JP2006286144A - マスターディスクの製造方法、磁気記録媒体、及び磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

【課題】欠陥がなく、良好な精度のマスターディスクが得られるマスターディスクの製造方法、このマスターディスクの磁気情報パターンを転写した磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体を備える磁気記録装置を提供する。
【解決手段】表面に反転凹凸パターンを有するマスター型１７の表面に酸化層の厚さが１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下の初期電導層を形成する工程と、初期電導層の表面に金属１８を鍍金して、初期電導層と鍍金層よりなるマスター基板１１を形成する工程と、マスター基板をマスター型より剥離する工程とを備える。
【選択図】 図４

Description

本発明は、マスターディスクの製造方法、磁気記録媒体、及び磁気記録装置に係り、特に、ハードディスク装置等に用いられる磁気ディスクに、マスターディスクからフォーマット情報等の磁気情報パターンを転写するのに好適なマスターディスクの製造方法、このマスターディスクの磁気情報パターンを転写した磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体を備える磁気記録装置に関する。

近年、急速に普及しているハードディスクドライブに使用される磁気ディスク（ハードディスク）は、磁気ディスクメーカーよりドライブメーカーに納入された後、ドライブに組み込まれる前に、フォーマット情報やアドレス情報が書き込まれるのが一般的である。この書き込みは、磁気ヘッドにより行うこともできるが、これらのフォーマット情報やアドレス情報が書き込まれているマスターディスクより一括転写する方法が効率的であり、好ましい。

この磁気転写技術は、マスターディスクと被転写ディスク（スレーブディスク）とを密着させた状態で、片側又は両側に電磁石装置、永久磁石装置等の磁界生成手段を配設して転写用磁界を印加し、マスターディスクの有する情報（たとえばサーボ信号）に対応する磁化パターンの転写を行うものである。

従来より、この種の磁気転写に使用されるマスターディスクのサブストレート形成は、電鋳法により行うのが一般的であった（たとえば、特許文献１等。）。また、類似の技術分野（光ディスク、ビデオディスク等）においても、スタンパの形成は、電鋳法により行われている（たとえば、特許文献２等。）。具体的には、図１０（Ａ）〜（Ｅ）に断面図で示されるような工程によっている。

図１０（Ａ）において、基板１（ガラス板等）の表面にフォトレジスト２を塗布し、フォトマスク等を使用したフォトファブリケーション（露光、現像、ベーク等）により、この上にトラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸の微細パターン３を形成し、原盤４を得る（図１０（Ｂ））。

次に、図１０（Ｃ）において、原盤４の表面に導電化膜５を形成し、図１０（Ｄ）において、電鋳法により金属膜６を形成し、図１０（Ｅ）において、これらの導電化膜５及び金属膜６を一体として同時に原盤４から剥離して情報記録媒体成型用スタンパー７（マスターディスクのサブストレート又はこの為のスタンパー）を得ている。

このスタンパー７を、電鋳用のマスター型として使用し、このスタンパー７上に金属膜を形成して複数枚のマスターディスクを製造することができる。また、このスタンパー７をプレス型として使用し、樹脂板のホットプレス加工により複数枚のマスターディスクを製造することもできる。更に、このスタンパー７上に磁性膜を形成し、磁気転写用のマスターディスクとして使用することもできる。
特開平５−１３２７９３号公報 特開昭５８−５０６３５号公報

しかしながら、上記のような電鋳法によりマスターディスクのサブストレートを形成する場合、電鋳の際に導電化膜５より放電を生じ、電鋳により形成する形状の型崩れになり易いという問題点を生じていた。また、スタンパー７を磁気転写用のマスターディスクとして使用している際や、スタンパー７をプレス型としてホットプレス加工に使用している際に、導電化膜５と金属膜６との境界より導電化膜５が剥離し易いという問題点をも生じていた。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、磁気転写等の用途に使用されるマスターディスクの製造において、上記の問題点を解決し、欠陥がなく、良好な精度のマスターディスクが得られるマスターディスクの製造方法、このマスターディスクの磁気情報パターンを転写した磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体を備える磁気記録装置を提供することを目的とする。

