JPS589241A - 真空連続処理下における被処理物の洗浄装置 - Google Patents
真空連続処理下における被処理物の洗浄装置Info
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- JPS589241A JPS589241A JP10649681A JP10649681A JPS589241A JP S589241 A JPS589241 A JP S589241A JP 10649681 A JP10649681 A JP 10649681A JP 10649681 A JP10649681 A JP 10649681A JP S589241 A JPS589241 A JP S589241A
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- chamber
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- metallizing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
□本胤′−は、特に光学的なビデイオ・ディスク等の綾
射膿を形成゛する前処理としで放電洗浄を・行う場合に
最適に採用できる真空連続麩理下に動ける被処理物の洗
□浄装普を提供するのにある。
射膿を形成゛する前処理としで放電洗浄を・行う場合に
最適に採用できる真空連続麩理下に動ける被処理物の洗
□浄装普を提供するのにある。
近時レコード再生系に代わる新しい形態としてビディオ
・デｊスク再生系が注目視されつつある。
・デｊスク再生系が注目視されつつある。
ところでビデイオ・ディスク・システム、としてはディ
）り龜記録された信号を再生する場合の相違から、ディ
スクに直接、ピックアップが接触することによってディ
スクに記録された信号を再生する接触式と、ディスクに
直接、ピックアップが接触しないで信号を再生する非接
触式とがある。
）り龜記録された信号を再生する場合の相違から、ディ
スクに直接、ピックアップが接触することによってディ
スクに記録された信号を再生する接触式と、ディスクに
直接、ピックアップが接触しないで信号を再生する非接
触式とがある。
前者にはディスクｉこ・信号溝、を形成して、この溝を
電極の付いた不タイラスで追従することにより静電容量
変化をとらえる溝、付静電容量方式によるもの、文は複
数のビット列が信号としてディスクの表面にうず巻状に
形成され、このピット列を電極の付いたスタイラる。で
追従して＋、の静電容量変化をとらえる溝なし静電、容
量方式によるもの等があり、後者にはディ予りに記録さ
れたうず巻状のでット列に−えば半導体レーザを、！射
、してその反射光を読み取る光学式ビディオ・ディスク
李式に代表される。
電極の付いた不タイラスで追従することにより静電容量
変化をとらえる溝、付静電容量方式によるもの、文は複
数のビット列が信号としてディスクの表面にうず巻状に
形成され、このピット列を電極の付いたスタイラる。で
追従して＋、の静電容量変化をとらえる溝なし静電、容
量方式によるもの等があり、後者にはディ予りに記録さ
れたうず巻状のでット列に−えば半導体レーザを、！射
、してその反射光を読み取る光学式ビディオ・ディスク
李式に代表される。
ところで光学式ビディオ・ダイス、、り・システムにお
けるディス、りは逓常、ディスク表面にはピットは形成
令れていない、即ち透明なプラスチック、例えば埠遇率
の高いアクリル樹脂や塩化ビニ−、ル樹脂を用いてイン
ジ異りシーン或いはコンブレツシーン等の方法でプラス
チック成型することにより表面にビットが形成されたデ
ィスク製作基板を先ず成型し、次いで半導体レーザ等を
照射した場合の′反射効率を向上するために、ディスク
製作基板の表面に、例えばアルミニウムの反射膿をピッ
ト形状を崩さずに極（薄く形威し、さらにその表面に透
明なプラスチック保護層を形成することによって製造さ
れる０両面ディスクにおいては一般にこのようにして製
造された片面ディスクを背中合せに接着することによっ
て形成されている。
けるディス、りは逓常、ディスク表面にはピットは形成
令れていない、即ち透明なプラスチック、例えば埠遇率
の高いアクリル樹脂や塩化ビニ−、ル樹脂を用いてイン
