JPH05287530A - インライン式成膜装置 - Google Patents
インライン式成膜装置Info
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- JPH05287530A JPH05287530A JP8705692A JP8705692A JPH05287530A JP H05287530 A JPH05287530 A JP H05287530A JP 8705692 A JP8705692 A JP 8705692A JP 8705692 A JP8705692 A JP 8705692A JP H05287530 A JPH05287530 A JP H05287530A
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- Japan
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- film forming
- chamber
- room
- film
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 スパッタ、蒸着、イオンプレーティング又は
化学気相成膜を行なうインライン式成膜装置において、
少なくとも２つの成膜室を設け、成膜室Ａ、搬送室及び
成膜室Ｂをコの字状に配置したことを特徴とするインラ
イン式成膜装置。 【効果】 成膜に直接関係がないクリーンコンベアのス
ペースが不要で、従来の装置に比べ、クリーンルーム内
のスペースが処理室の数に関係なく一定にでき、また、
搬送中のダストの付着を少なくできるので、インライン
式成膜装置をコンパクトなスペースに設置でき、従来と
同等の膜質の基板を真空雰囲気のみを搬送することによ
り、ダストの付着を低減し安定して歩留りよく生産する
ことができる。
化学気相成膜を行なうインライン式成膜装置において、
少なくとも２つの成膜室を設け、成膜室Ａ、搬送室及び
成膜室Ｂをコの字状に配置したことを特徴とするインラ
イン式成膜装置。 【効果】 成膜に直接関係がないクリーンコンベアのス
ペースが不要で、従来の装置に比べ、クリーンルーム内
のスペースが処理室の数に関係なく一定にでき、また、
搬送中のダストの付着を少なくできるので、インライン
式成膜装置をコンパクトなスペースに設置でき、従来と
同等の膜質の基板を真空雰囲気のみを搬送することによ
り、ダストの付着を低減し安定して歩留りよく生産する
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタ、蒸着、イオ
ンプレーティング又は化学気相成膜を行なうインライン
式成膜装置に関する。
ンプレーティング又は化学気相成膜を行なうインライン
式成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のインライン式成膜装置は、仕込
室、脱ガス室、１ないし複数の成膜室、取り出し室を仕
切りバルブを介して連接した構成からなる。そして成膜
すべき基板が単独あるいは複数の基板を取り付けた冶具
（キャリア）ごと搬送され、成膜処理される。
室、脱ガス室、１ないし複数の成膜室、取り出し室を仕
切りバルブを介して連接した構成からなる。そして成膜
すべき基板が単独あるいは複数の基板を取り付けた冶具
（キャリア）ごと搬送され、成膜処理される。
【０００３】また、バッチ式の成膜装置と比較して優れ
た点として次の３点が挙げられる。
た点として次の３点が挙げられる。
【０００４】（１）成膜室を大気にさらされないので、
ターゲットや蒸着材が酸化されない。内部防着板に付着
した膜が剥離しにくい。従って、不純物が少なくピンホ
ールも少ない膜が製造できる。
ターゲットや蒸着材が酸化されない。内部防着板に付着
した膜が剥離しにくい。従って、不純物が少なくピンホ
ールも少ない膜が製造できる。
【０００５】（２）仕込室・脱ガス室で基板及びキャリ
アの脱ガスを行えるので、成膜室の雰囲気が悪くならな
い。
アの脱ガスを行えるので、成膜室の雰囲気が悪くならな
い。
【０００６】（３）作業者一人当りの生産量が大きい。
【０００７】以上の３つの利点から、生産装置としてイ
ンライン式成膜装置は多用されている。
