JP2003085936A - マスター担体のクリーニング方法 - Google Patents

マスター担体のクリーニング方法

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JP2003085936A JP2001302236A JP2001302236A JP2003085936A JP 2003085936 A JP2003085936 A JP 2003085936A JP 2001302236 A JP2001302236 A JP 2001302236A JP 2001302236 A JP2001302236 A JP 2001302236A JP 2003085936 A JP2003085936 A JP 2003085936A
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Shoichi Nishikawa
正一 西川
Akihito Kamatani
彰人 鎌谷
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスター担体への付着物をドライプロセスお
よび非接触で再付着することなく除去して転写品質の高
い磁気転写が行えるようにする。 【解決手段】 磁気転写または光ディスク成形を行う前
の磁気転写用または光ディスク用マスター担体2を減圧
容器3に収容し、減圧手段4で容器3内を減圧し、ガス
導入手段6により反応性ガスを容器3内に導入した状態
で、放電手段5により電極52とマスター担体2間にプラ
ズマ放電を発生させ、マスター担体2表面の付着物をプ
ラズマエッチングを利用して燃焼除去する。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、磁気転写に使用す
る磁気転写用マスター担体または光ディスクの成形に使
用する光ディスク用マスター担体のクリーニング方法に
関するものである。 【0002】 【従来の技術】磁気転写方法は、磁性体の微細凹凸パタ
ーンにより転写情報を担持したマスター担体の情報担持
面と、転写を受ける磁気記録部を有するスレーブ媒体と
を密着させた状態で、転写用磁界を印加してマスター担
体に担持した転写情報(例えばサーボ信号)に対応する
磁化パターンをスレーブ媒体に転写記録するものであ
る。この磁気転写方法としては、例えば特開昭63−1
83623号公報、特開平10−40544号公報、特
開平10−269566号公報等に開示されている。 【0003】磁気転写に使用されるマスター担体は、シ
リコン基板、ガラス基板等に、フォトファブリケーショ
ン、スパッタ、エッチングなどの処理を施して磁性体に
よる凹凸パターンを形成したもので構成されている。ま
た、半導体などで使用されているリトグラフィー技術、
あるいは光ディスクスタンパー作成に使用されているス
タンパー作成技術を応用し、磁気転写用マスター担体を
作成することが考えられている。 【0004】上記磁気転写における転写品質を高めるた
めには、マスター担体とスレーブ媒体とをいかに隙間な
く密着させることが重要な課題である。つまり密着不良
があると、磁気転写が起こらない領域が生じ、磁気転写
が起こらないとスレーブ媒体に転写された磁気情報に信
号抜けが発生して信号品位が低下し、記録した信号がサ
ーボ信号の場合にはトラッキング機能が十分に得られず
に信頼性が低下するという問題がある。 【0005】ところで、上記磁気転写方法による磁気転
写時に、マスター担体の繰り返し使用に応じて、マスタ
ー担体は表面に異物が付着して汚染される。このマスタ
ー担体への付着物としては、周辺環境で発生している塵
埃、繊維くずなどが主である。 【0006】これらの付着物がマスター担体に付着した
状態で磁気転写を行うと、付着部を中心として周辺に及
ぶ範囲までマスター担体とスレーブ媒体の密着が確保で
きず、所定信号レベルのパターン転写ができずに転写品
質が低下する。上記付着物はマスター担体とスレーブ媒
体の密着を繰り返すことにより、そのマスター担体表面
への付着力が助長され、以降の磁気転写したスレーブ媒
体のすべてに同様またはそれ以上のパターン転写不良が
生じ、多数の不良品の発生原因となる。さらに、これら
付着物により、マスター担体表面を変形させ、正常な機
能を損なう問題がある。 【0007】上記点から、例えば特開2000−285
637に見られるように、磁気転写用マスター担体をク
リーニングすることが提案されている。そのクリーニン
グは、クリーナーパッドを取り付けたクリーナーディス
クを回転させつつ、回転状態にあるマスター担体の表面
に接触させて付着物の除去を行うものである。 【0008】しかし、上記のようなクリーナーディスク
を使用したクリーニングでは、マスター担体の情報担持
面に形成された転写パターンが凹凸形状の場合に、凹部
内に入り込んで挟まっている異物の除去が困難である。
さらには周囲の異物を凹部に押し込める場合や、異物に
