JP4850671B2 - モールド及びその製造方法、並びに磁気記録媒体 - Google Patents
モールド及びその製造方法、並びに磁気記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4850671B2 JP4850671B2 JP2006326044A JP2006326044A JP4850671B2 JP 4850671 B2 JP4850671 B2 JP 4850671B2 JP 2006326044 A JP2006326044 A JP 2006326044A JP 2006326044 A JP2006326044 A JP 2006326044A JP 4850671 B2 JP4850671 B2 JP 4850671B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- layer
- electroformed
- magnetic
- crystal orientation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/86—Re-recording, i.e. transcribing information from one magnetisable record carrier on to one or more similar or dissimilar record carriers
- G11B5/865—Re-recording, i.e. transcribing information from one magnetisable record carrier on to one or more similar or dissimilar record carriers by contact "printing"
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/615—Microstructure of the layers, e.g. mixed structure
- C25D5/617—Crystalline layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/743—Patterned record carriers, wherein the magnetic recording layer is patterned into magnetic isolated data islands, e.g. discrete tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2017/00—Carriers for sound or information
- B29L2017/001—Carriers of records containing fine grooves or impressions, e.g. disc records for needle playback, cylinder records
- B29L2017/003—Records or discs
- B29L2017/005—CD''s, DVD''s
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/263—Preparing and using a stamper, e.g. pressing or injection molding substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
しかし、ヘッドの加工限界、磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合う他のトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。そこで、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、トラック間で発生する磁気的相互作用を低減するための凹凸パターンもしくは磁性層を分断した構造を持つディスクリートトラック媒体やパターンド媒体が提案されている(特許文献1参照)。前記ディスクリートトラック媒体の場合、記録層はデータ領域においてトラックパターン形状で形成される。前記パターンド媒体の場合、記録層はビット等のパターン形状で形成される。また、前記ディスクリートトラック媒体及びパターンド媒体の場合、サーボ領域において記録層がサーボパターン形状で形成される。
しかし、上記の方法によって製造された従来のスタンパーは、必ずしも平坦なものではなく、反りや歪みを有している。そのため、形成される凹凸パターンに変形や歪みが生じて、高精度な凹凸パターンを形成できないという問題がある。
これらの提案によれば、反り量や歪み量が小さくなり、平坦性に優れた磁気転写用マスターディスクを得ることができるが、転写密着性を更に向上させるため、より高い平坦度を有し、反り量のバラツキが小さいマスターディスクの提供が望まれているのが実情である。
<1> 表面に凹凸パターンを有し、かつ少なくとも2層の電鋳層を有してなり、該電鋳層の少なくとも隣接する2層が同じ結晶方位を有することを特徴とするモールドである。
