在于，所述第三真空环境的压力为0.1Pa至0.5Pa。