よりマスター担体の表面に擦れ傷を付ける場合もあり、
微粒子の付着物については除去不能なものもあり、クリ
ーニングが不十分で転写不良が解消できない恐れがあ
る。特に、マスター担体は高価であり、再使用して長寿
命化を図ることがコスト面で有利である。 【0009】また、マスター担体への付着物を除去する
ために、磁気転写する前のマスター担体を洗浄液を使用
した超音波洗浄、ワイピング等でクリーニングすること
が考えられる。しかし、これらの方法では洗浄後に、除
去した付着物がマスター担体に再付着する可能性があ
り、除去が不十分となると共に、マスター担体表面に洗
浄液を乾燥させた際のウォーターマーク、ワイピング材
との擦れ傷などが発生し、信号の転写不良、マスター担
体破損の原因となる恐れがある。つまり、洗浄液、ワイ
ピング材によって一時的に、付着物が除去されても、マ
スター担体表面に残る洗浄液またはワイピング材から再
付着する場合があり、特に微粒子については除去不能な
ものがある。 【0010】上記のような磁気転写における付着物によ
る信号抜けは、スレーブ媒体を逐次交換して多数回の磁
気転写を行う際に、その初期から発生している場合があ
る。これは、マスター担体の作成工程で付着物があるこ
とが分かった。また、その付着物を解析した結果、有機
物であることが分かり、パターン保護用に基板上に形成
したコート剤による保護層と同元素で構成されているこ
とが判明した。 【0011】具体的には、マスター担体の作成は、前述
のように、基板に転写信号に対応したパターンが形成さ
れ、この基板のパターン上に磁性層を被覆してなるもの
であるが、基板にパターンを作成する工程と、磁性層を
形成する工程とが別工程で行われるために、基板上のパ
ターンへの傷の発生および塵埃の付着防止のために、パ
ターン保護用の有機材料による保護層が塗布形成され
る。 【0012】そして、磁性層形成時には上記保護層を剥
離してから、スパッタリング等によって磁性層を設ける
ものであるが、保護層を剥離しても一部がパターンに残
っているものであり、これが磁性層作成時に飛散して表
面に付着し、密着不良による信号抜けの発生を招いてい
る。また、保護層の残留物が基板と磁性層との間に介在
して両者の密着性が低下し、磁性層剥離の原因となって
耐久性に影響を与える問題もある。 【0013】一方、光ディスクを作成するスタンパー法
は、凹凸パターンによる情報を担持した光ディスク用マ
スター担体(いわゆるスタンパー)を使用して光ディス
クの樹脂層を成形するものである。そして、光ディスク
は、情報に対応した凹凸形状を有する樹脂層の表面に薄
膜の反射層が被覆され、さらに保護層が設けられてな
る。 【0014】そして、前記光ディスク用マスター担体を
成形途中でクリーニングすることなく、光ディスクの成
形を連続して行っていたため、成形枚数が1000枚を
越えると、磁気転写用マスター担体と同様に異物が付着
することに伴って、作成された光ディスクのエラーレー
トが増大する傾向にあり、高信頼性の光ディスクを製作
することが困難になっていた。 【0015】上記点から一部で行われていた光ディスク
用マスター担体のクリーニングは、電解脱脂洗浄や洗剤
を用いた超音波洗浄、オゾン洗浄装置などが用いられて
いたが、強固に固着した付着物は除去することができな
い場合があった。特に、信号パターンの凹凸部の、凹部
の異物は完全に除去することが難しく、成形不良の原因
となっていた。 【0016】 【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題に鑑みなされたもので、マスター担体の付着物をドラ
イプロセスおよび非接触で再付着することなく除去して
転写品質の高い磁気転写または光ディスクの成形が行え
るようにしたマスター担体のクリーニング方法を提供す
ることを目的とするものである。 【0017】また、磁気転写用マスター担体の基板に設
けた保護層に起因するマスター担体への付着物を除去し
て転写品質の高い磁気転写が行えるようにした磁気転写
用マスター担体のクリーニング方法を提供するものであ
る。 【0018】さらに、磁気転写用または光ディスク用マ
スター担体の付着物を、凹部に入り込んだもの、微粒子
のものについても完全に除去して転写品質の高い磁気転
写または光ディスクの製作が行えるようにしたマスター
担体のクリーニング方法を提供するものである。 【0019】 【課題を解決するための手段】本発明のマスター担体の
クリーニング方法は、情報を担持したマスター担体から
スレーブ媒体へ磁気転写する磁気転写方法に使用する磁
気転写用マスター担体または情報を担持したマスター担
体により光ディスクを成形するのに使用する光ディスク
用マスター担体のクリーニング方法であって、磁気転写
を行う前または成形前の前記マスター担体表面の付着物
を、減圧反応性ガス雰囲気下のプラズマ放電を用いて燃
焼除去することを特徴とするものである。 【0020】上記クリーニング方法を実施するクリーニ
ング装置は、前記マスター担体を収容する減圧容器と、
