JP4854643B2 - モールドの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、磁気転写用マスター担体、ＤＴＭ（ディスクリート・トラック・メディア）用インプリントモールド、及びＢＰＭ（ビット・パターンド・メディア）用インプリントモールドのいずれかに用いられるモールド及び該モールドの製造方法に関する。

従来より、微細な凹凸パターンを有する電鋳対象物（以下、「原盤」と称することもある）を用いて電鋳により反転パターンを有する電鋳物（以下、「金属盤」と称することもある）を作製する場合には、（１）金属盤をレジストパターンごと剥離してからレジストを除去する方法、（２）レジストパターンをマスクにした選択的エッチングで得られた原盤からの電鋳を行い、電鋳後に原盤を溶解させる方法などがある。しかし、これらの方法は、いずれも原盤上のパターンが破壊されるので１枚の原盤から１枚の金属盤しか得られず、製造コストが非常に高くなってしまうという問題がある。
また、複製の方法として１枚目に得られた金属盤を元に、剥離皮膜処理を施してから電鋳を行い、剥離することで繰り返し反転パターンを得る方法もあるが、剥離皮膜の取れ方がランダムであり、特に微細パターンではパターン寸法及び形状の精度が劣化するので使用に耐えないという課題がある。

一方、光ディスクのスタンパーの複製においては繰返し電鋳を行うことでスタンパーの複製を行うことができている。これは、光ディスクでは扱っているパターンの線幅が大きく（１６０ｎｍ以上）、パターンの高さが浅く（アスペクト比で０．２５程度）、パターンの壁角度が寝ている（抜け性の高いパターン設計）ためである。

これに対し、磁気転写媒体、ＤＴＭ（ディスクリート・トラック・メディア）、ＢＰＭ（ビット・パターンド・メディア）のいずれにおいても、信号特性を良くするために極力高いパターン高さが必要であること（高アスペクト比）、アスペクト比が高くなることで物理的・空間的にパターンの壁角度を大きく寝かせられないという課題がある。また、モールド上の表面欠陥は従来の媒体に比べてサイズや個数を小さく抑える必要がある。
このため、極微細パターン（線幅５０ｎｍ以下）を有する原盤（Ｓｉ、ガラス、石英）に導電層を形成し、金属溶液中で通電することにより金属盤を電鋳により堆積させ、該金属盤を原盤から剥離することで反転パターンを有するモールドを作製することが行われている。また、原盤と金属盤との剥離時の条件については、例えば特許文献１、及び特許文献２などに開示されている。
しかしながら、線幅が５０ｎｍ以下の凹凸パターンを有する原盤を該極微細パターンの損壊がなく、表面欠陥のサイズ及び個数が少ない状態で繰り返し再生して再利用することは困難であるのが現状である。

特開２００６−５９４９７号公報 特開２００６−２１３９７９号公報

本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、原盤表面の清浄度が大幅に向上し、極微細パターンの損壊のない状態で原盤を繰り返し再生して再利用することができるモールドの製造方法及び該モールドの製造方法により製造されたモールドを提供することを目的とする。

前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞ ＦＷＨＭ（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ）で定義される線幅が５０ｎｍ以下の凹凸パターンを有する電鋳対象物を硫酸過水で洗浄する洗浄工程と、
洗浄済みの電鋳対象物を用いて電鋳により表面に凹凸パターンを有する電鋳物を形成する電鋳工程と、を含むモールドの製造方法であって、
電鋳時の電鋳浴の温度をｔ１（℃）とし、洗浄時の硫酸過水の温度をＴ（℃）とすると、次式、ｔ１−２０℃≦Ｔ≦ｔ１＋２０℃を満たすことを特徴とするモールドの製造方法である。
＜２＞ 洗浄対象である凹凸パターンを有する電鋳対象物が、原盤作製工程におけるアッシング処理後の原盤である前記＜１＞に記載のモールドの製造方法である。
＜３＞ 洗浄対象である凹凸パターンを有する電鋳対象物が、モールド作製工程における電鋳後の表面に凹凸パターンを有する電鋳物を剥離した原盤である前記＜１＞に記載のモールドの製造方法である。
＜４＞ 洗浄工程において９０℃以下の温度の硫酸過水を用いる前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のモールドの製造方法である。
＜５＞ 硫酸過水で洗浄後に、純水で洗浄を行う前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のモールドの製造方法である。
＜６＞ 前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のモールドの製造方法により製造されたことを特徴とするモールドである。
＜７＞ 磁気転写用マスター、ＤＴＭ（ディスクリート・トラック・メディア）用インプリントモールド、及びＢＰＭ（ビット・パターンド・メディア）用インプリントモールドのいずれかである前記＜６＞に記載のモールドである。