<2> 電鋳層がNiからなる前記<1>に記載のモールドである。
<3> 少なくとも隣接する2層が、Ni(110)を優先配向とする同じ結晶方位を有する前記<2>に記載のモールドである。
<4> 電鋳層が少なくとも3層からなり、凹凸パターン側から少なくとも2層がNi(110)を優先配向とする同じ結晶方位を有する前記<2>から<3>のいずれかに記載のモールドである。
<5> 反り量が±50μm以下である前記<1>から<4>のいずれかに記載のモールドである。
<6> 電鋳層の合計厚みが100〜350μmである前記<1>から<5>のいずれかに記載のモールドである。
<7> ディスクリートトラック媒体用スタンパー、パターンド媒体用スタンパー、及び磁気転写用マスターディスクのいずれかに用いられる前記<1>から<6>のいずれかに記載のモールドである。
<8> 表面に凹凸パターンを形成した原版上に少なくとも隣接する2層が同じ結晶方位を有する2層以上の電鋳層からなる金属盤を電鋳により形成し、該金属盤面に前記凹凸パターンを転写する電鋳工程と、
前記金属盤を前記原版上から剥離してモールドとする剥離工程とを含むことを特徴とするモールドの製造方法である。
<9> 基材上の樹脂層に、前記<1>から<7>のいずれかに記載のモールドを当接させて該樹脂層に凹凸パターンを転写することを特徴とする凹凸パターン形成方法である。
<10> 前記<1>から<7>のいずれかに記載のモールドを用いてデータ記録用トラック及びサーボ情報の少なくともいずれかが記録されていることを特徴とする磁気記録媒体である。
前記金属盤を前記原版上から剥離してモールドとする剥離工程とを含む。
本発明のモールドの製造方法においては、少なくとも隣接する2層が同じ結晶方位を有する電鋳層からなる金属盤で形成することによって、電鋳層を反り量のバラツキが小さく、高精度な凹凸パターン形成できるモールドを効率よく製造できる。
本発明のモールドは、少なくとも2層の電鋳層を有してなり、導電層、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
前記モールドの表面には、データ記録用トラック及びサーボ情報の少なくともいずれかに対応した凹凸パターンが形成されている。
前記電鋳層は、前記モールドの金属盤を構成し、その形状、大きさ、材料等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記大きさ及び形状としては用途等に応じて適宜選択することができる。
前記材料としては、例えばNi、Cu、Al、Mo、Co、Cr、Ta、Pd、Pt、Au等の各種金属、又はこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、Ni、Ni合金が特に好ましい。
前記電鋳層は、少なくとも2層からなり、3層以上が好ましく、4層以上の多層構造であってもよい。
前記少なくとも2層の積層構造からなる電鋳層は、少なくとも隣接する2層が同じ結晶方位を有する。この場合、少なくとも隣接する2層の電鋳層が、Ni(110)を優先配向とする同じ結晶方位を有することが好ましい。
また、前記電鋳層が少なくとも3層からなり、凹凸パターン側から少なくとも2層がNi(110)を優先配向とする同じ結晶方位を有することが好ましく、すべての電鋳層がNi(110)を優先配向とする同じ結晶方位を有することがより好ましい。
ここで、前記電鋳層の断面における結晶方位の分布は、例えば反射電子回折パターン(EBSD:Electron Backscatter diffraction Pattern)により求めることができる。このEBSDは、走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscopy)に専用の検出器を設け、一次電子の後方散乱から結晶方位を分析する手法である。
前記電鋳層の合計厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常、100〜350μm程度である。
前記導電層は、その材料、形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記構造としては単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、前記大きさとしては用途等に応じて適宜選択することができる。
前記材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ni、Nb、Ta、Ti、W、Cr、Co、Pt、Cu、Ir、Rh、Fe、Ru、又はこれらの合金、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記導電層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メッキ法、印刷法、スパッタリング法、CVD法、蒸着法、などにより形成することができる。
前記導電層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、5〜200nmが好ましく、7〜150nmがより好ましい。
前記モールドは、ディスクリートトラック媒体用スタンパー、パターンド媒体用スタンパー、及び磁気転写用マスターディスクのいずれかに好適に用いられる。