前記目的を達成するために、本発明は、表面に反転凹凸パターンを有するマスター型の表面に酸化層の厚さが１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下の初期電導層を形成する工程と、該初期電導層の表面に金属を鍍金して、該初期電導層と鍍金層よりなるマスター基板を形成する工程と、該マスター基板を前記マスター型より剥離する工程と、を備えることを特徴とするマスターディスクの製造方法を提供する。

また、本発明は、表面に反転凹凸パターンを有するマスター型の表面に酸化層の厚さが１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下の初期電導層を形成する工程と、該初期電導層の表面に金属を鍍金して、該初期電導層と鍍金層よりなるマスター基板を形成する工程と、該マスター基板を前記マスター型より剥離する工程と、該マスター基板の前記初期電導層の表面に磁性層を形成する工程と、を備えることを特徴とするマスターディスクの製造方法を提供する。

本発明者らは、初期電導層を形成した後に、鍍金（電鋳）を行うまでの間に初期電導層の全体が酸化されて酸化層を形成し、この酸化層により電鋳の際に酸化層より放電を生じたり、この酸化層により界面剥離を生じたりすることを発見した。

すなわち、初期電導層は、スパッタ法のような真空成膜法により形成されるのが一般的であるが、このような成膜法では、膜密度が小さく、また、初期電導層と鍍金層との間に大きな内部応力を発生すると考えられる。

したがって、初期電導層の表面に人為的に酸化層を形成し、酸化層の厚さを適切にコントロールすることにより、上記の問題点を解決できることを見出した。これにより、本発明によれば、欠陥がなく、良好な精度のマスターディスクが得られる。

本発明のマスターディスクの製造方法において、前記初期電導層の線電気抵抗が２Ω／ｃｍ未満であることが好ましい。このような線電気抵抗の初期電導層であれば、上記の問題点の解決により有効である。

また、本発明のマスターディスクの製造方法において、前記初期電導層がニッケルを主成分とすることが好ましい。

また、本発明は、前記のマスターディスクの製造方法によって製造された磁気転写用のマスターディスクの前記磁性層側の表面に被転写用磁気記録媒体を密着させる密着工程と、磁界生成手段を設け、前記被転写用磁気記録媒体と前記マスターディスクの円周方向に磁界を加え、前記マスターディスクの磁気パターンを前記被転写用磁気記録媒体に転写させる磁気転写工程と、を経て磁気記録されたことを特徴とする磁気記録媒体を提供する。

このような製造方法によって製造された磁気転写用のマスターディスクであれば、欠陥がなく、良好な精度で磁気転写が行え、Ｃ／Ｎ比の良好な磁気記録媒体（スレーブディスク）が得られる。

また、本発明は、前記の磁気記録媒体を備えたことを特徴とする磁気記録装置を提供する。このような磁気記録媒体を使用すれば、Ｃ／Ｎ比の良好な磁気記録装置（ハードディスクドライブ等）が得られる。

以上説明したように、本発明によれば、欠陥がなく、良好な精度のマスターディスクが得られる。

以下、添付図面に従って、本発明に係るマスターディスクの製造方法、磁気記録媒体、及び磁気記録装置の好ましい実施の形態について詳説する。

図１は本発明の磁気転写用マスターディスク１０（以下、マスターディスク１０という）の部分斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、被転写用ディスク（スレーブディスク１４）を想像線で示したものである。

図１及び図２に示されるように、マスターディスク１０は、金属製のマスター基板１１と磁性層１２とで構成され、マスター基板１１の表面に転写情報に対応する微細な凹凸パターンＰ（たとえばサーボ情報パターン）を有するとともに、その凹凸パターンＰに磁性層１２が被覆されている。

これにより、マスター基板１１の片面に磁性層１２が被覆された微細な凹凸パターンＰを有する情報担持面１３が形成される。図１から解るように、この微細な凹凸パターンＰは、平面視で長方形であり、磁性層１２が形成された状態でトラック方向（図の矢印方向）の長さｐと、半径方向の長さＬとよりなる。