ンライン式成膜装置は多用されている。
【０００８】図１にインライン式成膜装置の一例を示し
た。インライン式成膜装置の本体は、クリーンルームに
隣接した機械室に設置され、基板の着脱を行なう基板着
脱ステージのみがクリーンルーム内に設置される。基板
は、基板着脱ステージでキャリアにセットされ、仕込室
に送られ真空に排気される。そして、キャリアは排気完
了後、脱ガス室に送られ、基板に吸着されていた水分な
どを除くために一定時間ストックされる。脱ガス室のサ
イズは、成膜のタクトタイムと各キャリアが脱ガスに必
要とする時間の関係から決まっている。つまり、タクト
タイム３分で、脱ガス時間３０分ならば、脱ガス室には
１０キャリア貯めておければよい。そして、３分毎に１
番長く滞留していたキャリアを成膜室に送り、仕込室か
ら新たにキャリアを受け入れる。成膜室では成膜処理が
行われ、最後に取り出し室で真空から大気に戻される。
さらに成膜した基板は、キャリアごと大気中を搬送さ
れ、基板着脱ステージに戻される。
た。インライン式成膜装置の本体は、クリーンルームに
隣接した機械室に設置され、基板の着脱を行なう基板着
脱ステージのみがクリーンルーム内に設置される。基板
は、基板着脱ステージでキャリアにセットされ、仕込室
に送られ真空に排気される。そして、キャリアは排気完
了後、脱ガス室に送られ、基板に吸着されていた水分な
どを除くために一定時間ストックされる。脱ガス室のサ
イズは、成膜のタクトタイムと各キャリアが脱ガスに必
要とする時間の関係から決まっている。つまり、タクト
タイム３分で、脱ガス時間３０分ならば、脱ガス室には
１０キャリア貯めておければよい。そして、３分毎に１
番長く滞留していたキャリアを成膜室に送り、仕込室か
ら新たにキャリアを受け入れる。成膜室では成膜処理が
行われ、最後に取り出し室で真空から大気に戻される。
さらに成膜した基板は、キャリアごと大気中を搬送さ
れ、基板着脱ステージに戻される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】クリーンルーム内に基
板着脱ステージ、機械室に仕込室・脱ガス室・成膜室・
取り出し室を直線上に配置した場合、取り出し室から出
たキャリアを基板着脱ステージに戻すためには、クリー
ンコンベアが用いられる。これは、成膜した基板の表面
にダストが付着するのを防ぐためにキャリアの搬送路を
囲い、ヘパフィルターを通したエアを流しながら搬送す
る機構である。このようにインライン式成膜装置には、
クリーンコンベアのようなキャリアリターン系が必要で
ある。平面的にリターン系を配置したトラバーサタイプ
とリターン系を真空チャンバの上に立体的に配置したエ
レベータタイプがある。（ここで、仕込室・脱ガス室・
成膜室・取り出し室からなる直線上に配置された真空チ
ャンバから平面上にそれと平行に配置されたリターンコ
ンベアへキャリアを移動させる部分をトラバーサと呼
ぶ。）
板着脱ステージ、機械室に仕込室・脱ガス室・成膜室・
取り出し室を直線上に配置した場合、取り出し室から出
たキャリアを基板着脱ステージに戻すためには、クリー
ンコンベアが用いられる。これは、成膜した基板の表面
にダストが付着するのを防ぐためにキャリアの搬送路を
囲い、ヘパフィルターを通したエアを流しながら搬送す
る機構である。このようにインライン式成膜装置には、
クリーンコンベアのようなキャリアリターン系が必要で
ある。平面的にリターン系を配置したトラバーサタイプ
とリターン系を真空チャンバの上に立体的に配置したエ
レベータタイプがある。（ここで、仕込室・脱ガス室・
成膜室・取り出し室からなる直線上に配置された真空チ
ャンバから平面上にそれと平行に配置されたリターンコ
ンベアへキャリアを移動させる部分をトラバーサと呼
ぶ。）
【００１０】しかしながら、仕込室・脱ガス室・成膜室
・取り出し室を直線上に配置したのでは、多層膜を成膜
するために成膜室が複数となる場合、設置スペースが大
きくなりすぎる欠点がある。また、取り出し室から基板
着脱ステージへのクーリーンコンベアも長くなり、搬送
機構のギアなどからの発塵も無視できなくなる問題があ
る。
・取り出し室を直線上に配置したのでは、多層膜を成膜
するために成膜室が複数となる場合、設置スペースが大