前記モールドをディスクリートトラック媒体用スタンパー、又はパターンド媒体用スタンパーとして形成する場合には、凹凸パターンの表面にフッ素系材料を含有する離型層を有することが、前記スタンパーを用いてナノインプリントする際の樹脂層との離型性を向上させることができる点から好ましい。なお、前記電鋳層の凹凸パターン上には、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)、スパッタカーボン等の保護膜を設けることもできる。
前記磁性層の磁性材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばCo、Co合金(CoNi、CoNiZr、CoNbTaZr等)、Fe、Fe合金(FeCo、FeCoNi、FeNiMo、FeAlSi、FeAl、FeTaN等)、Ni、Ni合金(NiFe等)などが挙げられる。これらの中でも、FeCo、FeCoNiが特に好ましい。
前記磁性層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜法、メッキ法、塗布法などにより成膜することができる。
前記磁性層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、5〜200nmが好ましく、10〜150nmがより好ましい。
なお、前記磁性層上に、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)、スパッタカーボン等の保護膜を設けることが好ましく、該保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。この場合、保護膜として厚みが3〜30nmのDLC膜と潤滑剤層とする構成が好ましい。また、磁性層と保護膜との間に、Si等の密着強化層を設けるようにしてもよい。潤滑剤はスレーブディスクとの接触過程で生じるずれを補正する際の、摩擦による傷の発生などの耐久性の劣化を改善する効果を有する。
前記モールドの反り量は、例えば2.5インチのディスクサイズにおいて、±50μm以下であることが好ましく、±30μm以下がより好ましく、±20μm以下が更に好ましい。前記反り量が±50μm未満であると、レジスト層に凹凸パターンを形成する際、密着力が高くなるため、レジスト層からモールドを剥離することが困難になり、モールド表面にレジスト残渣が多く発生してしまうことがある。なお、前記モールドの反り量は、2.5インチサイズ以外のディスクにも適用することができ、例えば0.85インチ、1インチ、1.8インチサイズのディスクにおいても同様に適用することができる。前記反り量の「+」と「−」とは、反る方向が互いに逆であることを意味する。
前記モールドの反り量は、例えば、モールドをスピンドルモータに固定し、10rpmで回転させた。モールドの面に対して垂直になるようにレーザー変位計(KEYENCE社製、LC−2430)を設置し、その半径位置における1周の垂直方向の変位量を測定した後、ステッピングモータで1mmごとに半径方向に送りながら全面(半径位置=12.5〜32.5mm)を測定する。そして、半径ごとにデータの平均値を算出し、半径と平均値をプロットしたときの最大値と最小値の差を反り量と定義する。
前記反り量は、モールドの1周の間、即ち1トラックにおける歪みはなくても、モールドの内周部位と外周部位とで高さが異なる変形であり、例えば球面状の変形がある。従って、反り量の測定は、上述した歪み量の測定において、同心円状の各トラックに対してレーザー変位計で測定された変位値の平均をとったとき、最も変位値の高いトラックと最も変位値の低いトラックとの差として算出する。
図1及び図2で示されるように、電鋳層11が、第1電鋳層11Aと第2電鋳層11Bとの2層構造からなり、第1電鋳層11Aと第2電鋳層11Bとが、Ni(110)を優先配向とする同じ結晶方位を有している。
前記第1電鋳層11Aの厚みは20〜100μm、前記第2電鋳層11Bの厚みは40〜250μmが好ましく、2層からなる電鋳層11の合計厚みは、100〜350μmが好ましい。なお、前記第1電鋳層11Aの厚みは図2中Hで表される。
また、モールド10の表面には、データ記録用トラック及びサーボ情報の少なくともいずれかに対応した微細な凹凸パターンPを有する。この微細な凹凸パターンPは、平面視で長方形であり、トラック方向(図の矢印方向)の長さqと、半径方向の長さLとからなる。この長さqと長さLとの最適値は、記録密度や記録信号波形により異なるが、例えば長さqを80nm、長さLを200nmにできる。この微細な凹凸パターンPはサーボ信号の場合は、半径方向に長く形成される。この場合、例えば半径方向の長さLが0.05〜20μm、トラック方向(円周方向)の長さqが0.01〜5μmであることが好ましい。この範囲で半径方向の方が長い凹凸パターンPを選ぶことがサーボ信号を担持するパターンとして好ましい。凹凸パターンPの高さt(突起の高さ)は、30〜800nmの範囲が好ましく、50〜300nmの範囲がより好ましい。
前記第1電鋳層11Aの厚みは20〜140μm、前記第2電鋳層11Bの厚みは40〜140μm、前記第3電鋳層11Cの厚みは10〜70μmが好ましく、3層からなる電鋳層11の合計厚みは、100〜350μmが好ましい。