この長さｐと長さＬとの最適値は、記録密度や記録信号波形により異なるが、たとえば長さｐを８０ｎｍ、長さＬを２００ｎｍにできる。この微細な凹凸パターンＰはサーボ信号の場合は、半径方向に長く形成される。この場合、たとえば半径方向の長さＬが０．０５〜２０μｍ、トラック方向（円周方向）の長さｐが０．０１〜５μｍであることが好ましい。

この範囲で半径方向の方が長い凹凸パターンＰを選ぶことがサーボ信号を担持するパターンとして好ましい。凹凸パターンＰの深さｔ（突起の高さ）は、３０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、５０〜３００ｎｍの範囲がより好ましい。

マスター基板１１は、電鋳により作製され、図３に示されるように、中心孔１１Ｇを有する円盤状に形成され、片面の（情報担持面１３）の内周部１１Ｄ及び外周部１１Ｅを除く円環状領域１１Ｆに凹凸パターンＰが形成される。このマスター基板１１の製造の詳細は後述するが、主に、情報を凹凸パターンＰで形成した原版上に電鋳を施して、電鋳層から成る金属盤を原版上に形成して、この金属盤に凹凸パターンＰを転写する電鋳工程と、金属盤を原版上から剥離する剥離工程とにより製造される。

本発明において、電鋳層としては各種金属や合金類を使用できるが、本実施の形態では好ましい一例として、Ｎｉ電鋳層の例で以下に説明する。このＮｉ電鋳層は柔軟性をもたせるため、規定された結晶構造を有するように、電鋳時の電流密度を制御しながら電鋳する。電鋳時の電流密度については、後述する。

次に、上記の如く構成される本発明のマスターディスク１０の製造方法を詳細に説明する。

図４はマスターディスク１０を製造するステップを示す工程図である。先ず、図４（ａ）に示されるように、表面が平滑且つ清浄なシリコーンウエハーによる原板１５（ガラス板、石英板でもよい）の上に、密着層形成等の前処理を行い、電子線レジスト液をスピンコート等で塗布してレジスト膜１６を形成し、ベーキングする。

そして、高精度な回転ステージ又はＸ−Ｙステージを備えた電子ビーム露光装置（図示せず）にて、そのステージに搭載した原板１５にサーボ信号等に対応して変調した電子ビームＢを照射し、レジスト膜１６に所望の凹凸パターンＰ' を描画露光する。

次に、図４（ｂ）に示されるように、レジスト膜１６を現像処理し、露光部分を除去して残ったレジスト膜１６によって所望の凹凸パターンＰ' を形成する。この凹凸パターンＰ' 上にたとえばスパッタリングにより初期電導層であるＮｉ導電膜（薄いので図示せず）を付与し（初期電導層形成工程）、電鋳可能な原版１７を作製する。

この初期電導層形成工程において、Ｎｉ導電膜の表面の酸化層の厚さが１０ｎｍ以下となるように、スパッタリング条件及びスパッタリング後の保存条件を適正に管理することが求められる。このようなスパッタリング条件としては、スパッタ圧力、投入電力（成膜レート）、成膜時のプロセスガス中の酸素含有量の調整等が挙げられる。

すなわち、本発明者らは、Ｎｉ導電膜（初期電導層）を形成した後に、鍍金（電鋳）を行うまでの間にＮｉ導電膜の表面が酸化されて酸化層を形成し、この酸化層により電鋳の際に酸化層より放電を生じたり、この酸化層により界面剥離を生じたりすることを発見した。

Ｎｉ導電膜は、スパッタ法のような真空成膜法により形成されるのが一般的であるが、このような成膜法では、膜密度が小さく、また、Ｎｉ導電膜と鍍金層との間に大きな内部応力を発生すると考えられる。

したがって、Ｎｉ導電膜の酸化層の厚さを適切にコントロールすることにより、上記の問題点を解決できることを見出した。これにより、本発明によれば、欠陥がなく、良好な精度のマスターディスクが得られる。

特に、このＮｉ導電膜の線電気抵抗が２Ω／ｃｍ未満であることが好ましく、０．１Ω／ｃｍ以下であることがより好ましく、０．０７Ω／ｃｍ以下であることが更に好ましい。このような線電気抵抗のＮｉ導電膜であれば、上記の問題点の解決により有効である。