ジ異りシーン或いはコンブレツシーン等の方法でプラス
チック成型することにより表面にビットが形成されたデ
ィスク製作基板を先ず成型し、次いで半導体レーザ等を
照射した場合の′反射効率を向上するために、ディスク
製作基板の表面に、例えばアルミニウムの反射膿をピッ
ト形状を崩さずに極（薄く形威し、さらにその表面に透
明なプラスチック保護層を形成することによって製造さ
れる０両面ディスクにおいては一般にこのようにして製
造された片面ディスクを背中合せに接着することによっ
て形成されている。
ところで上記反射請を＊＊するのには、化学めっき法、
′電気めっき法、蒸着法、スパッタリング法等が考えら
れるが、無公害な点とピット形状を崩さずに反射効率を
向上させるために、蒸着法、スパッタリング法が普及し
９つある。
′電気めっき法、蒸着法、スパッタリング法等が考えら
れるが、無公害な点とピット形状を崩さずに反射効率を
向上させるために、蒸着法、スパッタリング法が普及し
９つある。
蒸着法、スパッタリング法を実施するのには、気密性と
公害面とを考慮して真空室を必要とし、これには従来行
われているものとしてパッチ法と半連続法とがある。
公害面とを考慮して真空室を必要とし、これには従来行
われているものとしてパッチ法と半連続法とがある。
パンチ法とは第１図に示すように、例えば真空ベルジャ
Ａ内にディスク製作基板１を放射状に数段、配置してか
らドアパルプＢを閉め、その後、真空ポンプ埠を向いて
前記ベルジ中Ａ内を排気し、真空にした後に、アルミニ
ウム等の処理金属１８を加熱することによって気化し、
被処理物としてのτイスク蛎作基板ｌにアルミニウムを
蒸着させる方法をいう。
Ａ内にディスク製作基板１を放射状に数段、配置してか
らドアパルプＢを閉め、その後、真空ポンプ埠を向いて
前記ベルジ中Ａ内を排気し、真空にした後に、アルミニ
ウム等の処理金属１８を加熱することによって気化し、
被処理物としてのτイスク蛎作基板ｌにアルミニウムを
蒸着させる方法をいう。
しかし蒸着法においては、メタライジングを行う毎に被
処理物を真空ベルジ中Ａ内に入れたり出したりするのに
ドアＢｅ１ｌかなければならないので真空ベルジ中人の
気密性が維持できず、ディスク製作基板１等に蒸着した
アルミニウム等が汚染されて反射効率が低下され、付着
力が弱まって長期に亙ると蕪看鵬が剥れたりすることが
あうた。
処理物を真空ベルジ中Ａ内に入れたり出したりするのに
ドアＢｅ１ｌかなければならないので真空ベルジ中人の
気密性が維持できず、ディスク製作基板１等に蒸着した
アルミニウム等が汚染されて反射効率が低下され、付着
力が弱まって長期に亙ると蕪看鵬が剥れたりすることが
あうた。
、しかもパッチ法の場合には真空ベルジ中Ａ内を一端排
気し放電ガス下において真空蒸着を行うので放電洗浄し
、さらに真空排気するので時間がかかるとともに、被熱
、理物を真空ベルジャＡ内にセットするのに手間がかか
ることから生産−率が悪く、コス）高になっていた。
気し放電ガス下において真空蒸着を行うので放電洗浄し
、さらに真空排気するので時間がかかるとともに、被熱
、理物を真空ベルジャＡ内にセットするのに手間がかか
ることから生産−率が悪く、コス）高になっていた。
他面、半達繞法とは、第２ｖ！Ｊに示すように、気密を
維持するためのドア付の室Ｃ，Ｅを、中藺に位置するメ
タライリング室りの前後にパルプＦ。
維持するためのドア付の室Ｃ，Ｅを、中藺に位置するメ
タライリング室りの前後にパルプＦ。
Ｇを介して連袂して耽け、そして前記室Ｃ内にストック
されている被処理物としてのディスク製作基板を用いて
メタライジング室り内に順次搬送□し、メタライジング
室り内においてアルミニウム□等の処理金属１８を気化
する等して被処理□物としてのディスク製作基板ｌにア
ルミニウムを蒸着させる。
されている被処理物としてのディスク製作基板を用いて
メタライジング室り内に順次搬送□し、メタライジング
室り内においてアルミニウム□等の処理金属１８を気化
する等して被処理□物としてのディスク製作基板ｌにア
ルミニウムを蒸着させる。
そして開いているパルプＧを通って宣Ｅ内に処理後の被
処理物を搬送し、それからパルプＦ、Ｇを閉じ、前記型
Ｃ，Ｅのドアを開き、室Ｃには未処゛ 理誌ディスク製