前記第1電鋳層11Aの厚みは20〜90μm、前記第2電鋳層11Bの厚みは20〜90μm、前記第3電鋳層11Cの厚みは20〜90μm、前記第4電鋳層11Dの厚みは40〜100μm好ましく、4層からなる電鋳層の合計厚みは、100〜350μmが好ましい。
本発明のモールドの製造方法は、電鋳工程と、剥離工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
前記電鋳工程は、表面に凹凸パターンを形成した原版上に少なくとも隣接する2層が同じ結晶方位を有する2層以上の電鋳層からなる金属盤を電鋳により形成し、該金属盤面に前記凹凸パターンを転写する工程である。前記電鋳処理の詳細については後述する。
前記剥離工程は、前記金属盤を前記原版上から剥離してモールドとする工程である。
前記剥離としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、導電層と電鋳層と原版との積層体に対してウェットエッチング処理を実行して原版を除去することで、金属盤を剥離する方法などが挙げられる。
まず、図5Aに示すように、表面が平滑かつ清浄なシリコンウエハによる基板15(ガラス板、石英板でもよい)の上に、密着層形成等の前処理を行い、電子線レジスト液をスピンコート等で塗布してレジスト膜16を形成し、ベーキングする。前記レジスト膜の材料としては、ポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料のいずれであってもよい。
次に、図5Bに示すように、高精度な回転ステージ又はX−Yステージを備えた電子ビーム露光装置(不図示)にて、そのステージに搭載した基板15にサーボ信号等に対応して変調した電子ビームを照射し、レジスト膜16に所望の凹凸パターンP'を描画露光する。
なお、電鋳層が3層以上からなる場合にも、上記同様に電鋳処理において、電流密度と電流プロファイルを制御することにより形成することができる。
−インプリント法−
前記モールドをディスクリートトラック媒体用スタンパーとして用いた磁気記録媒体の製造方法(インプリント法)について説明する。
まず、図7Aに示すように、スピンコート法等により、表面に磁性層72を具備した磁気記録媒体基板71上にレジスト層73を形成した後、このレジスト層73に本発明のモールド(スタンパー)50を押し付けて凹凸形状を転写する。この際、レジスト層を形成している樹脂のガラス転移温度よりも高温に加熱処理することにより、レジスト層が軟化して容易に変形可能な状態となる。
前記磁気記録媒体基板71は、基板上に、磁性層72を少なくとも有してなり、更に必要に応じて適宜選択したその他の層を有してなる。前記磁性層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、Fe、Co、Ni、FeCo、FeNi、CoNi、CoNiP、FePt、CoPt、NiPtなどが好適に挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記レジスト層の材料としては、ポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料のいずれであってもよい。
次に、図7Cに示すように、反応性イオンエッチングを用いて、レジスト凹部底のレジスト残渣を除去し、磁性層72を露出させる。
次に、図7Dに示すように、Ar等のイオンミリングを用いて、レジスト層73の凹凸形状をマスクとし、磁性層露出部を凹部について基板垂直方向に切削する。
次に、図7Eに示すように、磁性層72凸部上のレジスト層73を除去することにより、凹凸パターンを有するディスクリート型の磁気記録媒体70を得る。前記磁性層の凹部をSiO2、カーボン、アルミナ;ポリメタアクリル酸メチル(PMMA)、ポリスチレン(PS)等のポリマー;円滑油等の非磁性材料で埋めてもよい。
次に、表面を平坦化する。平坦化した表面にDLC(ダイヤモンドライクカーボン)等で保護膜を形成し、最後に潤滑剤を塗布する。これにより、磁気記録媒体が作製される。
前記モールドを磁気転写用マスターディスクとして用い、該マスターディスクの凹凸パターンをスレーブディスクに転写する磁気転写法について説明する。
磁気転写時には図10Aに示される後記する初期直流磁化を行った後のスレーブディスク14のスレーブ面(磁気記録面)を、マスターディスク10の情報担持面に接触させ、所定の押圧力で密着させる。そして、このスレーブディスク14とマスターディスク10との密着状態で、磁界生成手段30により転写用磁界を印加して、マスターディスク10の凹凸パターンPをスレーブディスク14に転写する。
まず、図10Aに示すように、予めスレーブディスク14に初期磁界Hiをトラック方向の一方向に印加して初期磁化(直流消磁)を施しておく。次に、図10Bの上図に示すように、このスレーブディスク14の記録面(磁気記録部)とマスターディスク10の凹凸パターンPが形成された情報担持面とを密着させ、スレーブディスク14のトラック方向に初期磁界Hiとは逆方向に転写用磁界Hdを印加して磁気転写を行う。転写用磁界Hdが凹凸パターンPの凸部の磁性層12に吸い込まれてこの部分の磁化は反転せず、その他の部分の磁界が反転する結果、図10Bの下図に示すように、スレーブディスク14の磁気記録面にはマスターディスク10の凹凸パターンPが磁気的に転写記録される。垂直記録媒体に対しては、ディスクの垂直方向に初期化磁界Hiを印加し、初期化方向とは逆方向に転写磁界Haを印加して磁気転写を行う。
