JPH01277350A - 光磁気記録媒体の製造装置 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造装置Info
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- JPH01277350A JPH01277350A JP10635188A JP10635188A JPH01277350A JP H01277350 A JPH01277350 A JP H01277350A JP 10635188 A JP10635188 A JP 10635188A JP 10635188 A JP10635188 A JP 10635188A JP H01277350 A JPH01277350 A JP H01277350A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度記録が可能な書き換え型光ディスクに適
用する光磁気記録媒体の製造装置に関するものである。
用する光磁気記録媒体の製造装置に関するものである。
従来の技術
光磁気記録媒体の記録膜は↑ｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏ。
ＤｙＦｅＣｏ等の膜面に対して垂直に磁化容易軸を有す
る希土類−遷移金属非晶質合金薄膜が利用されているが
、希土類−遷移金属非晶質合金は容易に酸化し、酸化に
より記録再生特性が劣化する。
る希土類−遷移金属非晶質合金薄膜が利用されているが
、希土類−遷移金属非晶質合金は容易に酸化し、酸化に
より記録再生特性が劣化する。
このため記録膜の酸化防止を目的として、記録膜を挟む
形で保護膜を設けている。
形で保護膜を設けている。
現在、この保護膜としてＡｆｆｉＮやＳ １ａＮ４゜２
Ｍ ｇ Ｏ−３ｉ Ｏ２等のセラミックス薄膜が用い
られている。
Ｍ ｇ Ｏ−３ｉ Ｏ２等のセラミックス薄膜が用い
られている。
また、光磁気記録媒体の記録膜に記録された信号は０．
３〜０．４度程度の微少なカー回転角であり、再生信号
のＳ／Ｎ増加のため、記録膜の光投入側に高屈折率′Ｆ
Ｒ１１Ｉを設け、エンハンス効果によるカー回転角の増
大を図っている。
３〜０．４度程度の微少なカー回転角であり、再生信号
のＳ／Ｎ増加のため、記録膜の光投入側に高屈折率′Ｆ
Ｒ１１Ｉを設け、エンハンス効果によるカー回転角の増
大を図っている。
高屈折率薄膜としてはＺｎＳ膜やＺｎ５ｅ膜等が用いら
れている。
れている。
以下に図面を参照しながら従来の光磁気記録媒体の製造
装置及び製造方法について述べる。
装置及び製造方法について述べる。
第３図は光磁気記録媒体の断面構造図である。
第３図においてｌは溝及びピットが形成された基板、１
１はＺｎＳ膜やＺｎ５ｅ膜等の高屈折率薄膜、１２はＴ
ｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ。
１はＺｎＳ膜やＺｎ５ｅ膜等の高屈折率薄膜、１２はＴ
ｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ。
等の記録膜、１３はＡ Ｉ Ｎ ＋ Ｓ ｒ ３ Ｎ
４ ＋ ２ Ｍ ｇ Ｏ・Ｓ ｉ ０２等の保護膜であ
る。（例えば戸上雄司二金属１９８６年６月号Ｐ１４〜
１９）光磁気記録媒体の製造は、基板１上に高屈折率薄
膜１１゜記録１１１２．保護膜１３を順次成膜する工程
であり、現在はスパッタによる成膜が中心である。光磁
気記録媒体の量産装置として通過型インラインスパッタ
装置が開発されている。（例えば宮本他：第１０回日本
応用磁気学会学術講演概要集５ＰＢ−６） 第４図は従来の光磁気記録媒体の製造装置の断面模式図
である。第４図において１は基板、２は基板搬送台、３
は基板搬送軌道、４は防着板、７は磁界及び直流又は高
周波の電界印加機構を備えた陰極、８１，８２．８３，
８４．８５．８６はゲートバルブ、９は真空チャンバー
、１０は真空排気装置、１４は基板ストフカ−５２０は
基板投入室、２１は高屈折率薄膜１１の成膜室、２２は
記録膜１２の成膜室、２３は保護膜１３の成膜室、２４
は基板取出し室、６１は高屈折率薄膜、１１は作製用ス
パッタターゲット、６２は記録膜１２作作製用スパッタ
ターゲット６３は保護膜１３作作製用スパッタターゲッ
トある。
４ ＋ ２ Ｍ ｇ Ｏ・Ｓ ｉ ０２等の保護膜であ
る。（例えば戸上雄司二金属１９８６年６月号Ｐ１４〜
１９）光磁気記録媒体の製造は、基板１上に高屈折率薄
膜１１゜記録１１１２．保護膜１３を順次成膜する工程
であり、現在はスパッタによる成膜が中心である。光磁