作基板１を取り入れ、他面室Ｅから処理後のディスク製
作基板ＩＧ′取り出す方法である。
処理物を搬送し、それからパルプＦ、Ｇを閉じ、前記型
Ｃ，Ｅのドアを開き、室Ｃには未処゛ 理誌ディスク製
作基板１を取り入れ、他面室Ｅから処理後のディスク製
作基板ＩＧ′取り出す方法である。
しかし半適統法は、被処理物としてのディスク製作基板
ｌにメタライジングを行うのに被処理物が宣Ｃ１メタラ
イジング室０１室Ｅの真空状態を維持するのにパルプＦ
、Ｇが必要とｔぶり真空ポンプが大容量となり、しかも
イオン洗浄を行わないため被処理物に対する薄膜の密着
性が悪く、長期に亙・り刺げ落ちることがあった。さら
には設備費がかかる・とともにパッチ式同様に処理時間
がかかり、コスト高となっていた。
ｌにメタライジングを行うのに被処理物が宣Ｃ１メタラ
イジング室０１室Ｅの真空状態を維持するのにパルプＦ
、Ｇが必要とｔぶり真空ポンプが大容量となり、しかも
イオン洗浄を行わないため被処理物に対する薄膜の密着
性が悪く、長期に亙・り刺げ落ちることがあった。さら
には設備費がかかる・とともにパッチ式同様に処理時間
がかかり、コスト高となっていた。
半連袂装置において、スパッタリング前に放電洗浄を行
う場合には、数置の真空室およびパルプを投砂なければ
ならず、そのためさらに設備費は膨大となる。
う場合には、数置の真空室およびパルプを投砂なければ
ならず、そのためさらに設備費は膨大となる。
本発明番嘘上述の如き点に鑑みてｔｌされたものであり
その目的とするところは、真空予備室と、洗浄室と、真
空室とを追納的に設けたことにより被処理物の洗浄効果
を高めてメタライジング等を効果的に行えるようにして
コストを４！厳にできる真空達纏鶏瑠下における被処理
物の洗浄装置を提供するのにある。
その目的とするところは、真空予備室と、洗浄室と、真
空室とを追納的に設けたことにより被処理物の洗浄効果
を高めてメタライジング等を効果的に行えるようにして
コストを４！厳にできる真空達纏鶏瑠下における被処理
物の洗浄装置を提供するのにある。
以下本発明を第３１１７ｔ！第８図にＩＩ！つて鋭−す
る。
る。
１ｍ被鶏瑠物としてその表面にアルミニウム等の金属が
メタライジングされるべきドーナツ状のディスク製作基
板で、このディスク製作基板１は例えば半導体レーザ等
の透過率が高い透明なアクリル樹脂や塩化ビニール樹脂
を用いてコンブレラシーンやポンプ１クシーンによって
成型される。
メタライジングされるべきドーナツ状のディスク製作基
板で、このディスク製作基板１は例えば半導体レーザ等
の透過率が高い透明なアクリル樹脂や塩化ビニール樹脂
を用いてコンブレラシーンやポンプ１クシーンによって
成型される。
２は被処理物としてのディスク製作基板１を例えば前後
両側面にＩｌ型に着脱自在に装着して、連続して配置さ
れた後記入口側予備真空室３、洗浄室４、高真空室５、
メタライジング室６、出口側予備真空室７，８の各真空
室内に連続又は間欠的に搬送されるパレットで、このパ
レット２番嘘軸長方向の前後両側面にディスク製作基板
１が装着される凹面部２ Ａ ＊ ２ Ａがその大部分
を占めるように形成され、さらに進行方向に対して直交
方向の断面形状が後記入口側予備真空室３、イオン洗浄
室４、高真空室５、メタライジング室６、出口側予備真
空室７，８の各真空室内に設けた通路と酷似形状のシー
リング用膨出部２Ｂ、２Ｂを前記凹面部２Ａ、２Ａと追
設している。
両側面にＩｌ型に着脱自在に装着して、連続して配置さ
れた後記入口側予備真空室３、洗浄室４、高真空室５、
メタライジング室６、出口側予備真空室７，８の各真空
室内に連続又は間欠的に搬送されるパレットで、このパ
レット２番嘘軸長方向の前後両側面にディスク製作基板
１が装着される凹面部２ Ａ ＊ ２ Ａがその大部分
を占めるように形成され、さらに進行方向に対して直交
方向の断面形状が後記入口側予備真空室３、イオン洗浄
室４、高真空室５、メタライジング室６、出口側予備真
空室７，８の各真空室内に設けた通路と酷似形状のシー
リング用膨出部２Ｂ、２Ｂを前記凹面部２Ａ、２Ａと追
設している。
なおパレット２は、第６図書ζ゛示すように、両面に凹
面部２Ａ、２Ａが形成されるとともに前後両端にシーリ
ング用膨出部２Ｂｙ２Ｂ：２Ｂ、２Ｂを設けたもの、ま
た第７図および第８ＩｌＩに示すように片面のみにディ