また、Ｎｉ導電膜（初期電導層）表面の膜厚を２０〜５０ｎｍとするのが好ましく、２５〜４５ｎｍとするのがより好ましい。これは全体膜厚に対する酸化層の厚さ割合に対応し、酸素含有量を調整することにより設定できる。

次に、図４（ｃ）に示されるように、原版１７の全面に電鋳装置で電鋳処理を施し、Ｎｉ金属による所望厚さの金属盤１８（Ｎｉ電鋳層）を積層する。Ｎｉは面心立方格子の結晶構造を有しており、電鋳時の電流密度を制御して規定の結晶構造となるように電鋳する。

図５は、電鋳装置６０の断面図である。この電鋳装置６０は、鍍金液（浴）６２を貯留する鍍金槽６４と、鍍金槽６４よりオーバーフローした鍍金液６２を受けるドレーン槽６６と、陽極となるＮｉペレット６８、６８…が充填され、鍍金槽６４よりオーバーフローした鍍金液６２を受けるアノード室７０と、原版１７を保持する陰極７２等より構成される。

鍍金槽６４には鍍金液供給配管７４より鍍金液６２が供給されるようになっている。また、鍍金槽６４よりドレーン槽６６にオーバーフローした鍍金液６２は、ドレーン槽排水配管７６より回収されるようになっている。また、鍍金槽６４よりアノード室７０にオーバーフローした鍍金液６２は、アノード室排水配管７８より回収されるようになっている。

鍍金槽６４とアノード室７０とは、隔壁板８０により区切られている。また、鍍金槽６４側の隔壁板８０の表面には、電極遮蔽板８２が陰極７２と対向するように固定されている。この電極遮蔽板８２は、電鋳した膜厚が面内で均一になるように、電極の所定部分を覆うように形成されているものである。

以上の構成からなる電鋳装置６０において、陰極７２に原版１７を保持させ、陰極７２に負電極を接続し、アノード室７０の正電極を接続して通電することにより、マスター基板１１の電鋳が行われる。

電鋳において、本実施の形態では、電鋳時の電流密度を図６に示されるパターンで制御する。すなわち、電鋳工程を３以上の時間帯に分割し、スタート時よりの所定時間、全電鋳工程の平均電流密度の６５％以下の電流密度で電鋳を行う初期電鋳工程５０と、初期電鋳工程の後に所定時間行う電鋳工程であって、全電鋳工程の平均電流密度の１４０％以上の電流密度で電鋳を行う本電鋳工程５２と、終了時までの所定時間、全電鋳工程の平均電流密度の５０％以下の電流密度で電鋳を行う終期電鋳工程５４と、を含ませる。

この図６は、横軸に時間を、縦軸に電流密度をとったＸ−Ｙグラフである。そして、初期電鋳工程５０の時間５０Ｔ、本電鋳工程５２の時間５２Ｔ、及び終期電鋳工程５４の時間５４Ｔがそれぞれ示されている。

この初期電鋳工程５０の時間５０Ｔは、全電鋳工程の３０〜７５％の時間とすることが好ましく、終期電鋳工程５４の時間５４Ｔは、全電鋳工程の５〜１０％の時間とすることが好ましい。また、全電鋳工程の平均電流密度を５〜１５Ａ／ｄｍ² とすることが好ましい。

このように、電鋳工程の電流密度と時間を制御することにより、電鋳層に内部応力を生じにくく、電鋳後のディスクの平坦度を非常に高精度に（平坦度を小さく）維持できる。また、電鋳後のディスクの表面粗さを非常に高精度に（表面粗さを小さく）維持できる。更に、電鋳速度は従来と同様に維持でき、生産性に劣ることもない。

なお、初期電鋳工程５０における電流密度を全電鋳工程の平均電流密度の６５％超とした場合には、電鋳層に内部応力を生じるので好ましくなく、終期電鋳工程５４における電流密度を全電鋳工程の平均電流密度の５０％超とした場合には、電鋳後のディスクの表面粗さが劣るので好ましくない。

