JPH01158644A - 光磁気記録担体の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は書き換え可能な光磁気ディスクに適用する光磁
気記録担体の製造装置に関するものである。

従来の技術 近年、高密度・大容量・高速アクセス等の特長を備えだ
記録担体として、光記録媒体の研究開発が多く行われて
いる。中でも情報の書き換えが可能な光磁気記録担体は
文字や画像のファイルメモリ、書き換え型ビデオディス
クやＣＤ、コンピュータの外部メモリ等への応用が考え
られ、特に有望視されている。

従来から、光磁気記録担体の記録膜として、ＭｎＢ１　
、　ＭｎＣｕＢ１　、などの多結晶材料やＴｂＦｅ　。

ＴｂＦｅＣｏ　、　ＧｄＴｂＦｅ　、　ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ　、　ＤｙＦｅ　。

ＤｙＦｅＣｏ等の希土類遷移金属非晶質合金の垂直磁化
膜が知られているが、粒界ノイズの発生が無い。

良好な記録感度が得られる等、記録再生特性の点で希土
類遷移金属非晶質合金が憂れているため、これが記録膜
開発の中心となっている。

しかしながら、希土類遷移金属非晶質合金は酸化により
記録再生特性が劣化する。このため記録膜の酸化を防土
する保護膜が必要である。

現在、この保護膜としてムｌＮや５ｉ５Ｎ４゜２Ｍｇ０
８１０２　　等のヌパノタ膜が使われている。

また、光磁気記録膜に記録した信号は０．３音程度の微
少なカー回転角であるため、再生信号の増加を目的とし
て基板と記録膜の間に高屈折率薄膜を挿入し、エンハン
ス効果により再生信号のＣ／Ｎ向上を図っている。高屈
折率薄膜としてＺｎＳ膜やＺｎＳ膜膜などが使用されて
いる。

光磁気記録担体の製造は、ディスク基板上に、前記の高
屈折率膜、記録膜、保護膜を順次成膜する工程であり、
現在はスパッタによる成膜が中心である。光磁気ディス
クの量産のために、通過型インラインスパッタ装置が開
発されている（例えば宮本他：第１Ｑ回日本応用磁気学
会学術講演概要集、　５ｐＢ　−８）。

以下に図面を参照しなから従来の光磁気記録担体の製造
方法について説明する。第２図は従来の光磁気記録担体
の製造装置のスパッタ室の断面模式図である。

第２図において、２はスパッタターゲット、３はディス
ク基板、４はディスク基板３を保持又は搬送する基板ホ
ルダー、６及び６はスパッタターゲット２上に磁界を形
成するだめの永久磁石、了はスパッタターゲット２を保
持するバンキングプレート、９はスパッタターゲット２
に高周波又は直流の電圧を印加する高電圧電源、ＩＱは
バンキングプレート７及び永久磁石６．６を冷却するた
め陰１至ホルダー１６知冷却水を送る冷却水循環装置、
１１は希ガス供給装置、１２は真空排気装置、１４は真
空容器、１５は障壁、１６は永久磁石５゜６及びバッキ
ングプレート７を支持する陰極ホルダーである。

インライン型スパッタ装置で構成される光磁気記録担体
の製造装置は第２図に示した従来の光磁気記録担体の製
造装置のスパッタ室をゲートバルブを介して複数個連結
したものであり、各スパッタ室に基板３を搬送する讃送
機構が備わっている。

以上のように構成された光磁気記録担体の製造装置につ
いて、以下その動作について説明する。

まず希ガス供給装置１１からムｒガス等の希ガスを真空
容器１４に導入する。同時に真空排気装置１２により真
空容器１４を排気し、真空容器１４を１ｏ　〜１０　　
Ｔｏｒｒ　　の真空度に保つ。冷却水循環装置１０てよ
シ陰、腐ホルダー１６を冷却しながら高電圧電源９によ
り直流電圧又は高周波電圧を陰極ホルダー１６を通じて
スパッタターゲット２に印加する。