きくなりすぎる欠点がある。また、取り出し室から基板
着脱ステージへのクーリーンコンベアも長くなり、搬送
機構のギアなどからの発塵も無視できなくなる問題があ
る。
【００１１】図２に示したように、仕込室・脱ガス室・
成膜室・取り出し室を直線上に配置するのではなく、脱
ガス室の１方の端に直角に仕込室を接続し、さらに別の
１端に直角に成膜室を接続したインライン式スパッタ装
置も考案されている（特開昭６２−１６１９５９号公
報）。この場合、設置スペースは直線配置よりもやや狭
くてすむが、クリーンルームの基板着脱スペースでキャ
リアに基板を取り付けた後、クリーンコンベアで長い距
離を搬送しなければならない短所がある。この間に基板
にダストが付着するとその部分だけ成膜されず、後でダ
ストが取れたときピンホールになってしまう。これは、
成膜後にダストが付着するよりも重大な問題である。
成膜室・取り出し室を直線上に配置するのではなく、脱
ガス室の１方の端に直角に仕込室を接続し、さらに別の
１端に直角に成膜室を接続したインライン式スパッタ装
置も考案されている（特開昭６２−１６１９５９号公
報）。この場合、設置スペースは直線配置よりもやや狭
くてすむが、クリーンルームの基板着脱スペースでキャ
リアに基板を取り付けた後、クリーンコンベアで長い距
離を搬送しなければならない短所がある。この間に基板
にダストが付着するとその部分だけ成膜されず、後でダ
ストが取れたときピンホールになってしまう。これは、
成膜後にダストが付着するよりも重大な問題である。
【００１２】さらに基板としてポリカーボネイトの如き
プラスチックを使用している場合、キャリアに取り付け
る前に水分を除くために加熱処理を行なうのが普通であ
るが、キャリア取り付け後すぐに仕込室にいれないとそ
の効果がなくなる。
プラスチックを使用している場合、キャリアに取り付け
る前に水分を除くために加熱処理を行なうのが普通であ
るが、キャリア取り付け後すぐに仕込室にいれないとそ
の効果がなくなる。
【００１３】また、図３のレイアウトも考えられている
（実開平１−１６１２６２号公報）。この場合、インラ
イン成膜装置は、クリーンルームとの境の壁面に平行に
沿って配置されている。処理室が１室ではなく、複数に
なった場合、クリーンルーム内の専有スペースが大きく
なってしまう。また、脱ガス室を加えようとすると壁面
に沿って配置できる利点が損なわれる。
（実開平１−１６１２６２号公報）。この場合、インラ
イン成膜装置は、クリーンルームとの境の壁面に平行に
沿って配置されている。処理室が１室ではなく、複数に
なった場合、クリーンルーム内の専有スペースが大きく
なってしまう。また、脱ガス室を加えようとすると壁面
に沿って配置できる利点が損なわれる。
【００１４】本発明が解決しようとする課題は、少ない
設置面積で高品質な製品を安定して製造できるインライ
ン式成膜装置を提供することにある。
設置面積で高品質な製品を安定して製造できるインライ
ン式成膜装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング又
は化学気相成膜を行なうインライン式成膜装置におい
て、少なくとも２つの成膜室を設け、成膜室Ａ、搬送室
及び成膜室Ｂをコの字状に配置したことを特徴とするイ
ンライン式成膜装置を提供する。
するために、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング又
は化学気相成膜を行なうインライン式成膜装置におい
て、少なくとも２つの成膜室を設け、成膜室Ａ、搬送室
及び成膜室Ｂをコの字状に配置したことを特徴とするイ
ンライン式成膜装置を提供する。
【００１６】図４に装置の系統図を示した。仕込室、脱
ガス室、複数の成膜室、取り出し室からなるインライン
式成膜装置において、成膜室Ａと成膜室Ｂとの間に、そ
の端部に直角になるように搬送室を設置する。ここで成
膜室の代わりに、前処理室（予備加熱室・エッチング
室）を設けてもよい。そして、リターン系を真空チャン
バで構成し、クリーンコンベアを使用しない。搬送室
は、膜質に影響が出ないように、成膜室のバックグラン
ド以上の高真空度に保つ。
ガス室、複数の成膜室、取り出し室からなるインライン
式成膜装置において、成膜室Ａと成膜室Ｂとの間に、そ