スク製作基板装着用の凹面部２Ａを設け、シーリング用
膨出部２Ａｅ後端又は前後両端に設ける等、種々のもの
が考えられる。
面部２Ａ、２Ａが形成されるとともに前後両端にシーリ
ング用膨出部２Ｂｙ２Ｂ：２Ｂ、２Ｂを設けたもの、ま
た第７図および第８ＩｌＩに示すように片面のみにディ
スク製作基板装着用の凹面部２Ａを設け、シーリング用
膨出部２Ａｅ後端又は前後両端に設ける等、種々のもの
が考えられる。
またパレッ）２の搬送手段は、連続してガイド枠にて支
持されたパレット２を油圧シリンダ等の受圧で順次、押
込むか、或いはベルトコンベア、リーラコンベア、チ晶
ンコンベア等の従来の搬送手段を用いて行う。
持されたパレット２を油圧シリンダ等の受圧で順次、押
込むか、或いはベルトコンベア、リーラコンベア、チ晶
ンコンベア等の従来の搬送手段を用いて行う。
入口側予備真空室３、洗浄室４、高真空室５、メタライ
ジング室６、出口側予備真空室、７．８から成る複数個
の真空室間は連絡通路９ 、 ｔ ｏ 、 ｔｉ、１２
．１３によって連続して接続され、しかも前記入口側予
備真空室３と出口側予備真空室８のそれぞれの入口側お
よび出口側には入口便通１１１４と出口清適ｌ１１５．
が形成されている。この入口側通路１４、出口側通路１
５、および前記連絡通路９．１０，１１，１２，１３の
パレット２の進行方向に対し直交方向の断面形状は、パ
レット２のシーリング用膨出部２Ｂ、２Ｂが接触して搬
送方向に位置する通路および之に道する真空室をシー−
リングして真空状態にするためにシーリング用膨出部２
Ｂ、２Ｂの断Ｗ形状と酷似形状で僅かに大きく形成され
ている。また入口側予備真空室３、洗浄室４、高真空室
５、メタライジング室６、出口側予備真空室７，８は真
空ポンプ（図示せず）等に接続されて該真空室内にする
ための排気口３ｐ、、４Ａ、５Ａ、６Ａ、７Ａ、８Ａが
形成されている。１ｆｔ、１７は洗浄室４内に設けられ
た１対の洗浄電極、１ｇは前記メタライジング寛６内に
配置された処理金属、例えばアル文ニウムである。
ジング室６、出口側予備真空室、７．８から成る複数個
の真空室間は連絡通路９ 、 ｔ ｏ 、 ｔｉ、１２
．１３によって連続して接続され、しかも前記入口側予
備真空室３と出口側予備真空室８のそれぞれの入口側お
よび出口側には入口便通１１１４と出口清適ｌ１１５．
が形成されている。この入口側通路１４、出口側通路１
５、および前記連絡通路９．１０，１１，１２，１３の
パレット２の進行方向に対し直交方向の断面形状は、パ
レット２のシーリング用膨出部２Ｂ、２Ｂが接触して搬
送方向に位置する通路および之に道する真空室をシー−
リングして真空状態にするためにシーリング用膨出部２
Ｂ、２Ｂの断Ｗ形状と酷似形状で僅かに大きく形成され
ている。また入口側予備真空室３、洗浄室４、高真空室
５、メタライジング室６、出口側予備真空室７，８は真
空ポンプ（図示せず）等に接続されて該真空室内にする
ための排気口３ｐ、、４Ａ、５Ａ、６Ａ、７Ａ、８Ａが
形成されている。１ｆｔ、１７は洗浄室４内に設けられ
た１対の洗浄電極、１ｇは前記メタライジング寛６内に
配置された処理金属、例えばアル文ニウムである。
上記装着を用いて本■特定発明を実施するのには、先ず
アクリル樹脂のような透過度の高いプラスチックにてら
ず巻き状のピットを表面に成型されたディスク製作基板
１，１をパレット２の両面に形成された凹面部２人、２
人に装着する。この場合凹面部２Ａ、２Ａにはディスク
製作基板１゜１の中心に設けたスピンＶル挿通孔Ｉ Ａ
ｔ Ｉ Ａ内に挿通されるスピンドル２Ａｌ −２Ａ
ｔが挿入されることにより容易にディスク製作基板１．
１をパレッ）２に装着できる。
アクリル樹脂のような透過度の高いプラスチックにてら
ず巻き状のピットを表面に成型されたディスク製作基板
１，１をパレット２の両面に形成された凹面部２人、２
人に装着する。この場合凹面部２Ａ、２Ａにはディスク
製作基板１゜１の中心に設けたスピンＶル挿通孔Ｉ Ａ
ｔ Ｉ Ａ内に挿通されるスピンドル２Ａｌ −２Ａ
ｔが挿入されることにより容易にディスク製作基板１．
１をパレッ）２に装着できる。
そして先ず第１工程として油圧シリンダ（図示せず）等
の違纏約又は間欠的な受圧を受けて、ディスク製作基板
１．１を装着し且つ連続して配置されたパレット２は１