容器内を減圧する減圧手段と、容器内の電極とマスター
担体間にプラズマ放電を発生させる放電手段と、反応性
ガスを容器内に導入するガス導入手段とを備え、減圧状
態で反応性ガスを導入して放電し、マスター担体の表面
の付着物をプラズマ放電により燃焼除去することを特徴
とする。 【0021】このクリーニング装置における減圧容器
は、開閉作動してマスター担体を交換可能に収容する。
前記減圧手段は、真空ポンプを備え、容器内を所定の圧
力に減圧する。前記放電手段は、マスター担体を放電手
段の一方の極に導通し、これと対峙して容器内に配設し
た電極とマスター担体間に放電電圧を印加するDC電源
またはRF電源を備え、マスター担体にプラズマ放電を
発生させる。前記ガス導入手段は、反応性の高い反応性
ガスを所定量容器内に導入する。 【0022】また、磁気転写用マスター担体の他のクリ
ーニング方法は、基板のパターン上に磁性層を形成する
磁気転写用マスター担体の作成において、前記パターン
が形成された基板の表面を、減圧反応性ガス雰囲気下の
プラズマ放電を用いてクリーニングする。その後に該基
板のパターン上に磁性層を形成する。つまり、パターン
が形成された基板の保護層を剥離した後で、磁性層を形
成する前の基板の保護層残留物を、減圧反応性ガス雰囲
気下のプラズマ放電を用いて燃焼除去してクリーニング
する。 【0023】換言すれば、上記磁気転写用マスター担体
の作成方法は、パターンが形成された基板の表面を、減
圧反応性ガス雰囲気下のプラズマ放電を用いてクリーニ
ングし、その後に該基板のパターン上に磁性層を形成す
ることを特徴とする。 【0024】さらに他のクリーニング方法は、情報に対
応した凹凸パターンが形成された情報担持面を有する磁
気転写用マスター担体または光ディスク用マスター担体
への付着物を除去するクリーニング方法であって、前記
マスター担体の情報担持面の表面に皮膜を設け、該皮膜
ごと表面に付着した付着物を除去することを特徴とす
る。 【0025】例えば、前記皮膜がカーボン層であり、ク
リーニング時にはこの皮膜をプラズマを用いて除去す
る。また、前記皮膜が高分子皮膜であり、クリーニング
時にはこの皮膜を溶剤またはプラズマを用いて除去す
る。皮膜の除去は超音波洗浄により、剥離させるように
してもよい。前記マスター担体への皮膜の形成は、カー
ボンを含む素材をスパッタリング、CVD法により成膜
する方法、高分子素材を蒸着により成膜する方法など
の、各種成膜方法が使用される。皮膜の厚さは40nm
以下が、良好な転写性または成形性を確保する点で好ま
しい。皮膜が40nmより厚いと、磁気転写の場合には
パターンの表面とスレーブ媒体との距離が大きくなり転
写性が劣化し分解能が低下し、光ディスク成形の場合に
は成形寸法の変化が大きくなる。 【0026】クリーニング後のマスター担体により再度
磁気転写または光ディスク成形を行う際には、情報担持
面の表面に前述の皮膜を再形成して使用する。 【0027】また、磁気転写用マスター担体の場合に
は、上記皮膜は基板上に設ける磁性層としてもよく、ク
リーニング時にはこの磁性層を除去し、再使用時には再
度スパッタリング等によって磁性層を形成するものであ
る。 【0028】前記クリーニングは、磁気転写または光デ
ィスク成形に連係して行うのが好適であり、各磁気転写
工程(成形工程)毎に、或いは所定回数の磁気転写(成
形)後に、或いは付着物による転写不良または成形不良
発生時にマスター担体を磁気転写装置または成形装置か
ら取り外してクリーニング処理するのが好ましい。その
際、複数のマスター担体を準備し、順次磁気転写または
光ディスク成形とクリーニングを繰り返すようにするの
が効率的に望ましい。 【0029】 【発明の効果】上記のような本発明によれば、磁気転写
または光ディスク成形を行う前のマスター担体表面の付
着物を減圧反応性ガス雰囲気下のプラズマ放電を用いて
燃焼除去することにより、繊維くずなどの付着物をドラ
イプロセスでかつ非接触で除去できるために、洗浄液を
使用した超音波洗浄、ワイピング等によるクリーニング
に対し、除去した付着物がマスター担体に再付着するこ
となく、ウォーターマーク、擦れ傷なども発生せず、微
粒子についても除去可能であり、マスター担体とスレー
ブ媒体との密着不良により発生する転写信号の劣化また
は成形不良の発生を防止でき、品質の安定した磁気転写
または光ディスク成形が実施でき信頼性が向上し、マス
ター担体の高寿命化が図れる。 【0030】また、基板に形成したパターン上に磁性層
を設けて磁気転写用マスター担体を作成する際に、前記
パターンが形成された基板の表面を、減圧反応性ガス雰
囲気下のプラズマ放電を用いてクリーニングし、その後
に磁性層を形成するものでは、磁性層形成時には保護層
の残留物が完全に除去でき、作成したマスター担体の表
面への保護層に起因する付着物が減少し、マスター担体
とスレーブ媒体との密着不良による信号抜けの発生を抑
制し、品質の安定した磁気転写が実施でき信頼性が向上