本発明によると、従来における諸問題を解決することができ、原盤表面の清浄度が大幅に向上し、極微細パターンの損壊のない状態で原盤を繰り返し再生して再利用することができるモールドの製造方法及び該モールドの製造方法により製造されたモールドを提供することができる。

（モールド及びモールドの製造方法）
本発明のモールドの製造方法は、少なくとも、洗浄工程と、電鋳工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
本発明のモールドは、本発明のモールドの製造方法により製造される。
以下、本発明のモールドの製造方法の説明を通じて本発明のモールドの詳細についても明らかにする。

本発明においては、電鋳時の電鋳浴の温度をｔ１（℃）とし、原盤を洗浄時の硫酸過水の温度をＴ（℃）とすると、次式、ｔ１−２０℃≦Ｔ≦ｔ１＋２０℃を満たし、ｔ１−１０℃≦Ｔ≦ｔ１＋１０℃を満たすことが好ましい。前記Ｔが、（ｔ１−２０℃）未満であると、洗浄効果の不足による導電膜材料の残存が生じることがあり、（ｔ１＋２０℃）を超えると、処理後の純水洗浄における温度差によるシミ状の硫酸系残渣の発生が問題になる。また、処理液の濃度管理が難しくなり、硫酸ミストに対する安全面での管理が厳しくなるなどの難点が生じる。
また、原盤から金属盤を剥離時の剥離液の温度をｔ２（℃）とし、原盤を洗浄時の硫酸過水の温度をＴ（℃）とすると、次式、ｔ２−２０℃≦Ｔ≦ｔ２＋２０℃を満たすことが好ましく、ｔ２−１０℃≦Ｔ≦ｔ２＋１０℃を満たすことがより好ましい。

＜洗浄工程＞
前記洗浄工程は、ＦＷＨＭ（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ）で定義される線幅が５０ｎｍ以下の凹凸パターンを有する原盤を硫酸過水で洗浄する工程である。これにより、極微細パターンの損壊のない状態で原盤を繰り返し再生することができる。
前記線幅は、ドット状、ライン状等のパターンの断面形状におけるＦＷＨＭ（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ）をそのパターンの線幅と定義する。これにより、図７に示すようなパターンの断面形状（矩形、台形、裾引き等）によらず、線幅を一律に規定することができる。

前記原盤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えばＳｉ単独、Ｓｉを主体としてＳｉ酸化膜で表面を形成したものなどが挙げられる。
本発明のモールドの製造方法においては、図１に示すように、原盤として、（１）原盤作製工程におけるアッシング処理後の原盤、及び（２）モールド作製工程における電鋳後の金属盤を剥離した原盤、のいずれをも洗浄対象として用いることができる。
前記（１）の原盤を洗浄対象として用いることにより、アッシング処理後のレジスト残渣やエッチング時の反応生成物の溶解除去により、表面パーティクルの低減を図ることができる。
前記（２）の原盤を洗浄対象として用いることにより、原盤を繰り返し利用できるので複製コストの低減を図ることができる。

前記硫酸過水とは、硫酸と、過酸化水素と、水とからなる高濃度硫酸液体（硫酸８０％以上）を意味する。該硫酸過水としては、市販品を用いることができ、該市販品としては、例えば関東化学株式会社製ＳＨ−３０３、などが挙げられる。
前記洗浄は、硫酸過水中に浸漬、硫酸過水をシャワー、スピンコート、超音波付与などにより付与することにより行うことができる。
洗浄時の硫酸過水の温度Ｔ（℃）は９０℃以下が好ましく、４０℃〜７０℃が好ましい。前記温度Ｔ（℃）が９０℃を超えると、処理後の純水洗浄における温度差によるシミ状の硫酸系残渣の発生が問題となることがある。
前記硫酸過水による洗浄時間は５分間〜３０分間が好ましい。