の端部に直角になるように搬送室を設置する。ここで成
膜室の代わりに、前処理室（予備加熱室・エッチング
室）を設けてもよい。そして、リターン系を真空チャン
バで構成し、クリーンコンベアを使用しない。搬送室
は、膜質に影響が出ないように、成膜室のバックグラン
ド以上の高真空度に保つ。
【００１７】つまり基板は、次の手順で成膜される。ク
リーンルーム内の基板着脱ステージでキャリアに基板を
取り付け後、仕込室にキャリアを送り真空排気する。次
に、脱ガス室に移動し、一定時間の脱ガスを行なう。成
膜室Ａで成膜後、仕切りバルブを介し搬送室に移動す
る。搬送室内ではキャリアの進行方向はそれまでと直角
に変わり搬送室の他端に移動したところで仕切りバルブ
を介し成膜室Ｂに移動する。この時、キャリアの進行方
向は成膜室Ａ内と反対になる。成膜室Ｂで成膜後、場合
により複数の成膜室を移動しながら、取り出し室に移動
し、ベント後、基板着脱ステージに戻る。成膜室Ａの前
に複数の成膜室を配置してもよい。
リーンルーム内の基板着脱ステージでキャリアに基板を
取り付け後、仕込室にキャリアを送り真空排気する。次
に、脱ガス室に移動し、一定時間の脱ガスを行なう。成
膜室Ａで成膜後、仕切りバルブを介し搬送室に移動す
る。搬送室内ではキャリアの進行方向はそれまでと直角
に変わり搬送室の他端に移動したところで仕切りバルブ
を介し成膜室Ｂに移動する。この時、キャリアの進行方
向は成膜室Ａ内と反対になる。成膜室Ｂで成膜後、場合
により複数の成膜室を移動しながら、取り出し室に移動
し、ベント後、基板着脱ステージに戻る。成膜室Ａの前
に複数の成膜室を配置してもよい。
【００１８】成膜された基板は、取り出し室から出た
後、クリーンコンベアを通ること無しにクリーンルーム
内の基板着脱ステージに移動する。真空中で発生したダ
ストは、自由落下するのでクルーンコンベア内での搬送
よりも基板にダストが付着する確率を低くできる。
後、クリーンコンベアを通ること無しにクリーンルーム
内の基板着脱ステージに移動する。真空中で発生したダ
ストは、自由落下するのでクルーンコンベア内での搬送
よりも基板にダストが付着する確率を低くできる。
【００１９】本発明のインライン式成膜装置において、
光磁気ディスクの製造に適用する場合に使用する基板と
しては、例えば、ポリカーボネイト、ポリメチルメタク
リレート、アモルファスポリオレフィンの如き樹脂又は
ガラスに直接案内溝を形成した基板、ガラス又は樹脂の
平板状にフォトポリマー法により案内溝を形成した基板
などが挙げられる。これらの内、特に樹脂基板を使用す
る場合には、含水率が高いことから、大気中で予備加熱
を行ない、その後、クルーンルーム内の基板着脱ステー
ジでキャリアに取り付け仕込室に挿入することが望まし
い。
光磁気ディスクの製造に適用する場合に使用する基板と
しては、例えば、ポリカーボネイト、ポリメチルメタク
リレート、アモルファスポリオレフィンの如き樹脂又は
ガラスに直接案内溝を形成した基板、ガラス又は樹脂の
平板状にフォトポリマー法により案内溝を形成した基板
などが挙げられる。これらの内、特に樹脂基板を使用す
る場合には、含水率が高いことから、大気中で予備加熱
を行ない、その後、クルーンルーム内の基板着脱ステー
ジでキャリアに取り付け仕込室に挿入することが望まし
い。
【００２０】記録膜は、通常、誘電体層、光磁気記録層
及び反射層から形成され、必要に応じて光磁気記録層と
反射層との層間に第２の誘電体層を形成してもよい。ま
た、記録膜を保護するために、反射層の上にオーバーコ
ート層を形成してもよい。
及び反射層から形成され、必要に応じて光磁気記録層と
反射層との層間に第２の誘電体層を形成してもよい。ま
た、記録膜を保護するために、反射層の上にオーバーコ
ート層を形成してもよい。
【００２１】誘電体層には透明性の高い無機誘電体が用
いられる。その材質としては、例えば、ＳｉＮx、Ｓｉ
Ｏx、ＡｌＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＮ、ＡｌＴｉ
Ｎ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳなどが挙げられるが、なかでもＳ
ｉＮx が好ましい。これら誘電体層の屈折率は１．８〜
２．５の範囲が好ましい。