に統するものに押圧されることによって入口測道［１１
４内に押込まれていく。
の違纏約又は間欠的な受圧を受けて、ディスク製作基板
１．１を装着し且つ連続して配置されたパレット２は１
に統するものに押圧されることによって入口測道［１１
４内に押込まれていく。
入口側通路１４の断面形状はパレット２の進行方向に対
して直交方向の断面形状と酷似形状で僅かに大きく形成
されているのでパレット２が入口側通路１４内に押込ま
れてい（に従いパレット２のシーリング用膨出部２Ｂ、
２Ｂが入口側通路１４の内壁に接触して閉塞する。従っ
て入口慣通１）１４に遥する入口側予備真空室３は真空
ポンプ（図示せず）等で排気され真空状態となる。この
場合、１つのパレッ）２が入口側真空予備室３内に完全
に収容されると、後続のパレット２のシーリング用膨出
部２Ｂ、２Ｂが入口側通路１４を閉塞するので入口側真
空予備室３は常時、真空状態となる。
して直交方向の断面形状と酷似形状で僅かに大きく形成
されているのでパレット２が入口側通路１４内に押込ま
れてい（に従いパレット２のシーリング用膨出部２Ｂ、
２Ｂが入口側通路１４の内壁に接触して閉塞する。従っ
て入口慣通１）１４に遥する入口側予備真空室３は真空
ポンプ（図示せず）等で排気され真空状態となる。この
場合、１つのパレッ）２が入口側真空予備室３内に完全
に収容されると、後続のパレット２のシーリング用膨出
部２Ｂ、２Ｂが入口側通路１４を閉塞するので入口側真
空予備室３は常時、真空状態となる。
−第２工程としてパレット２のシーリング用膨出部２Ｂ
、２Ｂと近似形状で僅かに大きい断面形状を有する通路
９にシーリング用膨出部２Ｂ、２Ｂが接触しながら気密
を維持してパレット２は順次洗浄室４内に搬送される。
、２Ｂと近似形状で僅かに大きい断面形状を有する通路
９にシーリング用膨出部２Ｂ、２Ｂが接触しながら気密
を維持してパレット２は順次洗浄室４内に搬送される。
従って、洗浄室４内に搬送されたパレット２に装着され
ているディスク製作基板１，１は特定ガスを流入しなが
ら真空排気されてい、る定真空下において洗浄電極１６
、１７間に高電圧を印加することによってイオン洗浄
される。この場合、通路９内には後続のパレット２のシ
ーリング用膨出部２Ｂ、２Ｂが接触し、しかも真空ポン
プ（図示せず） にて排気されているから洗浄室４内は
真空状態を維持してイオン洗浄が速やかに行われるとと
もに後記の処理金属のメタライジング効果を高めること
ができる。また、洗浄室４内で行い得る被処理物の洗浄
は、この説明ではイオン洗浄として説明しているが、プ
ラズマ等の放電加工やヒータ等による加熱放電等のあら
ゆるものが考えられる。
ているディスク製作基板１，１は特定ガスを流入しなが
ら真空排気されてい、る定真空下において洗浄電極１６
、１７間に高電圧を印加することによってイオン洗浄
される。この場合、通路９内には後続のパレット２のシ
ーリング用膨出部２Ｂ、２Ｂが接触し、しかも真空ポン
プ（図示せず） にて排気されているから洗浄室４内は
真空状態を維持してイオン洗浄が速やかに行われるとと
もに後記の処理金属のメタライジング効果を高めること
ができる。また、洗浄室４内で行い得る被処理物の洗浄
は、この説明ではイオン洗浄として説明しているが、プ
ラズマ等の放電加工やヒータ等による加熱放電等のあら
ゆるものが考えられる。
その後、第３工程として最初のパレット２は通路１０か
ら高真空室５内に搬送されてくる。この高真空室５にお
いては真空ポンプ（図示せず）等を用いて排気がされる
とともに通路１０内は後続のパレット２のシーリング用
膨出部２Ｂ、２Ｂが接触して閉塞され、さらには大気と
接する入口側通路１４から入口側予備真空室３、洗浄室
４と２つの真空室を経ているから高真空室５は高真空状
態になっている。
ら高真空室５内に搬送されてくる。この高真空室５にお
いては真空ポンプ（図示せず）等を用いて排気がされる
とともに通路１０内は後続のパレット２のシーリング用
膨出部２Ｂ、２Ｂが接触して閉塞され、さらには大気と
接する入口側通路１４から入口側予備真空室３、洗浄室
４と２つの真空室を経ているから高真空室５は高真空状
態になっている。
ここにおいてディスク製作基板１が高真空室を通過する
ことはそのディスク製作基板１０表面付着ガスを除去で