すると共に、マスター担体の高寿命化が図れる。 【0031】また、磁気転写用または光ディスク用マス
ター担体の情報担持面の表面に皮膜を設け、クリーニン
グ時にはこの皮膜ごと表面に付着した付着物を除去する
ものでは、マスター担体の表面上に付着した異物を、微
粒子なものも確実に除去することができ、特にパターン
の凹部に入って挟まっている異物に対しては、凹部壁面
の皮膜を除去することで溝幅が広がるため、容易に除去
することができ、転写不良または成形不良を解消してマ
スター担体の再使用が可能となり、品質の安定した磁気
転写または光ディスク成形が実施でき信頼性が向上し、
マスター担体の高寿命化が図れる。 【0032】 【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施の形態を詳
細に説明する。図1は一つの実施の形態のクリーニング
方法を実施するクリーニング装置の概略機構図である。 【0033】図1に示すクリーニング装置1は、マスタ
ー担体2を収容する減圧容器3(真空チャンバー)と、
容器3内を減圧する減圧手段4と、容器3内の電極52
とマスター担体2間にプラズマ放電を発生させる放電手
段5と、反応性ガスを容器3内に導入するガス導入手段
6とを備えている。 【0034】そして、前記装置1を用いたクリーニング
方法は、磁気転写または光ディスク成形を行う前の磁気
転写用または光ディスク用マスター担体2における表面
の付着物を、反応性プラズマエッチングを利用したドラ
イプロセスで非接触に除去するものである。つまり、減
圧状態で反応性ガスを導入して放電し、マスター担体2
の表面の付着物をプラズマ放電により燃焼除去する。 【0035】前記減圧容器3は、ベース部材31に被冠
し内部空間を密閉するキャップ状のカバー部材32を有
し、ベース部材31とカバー部材32とは相対的に接離
移動することで開閉作動し、内部にマスター担体2を交
換可能に収容する。マスター担体2はベース部材31上
に載置され、このマスター担体2は電気的に接地されて
いるベース部材31と導通状態となって後述の放電時の
一方の極となる。 【0036】減圧手段4は真空ポンプ41を備え、真空
ポンプ41からの減圧通路42がカバー部材32に接続
され、容器3の内部エアーを吸引して所定の圧力に減圧
する。この減圧通路42には第1のバルブV1が配設さ
れ、減圧時に開作動し、減圧開放時に閉作動するように
制御する。また、減圧通路42には第1のバルブV1の
容器3側に合流するリーク通路43を備え、このリーク
通路43はリークポートに連通すると共に途中に第2の
バルブV2が配設され、減圧時に閉作動し、減圧終了時
に開作動して大気にリークするように制御する。 【0037】放電手段5は放電電圧を発生する電源51
(DC電源)を備えると共に、カバー部材32の内部に
配設されたプレート状の放電電極52を備える。この放
電電極52はカバー部材32を貫通する支持部材53に
保持されると共に、この支持部材53の内部に配設され
た不図示の通電部材によって電源51に接続されてい
る。支持部材53とカバー部材32との間には絶縁シー
ル33が介装され、カバー部材32は電気的に絶縁状態
となっている。前記放電電極52はベース部材31上に
載置されたマスター担体2に対峙しており、電源51で
生成された放電電圧が放電電極52とマスター担体2間
に印加され、マスター担体2にプラズマ放電を発生させ
る。なお、電源51としては、後述のようにRF電源を
使用してもよい。 【0038】ガス導入手段6は反応性ガスを貯蔵する不
図示のガスタンクを備え、ガスタンクからのガス導入通
路61がカバー部材32に接続され、容器3の内部に反
応性の高い反応性ガスを所定量導入する。このガス導入
通路61には第3のバルブV3が配設され、ガス導入時
に開作動するように制御する。反応性ガスは、例えばA
r、O2、CCl4などを含む組成である。 【0039】上記のようなクリーニング装置1の動作を
説明する。まず、ベース部材31またはカバー部材32
を移動させて減圧容器3を開き、ベース部材31上の所
定位置にマスター担体2を、微細凹凸パターンが形成さ
れた情報担持面を上にして載置する。ベース部材31ま
たはカバー部材32を移動させて減圧容器3を密閉状態
とし、第1のバルブV1を開作動すると共に第2のバル
ブV2を閉作動し、真空ポンプ41の駆動により容器3
内部のエアーを吸引して内部を所定圧力に減圧する。所
定の減圧状態となると、第3のバルブV3を開作動して
反応性ガスをガス導入通路61によって容器3内に導入
する。容器3内部が所定のガス組成となると、電源51
(DC電源)によって放電電極52とマスター担体2間
に放電電圧を印加し、マスター担体2にプラズマ放電を
発生させる。この反応性ガスのプラズマ放電によって、
マスター担体2の表面の付着物をプラズマエッチングの
作用で燃焼除去する。 【0040】所定時間のクリーニングが終了すると、第
1のバルブV1および第3のバルブV3の閉状態で第2