ターゲット２上に印加される磁界と電界の相互作用によ
り、スパッタターゲット２上にプラズマ放電が発生し、
電界の作用によりスパッタターゲット２はスパッタされ
る。

スパッタされた粒子はスパッタターゲット２の真上に位
置したディスク基板３に付着、堆積し薄膜が形成される
。

保護膜をディスク基板３上に形成する場合にはスパッタ
ターゲット２としてム４ＮやＳｉ３Ｎ４゜２Ｍｇ０３ｉ
０２　　等を用いる。また記録膜をディスク基板３上に
形成する場合にはスパッタターゲット２としてＴｂＦｅ
　、　ＴｂＦｅＣｏ　、　ＧｄＴｂＦｅ　、　ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ。

ＤｙＦｅ　、　ＤｙＦｅＣｏ　　等を用いる。そして、
高屈接率膜を基板３上に形成する場合てはスパッタター
ゲット２としてＺｎＳやＺｎ５ｅを用いる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような方法では、スパッタターゲッ
トから飛来するスパッタ粒子はディスク基板と障壁に付
着、堆積する。障壁に付着、堆積するスパッタ粒子は堆
、遺膜厚が増加すると膜の内部応力により剥離し、剥離
物が基板に付着し光磁気ディスクのエラーが増えるとい
う問題点を有していた。

本発明は上記問題点に鑑み、エラーレートの低い光磁気
ディスクを製造できる光磁気記録担体の製造装置を提供
するものである。

問題点を解決するだめの手段 この目的を達成するために本発明の光磁気記録担体の製
造装置は、磁界印加機構、高周波又は直流の高電圧印加
機構を備えだスパッタターゲットの被スパッタ面て対し
て被スパッタ面の周端部に接して略垂直【補助スパッタ
ターゲットを設置した構成となっている。

作用 この構成により、スパッタターゲットから補助スパッタ
ターゲットに飛来し、補助スパッタターゲット上に付着
、堆積した膜は再びスパッタされるため、補助スパッタ
ターゲット上では堆積膜厚が増加せず、内部応力による
膜の剥離を防止することができ、低エラーレート光磁気
ディスクの製造が可能となる。

実施例 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。

第１図は本発明の一実施例如おける光磁気記録担体の製
造装置のヌパソタ室の断面模式図である。

第１図において、１は補助スパッタターゲット。

８は補助スパッタターゲット１及び永久磁石６，６を支
持する支持台、１３はシールド板である。なお、第１図
において、２はスパッタターゲット。

３はディスク基板、４は基板ホルダー、５及び６は永久
磁石、７はバッキングプレート、９及び９１は高電圧電
源、１０は冷却水循環装置、１１は希ガス供給装置、１
２は真空排気装置、１４：は真空容器であり、これらは
従来例の構成と同じものである。

以上のように構成された光磁気記録担体の製造装置につ
いて以下その動作について説明する。

まず希ガス供給装置１１から入ｒガス等の希ガスを真空
容器１４に導入する。同時に真空排気装置１２により真
空容器１４を排気し、真空容器１４を１Ｑ−６〜１ｏ−
２Ｔｏｒｒの真空度に保つ。高電圧電源９（てより直流
電圧又は高周波電圧を陰極ホルダー１６を通じてスパッ
タターゲット２に印加する。

スパッタターゲット２上に印加される磁界と電界の相互
作用により、スパッタターゲット２上にプラズマ放電が
発生し、電界の作用によりターゲット２はスパッタされ
る。

さらに高電圧電源９１により直流電圧又は高周波電圧を
支持台８を通じて補助スパッタターゲット１に印加する
。

補助スパッタターゲット１上に印加される磁界と電界の
相互作用により、補助スパッタターゲット１上にプラズ
マ放電が発生し、電界の作用によす補助スパッタターゲ
ット１はスパッタされる。

ディスク基板３上に膜を成膜する場合について以下て説
明する。

スパッタターゲット２からスパッタされた粒子は、スパ
ッタターゲット２の真上に位置するディスク基板３、及
びスパッタターゲット２に対して垂直に位置する補助タ
ーゲット１に付着、堆積する。