きる作用があり、後記のメタライジング効果をさらに高
めることができるからである。
ことはそのディスク製作基板１０表面付着ガスを除去で
きる作用があり、後記のメタライジング効果をさらに高
めることができるからである。
更に第４工程として、最初のパレット２はａｌｌｌｌｌ
を経てメタライジング室６内に搬送されて来 。
を経てメタライジング室６内に搬送されて来 。
る、このメタライジング６内番嘘、前部に通路１１を介
して前記高真空室５が、また後部には通路１２．１３を
経て２つの出口側予備真空室７．８が連続して設けられ
、そのうえそれぞれ真空ポンプ（図示せず）によって排
気が行われているから、前記高真空室５と同様、高真空
となっている。
して前記高真空室５が、また後部には通路１２．１３を
経て２つの出口側予備真空室７．８が連続して設けられ
、そのうえそれぞれ真空ポンプ（図示せず）によって排
気が行われているから、前記高真空室５と同様、高真空
となっている。
次に、この高真空下でのメタライジング室６内に不活性
ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）を送入して、同雰囲気の
下に高電圧又は高周波電圧が処理金属、例えばアルミニ
ウム１８に印加されることにより放電、が行われると、
Ａ ｒ″″が発生し、これが陰極としての処理金属１８
、即ちアルミニウムに衝突することによって表面の原子
をたたき出し、アクリル樹脂にて成型された陽極部とし
てのディスク製作基板１，１の表面に極めＣ＊いアルミ
ニウムの膿が形成される。即ちスパッタリングにより処
理金属の薄膜がディスク製作基板１，１に形成できる。
ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）を送入して、同雰囲気の
下に高電圧又は高周波電圧が処理金属、例えばアルミニ
ウム１８に印加されることにより放電、が行われると、
Ａ ｒ″″が発生し、これが陰極としての処理金属１８
、即ちアルミニウムに衝突することによって表面の原子
をたたき出し、アクリル樹脂にて成型された陽極部とし
てのディスク製作基板１，１の表面に極めＣ＊いアルミ
ニウムの膿が形成される。即ちスパッタリングにより処
理金属の薄膜がディスク製作基板１，１に形成できる。
この場合、アルミニウムの膿の厚さは５００Ａ〜２００
０Ａ程度であり、ディスク製作基板１．１の表面に形成
された信号としてのビット列の形状はアルミニウム膿に
よって埋められて形状が崩れることはない。
０Ａ程度であり、ディスク製作基板１．１の表面に形成
された信号としてのビット列の形状はアルミニウム膿に
よって埋められて形状が崩れることはない。
第５工程として、メタライジング室６においてスパッタ
リングによりメタライジングされたディスク製作基板１
，１は通路１２，１３を介して接続されている２つの出
口側予備真空室７，８を経て出口側通路１５からパレッ
ト２とと虻に搬送されることにより被処理物としてのデ
ィスク製作基板１のメタライジングが完了する。この場
合、メタライジング室６に通ずる２つの通路１２，１３
には後続のパレット２，２のシーリング用膨出部２Ｂ、
２Ｂ；２Ｂ、２Ｂが接触して閉塞されるため、また出口
側通路１５には先行するパレット２のシーリング用膨出
部２Ｂ、２Ｂが接触しているため、出口側予備真空室７
，８の排気を行えば、この出口側予備真空室７，８を真
空状態に維持できるとともにメタライジング室６を高真
空に維持できる。
リングによりメタライジングされたディスク製作基板１
，１は通路１２，１３を介して接続されている２つの出
口側予備真空室７，８を経て出口側通路１５からパレッ
ト２とと虻に搬送されることにより被処理物としてのデ
ィスク製作基板１のメタライジングが完了する。この場
合、メタライジング室６に通ずる２つの通路１２，１３
には後続のパレット２，２のシーリング用膨出部２Ｂ、
２Ｂ；２Ｂ、２Ｂが接触して閉塞されるため、また出口
側通路１５には先行するパレット２のシーリング用膨出
部２Ｂ、２Ｂが接触しているため、出口側予備真空室７
，８の排気を行えば、この出口側予備真空室７，８を真
空状態に維持できるとともにメタライジング室６を高真
空に維持できる。
なお、上記メタライジング室６での被処理物のメタライ