のバルブV2を開作動して大気にリークし、リーク通路
43からエアーを導入して容器3内圧力を大気圧に上昇
させる。その後、ベース部材31またはカバー部材32
を移動させて減圧容器3を開き、ベース部材31上のマ
スター担体2を取り出し、次のマスター担体2を載置
し、以下同様のクリーニング処理を行う。 【0041】クリーニング後のマスター担体2は、磁気
転写の場合には、磁気転写装置に搬送し、マスター担体
2の情報担持面と、トラック方向または垂直方向に予め
初期磁化したスレーブ媒体の記録面とを密着させ、この
密着状態で電磁石装置等の磁界印加装置によって初期磁
化方向と略逆向きの方向に転写用磁界を印加して、マス
ター担体2の転写情報に対応した磁化パターンをスレー
ブ媒体に転写記録する。また、光ディスク成形の場合に
は、クリーニング後のマスター担体2を成形装置に搬送
して金型にセットし、金型を閉じて樹脂を射出し、光デ
ィスクの樹脂層を成形する。 【0042】上記マスター担体2のクリーニングは磁気
転写または光ディスク成形に連係して行うのが好適であ
り、各磁気転写工程(成形工程)毎にまたは所定回数の
磁気転写(成形)毎にマスター担体2をクリーニング処
理する。その際、複数のマスター担体2を準備し、順次
クリーニングしたものと交換するのが効率的に望まし
い。クリーニング装置1を磁気転写装置または成形装置
の一部に組み込み、磁気転写動作または成形動作に連係
してマスター担体2を取り出し、クリーニング装置1に
搬送してクリーニング処理を行う。 【0043】磁気転写用マスター担体は、基板の微細凹
凸パターンに磁性層(金属薄膜層)が被覆されてなるも
のである。基板がNiなどによる強磁性体の場合はこの
基板のみで磁気転写は可能で、磁性層(軟磁性層)は被
覆しなくてもよいが、転写特性の良い磁性層を設けるこ
とにより、より良好な磁気転写が行える。基板が非磁性
体の場合は磁性層を設けることが必要である。なお、マ
スター担体2は、前記ベース部材31に載置した際にそ
の情報担持面を接地し、DC電源51によってこの情報
担持面に沿って放電を発生させるためには、マスター担
体2の基板を導電性材料で形成するのが好ましい。ある
いは、マスター担体2の基板が絶縁性材料の場合には、
この基板上に導電層を積層してから凹凸パターンに磁性
層を形成するのが好ましい。また、光ディスク用マスタ
ー担体(スタンパー)は、表面に微細凹凸パターンが形
成されたNiなどの金属板により構成され、前記ベース
部材31に接地される。 【0044】また、前記放電手段5の電源51として
は、DC電源に代えてRF電源を使用してもよい。その
場合には、マスター担体2が絶縁性でベース部材31に
接地されていなくても、マスター担体2の表面にプラズ
マ放電を発生させて付着物を燃焼除去するクリーニング
処理が行える。 【0045】上記のような実施形態によれば、スレーブ
媒体と密着させて磁気転写を行う前の磁気転写用マスタ
ー担体2に対して、クリーニング装置1で減圧反応性ガ
ス雰囲気下のプラズマ放電によるプラズマエッチングを
利用して表面の付着物を燃焼除去することにより、ドラ
イプロセスでかつ非接触なクリーニングであるために、
除去付着物の再付着がないと共に、表面にウォーターマ
ーク、擦れ傷を生じることなく良好なクリーニングが行
え、磁気転写時のスレーブ媒体との密着性を高めて転写
品質の優れた磁気転写が行え、マスター担体の破損防止
による高寿命化が図れる。また、成形金型に設置されて
光ディスク成形を行う前の光ディスク用マスター担体2
に対して同様にクリーニングすることにより、成形精度
の優れた光ディスクの成形が行え、作成された光ディス
クのエラーレートを低減して、高信頼性の光ディスクを
製作することができる。 【0046】次に、他の実施の形態のクリーニング方法
を説明する。図2は一つの実施の形態における磁気転写
用マスター担体の要部断面図、図3は基板のクリーニン
グを行う状態を示すクリーニング装置の概略機構図であ
る。なお、クリーニング装置は前記実施の形態と同様に
構成され、同一部分には同じ符号を付している。 【0047】図2に示すように、磁気転写用マスター担
体2は、転写する情報に対応した形態の微細凹凸パター
ンが形成された基板21と、そのパターン上にスパッタ
リング等によって被覆されてなる磁性層22(軟磁性
層)とを備えてなる。 【0048】上記マスター担体2の作成の概略は次のよ
うなものである。表面に微細凹凸パターンが各種作成方
法によって形成された基板21を得た後、その表面には
傷および塵埃付着防止用の有機材料による保護層(不図
示)が塗布形成される。このような基板21を、磁性層
22の形成工程に搬送する前に、上記保護層を剥離する
と共に、クリーニング装置1で基板21のパターン表面
を、減圧反応性ガス雰囲気下のプラズマ放電を用いてク
リーニング処理を行う。その後、成膜装置などで、クリ
ーニング後の基板21のパターン上に磁性層22を形成
する。 【0049】図3に示すクリーニング装置1は、磁性層