いられる。その材質としては、例えば、ＳｉＮx、Ｓｉ
Ｏx、ＡｌＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＮ、ＡｌＴｉ
Ｎ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳなどが挙げられるが、なかでもＳ
ｉＮx が好ましい。これら誘電体層の屈折率は１．８〜
２．５の範囲が好ましい。
【００２２】光磁気記録層を構成する材質としては、例
えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ等が挙げら
れ、これらの非晶質合金に耐酸化性の向上等の目的でそ
の他の金属を添加したものも使用できる。
えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ等が挙げら
れ、これらの非晶質合金に耐酸化性の向上等の目的でそ
の他の金属を添加したものも使用できる。
【００２３】反射層の材質としては、Ａｌ、Ａｌと他の
金属との合金などが挙げられるが、Ａｌ、Ａｌ−Ｔｉ合
金、Ａｌ−Ｃｒ合金が好ましい。
金属との合金などが挙げられるが、Ａｌ、Ａｌ−Ｔｉ合
金、Ａｌ−Ｃｒ合金が好ましい。
【００２４】インライン式スパッタ装置を用いて基板上
に形成した記録膜上に、オーバーコート層を形成する場
合には、ディッピング法、スピンコート法、ロールコー
ター法、蒸着法等の手法が用いられている。これらのコ
ート法のうち、紫外線硬化樹脂を用いたスピンコート法
は簡便で迅速な方法であるので好ましい。この方法は、
ディスペンサーを用いて基板上に紫外線硬化樹脂を吐出
し、ディスクを高速回転して遠心力により樹脂を広げて
塗布を行う。塗布された樹脂は、その後、紫外線照射に
よって硬化させる。また、スピンコート法は、紫外線硬
化樹脂以外の樹脂に対しても好適に用いることができ
る。いずれの場合においても、オーバーコート層に用い
る樹脂は、硬化後に鉛筆硬度でＨ以上の硬度を有するも
のが好ましい。
に形成した記録膜上に、オーバーコート層を形成する場
合には、ディッピング法、スピンコート法、ロールコー
ター法、蒸着法等の手法が用いられている。これらのコ
ート法のうち、紫外線硬化樹脂を用いたスピンコート法
は簡便で迅速な方法であるので好ましい。この方法は、
ディスペンサーを用いて基板上に紫外線硬化樹脂を吐出
し、ディスクを高速回転して遠心力により樹脂を広げて
塗布を行う。塗布された樹脂は、その後、紫外線照射に
よって硬化させる。また、スピンコート法は、紫外線硬
化樹脂以外の樹脂に対しても好適に用いることができ
る。いずれの場合においても、オーバーコート層に用い
る樹脂は、硬化後に鉛筆硬度でＨ以上の硬度を有するも
のが好ましい。
【００２５】このようにして成膜した光磁気記録媒体
は、単体で使用してもよく、２枚を基板が外側にくるよ
うに貼り合わせて使用してもよい。
は、単体で使用してもよく、２枚を基板が外側にくるよ
うに貼り合わせて使用してもよい。
【００２６】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
【００２７】（実施例１）インライン式スパッタ装置で
光磁気ディスクを製造する場合について述べる。図５に
系統図を示した。この装置は、クルーンルーム内の基板
着脱ステージ、仕込室・脱ガス室・前処理室・成膜室１
・搬送室・成膜室２〜４・取り出し室からなる。
光磁気ディスクを製造する場合について述べる。図５に
系統図を示した。この装置は、クルーンルーム内の基板
着脱ステージ、仕込室・脱ガス室・前処理室・成膜室１
・搬送室・成膜室２〜４・取り出し室からなる。
【００２８】案内溝を形成したポリカーボネイト製基板
を大気中で予備加熱した後、クルーンルーム内の基板着
脱ステージでキャリアに取り付け仕込室に挿入した。
を大気中で予備加熱した後、クルーンルーム内の基板着
脱ステージでキャリアに取り付け仕込室に挿入した。
【００２９】脱ガス室は、キャリアが１０台ストックで
きる構造になっていて、１時間の滞留の後、次のエッチ
ング室に送られる。エッチング室では、バックグランド
真空度５×１０-7Ｔｏｒｒの状態からＡｒガスを流し、
１×１０-3Ｔｏｒｒに調節しＲＦ放電により、基板表面