前記洗浄工程では、硫酸過水による洗浄後、純水による洗浄、及び乾燥を行うことが、表面の硫酸系残渣を取り除いた状態で乾燥することで表面が清浄な状態（有機系異物や水分がない状態）で導電化処理を行え、ドライプロセスも利用できる点で好ましい。
前記洗浄工程としては、具体的には、５５℃に保温された硫酸過水（関東化学株式会社製、ＳＨ−３０３）に１０分間浸漬し、超純水に１分間浸漬し、超純水シャワーで２分間洗浄、２００ｒｐｍで回転させながら超純水で１分間のリンス洗浄し、１，０００ｒｐｍで回転させて２分間の振り切り乾燥し、６０℃の乾燥炉内で３０分間乾燥させる。
前記硫酸過水処理により原盤表面に形成される酸化皮膜は、電鋳処理でのパターン形成に有利であり、電鋳後の離型を補助する効果があり、原盤からモールドへのパターン形状転写性の向上を図れる。

＜電鋳工程＞
前記電鋳工程は、洗浄後の原盤を用いて電鋳により金属盤を形成する工程である。
洗浄後の原盤のパターン表面に導電膜を形成し、Ｎｉ電鋳を行う。前記Ｎｉ電鋳は、応力の小さなモールドが得られ易いスルファミン酸ニッケル浴を使用することが好ましい。このようなスルファミン酸ニッケル浴は、例えば、スルファミン酸ニッケルを４００〜８００ｇ／Ｌ、ホウ酸を２０〜５０ｇ／Ｌ（過飽和）をベースとして界面活性剤（例えばラウリル硫酸ナトリウム）等の添加物を必要に応じて添加したものである。メッキ浴の浴温度は４０〜６０℃が好適である。電鋳時の対極にはチタンケースに入れたニッケルボールを使用することが好ましい。
得られた金属盤を原盤から剥離し、この原盤を打ち抜いて、必要に応じて裏面を研磨して所定サイズのモールドが得られる。

ここで、図２及び図３は、本発明のモールドの製造方法を示す工程図であり、図２は原盤作製工程を示し、図３はモールド作製工程を示す。
図２（ａ）に示されるように、表面が平滑なシリコンウエハーである原板（Ｓｉ基板）３０を用意し、この原板３０の上に、電子線レジスト液をスピンコート法等により塗布して、レジスト層３２を形成し（図２（ｂ）参照）、ベーキング処理（プレベーク）を行う。

次いで、高精度な回転ステージ又はＸ−Ｙステージを備えた不図示の電子ビーム露光装置のステージ上に原板３０をセットし、原板３０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調した電子ビームを照射し、レジスト層３２の略全面に所定のパターン３３、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に描画露光（電子線描画）する（図２（ｃ）参照）。

次いで、図２（ｄ）に示されるように、レジスト層３２を現像処理し、露光（描画）部分を除去して、残ったレジスト層３２による所望厚さの被覆層を形成する。この被覆層が次工程（エッチング工程）のマスクとなる。なお、原板３０上に塗布されるレジストはポジ型、ネガ型のどちらでも使用可能であるが、ポジ型とネガ型では、露光（描画）パターンが反転することになる。この現像処理の後には、レジスト層３２と原板３０との密着力を高めるためにベーキング処理（ポストベーク）を行う。

次いで、図２（ｅ）に示されるように、レジスト層３２の開口部３４より原板３０を表面より所定深さだけ除去（エッチング）する。このエッチングにおいては、アンダーカット（サイドエッチ）を最小にすべく、異方性のエッチングが望ましい。このような、異方性のエッチングとしては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）が好ましく採用できる。