また、初期電鋳工程５０の時間５０Ｔを全電鋳工程の３０％の時間未満とした場合には、電鋳層に内部応力を生じるので好ましくなく、時間５０Ｔを全電鋳工程の７５％の時間超とした場合には、生産性に劣るので好ましくない。

同様に、終期電鋳工程５４の時間５４Ｔを全電鋳工程の５％の時間未満とした場合には、電鋳後のディスクの表面粗さが劣るので好ましくなく、時間５４Ｔを全電鋳工程の１０％の時間超とした場合には、生産性に劣るので好ましくない。

なお、「全電鋳工程の平均電流密度」とは、全電鋳工程の積算した電流密度を全電鋳工程の時間で除した値であり、図６のグラフの面積を全電鋳工程の時間で除した値でもある。

図４に戻り、次に、前述のように規定した結晶構造を有する金属盤１８を原版１７から剥離し、残留するレジスト膜１６を除去・洗浄する。これにより、図４（ｄ）に示されるように、反転した凹凸パターンＰを有し、且つ所定サイズに打ち抜く前の外径Ｄを有するマスター基板１１の原盤１１' が得られる。

この原盤１１' を打ち抜いて、図４（ｅ）に示される外径ｄの所定サイズのマスター基板１１が得られる。このマスター基板１１の凹凸パターン面に磁性層１２を成膜することでマスターディスク１０を製造することができる。

なお、マスターディスク１０の他の製造工程としては、原版１７に電鋳を施して第２原版を作製する。そして、この第２原版を使用して電鋳を行い、反転した凹凸パターンを有する金属盤を作製し、所定サイズに打ち抜いてマスター基板としてもよい。

更には、第２原版に電鋳を行うか、樹脂液を押しつけて硬化を行って第３原版を作製し、この第３原版に電鋳を行って金属盤を作製し、更に反転した凹凸パターンを有する金属盤を剥離してマスター基板としてもよい。第２原版又は第３原版を繰り返し使用し、複数の金属盤１８を作製することができる。

また、原版の作製において、レジスト膜を露光・現像処理した後、エッチング処理を行って、原版の表面にエッチングによる凹凸パターンを形成してからレジスト膜を除去してもよい。

磁性層１２の形成は、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、又はメッキ法、塗布法等により成膜する。磁性層の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ等）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ等）、を用いることができる。特にＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉを好ましく使用することができる。磁性層１２の厚さは５０〜５００ｎｍの範囲が好ましく、１００〜４００ｎｍの範囲が更に好ましい。

なお、磁性層１２の上に、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等の保護膜を設けることが好ましく、保護膜の上に更に潤滑剤層を設けても良い。この場合、保護膜として厚さが３〜３０ｎｍのＤＬＣ膜と潤滑剤層とする構成が好ましい。

また、磁性層と保護膜との間に、Ｓｉ等の密着強化層を設けるようにしても良い。潤滑剤はスレーブディスク１４との接触過程で生じるずれを補正する際の、摩擦による傷の発生などの耐久性の劣化を改善する効果を有する。

本発明では、電鋳処理による金属盤１８の積層において、電流密度と時間を制御して、残留応力の非常に小さいＮｉ電鋳層が形成されるようにした。

通常、マスターディスク１０に使用される金属はニッケル（Ｎｉ）であるが、マスターディスク１０を電鋳で製造する場合には、応力の小さなマスター基板１１が得られ易いスルファミン酸ニッケル浴を使用することが好ましい。

スルファミン酸ニッケル浴は、たとえば、スルファミン酸ニッケルを４００〜８００ｇ／Ｌ、ホウ酸を２０〜５０ｇ／Ｌ（過飽和）をベースとして界面活性剤（たとえばラウリル硫酸ナトリウム）等の添加物を必要に応じて添加したものである。メッキ浴の浴温度は４０〜６０°Ｃが好適である。電鋳時の対極にはチタンケースに入れたニッケルボールを使用することが好ましい。

次に、上記の如く製造したマスターディスク１０の凹凸パターンＰをスレーブディスク１４に転写する磁気転写方法について説明する。図７は本発明のマスターディスク１０を使用して磁気転写を行うための磁気転写装置２０の要部斜視図である。