のエッチングを行ない膜の密着性を高めた。
きる構造になっていて、１時間の滞留の後、次のエッチ
ング室に送られる。エッチング室では、バックグランド
真空度５×１０-7Ｔｏｒｒの状態からＡｒガスを流し、
１×１０-3Ｔｏｒｒに調節しＲＦ放電により、基板表面
のエッチングを行ない膜の密着性を高めた。
【００３０】成膜室１では、誘電体層としてＳｉＮX を
反応性ＲＦスパッタにより成膜する。この時、バックグ
ランド真空度の５×１０-7Ｔｏｒｒの状態からＡｒとＮ
2 ガスを導入し３×１０-3〜１０×１０-3Ｔｏｒｒに雰
囲気を調節した。
反応性ＲＦスパッタにより成膜する。この時、バックグ
ランド真空度の５×１０-7Ｔｏｒｒの状態からＡｒとＮ
2 ガスを導入し３×１０-3〜１０×１０-3Ｔｏｒｒに雰
囲気を調節した。
【００３１】成膜室２では、光磁気記録層としてＴｂＦ
ｅＣｏを誘電体層上に成膜した。この時、バックグラン
ド真空度の５×１０-7Ｔｏｒｒの状態からＡｒガスを導
入し３×１０-3〜１０×１０-3Ｔｏｒｒに雰囲気を調節
し、ＤＣスパッタで成膜を行った。
ｅＣｏを誘電体層上に成膜した。この時、バックグラン
ド真空度の５×１０-7Ｔｏｒｒの状態からＡｒガスを導
入し３×１０-3〜１０×１０-3Ｔｏｒｒに雰囲気を調節
し、ＤＣスパッタで成膜を行った。
【００３２】成膜室３では、成膜室１と同じ真空度条件
で第２誘電体層（ＳｉＮX ）をＴｂＦｅＣｏ層上に成膜
した。
で第２誘電体層（ＳｉＮX ）をＴｂＦｅＣｏ層上に成膜
した。
【００３３】さらに成膜室４では、反射層としてＡｌ合
金をバックグランド真空度５×１０ -7Ｔｏｒｒの状態か
らＡｒガスを導入し１×１０-3〜５×１０-3Ｔｏｒｒに
雰囲気を調節されＤＣスパッタで第２誘電体層上に成膜
した。
金をバックグランド真空度５×１０ -7Ｔｏｒｒの状態か
らＡｒガスを導入し１×１０-3〜５×１０-3Ｔｏｒｒに
雰囲気を調節されＤＣスパッタで第２誘電体層上に成膜
した。
【００３４】成膜室のバックグランド真空度は５×１０
-7Ｔｏｒｒであったので、この場合搬送室の真空度をこ
れ以下の２×１０-7とした。また、各室での処理をそれ
ぞれタクトタイムで行なうのが標準的であるが、成膜室
１のＲＦスパッタの成膜時間に比べ成膜室２のＤＣスパ
ッタの成膜時間の方が短いので、搬送室の移動と成膜室
２の成膜を１タクトタイムで行なうことも可能であり、
こちらの方が生産性の面から好ましい。
-7Ｔｏｒｒであったので、この場合搬送室の真空度をこ
れ以下の２×１０-7とした。また、各室での処理をそれ
ぞれタクトタイムで行なうのが標準的であるが、成膜室
１のＲＦスパッタの成膜時間に比べ成膜室２のＤＣスパ
ッタの成膜時間の方が短いので、搬送室の移動と成膜室
２の成膜を１タクトタイムで行なうことも可能であり、
こちらの方が生産性の面から好ましい。
【００３５】すべての膜を成膜した後、キャリアを取り
出し室に移動し、取り出し室内に窒素ガスを導入して取
り出し室を大気圧状態に戻した。ディスクは、クリーン
コンベアを通すことなく、直接クリーンルーム内の基板
着脱ステージに戻した。
出し室に移動し、取り出し室内に窒素ガスを導入して取
り出し室を大気圧状態に戻した。ディスクは、クリーン
コンベアを通すことなく、直接クリーンルーム内の基板
着脱ステージに戻した。
【００３６】以上の手順により、コンパクトなスペース
でダストの付着の少ない光磁気ディスクを安定して歩留
りよく生産できた。
でダストの付着の少ない光磁気ディスクを安定して歩留
りよく生産できた。
【００３７】（実施例２）図６に系統図を示した仕込取
り出し室を１室としたインライン式スパッタ装置を用い
て光磁気ディスクを製造した。
り出し室を１室としたインライン式スパッタ装置を用い
て光磁気ディスクを製造した。
【００３８】仕込取り出し室にキャリアを挿入した後、
キャリアを脱ガス室に移動させた。このとき入れ替わり
に脱ガス室で成膜後待機していたキャリアを仕込取り出
し室に移動させた。つまり脱ガス室にはキャリアがすれ
違うことが可能な構造となっている。このために脱ガス
室は３カ所に仕切りバルブを備えている。仕切りバルブ
Ａから入ったキャリアは、脱ガス室の中を順送りに送ら
れる間に脱ガス処理され、仕切りバルブＢからエッチン
グ室に移動し、実施例１と同様にして、エッチング処理