22を形成する前の前記基板21を収容する減圧容器3
(真空チャンバー)と、容器3内を減圧する減圧手段4
と、容器3内の電極52と基板21間にプラズマ放電を
発生させる放電手段5と、反応性ガスを容器3内に導入
するガス導入手段6とを備えている。 【0050】そして、前記装置1を用いたクリーニング
は、基板21の表面における保護層残留物を、反応性プ
ラズマエッチングを利用したドライプロセスで非接触に
除去するものである。つまり、減圧状態で反応性ガスを
導入して放電し、基板21の表面の残留物をプラズマ放
電により燃焼除去する。 【0051】前記クリーニング装置1の具体的構成は、
図1のものと同様でありその説明は省略する。そして、
クリーニング装置1のベース部材31またはカバー部材
32を移動させて減圧容器3を開き、ベース部材31上
の所定位置に基板21を、微細凹凸パターンが形成され
た面を上にして載置する。ベース部材31またはカバー
部材32を移動させて減圧容器3を密閉状態とし、第1
のバルブV1を開作動すると共に第2のバルブV2を閉
作動し、真空ポンプ41の駆動により容器3内部のエア
ーを吸引して内部を所定圧力に減圧する。所定の減圧状
態となると、第3のバルブV3を開作動して反応性ガス
をガス導入通路61によって容器3内に導入する。容器
3内部が所定のガス組成となると、電源51(DC電
源)によって放電電極52と基板21間に放電電圧を印
加し、基板21にプラズマ放電を発生させる。この反応
性ガスのプラズマ放電によって、基板21の表面の保護
層残留物、その他の付着物を、プラズマエッチングの作
用で燃焼除去する。 【0052】所定時間のクリーニングが終了すると、第
1のバルブV1および第3のバルブV3の閉状態で第2
のバルブV2を開作動して大気にリークし、リーク通路
43からエアーを導入して容器3内圧力を大気圧に上昇
させる。その後、ベース部材31またはカバー部材32
を移動させて減圧容器3を開き、ベース部材31上の基
板21を取り出し、次の基板21を載置し、以下同様の
クリーニング処理を行う。 【0053】クリーニング後の基板21は、成膜装置に
搬送し、磁性層22を被覆して磁気転写用のマスター担
体2を作成する。また、上記クリーニングを成膜装置用
のプラズマ機構を用いて行い、装置内でクリーニング、
成膜を一連に行ってもよい。 【0054】なお、基板21は、DC電源51によって
パターン面に沿って放電を発生させるためには、前記ベ
ース部材31に載置した際に接地するように、導電性材
料で形成するのが好ましい。また、前記放電手段5の電
源51としては、DC電源に代えてRF電源を使用して
もよい。その場合には、基板21が絶縁性でベース部材
31に接地されていなくても、基板21の表面にプラズ
マ放電を発生させて残留物を燃焼除去するクリーニング
処理が行える。 【0055】マスター担体2の基板21としては、ニッ
ケル、シリコン、アルミニウム、合金等を使用する。凹
凸パターンの形成は、スタンパー法等によって行われ
る。 【0056】スタンパー法は、表面が平滑なガラス板
(または石英板)の上にスピンコート等でフォトレジス
トを形成し、このガラス板を回転させながらサーボ信号
に対応して変調したレーザー光(または電子ビーム)を
照射し、所定のパターン、例えばサーボ信号に相当する
パターンを露光する。その後、フォトレジストを現像処
理し、露光部分を除去しフォトレジストによる凹凸形状
を有する原盤を得る。次に、原盤の表面の凹凸パターン
をもとに、この表面にメッキ(電鋳)を施し、ポジ状凹
凸パターンを有するNi基板を作成し、原盤から剥離す
る。基板21の凹凸パターンの深さ(突起の高さ)は、
80nm〜800nmの範囲が好ましく、より好ましく
は100nm〜600nmである。 【0057】また、前記原盤にメッキを施して第2の原
盤を作成し、この第2の原盤を使用してメッキを行い、
ネガ状凹凸パターンを有する基板を作成してもよい。さ
らに、第2の原盤にメッキを行うか樹脂液を押し付けて
硬化を行って第3の原盤を作成し、第3の原盤にメッキ
を行い、ポジ状凹凸パターンを有する基板を作成しても
よい。一方、前記ガラス板にフォトレジストによるパタ
ーンを形成した後、エッチングしてガラス板に穴を形成
し、フォトレジストを除去した原盤を得て、以下前記と
同様に基板を形成してもよい。 【0058】前記磁性層22の形成は、磁性材料を真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等
の真空成膜手段、メッキ法などにより成膜する。その磁
性材料としては、Co、Co合金(CoNi、CoNi
Zr、CoNbTaZr等)、Fe、Fe合金(FeC
o、FeCoNi、FeNiMo、FeAlSi、Fe
Al、FeTaN)、Ni、Ni合金(NiFe)が用
いることができる。特に好ましくはFeCo、FeCo
Niである。磁性層22の厚みは、50nm〜500n
mの範囲が好ましく、さらに好ましくは100nm〜4
00nmである。 【0059】上記のような本発明の実施形態によれば、