磁気転写されたスレーブディスクは、磁気記録装置(ハードディスクドライブ)に組み込んで好適に使用できる。
−モールドの作製−
図5Aに示すように、表面が平滑かつ清浄なシリコンウエハによる原板15(ガラス板)上に、電子線レジスト液をスピンコート等で塗布してレジスト膜16を形成し、ベーキングした。そして、高精度な回転ステージ又はX−Yステージを備えた電子ビーム露光装置(不図示)にて、そのステージに搭載した原板15にサーボ信号等に対応して変調した電子ビームBを照射し、レジスト膜16に所望の凹凸パターンP'を描画露光した。
−Ni電鋳浴組成及び温度−
・スルファミン酸ニッケル・・・600g/L
・ホウ酸・・・40g/L
・界面活性剤(ラウリル硫酸ナトリウム)・・・0.15g/L
・pH=4.0
・温度=55℃
モールド断面の結晶方位は、EBSD(electron backscattered diffraction)法により測定した。即ち、EBSD測定装置(日本電子株式会社製、JSM−6500F、TSL OIM方位解析装置)を用いて、EBSD IPF(inverse pole figure)像によるモールド断面の結晶方位を測定した。その結果、凹凸パターン側から2層の電鋳層がNi(110)を優先配向とする同じ結晶方位を有することが認められた。
反り量の測定は、モールドをスピンドルモータに固定し、10rpmで回転させた。モールドの面に対して垂直になるようにレーザー変位計(KEYENCE社製、LC−2430)を設置し、その半径位置における1周の垂直方向の変位量を測定した後、ステッピングモータで1mmごとに半径方向に送りながら全面(半径位置=12.5〜32.5mm)を測定した。そして、半径ごとにデータの平均値を算出し、半径と平均値をプロットしたときの最大値と最小値の差を反り量と定義した。
前記反り量は、モールド10の1周の間、即ち1トラックにおける歪みはなくても、モールドの内周部位と外周部位とで高さが異なる変形であり、例えば球面状の変形がある。従って、反り量の測定は、上述した歪み量の測定において、同心円状の各トラックに対してレーザー変位計で測定された変位値の平均をとったとき、最も変位値の高いトラックと最も変位値の低いトラックとの差として算出した。
〔評価基準〕
◎:極めて良好
○:良好
△:やや劣る
×:劣る
実施例1のモールドを5個作製し、これら5個のモールドについて上記反り量の測定方法により反り量を測定し、平均値を算出し、反り量のバラツキ(σ)を下記数式から算出した。
◎:極めて良好
○:良好
△:やや劣る
×:劣る
−モールドの作製−
実施例1において、電鋳処理の条件を電流密度6A/dm2で70分間を3サイクルに変えた以外は、実施例1と同様にして、実施例2のモールドを作製した。
得られたモールドについて、実施例1と同様にして、モールド断面の結晶方位、反り量(平坦度)、及び反り量のバラツキを測定した。結果を表1に示す。
実施例2のモールド断面の結晶方位を測定したEBSD IPF像の結果から、凹凸パターン側から3層の電鋳層がNi(110)を優先配向とする同じ結晶方位を有することが認められた。
−モールドの作製−
実施例1において、電鋳処理の条件を電流密度6A/dm2で95分間を2サイクル後、電流密度を15A/dm2まで上げて10分間保持に変えた以外は、実施例1と同様にして、実施例3のモールドを作製した。
得られたモールドについて、実施例1と同様にして、モールド断面の結晶方位、反り量(平坦度)、及び反り量のバラツキを測定した。結果を表1に示す。
実施例3のモールド断面の結晶方位を測定したEBSD IPF像の結果から、凹凸パターン側から2層の電鋳層がNi(110)を優先配向とする同じ結晶方位を有し、凹凸パターン側から3層目の電鋳層はNi(100)を優先配向とする結晶方位を有することが認められた。
−モールドの作製−
実施例1において、電鋳処理の条件を電流密度6A/dm2で47分間を3サイクル行い、4サイクル目は電流密度6A/dm2で63分間保持に変えた以外は、実施例1と同様にして、実施例4のモールドを作製した。
得られた実施例4のモールドについて、実施例1と同様にして、モールド断面の結晶方位、反り量(平坦度)、及び反り量のバラツキを測定した。結果を表1に示す。
実施例4のモールド断面の結晶方位を測定したEBSD IPF像を図11に示す。図11中、左図、中央図、右図は、それぞれX軸、Y軸、Z軸に対応し、Z軸方向を示す右図から、Niの結晶方位の配向状態が観察できる。図11中上側が凹凸パターン側であり、赤色はNi(100)、青色はNi(111)、緑色はNi(110)の結晶方位をそれぞれ表す。図11の結果から、実施例4のモールドは、凹凸パターン側から4層の電鋳層が緑色のNi(110)を優先配向とする同じ結晶方位を有することが認められた。
−モールドの作製−
実施例1において、電鋳処理の条件を電流密度6A/dm2で230分間保持に変えた以外は、実施例1と同様にして、比較例1のモールドを作製した。
得られた比較例1のモールドについて、実施例1と同様にして、モールド断面の結晶方位、反り量(平坦度)、及び反り量のバラツキを測定した。結果を表2に示す。