した。さらに実施例１と同様にして、成膜室１で誘電体
層を成膜し、搬送室に送り、次に成膜室２で光磁気記録
層、成膜室３で誘電体層及び反射膜層を成膜した。成膜
終了後、成膜室３から仕切りバルブＣを介して一度脱ガ
ス室に送られ、そして仕込取り出し室に送られた。
キャリアを脱ガス室に移動させた。このとき入れ替わり
に脱ガス室で成膜後待機していたキャリアを仕込取り出
し室に移動させた。つまり脱ガス室にはキャリアがすれ
違うことが可能な構造となっている。このために脱ガス
室は３カ所に仕切りバルブを備えている。仕切りバルブ
Ａから入ったキャリアは、脱ガス室の中を順送りに送ら
れる間に脱ガス処理され、仕切りバルブＢからエッチン
グ室に移動し、実施例１と同様にして、エッチング処理
した。さらに実施例１と同様にして、成膜室１で誘電体
層を成膜し、搬送室に送り、次に成膜室２で光磁気記録
層、成膜室３で誘電体層及び反射膜層を成膜した。成膜
終了後、成膜室３から仕切りバルブＣを介して一度脱ガ
ス室に送られ、そして仕込取り出し室に送られた。
【００３９】以上の手順でもクリーンコンベアは必要な
く、コンパクトなスペースでダストの付着の少ない光磁
気ディスクを安定して歩留りよく生産できる。脱ガス室
の構造がやや複雑になるが、仕込取り出し室が一室で済
むのでクリーンルーム内の基板着脱ステージも縮小でき
る。
く、コンパクトなスペースでダストの付着の少ない光磁
気ディスクを安定して歩留りよく生産できる。脱ガス室
の構造がやや複雑になるが、仕込取り出し室が一室で済
むのでクリーンルーム内の基板着脱ステージも縮小でき
る。
【００４０】
【発明の効果】本発明のインライン式成膜装置によれ
ば、成膜に直接関係がないクリーンコンベアのスペース
が不要で、従来の装置、特に図３に記載の装置に比べ、
クリーンルーム内のスペースが処理室の数に関係なく一
定にでき、また、搬送中のダストの付着を少なくできる
ので、インライン式成膜装置をコンパクトなスペースに
設置でき、従来と同等の膜質の基板を真空雰囲気のみを
搬送することにより、ダストの付着を低減し安定して歩
留りよく生産することができる。
ば、成膜に直接関係がないクリーンコンベアのスペース
が不要で、従来の装置、特に図３に記載の装置に比べ、
クリーンルーム内のスペースが処理室の数に関係なく一
定にでき、また、搬送中のダストの付着を少なくできる
ので、インライン式成膜装置をコンパクトなスペースに
設置でき、従来と同等の膜質の基板を真空雰囲気のみを
搬送することにより、ダストの付着を低減し安定して歩
留りよく生産することができる。
【図１】従来のインライン式成膜装置の一例の系統図で
ある。
ある。
１ クリーンルーム ２ 機械室 ３ 基板着脱ステージ ４ 仕込室 ５ 脱ガス室 ６ 成膜室１ ７ 成膜室２ ８ 成膜室３ ９ 取り出し室 １０ トラバーサ １１ クリーンコンベア １２ 仕切りバルブ
【図２】従来のインライン式成膜装置の一例の系統図で
ある。
ある。
１ クリーンルーム ２ 機械室 ３ 基板着脱ステージ ４ クリーンコンベア ５ 仕込室 ６ 脱ガス室 ７ 成膜室１ ８ 成膜室２ ９ 成膜室３ １０ 取り出し室 １１ 仕切りバルブ
【図３】従来のインライン式成膜装置の一例の系統図で
ある。
ある。
１ クリーンルーム ２ 機械室 ３ 基板着脱ステージ ４ 仕込室 ５ 成膜室１ ６ 成膜室２ ７ 成膜室３ ８ 取り出し室 ９ 仕切りバルブ
【図４】本発明のインライン式成膜装置の系統図であ
る。
る。
１ クリーンルーム ２ 機械室 ３ 基板着脱ステージ ４ 仕込室 ５ 脱ガス室 ６ 成膜室Ａ ７ 搬送室 ８ 成膜室Ｂ ９ 成膜室Ｃ １０ 取り出し室 １１ 仕切りバルブ
【図５】本発明による光磁気ディスク用インライン式ス
パッタ装置の系統図である。
パッタ装置の系統図である。
１ クリーンルーム ２ 機械室 ３ 基板着脱ステージ ４ 仕込室 ５ 脱ガス室 ６ エッチング室 ７ 成膜室（第１層誘電体膜） ８ 搬送室 ９ 成膜室（第２層光磁気記録膜） １０ 成膜室（第３層誘電体膜） １１ 成膜室（第４層反射膜） １２ 取り出し室 １３ 仕切りバルブ
【図６】本発明による光磁気ディスク用インライン式ス
パッタ装置の系統図である。
パッタ装置の系統図である。