磁性層22を形成する前の磁気転写用マスター担体2の
基板21に対して、クリーニング装置1で減圧反応性ガ
ス雰囲気下のプラズマ放電によるプラズマエッチングを
利用して表面の保護層残留物、その他の付着物を燃焼除
去することにより、良好なクリーニングが行え、磁性層
22を形成した後のマスター担体2の表面への保護層に
起因する付着物が低減できる。その結果、磁気転写時の
マスター担体とスレーブ媒体との密着性を高めて付着物
による信号抜けの発生を防止でき、転写品質の優れた磁
気転写が行え、磁性層の剥離防止による高寿命化が図れ
る。 【0060】次に、さらに他の実施の形態のクリーニン
グ方法を説明する。図4は一つの実施の形態にかかるマ
スター担体のクリーニング前の状態を示す断面図、図5
はクリーニング後のマスター担体の断面図である。ま
た、各図は模式図であり各部の寸法は実際とは異なる比
率で示している。 【0061】磁気転写用または光ディスク用マスター担
体2はディスク状に形成され、その片面の情報担持面に
は、転写情報(サーボ信号)または成形情報に対応して
凸部2aと凹部2bとによる微細凹凸形状のパターンを
有する。磁気転写用マスター担体の場合には、前記図2
で詳述したように、上記凸部2aの頂面が磁性層で形成
される。また、光ディスク用マスター担体の場合には、
上記凹部2bが光ディスクのピット(凸部)を成形す
る。 【0062】そして、上記情報担持面の凹凸パターンの
表面にクリーニング用の皮膜23が形成されている。こ
の皮膜23は凸部2aの上面および凸部2a間の側面す
なわち凹部2bの壁面および底面にも被覆されている。 【0063】マスター担体2の皮膜23には、スレーブ
媒体との密着による磁気転写を繰り返すことにより、ま
たは光ディスクの樹脂層の成形を繰り返すことにより、
図4に示すように、繊維くず、微粒子などの付着物P
1,P2が付着する。例えば、繊維状の付着物P1は凸
部2a表面に圧着され、微粒子状の付着物P2は凸部2
a間の凹部2b内に押し込まれて入り込み、その大きさ
によって凹部2bに挟まって固定されている。 【0064】上記のように表面に付着した付着物P1,
P2を除去するマスター担体2のクリーニングは、クリ
ーニング後のマスター担体2を図5に示すように、前記
皮膜23を除去して、該皮膜23ごと表面に付着した付
着物P1,P2を除去するものである。これにより、凸
部2aの表面に付着している付着物P1は皮膜23と共
にマスター担体2から離れて除去され、凹部2bに入っ
て挟まっている付着物P2は、凹部2b壁面の皮膜23
が除去されることで溝幅が広がって、凹部2bから排出
除去される。 【0065】前記皮膜23はカーボン層であり、クリー
ニング時にはこの皮膜23をプラズマを用いて除去す
る。マスター担体2への皮膜23の形成は、カーボンを
含む素材をスパッタリング、CVD法などにより成膜す
ることができる。皮膜23の厚さは凸部2aの表面にお
いて40nm以下(好ましくは5〜30nm)とする。
これにより、磁気転写ではスレーブ媒体との密着時に凸
部2aの表面とスレーブ媒体とを接近させて良好な転写
分解能が確保でき、光ディスク成形では成形性が確保で
きる。皮膜23が40nmより厚いと、磁気転写の場合
にはパターンの表面とスレーブ媒体との距離が大きくな
り転写性が劣化し分解能が低下し、光ディスク成形の場
合には成形寸法の変化が大きくなる。 【0066】また、プラズマクリーニングは、減圧反応
性ガス雰囲気下のプラズマ放電を用いて皮膜23および
付着物P1,P2を燃焼除去するものである。このプラ
ズマクリーニング(反応性プラズマエッチング)は、例
えば、前述のクリーニング装置1を用いて、転写装置ま
たは成形装置から外したマスター担体2をクリーニング
装置の減圧容器(真空チャンバー)に収容し、この減圧
容器内に反応性ガスを導入すると共に、電極とマスター
担体2間にプラズマ放電を発生させて行う。反応性ガス
は、例えばAr、O2、CCl4などを含む組成である。 【0067】また、他の実施の形態としては、前記皮膜
23を高分子皮膜で形成し、クリーニング時にはこの高
分子皮膜を溶剤により溶融除去するか、前述のようなプ
ラズマを用いて除去する。この高分子皮膜は、高分子素
材を蒸着により成膜する方法などにより形成される。そ
の他、皮膜23の除去は、マスター担体2を超音波洗浄
することにより、皮膜23に超音波振動を加えてマスタ
ー担体2から剥離させるように除去してもよい。 【0068】クリーニング後のマスター担体2により再
度磁気転写または光ディスク成形を行う際には、凹凸パ
ターンの表面に、図4に示すように、クリーニング用の
皮膜23を再形成して使用する。 【0069】光ディスク用マスター担体では、皮膜23
を凹部2bの側壁面にも設ける場合には、凹凸パターン
がそのままの形状で成形されるため、凹部2bの幅を成
形後の光ディスクのピット幅(ピット径)より皮膜23
の厚さ分だけ大きくしておくことが好ましい。なお、図