比較例1のモールド断面の結晶方位を測定したEBSD IPF像を図12に示す。図12の結果から、比較例1のモールドは、単層構造の電鋳層が緑色のNi(110)を優先配向とする結晶方位を有することが認められた。
−モールドの作製−
実施例1において、電鋳処理の条件を電流密度6A/dm2で30分間保持した後、5分間で電流密度を20A/dm2まで上げて58分間保持に変えた以外は、実施例1と同様にして、比較例2のモールドを作製した。
得られた比較例2のモールドについて、実施例1と同様にして、モールド断面の結晶方位、反り量(平坦度)、及び反り量のバラツキを測定した。結果を表2に示す。
比較例2のモールド断面の結晶方位を測定したEBSD IPF像を図13に示す。図13の結果から比較例2のモールドは、凹凸パターン側から1層目の電鋳層が緑色のNi(110)を優先配向とする結晶方位を有し、次の2層目の電鋳層が赤色のNi(100)を優先配向とする結晶方位を有することが認められた。
−モールドの作製−
実施例1において、電鋳処理の条件を電流密度6A/dm2で30分間保持した後、5分間で電流密度を20A/dm2まで上げて50分間保持した後、電流密度を6A/dm2まで下げて10分間保持した以外は、実施例1と同様にして、比較例3のモールドを作製した。
得られた比較例3のモールドについて、実施例1と同様にして、モールド断面の結晶方位、反り量(平坦度)、及び反り量のバラツキを測定した。結果を表2に示す。
比較例3のモールド断面の結晶方位を測定したEBSD IPF像の結果から、凹凸パターン側から1層目の電鋳層がNi(110)を優先配向とする結晶方位を有し、次の2層目の電鋳層がNi(100)を優先配向とする結晶方位を有し、次の3層目の電鋳層がNi(110)を優先配向とする結晶方位を有することが認められた。
11 電鋳層
11A 第1電鋳層
11B 第2電鋳層
11C 第3電鋳層
11D 第4電鋳層
12 磁性層
14 スレーブディスク
15 基板
16 レジスト層
17 原版
18 金属盤
20 磁気転写装置
30 磁界生成手段
31 ギャップ
32 コア
33 コイル
34 電磁石装置
40A 円周トラック
50 スタンパー
70 磁気記録媒体
71 基板
72 磁性層
73 レジスト層
P 凹凸パターン
Claims (8)
- 表面に凹凸パターンを有し、かつ少なくとも2層の電鋳層を有してなり、該電鋳層の少なくとも隣接する2層が同じ結晶方位を有することを特徴とするモールド。
- 電鋳層がNiからなる請求項1に記載のモールド。
- 少なくとも隣接する2層が、Ni(110)を優先配向とする同じ結晶方位を有する請求項2に記載のモールド。
- 電鋳層が少なくとも3層からなり、凹凸パターン側から少なくとも2層がNi(110)を優先配向とする同じ結晶方位を有する請求項2から3のいずれかに記載のモールド。
- 反り量が±50μm以下である請求項1から4のいずれかに記載のモールド。
- 電鋳層の合計厚みが100〜350μmである請求項1から5のいずれかに記載のモールド。
- ディスクリートトラック媒体用スタンパー、パターンド媒体用スタンパー、及び磁気転写用マスターディスクのいずれかに用いられる請求項1から6のいずれかに記載のモールド。
- 表面に凹凸パターンを形成した原版上に、少なくとも隣接する2層が同じ結晶方位を有する2層以上の電鋳層からなる金属盤を電鋳により形成し、該金属盤面に前記凹凸パターンを転写する電鋳工程と、
前記金属盤を前記原版上から剥離してモールドとする剥離工程とを含むことを特徴とするモールドの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006326044A JP4850671B2 (ja) | 2006-12-01 | 2006-12-01 | モールド及びその製造方法、並びに磁気記録媒体 |
US11/987,167 US7784765B2 (en) | 2006-12-01 | 2007-11-28 | Mold, method for producing the same and magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006326044A JP4850671B2 (ja) | 2006-12-01 | 2006-12-01 | モールド及びその製造方法、並びに磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008137280A JP2008137280A (ja) | 2008-06-19 |
JP4850671B2 true JP4850671B2 (ja) | 2012-01-11 |
Family
ID=39526172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006326044A Expired - Fee Related JP4850671B2 (ja) | 2006-12-01 | 2006-12-01 | モールド及びその製造方法、並びに磁気記録媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7784765B2 (ja) |