次いで、図３（ｆ）に示されるように、レジスト層３２を除去する。レジスト層３２の除去方法は、乾式法としてアッシングが採用でき、湿式法として剥離液による除去法が採用できる。以上のアッシング工程により、所望の凹凸状パターンの反転型が形成された原盤３６が作製される。
ここで、原盤３６を硫酸過水に浸漬して洗浄する。その後、純水で洗浄し、乾燥する。この際、適正な温度の硫酸過水による洗浄を行うことにより、原盤表面の異常及びパーティクルの残存の少ない状態を維持することができる。

次いで、図３（ｇ）に示されるように、原盤３６の表面に均一厚さに導電層３８を形成する。この導電層３８の形成方法としては、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の金属成膜法等が適用できる。このように、導電膜の層（符号３８）を１層形成すれば、次工程（電鋳工程）の金属の電着が均一に行えるという効果が得られる。導電層３８としては、Ｎｉを主成分とする膜であることが好ましい。このようなＮｉを主成分とする膜は、形成が容易であり、かつ硬質であるため、導電膜として好ましい。この導電層３８の厚みとしては、特に制限はないが、数十ｎｍ程度が一般的に採用できる。
なお、導電膜形成においては最終品質（磁気記録媒体の品質）に影響を与えない範囲で剥離を補助する下地層（剥離層、無機・有機を問わない）を基板と導電膜の界面に付与してもよい。

次いで、図３（ｈ）に示されるように、原盤３６の表面に、電鋳により所望の厚さの金属（ここでは、Ｎｉ）による金属盤４０を積層する（反転板形成工程）。この工程は、電鋳装置の電解液中に原盤３６を浸し、原盤３６を陽極とし、陰極との間に通電することにより行われるが、このときの電解液の濃度、ｐＨ、電流のかけ方等は、積層された金属盤４０に歪みのない最適条件で実施されることが求められる。
そして、上記のようにして金属盤４０の積層された原盤３６が電鋳装置の電解液から取り出され、剥離槽（不図示）内の純水に浸される。

次いで、剥離槽内において、金属盤４０を原盤３６から剥離し（剥離工程）、図３（ｉ）に示すような、原盤３６から反転した凹凸状パターンを有する複製金属盤４２を得る。
ここで、剥離後の原盤は、硫酸過水に浸漬して洗浄を行い、純水で洗浄し、乾燥して再生する。再生した原盤は導電化処理からの工程を繰り返すことで同一原盤から複数の金属盤が作製できる。
また、適正な温度の硫酸過水による洗浄を行うことにより、原盤表面の異常及びパーティクルの残存の少ない状態を維持することができる。

次いで、図３（ｊ）に示されるように、複製金属盤４２の凹凸表面上に磁性層４８を形成する。該磁性層の材料は、例えば、ＣｏＰｔからなる。該磁性層４８の厚みは、１０ｎｍ〜３２０ｎｍの範囲が好ましく、２０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲がより好ましく、３０ｎｍ〜１００ｎｍが更に好ましい。該磁性層４８は、上記材料のターゲットを用いスパッタリングにより形成される。

その後、複製金属盤４２の内径及び外径を、所定のサイズに打抜き加工する。以上のプロセスにより、図３（ｊ）に示すように、磁性層４８が設けられた凹凸パターンを有するモールド２０が作製される。

モールド２０の表面には、凹凸パターンが形成される。また、図示を省略しているが、モールドの上にダイヤモンドライクカーボン等の保護膜（保護層）や、更に、保護膜上に潤滑剤層を設けてもよい。
前記保護層として、厚さが２ｎｍ〜３０ｎｍのカーボン膜を形成し、更にその上に潤滑剤層を形成した構成が好ましい。また、磁性層４８と、保護層との密着性を強化するため、磁性層４８上にＳｉ等の密着強化層を形成し、その後に保護層を形成してもよい。

本発明のモールドの製造方法により製造されたモールドは、５０ｎｍ以下の微小なランド幅を有する磁気転写用マスター、３０ｎｍ以下の微細線幅パターンを有するＤＴＭ（ディスクリート・トラック・メディア）用インプリントモールド、及びＢＰＭ（ビット・パターンド・メディア）用インプリントモールドのいずれかに好適に用いられる。