磁気転写時には図９（ａ）に示される後述する初期直流磁化を行った後のスレーブディスク１４のスレーブ面（磁気記録面）を、マスターディスク１０の情報担持面１３に接触させ、所定の押圧力で密着させる。そして、このスレーブディスク１４とマスターディスク１０との密着状態で、磁界生成手段３０により転写用磁界を印加して、マスターディスク１０の凹凸パターンＰをスレーブディスク１４に転写する。

スレーブディスク１４は、両面又は片面に磁気記録層が形成されたハードディスク、フレキシブルディスク等の円盤状記録媒体であり、マスターディスク１０に密着させる以前に、グライドヘッド、研磨体などにより表面の微小突起及び付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシィング等）が必要に応じて施される。

スレーブディスク１４の磁気記録層には、塗布型磁気記録層、メッキ型磁気記録層、又は金属薄膜型磁気記録層を採用できる。金属薄膜型磁気記録層の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ等）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ等）、を用いることができる。

これらは磁束密度が大きいこと、磁界印加方向と同じ方向（面内記録なら面内方向）の磁界異方性を有していることにより、明瞭な転写を行えるため好ましい。そして、磁性材料の下（支持体側）に必要な磁気異方性を付与するために、非磁性の下地層を設けることが好ましい。この下地層には、結晶構造と格子定数を磁性層１２に合わすことが必要である。その為には、Ｃｒ、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ等を用いることが好ましい。

マスターディスク１０による磁気転写は、スレーブディスク１４の片面にマスターディスク１０を密着させて片面に転写を行う場合と、図示しないが、スレーブディスク１４の両面に一対のマスターディスク１０を密着させて両面で同時転写を行う場合とがある。

転写用磁界を印加する磁界生成手段３０は、密着保持されたスレーブディスク１４とマスターディスク１０の半径方向に延びるギャップ３１を有するコア３２にコイル３３が巻き付けられた電磁石装置３４、３４が上下両側に配設されており、上下で同じ方向にトラック方向と平行な磁力線Ｇ（図８参照）を有する転写用磁界を印加する。図８は、円周トラック１４Ａ、１４Ａ…と磁力線Ｇとの関係を示したものである。

磁界印加時には、スレーブディスク１４とマスターディスク１０とを一体的に回転させつつ磁界生成手段３０によって転写用磁界を印加させ、マスターディスク１０の凹凸パターンをスレーブディスク１４のスレーブ面に磁気的に転写する。なお、この構成以外に磁界生成手段の方を回転移動させるようにしてもよい。

転写用磁界は、最適転写磁界強度範囲（スレーブディスク１４の保磁力Ｈｃの０．６〜１．３倍）の最大値を超える磁界強度がトラック方向のいずれにも存在せず、最適転写磁界強度範囲内の磁界強度となる部分が１つのトラック方向で少なくとも１カ所以上存在し、これと逆向きのトラック方向の磁界強度が何れのトラック方向位置においても最適転写磁界強度範囲内の最小値未満である磁界強度分布の磁界をトラック方向の一部分で発生させている。

図９は、面内記録による磁気転写方法の基本工程を説明する説明図である。先ず、図９（ａ）に示されるように、予めスレーブディスク１４に初期磁界Ｈi をトラック方向の一方向に印加して初期磁化（直流消磁）を施しておく。

次に、図９（ｂ）に示されるように、このスレーブディスク１４の記録面（磁気記録部）とマスターディスク１０の凹凸パターンＰが形成された情報担持面１３とを密着させ、スレーブディスク１４のトラック方向に初期磁界Ｈi とは逆方向に転写用磁界Ｈd を印加して磁気転写を行う。転写用磁界Ｈd が凹凸パターンＰの凸部の磁性層１２に吸い込まれてこの部分の磁化は反転せず、その他の部分の磁界が反転する結果、図９（ｃ）に示されるように、スレーブディスク１４の磁気記録面にはマスターディスク１０の凹凸パターンＰが磁気的に転写記録される。

このような磁気転写において、スレーブディスク１４とマスターディスク１０とを良好に密着させることが高精度な転写を行う上で重要であるが、本発明の高平坦なマスターディスク１０を使用することにより、良好な密着を行うことができる。