１ クリーンルーム ２ 機械室 ３ 基板着脱ステージ ４ 仕込室 ５ 脱ガス室 ６ エッチング室 ７ 成膜室（第１層誘電体膜） ８ 搬送室 ９ 成膜室（第２層光磁気記録膜） １０ 成膜室（第３層誘電体膜及び第４層反射膜） １１ 仕切りバルブＡ １２ 仕切りバルブＢ １３ 仕切りバルブＣ １４ 仕切りバルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大和 正幸 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内 (72)発明者 鳫林 秀樹 千葉県佐倉市六崎24−１−Ａ−210
Claims (2)
- 【請求項１】 スパッタ、蒸着、イオンプレーティング
又は化学気相成膜を行なうインライン式成膜装置におい
て、少なくとも２つの成膜室を設け、成膜室Ａ、搬送室
及び成膜室Ｂをコの字状に配置したことを特徴とするイ
ンライン式成膜装置。 - 【請求項２】 搬送室の真空度を成膜室のバックグラン
ド真空度以上の高真空度に保つことを特徴とする請求項
１記載のインライン式成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8705692A JPH05287530A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | インライン式成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8705692A JPH05287530A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | インライン式成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05287530A true JPH05287530A (ja) | 1993-11-02 |
Family
ID=13904289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8705692A Pending JPH05287530A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | インライン式成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05287530A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002309372A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-23 | Canon Inc | インライン式成膜装置、成膜方法及び液晶素子 |
| US7432201B2 (en) | 2005-07-19 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Hybrid PVD-CVD system |
| JP2009513828A (ja) * | 2005-10-25 | 2009-04-02 | サン−ゴバン グラス フランス | 基材の処理方法 |
-
1992
- 1992-04-08 JP JP8705692A patent/JPH05287530A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002309372A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-23 | Canon Inc | インライン式成膜装置、成膜方法及び液晶素子 |
| US7432201B2 (en) | 2005-07-19 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Hybrid PVD-CVD system |
| JP2009513828A (ja) * | 2005-10-25 | 2009-04-02 | サン−ゴバン グラス フランス | 基材の処理方法 |
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