−ＤＴＭ（又はＢＰＭ）用モールド−
以上により得られたモールドをＤＴＭ（又はＢＰＭ）用モールドとして利用する場合には金属盤のパターン面に離型処理（離型剤の薄膜形成）を行い、別途準備した基板上の樹脂膜と密着させてインプリント（加熱又は紫外線（ＵＶ）照射）処理を行ってパターン形状の転写を行う。
樹脂膜の凹パターンの底部の残膜をエッチングによって取り除き、更に樹脂膜パターンをマスクとしてエッチングを行って基板を加工する。アッシング処理によって樹脂膜を取り除き、必要に応じて平坦化処理（磁性層又は非磁性層をパターン溝内に充填し、ＣＭＰなどで表面を平坦化する）を行って磁気記録媒体（ＤＴＭ又はＢＰＭ）を作製する。

ここで、図４Ａ〜図４Ｅは、インプリント法による磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面模式図である。
まず、図４Ａに示すように、スピンコート法等により、表面に磁性層７２を具備した磁気記録媒体基板７１上にレジスト層７３を形成した後、このレジスト層７３に本発明のモールド（スタンパー）５０を押し付けて凹凸形状を転写する。この際、レジスト層を形成している樹脂のガラス転移温度よりも高温に加熱処理することにより、レジスト層が軟化して容易に変形可能な状態となる。
前記磁気記録媒体基板７１は、基板上に、磁性層７２を少なくとも有してなり、更に必要に応じて適宜選択したその他の層を有してなる。前記磁性層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＰ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＮｉＰｔなどが好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記レジスト層の材料としては、ポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料のいずれであってもよい。

すると、図４Ｂに示すように、レジスト層７３表面に本発明のモールド（スタンパー）５０の凹凸形状が転写される。このとき、レジスト層７３凹部底にはレジスト残渣が生じている。
次に、図４Ｃに示すように、反応性イオンエッチングを用いて、レジスト凹部底のレジスト残渣を除去し、磁性層７２を露出させる。
次に、図４Ｄに示すように、Ａｒ等のイオンミリングを用いて、レジスト層７３の凹凸形状をマスクとし、磁性層露出部を凹部について基板垂直方向に切削する。
次に、図４Ｅに示すように、磁性層７２凸部上のレジスト層７３を除去することにより、凹凸パターンを有するディスクリート型の磁気記録媒体７０を得る。前記磁性層の凹部をＳｉＯ_２、カーボン、アルミナ；ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；円滑油等の非磁性材料で埋めてもよい。
次に、表面を平坦化する。平坦化した表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等で保護膜を形成し、最後に潤滑剤を塗布する。これにより、磁気記録媒体が作製される。

前記インプリント法において、本発明の前記モールド（スタンパー）を用いることにより、正確な凹凸パターン（データ記録トラック）を高精度に形成することができる。

−磁気転写用マスター−
前記モールドを磁気転写用マスターディスクとして形成する場合には、前記金属盤の凹凸パターン表面に磁性層を有することが好ましい。
前記磁性層の磁性材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばＣｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ等）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ等）などが挙げられる。これらの中でも、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉが特に好ましい。
前記磁性層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜法、メッキ法、塗布法などにより成膜することができる。
前記磁性層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、５ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜１５０ｎｍがより好ましい。
なお、前記磁性層上に、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等の保護膜を設けることが好ましく、該保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。この場合、保護膜として厚みが３ｎｍ〜３０ｎｍのＤＬＣ膜と潤滑剤層とする構成が好ましい。また、磁性層と保護膜との間に、Ｓｉ等の密着強化層を設けるようにしてもよい。潤滑剤はスレーブディスクとの接触過程で生じるずれを補正する際の、摩擦による傷の発生などの耐久性の劣化を改善する効果を有する。

図５は、本発明のモールド（マスターディスク）１０を使用して磁気転写を行うための磁気転写装置２０の要部斜視図である。
磁気転写時には初期直流磁化を行った後のスレーブディスク１４のスレーブ面（磁気記録面）を、マスターディスク１０の情報担持面に接触させ、所定の押圧力で密着させる。そして、このスレーブディスク１４とマスターディスク１０との密着状態で、磁界生成手段３０により転写用磁界を印加して、マスターディスク１０の凹凸パターンＰをスレーブディスク１４に転写する。