このスレーブディスク１４は、磁気記録装置（ハードディスクドライブ）に組み込んで好適に使用できる。これに使用されるハードディスクドライブとしては、各ドライブメーカーより販売されている公知の各種装置を使用すればよい。

以上、本発明に係るマスターディスクの製造方法、磁気記録媒体、及び磁気記録装置の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各種の態様が採り得る。

たとえば、本実施形態において、磁気転写用のマスターディスクの製造方法が取り上げられているが、本発明は、これ以外のマスターディスク、たとえば、光ディスク、ビデオディスク等のマスターディスク（スタンパ）の製造にも適用できる。

また、本実施形態において、全電鋳工程を、初期電鋳工程５０と、本電鋳工程５２と、終期電鋳工程５４との３の時間帯に分割しているが、これ以上の時間帯に分割する方法をも採用できる。このように、多数の時間帯に分割し、よりきめの細かい制御を行うことも好ましく採用できる。

また、本実施形態において、マスターディスク１０の裏面の加工は行っていないが、マスターディスク１０の裏面に機械加工等を施して、板厚偏差を無くすようにする態様も採用できる。

更に、本実施形態のマスターディスク１０は、内径を有する円環状（ドーナツ状）のものであるが、内径を有しない円盤状のものであってもよい。

次に本発明の実施例と比較例について説明する。なお、本発明はこの実施例に限定されるものではない。

マスター基板１１として、２．５インチサイズ（内径：ＩＤ＝２８ｍｍ、外径：ＯＤ＝６３ｍｍ）のものを作成した。初期電導層形成工程において、スパッタリングによりＮｉ導電膜の表面の酸化層の厚さが異なるように、後述するように条件を変えてスパッタリングを行い、６種類の試料を得た（実施例１〜３及び比較例１〜３）。

次いで、図５に示される既述の電鋳装置６０を使用して、マスター基板１１の電鋳を行った。電鋳装置６０の鍍金液（浴）６２の組成は、以下の通りである。

・スルファミン酸ニッケル ：６００ｇ／Ｌ
・ホウ酸 ：４０ｇ／Ｌ
・界面活性剤（ラウリル酸Ｎａ）：０．１５ｇ／Ｌ
鍍金液（浴）６２の温度は５５°Ｃに制御した。

次いで、マスター基板１１の表面にＡｒプラズマによってドライクリーニングを実施（２５．６Ｗ／ｃｍ² ）した。クリーニング後のマスター基板１１の表面にＦｅＣｏからなる磁性層１２を形成し、マスターディスク１０を得た。この磁性層１２は、ＦｅＣｏ３５ａｔ％（厚さ２００ｎｍ）であり、成膜条件は１５．２４Ｗ／ｃｍ² であった。

成膜後の磁性層１２の膜剥れ評価を行った。評価方法は以下の通りである。磁性層１２（ＦｅＣｏ膜）の表面に対し、ステンレス球を用いた硬球スクラッチ試験を実施した（７５、１００ｇｆ荷重、１ｍｍ長、０．１ｍｍ間隔、１０パス）。

スクラッチ試験箇所に、日東電工社製ポリエチレンナフタレートテープ（Ｎｏ．３１Ｂ）を１８ｍｍ×２０ｍｍのサイズにして接着させ、５００ｇｆ／ｃｍ² （４．９Ｎ／ｃｍ² ）以上の力で３回以上こすりつけて完全に密着させた。そして、その後一気に引き剥がした。

この作業を５回異なった試験箇所に対して実施した。１００ｇｆ（０．９８Ｎ）で剥離しない場合を○と、７５ｇｆ（０．７４Ｎ）で剥離がなく、１００ｇｆ（０．９８Ｎ）で剥離が発生した場合を△と、７５ｇｆ（０．７４Ｎ）で剥離が発生した場合を×とランク分けした。

以下、スパッタリング（初期電導層形成工程）における初期電導層の形成条件と、成膜後の磁性層１２の膜剥れ評価結果を各試料（実施例１〜３及び比較例１〜３）について述べる。