気記録媒体の量産装置として通過型インラインスパッタ
装置が開発されている。（例えば宮本他：第１０回日本
応用磁気学会学術講演概要集５ＰＢ−６） 第４図は従来の光磁気記録媒体の製造装置の断面模式図
である。第４図において１は基板、２は基板搬送台、３
は基板搬送軌道、４は防着板、７は磁界及び直流又は高
周波の電界印加機構を備えた陰極、８１，８２．８３，
８４．８５．８６はゲートバルブ、９は真空チャンバー
、１０は真空排気装置、１４は基板ストフカ−５２０は
基板投入室、２１は高屈折率薄膜１１の成膜室、２２は
記録膜１２の成膜室、２３は保護膜１３の成膜室、２４
は基板取出し室、６１は高屈折率薄膜、１１は作製用ス
パッタターゲット、６２は記録膜１２作作製用スパッタ
ターゲット６３は保護膜１３作作製用スパッタターゲッ
トある。
以上のように構成された従来の光磁気記録媒体の製造装
置について、以下その動作について説明する。
置について、以下その動作について説明する。
まず、基板投入室２０を大気圧力にし、基板スト７カー
１４に基板１を装着する。ゲートパルプ８１を閉め、真
空排気装置ｌＯにて基板投入室２０の真空排気を行う、
基板投入室２０の真空度が所定の真空度に達した後、基
板１は基板搬送台２に装着され、開けられたゲートパル
プ８２を通り、基板搬送軌道３に沿って成膜室２１に送
られる。 ゲートパルプ８２が閉じられ、成膜室２１を
真空排気装置１０にて真空排気し、同時にＡｒガス等の
希ガスを導入し成膜室２１を１０’〜１０’Ｔｏｒｒの
真空度に保つ。
１４に基板１を装着する。ゲートパルプ８１を閉め、真
空排気装置ｌＯにて基板投入室２０の真空排気を行う、
基板投入室２０の真空度が所定の真空度に達した後、基
板１は基板搬送台２に装着され、開けられたゲートパル
プ８２を通り、基板搬送軌道３に沿って成膜室２１に送
られる。 ゲートパルプ８２が閉じられ、成膜室２１を
真空排気装置１０にて真空排気し、同時にＡｒガス等の
希ガスを導入し成膜室２１を１０’〜１０’Ｔｏｒｒの
真空度に保つ。
陰極７によりスパッタターゲット６１上に磁界及び高周
波電界を印加すると、磁界と電界の相互作用によりスパ
ッタターゲット６１上にプラズマ放電が発生し、電界の
作用によりスパッタターゲット６１はスパッタ放出され
る。
波電界を印加すると、磁界と電界の相互作用によりスパ
ッタターゲット６１上にプラズマ放電が発生し、電界の
作用によりスパッタターゲット６１はスパッタ放出され
る。
スパッタ放出された粒子がスパックターゲット６１の上
部に位置する基板２に付着・堆積し、高屈折率薄膜１１
が成膜される。
部に位置する基板２に付着・堆積し、高屈折率薄膜１１
が成膜される。
高屈折率薄膜１１を成膜後、ゲートバルブ８３を通じて
基ｅｌｉ１が装着された基板搬送台２を成膜室２２に送
り記録膜１２を成膜する。記録膜１２を成膜後、基板１
が装着された基板搬送台２を成膜室２３に送り、保護膜
１３を成膜し、最後に基板取出室２４に送り、基板取出
室２４を大気に戻し、高屈折率薄膜１１．記録膜１２．
保護膜１３が形成された基板１を取り出す。
基ｅｌｉ１が装着された基板搬送台２を成膜室２２に送
り記録膜１２を成膜する。記録膜１２を成膜後、基板１
が装着された基板搬送台２を成膜室２３に送り、保護膜
１３を成膜し、最後に基板取出室２４に送り、基板取出
室２４を大気に戻し、高屈折率薄膜１１．記録膜１２．
保護膜１３が形成された基板１を取り出す。
基板１は基板投入室２０から基板取出し室２４へ順次送
られ、真空排気操作、基板搬送操作、放電及びスパッタ
操作は全て自動制御により行われる。
られ、真空排気操作、基板搬送操作、放電及びスパッタ
操作は全て自動制御により行われる。
一般的に、スパッタ成膜や真空蒸着成膜等の真空を利用
する成膜では、成膜室中に存在する水蒸気、酸素等の不
純物が膜特性の不安定性の要因となる。このため、成膜
室を大気に暴露せずに成膜する装置構成をとる。
する成膜では、成膜室中に存在する水蒸気、酸素等の不
純物が膜特性の不安定性の要因となる。このため、成膜
室を大気に暴露せずに成膜する装置構成をとる。
光磁気記録媒体の製造装置もゲートバルブ８１゜８２．
８３．８４．８５．８６及び基板搬送台２゜基板搬送軌
道３を利用し真空を破ることなく高屈折率ＩＩＩ １．
記録Ｍｌ ２．保護膜１３を成膜する構成となっている
。
８３．８４．８５．８６及び基板搬送台２゜基板搬送軌
道３を利用し真空を破ることなく高屈折率ＩＩＩ １．
記録Ｍｌ ２．保護膜１３を成膜する構成となっている
。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような方法では、スパッタターゲッ
トから射出するスパッタ粒子は基板とともに防着板、真
空チャンバー内壁にも付着する。
トから射出するスパッタ粒子は基板とともに防着板、真
空チャンバー内壁にも付着する。
基板上に堆積する膜は所定の膜厚になった後、次工程に
送られるため膜の剥離は発生しないが、防着板、真空チ
ャンバー内壁に堆積する膜は積算されるために厚膜にな
り、厚膜が増えた場合膜の内部応力が増加し、膜の防着
板、真空チャンバー内壁への付着力より内部応力が大き
くなった場合膜の剥離が始まる。
送られるため膜の剥離は発生しないが、防着板、真空チ
ャンバー内壁に堆積する膜は積算されるために厚膜にな
り、厚膜が増えた場合膜の内部応力が増加し、膜の防着
板、真空チャンバー内壁への付着力より内部応力が大き
くなった場合膜の剥離が始まる。
比較的小さな剥離物は静電力により基板に付着する。剥
離物の付着により、ディスク上に５０〜３００ＩＩｍ程
度のピンホールが発生し、光磁気ディスクのディフェク
トレートが増加するという問題点を有していた。
離物の付着により、ディスク上に５０〜３００ＩＩｍ程
度のピンホールが発生し、光磁気ディスクのディフェク
トレートが増加するという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、ディフェクトレートが低い
光磁気ディスクを製造できる光磁気記録媒体の製造装置
を提供するものである。
光磁気ディスクを製造できる光磁気記録媒体の製造装置
を提供するものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の光磁気記録媒体の製
造装置は、高屈折率薄膜、記録膜、保護膜を形成する薄
膜成膜室の真空チャンバー内壁及び防着板を網状線材で
蔽った構成となっている。
造装置は、高屈折率薄膜、記録膜、保護膜を形成する薄
膜成膜室の真空チャンバー内壁及び防着板を網状線材で
蔽った構成となっている。
作用
この構成により、スパッタターゲットから飛来する粒子
が真空チャンバー内壁や防着板に付着・堆積し、膜の内
部応力の増加により膜の剥離が発生した場合、剥離物は
綱状線材に捕捉されるため基板に到達しない。
が真空チャンバー内壁や防着板に付着・堆積し、膜の内
部応力の増加により膜の剥離が発生した場合、剥離物は
綱状線材に捕捉されるため基板に到達しない。
従ってピンホールの発生がない成膜工程を得ることがで
き、低ディフェクトレート光磁気記録媒体の製造が可能
となる。
き、低ディフェクトレート光磁気記録媒体の製造が可能
となる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例における光磁気記録媒体の製
造装置の薄膜成膜室の断面模式図である。
造装置の薄膜成膜室の断面模式図である。
第１図において１は基板、２は基板搬送台、３は基板搬
送軌道、４は防着板、５はステンレスを線材に用いた金
網、６はスパッタターゲット、７は直流又は高周波の電
界及び磁界の印加機構を備えた陰極、８はゲートバルブ
、９は真空チャンバー、１０は真空排気装置である。
送軌道、４は防着板、５はステンレスを線材に用いた金
網、６はスパッタターゲット、７は直流又は高周波の電
界及び磁界の印加機構を備えた陰極、８はゲートバルブ
、９は真空チャンバー、１０は真空排気装置である。
本発明の一実施例における光磁気記録媒体の製造装置は
、従来例の構成の第３図に示した光磁気記録媒体の製造
装置の成膜室２１，２２．２３を第１図に示す成膜室に
置換えたものである。
、従来例の構成の第３図に示した光磁気記録媒体の製造
装置の成膜室２１，２２．２３を第１図に示す成膜室に
置換えたものである。
以上のように構成された光磁気記録媒体の製造装置につ
いて、以下その動作について説明する。
いて、以下その動作について説明する。
基板１に高屈折率薄膜１１．記録膜１２．保護膜１３を
成膜する工程は従来例の構成と同様である。すなわち、
基板１を基板投入室２０内の基板ストッカー１４に装着
し、基板投入室２０の真空排気を行う。続いて、第１図
に示した本発明の一実施例における光磁気記録媒体製造
装置の成膜室内に基板１を導入し、高屈折率薄膜１１を
成膜する。引き続き記録膜１２．保護Ｔｙｉ４１３を成
膜し、基板取出室２４より取出す。
成膜する工程は従来例の構成と同様である。すなわち、
基板１を基板投入室２０内の基板ストッカー１４に装着
し、基板投入室２０の真空排気を行う。続いて、第１図
に示した本発明の一実施例における光磁気記録媒体製造
装置の成膜室内に基板１を導入し、高屈折率薄膜１１を
成膜する。引き続き記録膜１２．保護Ｔｙｉ４１３を成
膜し、基板取出室２４より取出す。
高屈折率薄膜１１．記録Ｉｔ！１２．保護膜１３を成膜
する際に行うスパッタ付着の際にスパッタ粒子は基板ｌ
と防着板４及びステンレスの金Ｍ４５に付着する。防着
板４に付着するスパッタ粒子は堆積物が積算され膜の内
部応力が増加した場合に剥離する。しかし剥離物は金網
５に捕捉されるため基板ｌには到達しない。
する際に行うスパッタ付着の際にスパッタ粒子は基板ｌ
と防着板４及びステンレスの金Ｍ４５に付着する。防着
板４に付着するスパッタ粒子は堆積物が積算され膜の内
部応力が増加した場合に剥離する。しかし剥離物は金網
５に捕捉されるため基板ｌには到達しない。
また、金ｙ４５に付着するスパッタ粒子が堆積した膜は
膜厚に対する付着面積が大きく、膜の内部応力の増加に
対する剥離が緩和され、膜の剥離が防止できる。
膜厚に対する付着面積が大きく、膜の内部応力の増加に
対する剥離が緩和され、膜の剥離が防止できる。
第２図に光磁気記録媒体を製造した場合のディフェクト
レートの変化を示す、第２図において縦軸はディフェク
トレート、横軸は光磁気記録媒体の製造数である。また
曲線ａは本発明の一実施例における光磁気記録媒体の製
造装置によるディフェクトレートの推移、曲線すは従来
の光磁気記録媒体の製造装置によるディフェクトレート
の推移である。
レートの変化を示す、第２図において縦軸はディフェク
トレート、横軸は光磁気記録媒体の製造数である。また
曲線ａは本発明の一実施例における光磁気記録媒体の製
造装置によるディフェクトレートの推移、曲線すは従来
の光磁気記録媒体の製造装置によるディフェクトレート
の推移である。
以上のように本実施例によれば、高屈折率膜。
記録膜、保護膜を形成する薄膜成膜室の真空チャンバー
内壁及び防着板をステンレスの金網で蔽うことにより、
真空チャンバーの内壁及び防着板に付着した膜の剥離物
が光磁気記録媒体の基板に付着することを防止すること
ができる。
内壁及び防着板をステンレスの金網で蔽うことにより、
真空チャンバーの内壁及び防着板に付着した膜の剥離物
が光磁気記録媒体の基板に付着することを防止すること
ができる。
なお、本実施例では金網の材質をステンレスとしたが、
金網の材質はニッケル、銅でも同様な効果が得られる。
金網の材質はニッケル、銅でも同様な効果が得られる。
また、綱状線材の表面を梨子地状に処理することにより
、膜の網状線材への付着力が増し、このため膜の剥離防
止効果が一層大きくなる。
、膜の網状線材への付着力が増し、このため膜の剥離防
止効果が一層大きくなる。
発明の効果
本発明は高屈折率膜、記録膜、保護膜を形成する薄膜形
成室の真空チャンバー内壁及び防着板を綱状線材で蔽う
ことにより、真空チャンバーの内壁及び防着板に付着板
に付着した膜の！ＩＩ＃物が光磁気記録媒体の基板に付
着することを防止することができ、さらに綱状線材の表
面を梨子地状に処理することにより綱状線材に付着した
膜の剥離が防止でき、光磁気記録媒体のピンホールの発
生をおさえるという効果を得ることができる優れた光磁
気記録媒体の製造装置を実現できるものである。
成室の真空チャンバー内壁及び防着板を綱状線材で蔽う
ことにより、真空チャンバーの内壁及び防着板に付着板
に付着した膜の！ＩＩ＃物が光磁気記録媒体の基板に付
着することを防止することができ、さらに綱状線材の表
面を梨子地状に処理することにより綱状線材に付着した
膜の剥離が防止でき、光磁気記録媒体のピンホールの発
生をおさえるという効果を得ることができる優れた光磁
気記録媒体の製造装置を実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例における光磁気記録媒体の製
造装置の薄膜成膜室の断面模式図、第２図は光磁気記録
媒体を製造した場合のディフェクトレート変化を示すグ
ラフ、第３図は光磁気記録媒体の断面構造図、第４図は
従来の光磁気記録媒体の製造装置の断面模式図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・基板搬送台、３・
・・・・・基板搬送軌道、４・・・・・・防着板、５・
・・・・・金網、６，６１゜６２．６３・・・・・・ス
パッタターゲット、７・・・・・・陰極、８・・・・・
・ゲートパルプ、９・・・・・・真空チャンバー、１０
・・・・・・真空排気装置、１１・・・・・・高屈折率
膜、１２・・・・・・記録膜、１３・・・・・・保護膜
、１４・・・・・・基板ストッカー、２０・・・・・・
基板投入室、２１，２２゜２３・・・・・・成膜室、２
４・・・・・・基板取出室。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名派
法鋭 、。
造装置の薄膜成膜室の断面模式図、第２図は光磁気記録
媒体を製造した場合のディフェクトレート変化を示すグ
ラフ、第３図は光磁気記録媒体の断面構造図、第４図は
従来の光磁気記録媒体の製造装置の断面模式図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・基板搬送台、３・
・・・・・基板搬送軌道、４・・・・・・防着板、５・
・・・・・金網、６，６１゜６２．６３・・・・・・ス
パッタターゲット、７・・・・・・陰極、８・・・・・
・ゲートパルプ、９・・・・・・真空チャンバー、１０
・・・・・・真空排気装置、１１・・・・・・高屈折率
膜、１２・・・・・・記録膜、１３・・・・・・保護膜
、１４・・・・・・基板ストッカー、２０・・・・・・
基板投入室、２１，２２゜２３・・・・・・成膜室、２
４・・・・・・基板取出室。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名派
法鋭 、。
Claims (3)
- （１）薄膜成膜室の内壁及び防着板が網状線材に蔽われ
ていることを特徴とする光磁気記録媒体の製造装置。 - （２）網状線材がステンレス，ニッケル，銅で形成され
ていることを特徴とする請求項（１）記載の光磁気記録
媒体の製造方法。 - （３）網状線材の表面が梨子地状であることを特徴とす
る請求項（１）記載の光磁気記録媒体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10635188A JPH01277350A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 光磁気記録媒体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10635188A JPH01277350A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 光磁気記録媒体の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01277350A true JPH01277350A (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=14431366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10635188A Pending JPH01277350A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 光磁気記録媒体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01277350A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04286112A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Fujitsu Ltd | スパッタリングに関わる半導体装置の製造方法 |
| JP2007321226A (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
| WO2019242122A1 (zh) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | 米亚索乐装备集成（福建）有限公司 | 一种磁控溅射设备 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP10635188A patent/JPH01277350A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04286112A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Fujitsu Ltd | スパッタリングに関わる半導体装置の製造方法 |
| JP2007321226A (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
| WO2019242122A1 (zh) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | 米亚索乐装备集成（福建）有限公司 | 一种磁控溅射设备 |
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