スレーブディスク１４は、両面又は片面に磁気記録層が形成されたハードディスク、フレキシブルディスク等の円盤状記録媒体であり、マスターディスク１０に密着させる以前に、グライドヘッド、研磨体などにより表面の微小突起及び付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシィング等）が必要に応じて施される。

スレーブディスク１４の磁気記録層には、塗布型磁気記録層、メッキ型磁気記録層、又は金属薄膜型磁気記録層を採用できる。金属薄膜型磁気記録層の磁性材料としては、例えばＣｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ等）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ等）、を用いることができる。これらは磁束密度が大きいこと、磁界印加方向と同じ方向（面内記録なら面内方向）の磁界異方性を有していることにより、明瞭な転写を行えるので好ましい。そして、磁性材料の下（支持体側）に必要な磁気異方性を付与するため、非磁性の下地層を設けることが好ましい。この下地層は、結晶構造と格子定数を磁性層１２に合わすことが必要である。そのため、前記下地層の材料としては、例えばＣｒ、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕなどを用いることが好ましい。

マスターディスク１０による磁気転写は、スレーブディスク１４の片面にマスターディスク１０を密着させて片面に転写を行う場合と、図示を省略しているが、スレーブディスク１４の両面に一対のマスターディスク１０を密着させて両面で同時転写を行う場合とがある。転写用磁界を印加する磁界生成手段３０は、密着保持されたスレーブディスク１４とマスターディスク１０の半径方向に延びるギャップ３１を有するコア３２にコイル３３が巻き付けられた電磁石装置３４、３４が上下両側に配設されており、上下で同じ方向にトラック方向と平行な磁力線Ｇ（図６参照）を有する転写用磁界を印加する。図６は、円周トラック４０Ａ、４０Ａ・・・と磁力線Ｇとの関係を示したものである。

磁界印加時には、スレーブディスク１４とマスターディスク１０とを一体的に回転させつつ磁界生成手段３０によって転写用磁界を印加させ、マスターディスク１０の凹凸パターンをスレーブディスク１４のスレーブ面に磁気的に転写する。なお、この構成以外に磁界生成手段の方を回転移動させるようにしてもよい。

転写用磁界は、最適転写磁界強度範囲（スレーブディスク１４の保磁力Ｈｃの０．６〜１．３倍）の最大値を超える磁界強度がトラック方向のいずれにも存在せず、最適転写磁界強度範囲内の磁界強度となる部分が１つのトラック方向で少なくとも１カ所以上存在し、これと逆向きのトラック方向の磁界強度が何れのトラック方向位置においても最適転写磁界強度範囲内の最小値未満である磁界強度分布の磁界をトラック方向の一部分で発生させている。

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。

（実施例１）
−原盤の作製−
８インチのＳｉ（シリコン）ウェハ（基板）上に、電子線レジストを、スピンコート法により、１００ｎｍの厚みで塗布した。塗布後、基板上の該レジストを、回転式電子線露光装置を用いて露光し、露光後の該レジストを現像して、凹凸パターンを有するレジストＳｉ基板を作製した。
その後、該レジストをマスクとして用い、該基板に対して、反応性イオンエッチング処理を行い、凹凸パターンの凹部を掘り下げた。該エッチング処理後、該基板上に残存するレジストを可溶溶剤で洗浄した（アッシング処理）。次に、３５℃に保温された硫酸過水（ＳＨ−３０３）に１０分間浸漬した。その後、超純水に１分間浸漬し、超純水シャワーで２分間洗浄、２００ｒｐｍで回転させながら超純水で１分間のリンス洗浄し、１，０００ｒｐｍで回転させて２分間の振り切り乾燥し、６０℃の乾燥炉内で３０分間乾燥させた。以上により、原盤を作製した。

−電鋳処理−
上記原盤上に、スパッタ法を用いてＮｉ（ニッケル）導電性膜を２０ｎｍ形成した。該導電性膜を形成した後の原盤を、５５℃に保温されたスルファミン酸Ｎｉ浴に浸漬し、電解メッキにより、２００μｍの厚みのＮｉ膜を形成した。その後、５５℃に保温された剥離槽内の純水に浸漬し原盤よりＮｉ膜を剥離した。以上により、Ｎｉ製のモールドを作製した。

（実施例２〜３及び比較例１〜３）
実施例１において、硫酸過水の洗浄時の温度を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜３及び比較例１〜３のモールドを作製した。

次に、実施例１〜３及び比較例１〜３について、以下のようにして、原盤表面の欠陥（金属、硫酸痕等のパーティクル）、磁気転写ディスクの信号品質、及びＤＴＭの信号品質を評価した。結果を表１に示す。

＜原盤表面の異常の有無の評価＞
原盤表面に異常（金属、硫酸痕等のパーティクル）が発生しているものを×、異常がなく、表面上のパーティクルが少ないものを○とした。
なお、×のサンプルは金属盤でも同様の異常が発生する（表面異常が金属盤に形状転写される）ことを確認済みである。

＜磁気転写ディスクの信号品質＞
磁気転写ディスクをドライブに組み込み、アドレスエラーの発生率を求めた。全アドレス信号に対してエラー率１×１０^−２以上を示すディスクを×とし、エラー率１×１０^−２未満のディスクを○とした。

＜ＤＴＭの信号品質＞
ＤＴＭをドライブに組み込んでサーボ信号を元に磁気ヘッドのトラッキングテストを実施した。ディスク全面にわたってヘッド位置ずれ量が２０ｎｍ未満のものを○、局所的及び部分的でもヘッド位置ずれ量が２０ｎｍ以上のものを×とした。

＊表面欠陥評価が×のうちで、外観チェックで判別できないのは、アッシング処理後原盤を低温（２０℃）で処理したもので、蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所製、ＸＲＦ−１７００）により表面のＣ量及びＦ量を検出して判定した。

（実施例４）
−原盤の作製−
８インチのＳｉ（シリコン）ウェハ（基板）上に、電子線レジストを、スピンコート法により、１００ｎｍの厚みで塗布した。塗布後、基板上の該レジストを、回転式電子線露光装置を用いて露光し、露光後の該レジストを現像して、凹凸パターンを有するレジストＳｉ基板を作製した。
その後、該レジストをマスクとして用い、該基板に対して、反応性イオンエッチング処理を行い、凹凸パターンの凹部を掘り下げた。該エッチング処理後、該基板上に残存するレジストを可溶溶剤で洗浄し、除去した。除去後、該基板を乾燥したものを、モールドを作製するための原盤とした。

−電鋳処理−
上記原盤上に、スパッタ法を用いてＮｉ（ニッケル）導電性膜を２０ｎｍ形成した。該導電性膜を形成した後の原盤を、５５℃に保温されたスルファミン酸Ｎｉ浴に浸漬し、電解メッキにより、２００μｍの厚みのＮｉ膜を形成した。その後、５５℃に保温された剥離槽内の純水に浸漬し原盤よりＮｉ膜を剥離した。次に、３５℃に保温された硫酸過水（ＳＨ−３０３）に１０分間浸漬した。その後、超純水に１分間浸漬し、超純水シャワーで２分間洗浄、２００ｒｐｍで回転させながら超純水で１分間のリンス洗浄し、１，０００ｒｐｍで回転させて２分間の振り切り乾燥し、６０℃の乾燥炉内で３０分間乾燥させた。以上により、Ｎｉ製のモールドを作製した。

＜原盤表面の異常の有無の評価＞
原盤表面に異常（金属、硫酸痕等のパーティクル）が発生しているものを×、異常がなく、表面上のパーティクルが少ないものを○とした。結果を表１に示す。
なお、×のサンプルは金属盤でも同様の異常が発生する（表面異常が金属盤に形状転写される）ことを確認済みである。

（実施例５〜６及び比較例４〜６）
実施例４において、硫酸過水の洗浄時の温度を表２に示すように変えた以外は、実施例４と同様にして、実施例５〜６及び比較例４〜６の各モールドを作製した。