6のように、皮膜23を、例えばスパッタリングによっ
て、凸部2aの上面および凹部2bの底面に設け、凹部
2bの側壁面に設けない場合には、その必要がない。こ
の場合には、凸部2aの表面に付着している付着物P1
は皮膜23と共にマスター担体2から離れて除去される
が、凹部2bに入って挟まっている付着物P2は除去さ
れにくい。この点からは、前述のように、異物除去に対
しては凹部2bの側壁面にも皮膜23をCVD等によっ
て設けることが有効である。 【0070】また、磁気転写用マスター担体の場合に
は、クリーニング時に剥離する上記皮膜23として、前
記図2に示したような、基板21上に設けた磁性層22
を使用してもよく、クリーニング時にはこの磁性層22
を付着物P1,P2と共に除去し、再使用時には再度ス
パッタリング等によって磁性層22を形成するものであ
る。この磁性層22は、比較的厚さが大きく凸部2aの
上面に形成されていることで、凹部2bに挟まっている
付着物P2の除去も良好に行える。 【0071】なお、磁気転写用マスター担体2に密着さ
せる以前のスレーブ媒体は、グライドヘッド、研磨体な
どにより表面の微小突起または付着塵埃を除去するクリ
ーニング処理が必要に応じて施される。一方、マスター
担体2は、磁気転写の密着前工程または樹脂射出前工程
で皮膜23を除去しないクリーニング処理を施して、塵
埃除去を行うのが好ましい。 【0072】本実施形態においても、マスター担体2の
クリーニングは、磁気転写または光ディスク成形に連係
して行うのが好適であり、所定回数の磁気転写(成形)
後、または、付着物による転写不良(成形不良)発生時
にマスター担体2を磁気転写装置(成形装置)から取り
外してクリーニング処理する。その際、複数のマスター
担体2を準備し、順次磁気転写(成形)とクリーニング
を繰り返すのが望ましい。 【0073】上記のような実施形態によれば、磁気転写
用または光ディスク用マスター担体2には、情報担持面
の凹凸パターンの表面にクリーニング用の皮膜23を形
成しておき、磁気転写または光ディスク成形を繰り返し
て異物が付着したマスター担体2は磁気転写装置または
成形から取り外し、クリーニング装置でプラズマなどに
より皮膜23ごと表面の付着物を除去することによりク
リーニングを行い、凹部に入り込んだ付着物、微粒子状
付着物についても、擦れ傷を生じることなく完全に除去
することができ、良好な磁気転写性または成形性が維持
でき、マスター担体2の再使用による高寿命化が図れ
る。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一つの実施の形態にかかるクリーニン
グ方法を実施するクリーニング装置の概略図 【図2】一つの実施の形態における磁気転写用マスター
担体の要部断面図 【図3】図2の基板のクリーニングを行う状態を示すク
リーニング装置の概略機構図 【図4】他の実施の形態にかかる磁気転写用マスター担
体のクリーニング前の状態を示す断面図 【図5】図4のクリーニング後のマスター担体の断面図 【図6】図4の他の実施の形態に係るマスター担体の断
面図 【符号の説明】 1 クリーニング装置 2 マスター担体 3 減圧容器 4 減圧手段 5 放電手段 6 ガス導入手段 21 基板 22 磁性層 23 クリーニング用の皮膜 31 ベース部材 32 カバー部材 41 真空ポンプ 51 電源 52 放電電極 61 ガス導入通路 2a 凸部 2b 凹部 P1,P2 付着物

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 磁気転写用マスター担体または光ディス
    ク用マスター担体のクリーニング方法であって、 前記マスター担体表面の付着物を、減圧反応性ガス雰囲
    気下のプラズマ放電を用いて燃焼除去することを特徴と
    するマスター担体のクリーニング方法。
JP2001302236A 2000-12-13 2001-09-28 マスター担体のクリーニング方法 Abandoned JP2003085936A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2018030236A1 (ja) 2016-08-09 2018-02-15 新東工業株式会社 付着物除去方法
KR20190035867A (ko) 2016-08-09 2019-04-03 신토고교 가부시키가이샤 부착물 제거 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8300336B2 (en) 2008-10-21 2012-10-30 Fuji Electric Co., Ltd. Magnetic transfer device
WO2018030236A1 (ja) 2016-08-09 2018-02-15 新東工業株式会社 付着物除去方法
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