ジングをスパッタリングによって行うように説明したけ
れども、その他、真空蒸着によってもメタライジングが
行えることはいうまでもない。
ジングをスパッタリングによって行うように説明したけ
れども、その他、真空蒸着によってもメタライジングが
行えることはいうまでもない。
しかも本発明の装置は上記のようにプラスチック等の被
処理物のメタライジングに使用されるほか、水晶発振子
を被処理物として洗浄室４で洗浄後、メタライジング室
６に相当する真空室でキャツブを水晶発振子を被せてシ
ーリングを行う等、水晶発振子のシーリング作業にも使
用できる。この場合、数個の真空室を洗浄室４の前後に
設けたから洗浄室４内ての水晶発振子の洗浄効果を高め
、製品としての信頓性が向上する。
処理物のメタライジングに使用されるほか、水晶発振子
を被処理物として洗浄室４で洗浄後、メタライジング室
６に相当する真空室でキャツブを水晶発振子を被せてシ
ーリングを行う等、水晶発振子のシーリング作業にも使
用できる。この場合、数個の真空室を洗浄室４の前後に
設けたから洗浄室４内ての水晶発振子の洗浄効果を高め
、製品としての信頓性が向上する。
上述のように本発明は、真空予備室と、洗浄室と真空室
とを連続的に設けたので被処理物の洗浄効果を高めてメ
タライジング等を効率的に連続して行えるようにして製
品としての信頓性を高めることができ、しかも連続して
被処理物に対して洗浄が行われてメタライジング等が行
えるから製品としてのコストを低置にできる。
とを連続的に設けたので被処理物の洗浄効果を高めてメ
タライジング等を効率的に連続して行えるようにして製
品としての信頓性を高めることができ、しかも連続して
被処理物に対して洗浄が行われてメタライジング等が行
えるから製品としてのコストを低置にできる。
第１図および第２図１は従来のメタライジング法として
の、バッジ法と半達紬法を示す断面図、第３図は本特定
発明を実施するのに使用する装習を示す側面図、第４図
は同じく原理を示す説明用の水平断面図、第５図は同じ
くパレットと、ディスク製作基板と通路とを示す斜面図
、第６図乃至第８図は同じくパレットのいくつかの変化
−である。 １・・・ディスク製作基板、２・・・パレ７）、２Ａ・
・・凹面部、２Ｂ・・・シーリング用膨出部、３・・・
入口側真空予備室、４・・・洗浄室、５・・・高真空室
、６・・・メタライジング室、７，８・・・出口側真空
予備室、９．１０，１１，１２．１３・・・通路、１４
・・・入口側通路、・１５・・・出口側通路。 特許出願人 パイオニア株式会社 同 大亜真空技研株式会社
の、バッジ法と半達紬法を示す断面図、第３図は本特定
発明を実施するのに使用する装習を示す側面図、第４図
は同じく原理を示す説明用の水平断面図、第５図は同じ
くパレットと、ディスク製作基板と通路とを示す斜面図
、第６図乃至第８図は同じくパレットのいくつかの変化
−である。 １・・・ディスク製作基板、２・・・パレ７）、２Ａ・
・・凹面部、２Ｂ・・・シーリング用膨出部、３・・・
入口側真空予備室、４・・・洗浄室、５・・・高真空室
、６・・・メタライジング室、７，８・・・出口側真空
予備室、９．１０，１１，１２．１３・・・通路、１４
・・・入口側通路、・１５・・・出口側通路。 特許出願人 パイオニア株式会社 同 大亜真空技研株式会社
Claims (1)
- 被処理物をパレｙ）に着脱自在に装着し、該パレットの
進行方向の断面形状が酷似形状の通路を介して少なくと
も真空予備室と、洗浄室と、真空室とを連続的に設け、
該真空予備室と、洗浄室と真空室□との各室内に前記被
処理物をパレットととも□に連続し−で搬送することに
よって被処理物の洗浄を行うことを特徴とする真空連続
処理下における被処理物の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10649681A JPS589241A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 真空連続処理下における被処理物の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10649681A JPS589241A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 真空連続処理下における被処理物の洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589241A true JPS589241A (ja) | 1983-01-19 |