［実施例１］
初期電導層の厚さを３０ｎｍに設定した。成膜時のスパッタ圧を０．１Ｐａ（初期酸素分圧：０．０１Ｐａ）とした。初期酸化層の厚さは５ｎｍであり、初期電導層の線抵抗は０．０５Ω／ｃｍであった。

磁性層１２の膜剥れ評価結果は、○であった。

［実施例２］
成膜時のスパッタ圧を０．２Ｐａ（初期酸素分圧：０．０２Ｐａ）とした以外は、実施例１と同一とした。初期酸化層の厚さは５ｎｍであり、初期電導層の線抵抗は０．０９Ω／ｃｍであった。

磁性層１２の膜剥れ評価結果は、○であった。

［実施例３］
初期酸化層の厚さを１０ｎｍに変更した点を除き、実施例１と同一とした。初期電導層の線抵抗は０．１０Ω／ｃｍであった。

磁性層１２の膜剥れ評価結果は、○であった。

［比較例１］
スパッタプロセス中に酸素ガスを導入せず作成した点を除き、実施例１と同一とした。初期酸化層の厚さは２０ｎｍであり、初期電導層の線抵抗は０．２２Ω／ｃｍであった。

磁性層１２の膜剥れ評価結果は、×であった。

［比較例２］
初期酸素分圧を０．０４Ｐａに変更した点を除き、実施例１と同一とした。初期酸化層の厚さは１５ｎｍであり、初期電導層の線抵抗は０．１８Ω／ｃｍであった。

磁性層１２の膜剥れ評価結果は、×であった。

［比較例３］
初期酸化層厚を１５ｎｍに変更した点を除き、実施例１と同一とした。

磁性層１２の膜剥れ評価結果は、×であった。

本発明のマスターディスクの部分斜視図 図１のＡ−Ａ線に沿った断面図 マスター基板の平面図 本発明のマスターディスクの製造方法の一実施の形態における工程図 電鋳装置の断面図 電鋳時の電流密度パターンを示すグラフ 磁気転写装置の要部斜視図 転写用磁界の印加方法を示す平面図 磁気転写方法の基本工程を示す工程図 従来の電鋳法によるスタンパの形成工程を示す断面図

符号の説明

１０…マスターディスク（磁気転写用マスターディスク）、１１…マスター基板、１２…磁性層、１４…スレーブディスク、２０…磁気転写装置、５０…初期電鋳工程、５２…本電鋳工程、５４…終期電鋳工程、Ｐ…凹凸パターン

Claims (6)

1. 表面に反転凹凸パターンを有するマスター型の表面に酸化層の厚さが１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下の初期電導層を形成する工程と、
   該初期電導層の表面に金属を鍍金して、該初期電導層と鍍金層よりなるマスター基板を形成する工程と、
   該マスター基板を前記マスター型より剥離する工程と、
   を備えることを特徴とするマスターディスクの製造方法。
2. 表面に反転凹凸パターンを有するマスター型の表面に酸化層の厚さが１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下の初期電導層を形成する工程と、
   該初期電導層の表面に金属を鍍金して、該初期電導層と鍍金層よりなるマスター基板を形成する工程と、
   該マスター基板を前記マスター型より剥離する工程と、
   該マスター基板の前記初期電導層の表面に磁性層を形成する工程と、
   を備えることを特徴とするマスターディスクの製造方法。
3. 前記初期電導層の線電気抵抗が２Ω／ｃｍ未満である請求項１又は２に記載のマスターディスクの製造方法。
4. 前記初期電導層がニッケルを主成分とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のマスターディスクの製造方法。
5. 請求項２〜４のいずれか１項に記載のマスターディスクの製造方法によって製造された磁気転写用のマスターディスクの前記磁性層側の表面に被転写用磁気記録媒体を密着させる密着工程と、
   磁界生成手段を設け、前記被転写用磁気記録媒体と前記マスターディスクの円周方向に磁界を加え、前記マスターディスクの磁気パターンを前記被転写用磁気記録媒体に転写させる磁気転写工程と、
   を経て磁気記録されたことを特徴とする磁気記録媒体。
6. 請求項５に記載の磁気記録媒体を備えたことを特徴とする磁気記録装置。

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