JP (1) | JP4850671B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1688927A3 (en) * | 2005-02-08 | 2007-08-08 | FUJIFILM Corporation | Magnetic transfer master disk, its manufacturing method and magnetic transfer method |
US9761262B2 (en) * | 2008-07-02 | 2017-09-12 | Seagate Technology Llc | Planarization methodology for topographically challenged media surface |
JP5465455B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2014-04-09 | 富士フイルム株式会社 | 凹凸部材の製造方法 |
JP2010108587A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Fujifilm Corp | 磁気転写用マスター担体の製造方法、磁気転写用マスター担体、及び磁気転写方法 |
CN102985379A (zh) * | 2010-07-08 | 2013-03-20 | 旭硝子株式会社 | 含有TiO2的石英玻璃基材及其制造方法 |
JP5426508B2 (ja) * | 2010-09-13 | 2014-02-26 | 富士フイルム株式会社 | マスターモールドの製造方法およびマスターモールドの切取り加工方法 |
JP2012074556A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Fujifilm Corp | ナノインプリントモールド、その製造方法およびそれを用いたナノインプリント方法 |
JP5725155B2 (ja) * | 2011-03-17 | 2015-05-27 | コニカミノルタ株式会社 | 射出成形用金型の製造方法、射出成形用金型、射出成形用金型セット、マイクロチップ用基板の製造方法、及びこの金型を用いたマイクロチップ製造方法 |
US9581108B2 (en) | 2013-02-22 | 2017-02-28 | United Technologies Corporation | Pivot thrust reverser with multi-point actuation |
US9435293B2 (en) | 2013-02-22 | 2016-09-06 | United Technologies Corporation | Full ring sliding nacelle with thrust reverser |
US9617009B2 (en) | 2013-02-22 | 2017-04-11 | United Technologies Corporation | ATR full ring sliding nacelle |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3010156B2 (ja) * | 1998-06-10 | 2000-02-14 | 秋田県 | 規則合金薄膜からなる情報記録媒体の製造方法 |
JP3719026B2 (ja) | 1998-12-28 | 2005-11-24 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
JP2001181891A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-07-03 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 金型素材と成形用金型並びにそれらの製造方法 |
MY124923A (en) | 2000-03-10 | 2006-07-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | Master medium for magnetic transfer including metal disk with relief or recess pattern |
JP4058425B2 (ja) | 2004-06-10 | 2008-03-12 | Tdk株式会社 | スタンパー、インプリント方法および情報記録媒体製造方法 |
JP2006216204A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気転写用マスターディスク及びその製造方法並びに磁気転写方法 |
JP4151078B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2008-09-17 | 富士フイルム株式会社 | 磁気転写用マスターディスク及びその製造方法並びに磁気転写方法 |
JP4151077B2 (ja) * | 2005-02-08 | 2008-09-17 | 富士フイルム株式会社 | 磁気転写用マスターディスク及びその製造方法並びに磁気転写方法 |