Family
ID=14435042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10649681A Pending JPS589241A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 真空連続処理下における被処理物の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589241A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174152A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスクの製造装置およびその製造方法 |
| JPS61150144A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスクの製造方法およびその装置 |
| JPS61153853A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスクの製造方法およびその装置 |
| JPS63153288A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-25 | Hosiden Electronics Co Ltd | 真空加工装置 |
| WO2009097888A1 (de) * | 2008-02-04 | 2009-08-13 | Krones Ag | Schleusenvorrichtung zum ein- und ausbringen von behältern in und aus einer vakuumbehandlungskammer |
-
1981
- 1981-07-08 JP JP10649681A patent/JPS589241A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174152A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスクの製造装置およびその製造方法 |
| JPS61150144A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスクの製造方法およびその装置 |
| JPS61153853A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスクの製造方法およびその装置 |
| JPS63153288A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-25 | Hosiden Electronics Co Ltd | 真空加工装置 |
| WO2009097888A1 (de) * | 2008-02-04 | 2009-08-13 | Krones Ag | Schleusenvorrichtung zum ein- und ausbringen von behältern in und aus einer vakuumbehandlungskammer |
| JP2011511156A (ja) * | 2008-02-04 | 2011-04-07 | クロネス アクティェンゲゼルシャフト | 真空処理チャンバに容器を送り込み、該チャンバから容器を取り出すためのロック装置 |
| US8602708B2 (en) | 2008-02-04 | 2013-12-10 | Krones Ag | Lock device for adding and removing containers to and from a vacuum treatment chamber |
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