次に、実施例４〜６及び比較例４〜６について、実施例１と同様にして、原盤表面の欠陥（金属、硫酸痕等のパーティクル）、磁気転写ディスクの信号品質、及びＤＴＭの信号品質を評価した。更に、以下のようにして、耐久性を評価した。結果を表２に示す。

＜耐久性＞
剥離し、洗浄した後の原盤に割れや欠けがなく、集中的な欠陥も検出されないことを確認して、原盤の耐久性をＯＫ（○）と評価した。

＊表面欠陥評価×の中で、外観チェックで判別できないのは、アッシング処理後原盤を低温（２０℃）で処理したもので、ＥＳＣＡによる表面の有機物、及びフッ素の量を検出して判定した。
また、表面欠陥×の項目については初期から品質上の性能劣化（磁気転写品のアドレスエラー増大、ＤＴＭでのトラッキングエラー増大）があるので原盤耐久性の評価は行っていない。言い換えれば１枚目から品質面でＮＧであると言える。

本発明のモールドの製造方法により製造されたモールドは、表面欠陥のサイズ及び個数が少ないので、例えば磁気転写媒体の作製、ディスクリート・メディアの作製、パターンド・メディアの作製、などに好適である。

図１は、本発明のモールドの製造方法の一例を示すフロー図である。 図２は、本発明のモールドの製造方法における原盤作製工程を示す工程図である。である。 図３は、本発明のモールドの製造方法におけるモールド作製工程を示す工程図である。 図４Ａは、磁気記録媒体の製造方法における、基板上にレジスト層を形成する工程を示す断面模式図である。 図４Ｂは、磁気記録媒体の製造方法における、スタンパーによる転写工程を示す断面模式図である。 図４Ｃは、磁気記録媒体の製造方法における、反応性イオンエッチング工程を示す断面模式図である。 図４Ｄは、磁気記録媒体の製造方法における、磁性層の切削工程を示す断面模式図である。 図４Ｅは、磁気記録媒体の製造方法における、磁性層上のレジスト層を除去して凹凸パターンを有する磁気記録媒体を作製する工程を示す断面模式図である。 図５は、本発明のモールドを使用して磁気転写を行うための磁気転写装置の要部斜視図である。 図６は、円周トラックと磁力線との関係を示した図である。 図７は、パターンの断面形状における線幅を説明するための図である。

符号の説明

３０ 原板
３２ レジスト層
３３ パターン
３４ 開口部
３６ 原盤
３８ 導電層
４０ 金属盤
４２ 複製金属盤
４８ 磁性層

Claims (6)

1. ＦＷＨＭ（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ）で定義される線幅が５０ｎｍ以下の凹凸パターンを有する電鋳対象物を硫酸過水で洗浄する洗浄工程と、
   洗浄済みの電鋳対象物を用いて電鋳により表面に凹凸パターンを有する電鋳物を形成する電鋳工程と、を含むモールドの製造方法であって、
   電鋳時の電鋳浴の温度をｔ１（℃）とし、洗浄時の硫酸過水の温度をＴ（℃）とすると、次式、ｔ１−２０℃≦Ｔ≦ｔ１＋２０℃を満たすことを特徴とするモールドの製造方法。
2. 洗浄対象である凹凸パターンを有する電鋳対象物が、原盤作製工程におけるアッシング処理後の原盤である請求項１に記載のモールドの製造方法。
3. 洗浄対象である凹凸パターンを有する電鋳対象物が、モールド作製工程における電鋳後の表面に凹凸パターンを有する電鋳物を剥離した原盤である請求項１に記載のモールドの製造方法。
4. 洗浄工程において９０℃以下の温度の硫酸過水を用いる請求項１から３のいずれかに記載のモールドの製造方法。
5. 硫酸過水で洗浄後に、純水で洗浄を行う請求項１から４のいずれかに記載のモールドの製造方法。
6. 磁気転写用マスター、ＤＴＭ（ディスクリート・トラック・メディア）用インプリントモールド、及びＢＰＭ（ビット・パターンド・メディア）用インプリントモールドのいずれかを製造する請求項１から５のいずれかに記載のモールドの製造方法。