EP1688927A3 (en) * | 2005-02-08 | 2007-08-08 | FUJIFILM Corporation | Magnetic transfer master disk, its manufacturing method and magnetic transfer method |
JP4959306B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2012-06-20 | 東海ゴム工業株式会社 | ガラス成形型 |
-
2006
- 2006-12-01 JP JP2006326044A patent/JP4850671B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-11-28 US US11/987,167 patent/US7784765B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008137280A (ja) | 2008-06-19 |
US20080143020A1 (en) | 2008-06-19 |
US7784765B2 (en) | 2010-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4850671B2 (ja) | モールド及びその製造方法、並びに磁気記録媒体 | |
JP2001256644A (ja) | 磁気転写用マスター担体 | |
US7674535B2 (en) | Magnetic transfer master disk, its manufacturing method and magnetic transfer method | |
JP2002074656A (ja) | 磁気転写方法 | |
JP4151077B2 (ja) | 磁気転写用マスターディスク及びその製造方法並びに磁気転写方法 | |
JP2006216204A (ja) | 磁気転写用マスターディスク及びその製造方法並びに磁気転写方法 | |
JP2009259372A (ja) | 磁気転写用マスター担体、及び磁気転写方法 | |
JP4151078B2 (ja) | 磁気転写用マスターディスク及びその製造方法並びに磁気転写方法 | |
JP2006277817A (ja) | 磁気転写用マスターディスクの製造方法 | |
US20060216550A1 (en) | Method of manufacturing master disk for magnetic transfer, master disk for magnetic transfer, and magnetic recording medium | |
JP2006260690A (ja) | 磁気転写用マスターディスク | |
JP2004079060A (ja) | 磁気転写用マスター担体 | |
US7532420B2 (en) | Master disk for magnetic transfer, magnetic recording medium and magnetic recording apparatus | |
JP3986951B2 (ja) | 磁気転写用マスター担体および磁気転写方法 | |
JP2007012143A (ja) | 磁気記録媒体の直流消磁方法、装置、及び磁気転写方法 | |
JP2007242165A (ja) | 垂直磁気転写用マスター媒体、垂直磁気転写方法、垂直磁気記録媒体、及び垂直磁気記録装置 | |
JP2006260661A (ja) | 磁気転写用マスターディスクの製造方法及び磁気記録媒体 | |
US20090147405A1 (en) | Method for manufacturing magnetic recording medium, magnetic recording medium manufactured by the same, and magnetic recording apparatus incorporating the magnetic recording medium | |
JP2006268978A (ja) | 磁気転写用マスターディスクの製造方法及び磁気記録媒体 | |
EP1445765A2 (en) | Master information carrier for magnetic transfer | |
JP2006286146A (ja) | 磁気転写用マスターディスク | |
JP2007012142A (ja) | 磁気転写方法及び装置 | |
JP2008016114A (ja) | 磁気転写用マスター媒体、磁気記録媒体、及び、磁気記録装置 | |
JP2008171499A (ja) | 凹凸パターン形成方法 | |
JP2006277816A (ja) | 磁気転写用マスターディスクの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110927 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111019 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141028 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |