JPH01277350A - 光磁気記録媒体の製造装置 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造装置Info
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- JPH01277350A JPH01277350A JP10635188A JP10635188A JPH01277350A JP H01277350 A JPH01277350 A JP H01277350A JP 10635188 A JP10635188 A JP 10635188A JP 10635188 A JP10635188 A JP 10635188A JP H01277350 A JPH01277350 A JP H01277350A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度記録が可能な書き換え型光ディスクに適
用する光磁気記録媒体の製造装置に関するものである。
用する光磁気記録媒体の製造装置に関するものである。
従来の技術
光磁気記録媒体の記録膜は↑bFe、 TbFeCo。
DyFeCo等の膜面に対して垂直に磁化容易軸を有す
る希土類−遷移金属非晶質合金薄膜が利用されているが
、希土類−遷移金属非晶質合金は容易に酸化し、酸化に
より記録再生特性が劣化する。
る希土類−遷移金属非晶質合金薄膜が利用されているが
、希土類−遷移金属非晶質合金は容易に酸化し、酸化に
より記録再生特性が劣化する。
このため記録膜の酸化防止を目的として、記録膜を挟む
形で保護膜を設けている。
形で保護膜を設けている。
現在、この保護膜としてAffiNやS 1aN4゜2
M g O−3i O2等のセラミックス薄膜が用い
られている。
M g O−3i O2等のセラミックス薄膜が用い
られている。
また、光磁気記録媒体の記録膜に記録された信号は0.
3〜0.4度程度の微少なカー回転角であり、再生信号
のS/N増加のため、記録膜の光投入側に高屈折率′F
R11Iを設け、エンハンス効果によるカー回転角の増
大を図っている。
3〜0.4度程度の微少なカー回転角であり、再生信号
のS/N増加のため、記録膜の光投入側に高屈折率′F
R11Iを設け、エンハンス効果によるカー回転角の増
大を図っている。
高屈折率薄膜としてはZnS膜やZn5e膜等が用いら
れている。
れている。
以下に図面を参照しながら従来の光磁気記録媒体の製造
装置及び製造方法について述べる。
装置及び製造方法について述べる。
第3図は光磁気記録媒体の断面構造図である。
第3図においてlは溝及びピットが形成された基板、1
1はZnS膜やZn5e膜等の高屈折率薄膜、12はT
bFe、TbFeCo、DyFeC。
1はZnS膜やZn5e膜等の高屈折率薄膜、12はT
bFe、TbFeCo、DyFeC。
等の記録膜、13はA I N + S r 3 N
4 + 2 M g O・S i 02等の保護膜であ
る。(例えば戸上雄司二金属1986年6月号P14〜
19)光磁気記録媒体の製造は、基板1上に高屈折率薄
膜11゜記録1112.保護膜13を順次成膜する工程
であり、現在はスパッタによる成膜が中心である。光磁
気記録媒体の量産装置として通過型インラインスパッタ
装置が開発されている。(例えば宮本他:第10回日本
応用磁気学会学術講演概要集5PB−6) 第4図は従来の光磁気記録媒体の製造装置の断面模式図
である。第4図において1は基板、2は基板搬送台、3
は基板搬送軌道、4は防着板、7は磁界及び直流又は高
周波の電界印加機構を備えた陰極、81,82.83,
84.85.86はゲートバルブ、9は真空チャンバー
、10は真空排気装置、14は基板ストフカ−520は
基板投入室、21は高屈折率薄膜11の成膜室、22は
記録膜12の成膜室、23は保護膜13の成膜室、24
は基板取出し室、61は高屈折率薄膜、11は作製用ス
パッタターゲット、62は記録膜12作作製用スパッタ
ターゲット63は保護膜13作作製用スパッタターゲッ
トある。
4 + 2 M g O・S i 02等の保護膜であ
る。(例えば戸上雄司二金属1986年6月号P14〜
19)光磁気記録媒体の製造は、基板1上に高屈折率薄
膜11゜記録1112.保護膜13を順次成膜する工程
であり、現在はスパッタによる成膜が中心である。光磁
気記録媒体の量産装置として通過型インラインスパッタ
装置が開発されている。(例えば宮本他:第10回日本
応用磁気学会学術講演概要集5PB−6) 第4図は従来の光磁気記録媒体の製造装置の断面模式図
である。第4図において1は基板、2は基板搬送台、3
は基板搬送軌道、4は防着板、7は磁界及び直流又は高
周波の電界印加機構を備えた陰極、81,82.83,
84.85.86はゲートバルブ、9は真空チャンバー
、10は真空排気装置、14は基板ストフカ−520は
基板投入室、21は高屈折率薄膜11の成膜室、22は
記録膜12の成膜室、23は保護膜13の成膜室、24
は基板取出し室、61は高屈折率薄膜、11は作製用ス
パッタターゲット、62は記録膜12作作製用スパッタ
ターゲット63は保護膜13作作製用スパッタターゲッ
トある。
以上のように構成された従来の光磁気記録媒体の製造装
置について、以下その動作について説明する。
置について、以下その動作について説明する。
まず、基板投入室20を大気圧力にし、基板スト7カー
14に基板1を装着する。ゲートパルプ81を閉め、真
空排気装置lOにて基板投入室20の真空排気を行う、
基板投入室20の真空度が所定の真空度に達した後、基
板1は基板搬送台2に装着され、開けられたゲートパル
プ82を通り、基板搬送軌道3に沿って成膜室21に送
られる。 ゲートパルプ82が閉じられ、成膜室21を
真空排気装置10にて真空排気し、同時にArガス等の
希ガスを導入し成膜室21を10’〜10’Torrの
真空度に保つ。
14に基板1を装着する。ゲートパルプ81を閉め、真
空排気装置lOにて基板投入室20の真空排気を行う、
基板投入室20の真空度が所定の真空度に達した後、基
板1は基板搬送台2に装着され、開けられたゲートパル
プ82を通り、基板搬送軌道3に沿って成膜室21に送
られる。 ゲートパルプ82が閉じられ、成膜室21を
真空排気装置10にて真空排気し、同時にArガス等の
希ガスを導入し成膜室21を10’〜10’Torrの
真空度に保つ。
陰極7によりスパッタターゲット61上に磁界及び高周
波電界を印加すると、磁界と電界の相互作用によりスパ
ッタターゲット61上にプラズマ放電が発生し、電界の
作用によりスパッタターゲット61はスパッタ放出され
る。
波電界を印加すると、磁界と電界の相互作用によりスパ
ッタターゲット61上にプラズマ放電が発生し、電界の
作用によりスパッタターゲット61はスパッタ放出され
る。
スパッタ放出された粒子がスパックターゲット61の上
部に位置する基板2に付着・堆積し、高屈折率薄膜11
が成膜される。
部に位置する基板2に付着・堆積し、高屈折率薄膜11
が成膜される。
高屈折率薄膜11を成膜後、ゲートバルブ83を通じて
基eli1が装着された基板搬送台2を成膜室22に送
り記録膜12を成膜する。記録膜12を成膜後、基板1
が装着された基板搬送台2を成膜室23に送り、保護膜
13を成膜し、最後に基板取出室24に送り、基板取出
室24を大気に戻し、高屈折率薄膜11.記録膜12.
保護膜13が形成された基板1を取り出す。
基eli1が装着された基板搬送台2を成膜室22に送
り記録膜12を成膜する。記録膜12を成膜後、基板1
が装着された基板搬送台2を成膜室23に送り、保護膜
13を成膜し、最後に基板取出室24に送り、基板取出
室24を大気に戻し、高屈折率薄膜11.記録膜12.
保護膜13が形成された基板1を取り出す。
基板1は基板投入室20から基板取出し室24へ順次送
られ、真空排気操作、基板搬送操作、放電及びスパッタ
操作は全て自動制御により行われる。
られ、真空排気操作、基板搬送操作、放電及びスパッタ
操作は全て自動制御により行われる。
一般的に、スパッタ成膜や真空蒸着成膜等の真空を利用
する成膜では、成膜室中に存在する水蒸気、酸素等の不
純物が膜特性の不安定性の要因となる。このため、成膜
室を大気に暴露せずに成膜する装置構成をとる。
する成膜では、成膜室中に存在する水蒸気、酸素等の不
純物が膜特性の不安定性の要因となる。このため、成膜
室を大気に暴露せずに成膜する装置構成をとる。
光磁気記録媒体の製造装置もゲートバルブ81゜82.
83.84.85.86及び基板搬送台2゜基板搬送軌
道3を利用し真空を破ることなく高屈折率III 1.
記録Ml 2.保護膜13を成膜する構成となっている
。
83.84.85.86及び基板搬送台2゜基板搬送軌
道3を利用し真空を破ることなく高屈折率III 1.
記録Ml 2.保護膜13を成膜する構成となっている
。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような方法では、スパッタターゲッ
トから射出するスパッタ粒子は基板とともに防着板、真
空チャンバー内壁にも付着する。
トから射出するスパッタ粒子は基板とともに防着板、真
空チャンバー内壁にも付着する。
基板上に堆積する膜は所定の膜厚になった後、次工程に
送られるため膜の剥離は発生しないが、防着板、真空チ
ャンバー内壁に堆積する膜は積算されるために厚膜にな
り、厚膜が増えた場合膜の内部応力が増加し、膜の防着
板、真空チャンバー内壁への付着力より内部応力が大き
くなった場合膜の剥離が始まる。
送られるため膜の剥離は発生しないが、防着板、真空チ
ャンバー内壁に堆積する膜は積算されるために厚膜にな
り、厚膜が増えた場合膜の内部応力が増加し、膜の防着
板、真空チャンバー内壁への付着力より内部応力が大き
くなった場合膜の剥離が始まる。
比較的小さな剥離物は静電力により基板に付着する。剥
離物の付着により、ディスク上に50〜300IIm程
度のピンホールが発生し、光磁気ディスクのディフェク
トレートが増加するという問題点を有していた。
離物の付着により、ディスク上に50〜300IIm程
度のピンホールが発生し、光磁気ディスクのディフェク
トレートが増加するという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、ディフェクトレートが低い
光磁気ディスクを製造できる光磁気記録媒体の製造装置
を提供するものである。
光磁気ディスクを製造できる光磁気記録媒体の製造装置
を提供するものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の光磁気記録媒体の製
造装置は、高屈折率薄膜、記録膜、保護膜を形成する薄
膜成膜室の真空チャンバー内壁及び防着板を網状線材で
蔽った構成となっている。
造装置は、高屈折率薄膜、記録膜、保護膜を形成する薄
膜成膜室の真空チャンバー内壁及び防着板を網状線材で
蔽った構成となっている。
作用
この構成により、スパッタターゲットから飛来する粒子
が真空チャンバー内壁や防着板に付着・堆積し、膜の内
部応力の増加により膜の剥離が発生した場合、剥離物は
綱状線材に捕捉されるため基板に到達しない。
が真空チャンバー内壁や防着板に付着・堆積し、膜の内
部応力の増加により膜の剥離が発生した場合、剥離物は
綱状線材に捕捉されるため基板に到達しない。
従ってピンホールの発生がない成膜工程を得ることがで
き、低ディフェクトレート光磁気記録媒体の製造が可能
となる。
き、低ディフェクトレート光磁気記録媒体の製造が可能
となる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第1図は本発明の一実施例における光磁気記録媒体の製
造装置の薄膜成膜室の断面模式図である。
造装置の薄膜成膜室の断面模式図である。
第1図において1は基板、2は基板搬送台、3は基板搬
送軌道、4は防着板、5はステンレスを線材に用いた金
網、6はスパッタターゲット、7は直流又は高周波の電
界及び磁界の印加機構を備えた陰極、8はゲートバルブ
、9は真空チャンバー、10は真空排気装置である。
送軌道、4は防着板、5はステンレスを線材に用いた金
網、6はスパッタターゲット、7は直流又は高周波の電
界及び磁界の印加機構を備えた陰極、8はゲートバルブ
、9は真空チャンバー、10は真空排気装置である。
本発明の一実施例における光磁気記録媒体の製造装置は
、従来例の構成の第3図に示した光磁気記録媒体の製造
装置の成膜室21,22.23を第1図に示す成膜室に
置換えたものである。
、従来例の構成の第3図に示した光磁気記録媒体の製造
装置の成膜室21,22.23を第1図に示す成膜室に
置換えたものである。
以上のように構成された光磁気記録媒体の製造装置につ
いて、以下その動作について説明する。
いて、以下その動作について説明する。
基板1に高屈折率薄膜11.記録膜12.保護膜13を
成膜する工程は従来例の構成と同様である。すなわち、
基板1を基板投入室20内の基板ストッカー14に装着
し、基板投入室20の真空排気を行う。続いて、第1図
に示した本発明の一実施例における光磁気記録媒体製造
装置の成膜室内に基板1を導入し、高屈折率薄膜11を
成膜する。引き続き記録膜12.保護Tyi413を成
膜し、基板取出室24より取出す。
成膜する工程は従来例の構成と同様である。すなわち、
基板1を基板投入室20内の基板ストッカー14に装着
し、基板投入室20の真空排気を行う。続いて、第1図
に示した本発明の一実施例における光磁気記録媒体製造
装置の成膜室内に基板1を導入し、高屈折率薄膜11を
成膜する。引き続き記録膜12.保護Tyi413を成
膜し、基板取出室24より取出す。
高屈折率薄膜11.記録It!12.保護膜13を成膜
する際に行うスパッタ付着の際にスパッタ粒子は基板l
と防着板4及びステンレスの金M45に付着する。防着
板4に付着するスパッタ粒子は堆積物が積算され膜の内
部応力が増加した場合に剥離する。しかし剥離物は金網
5に捕捉されるため基板lには到達しない。
する際に行うスパッタ付着の際にスパッタ粒子は基板l
と防着板4及びステンレスの金M45に付着する。防着
板4に付着するスパッタ粒子は堆積物が積算され膜の内
部応力が増加した場合に剥離する。しかし剥離物は金網
5に捕捉されるため基板lには到達しない。
また、金y45に付着するスパッタ粒子が堆積した膜は
膜厚に対する付着面積が大きく、膜の内部応力の増加に
対する剥離が緩和され、膜の剥離が防止できる。
膜厚に対する付着面積が大きく、膜の内部応力の増加に
対する剥離が緩和され、膜の剥離が防止できる。
第2図に光磁気記録媒体を製造した場合のディフェクト
レートの変化を示す、第2図において縦軸はディフェク
トレート、横軸は光磁気記録媒体の製造数である。また
曲線aは本発明の一実施例における光磁気記録媒体の製
造装置によるディフェクトレートの推移、曲線すは従来
の光磁気記録媒体の製造装置によるディフェクトレート
の推移である。
レートの変化を示す、第2図において縦軸はディフェク
トレート、横軸は光磁気記録媒体の製造数である。また
曲線aは本発明の一実施例における光磁気記録媒体の製
造装置によるディフェクトレートの推移、曲線すは従来
の光磁気記録媒体の製造装置によるディフェクトレート
の推移である。
以上のように本実施例によれば、高屈折率膜。
記録膜、保護膜を形成する薄膜成膜室の真空チャンバー
内壁及び防着板をステンレスの金網で蔽うことにより、
真空チャンバーの内壁及び防着板に付着した膜の剥離物
が光磁気記録媒体の基板に付着することを防止すること
ができる。
内壁及び防着板をステンレスの金網で蔽うことにより、
真空チャンバーの内壁及び防着板に付着した膜の剥離物
が光磁気記録媒体の基板に付着することを防止すること
ができる。
なお、本実施例では金網の材質をステンレスとしたが、
金網の材質はニッケル、銅でも同様な効果が得られる。
金網の材質はニッケル、銅でも同様な効果が得られる。
また、綱状線材の表面を梨子地状に処理することにより
、膜の網状線材への付着力が増し、このため膜の剥離防
止効果が一層大きくなる。
、膜の網状線材への付着力が増し、このため膜の剥離防
止効果が一層大きくなる。
発明の効果
本発明は高屈折率膜、記録膜、保護膜を形成する薄膜形
成室の真空チャンバー内壁及び防着板を綱状線材で蔽う
ことにより、真空チャンバーの内壁及び防着板に付着板
に付着した膜の!II#物が光磁気記録媒体の基板に付
着することを防止することができ、さらに綱状線材の表
面を梨子地状に処理することにより綱状線材に付着した
膜の剥離が防止でき、光磁気記録媒体のピンホールの発
生をおさえるという効果を得ることができる優れた光磁
気記録媒体の製造装置を実現できるものである。
成室の真空チャンバー内壁及び防着板を綱状線材で蔽う
ことにより、真空チャンバーの内壁及び防着板に付着板
に付着した膜の!II#物が光磁気記録媒体の基板に付
着することを防止することができ、さらに綱状線材の表
面を梨子地状に処理することにより綱状線材に付着した
膜の剥離が防止でき、光磁気記録媒体のピンホールの発
生をおさえるという効果を得ることができる優れた光磁
気記録媒体の製造装置を実現できるものである。
第1図は本発明の一実施例における光磁気記録媒体の製
造装置の薄膜成膜室の断面模式図、第2図は光磁気記録
媒体を製造した場合のディフェクトレート変化を示すグ
ラフ、第3図は光磁気記録媒体の断面構造図、第4図は
従来の光磁気記録媒体の製造装置の断面模式図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・基板搬送台、3・
・・・・・基板搬送軌道、4・・・・・・防着板、5・
・・・・・金網、6,61゜62.63・・・・・・ス
パッタターゲット、7・・・・・・陰極、8・・・・・
・ゲートパルプ、9・・・・・・真空チャンバー、10
・・・・・・真空排気装置、11・・・・・・高屈折率
膜、12・・・・・・記録膜、13・・・・・・保護膜
、14・・・・・・基板ストッカー、20・・・・・・
基板投入室、21,22゜23・・・・・・成膜室、2
4・・・・・・基板取出室。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名派
法鋭 、。
造装置の薄膜成膜室の断面模式図、第2図は光磁気記録
媒体を製造した場合のディフェクトレート変化を示すグ
ラフ、第3図は光磁気記録媒体の断面構造図、第4図は
従来の光磁気記録媒体の製造装置の断面模式図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・基板搬送台、3・
・・・・・基板搬送軌道、4・・・・・・防着板、5・
・・・・・金網、6,61゜62.63・・・・・・ス
パッタターゲット、7・・・・・・陰極、8・・・・・
・ゲートパルプ、9・・・・・・真空チャンバー、10
・・・・・・真空排気装置、11・・・・・・高屈折率
膜、12・・・・・・記録膜、13・・・・・・保護膜
、14・・・・・・基板ストッカー、20・・・・・・
基板投入室、21,22゜23・・・・・・成膜室、2
4・・・・・・基板取出室。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名派
法鋭 、。
Claims (3)
- (1)薄膜成膜室の内壁及び防着板が網状線材に蔽われ
ていることを特徴とする光磁気記録媒体の製造装置。 - (2)網状線材がステンレス,ニッケル,銅で形成され
ていることを特徴とする請求項(1)記載の光磁気記録
媒体の製造方法。 - (3)網状線材の表面が梨子地状であることを特徴とす
る請求項(1)記載の光磁気記録媒体の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10635188A JPH01277350A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 光磁気記録媒体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10635188A JPH01277350A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 光磁気記録媒体の製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01277350A true JPH01277350A (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=14431366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10635188A Pending JPH01277350A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 光磁気記録媒体の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01277350A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04286112A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Fujitsu Ltd | スパッタリングに関わる半導体装置の製造方法 |
JP2007321226A (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
WO2019242122A1 (zh) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | 米亚索乐装备集成(福建)有限公司 | 一种磁控溅射设备 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP10635188A patent/JPH01277350A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04286112A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Fujitsu Ltd | スパッタリングに関わる半導体装置の製造方法 |
JP2007321226A (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
WO2019242122A1 (zh) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | 米亚索乐装备集成(福建)有限公司 | 一种磁控溅射设备 |
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