ディスク基板３上に成膜される膜は所定の膜厚が得られ
た時に、新たなディスク基板３に交換される。一方、補
助スパッタターゲット１上に付着、堆積した膜は、再び
スパッタされ、対向する補助スパッタターゲット１、デ
ィスク基板３、スパッタターゲット２に付着する。

一般的にスパッタ粒子はスパッタターゲットに対して余
弦則に従って放出される。このためスパッタ粒子はスパ
ッタターゲット２の被スパッタ面に対し垂直方向に優先
的に射出する。従ってスパッタターゲット２及び補助ス
パッタターゲット１に印加する電力を（１）式のように
設定した場合には補助スパッタターゲット１上での膜の
け着、堆積を防止することができる。

０．１（（Ｐｌ−Ｐｏ）／（Ｐ２−Ｐｏ）（０，５・＝
・＝・（１）但し　Ｐ。はスパッタ開始のしきい電力Ｐ
、は補助スパッタターゲット１に印加する電力Ｐ２はス
パッタターゲット２に印加する置方以上のように本実施
例によれば、スパッタターゲット２の被スパッタ面の周
端部に接して垂直に補助スパッタターゲット１を設置し
、前記の（１）式を満たすスパッタ条件ばよりスパッタ
ターゲット２及び補助スパッタターゲット１を同時（Ｃ
スパッタすることにより、スパッタターゲット２から補
助スパッタターゲット１に飛来するスパッタ粒子の付着
、堆積を防止することができ、付着物の剥離がないクリ
ーンな状態で光磁気ディスクの製造を行うことができる
。まだ、補助スパッタターゲット１にＩｔ着したスパッ
タ粒子は再びスパッタされ、ディスク基板３及びスパッ
タターゲット２に付着するため、スパッタターゲット２
を効率的にディスク基板３に付着させることができ、希
土類遷移金属合金やＺｎＳ　、　ＺｎＳθ等の高価な材
料を使用する光磁気記録担体においては、その製造コス
トの低減化が図れる。

なお、本実施例においては、スパッタターゲット２と補
助スパッタターゲット１の角度を垂直としたが、この角
度はスパッタターゲット２の大きさと、ディスク基板３
の大きさの比によって決まるものであシ、９０°近傍の
角度ならいずれの角度でも同様な効果が得られる。

発明の効果 本発明は磁界印加機構及び高電圧印加機構分備えだスパ
ッタターゲットと、このスパッタターゲットの被スパッ
タ面に対し垂直に、前記被スパッタ面の周端部に接して
磁界印加機構及び高電圧印加機構を備えた補助スパッタ
ターゲットを備えることによシ、補助スパッタターゲッ
ト上での膜の付着、堆積が防止でき、剥離物のディスク
基板への付着がなく、低エラーレート光磁気テ°イスク
が製造できるという浸れた効果を得ることができる光磁
気記録担体の製造装置を実現できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における光磁気記録担体の製
造装置のスパッタ室の断面模式図、第２図は従来の光磁
気記録担体の製造装置のスパッタ室の断面模式図である
。 １・・・・−・補助スパッタターゲット、２・・・・・
スパッタターゲット、３・・・・・・ディスク基板、４
・・・・・基板ホルダー、５．ら・・・・・永久磁石、
Ｔ・・・・・・バッキングプレート、８・・・・・支持
台、９，９１・・・・・・高電圧電源、１０・・・・・
冷却水循環装置、１１・・・・・・希ガス供給装置、１
２・・・・・・真空排気装置、１３・・・・・シールド
板、１４・・・・・真空容器、１５・・・・・障壁、１
６・−・・陰罹ホルダー。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）スパッタターゲットと、前記スパッタターゲット
   の被スパッタ面に磁界を印加する磁界印加機構と、前記
   スパッタターゲットに高周波又は直流の高電圧を印加す
   る電力印加機構を備えた陰極に対し、前記被スパッタ面
   の周端部に接し、前記被スパッタ面に対し約９０゜の角
   度に維持された被スパッタ面を有する補助スパッタター
   ゲットを備えたことを特徴とする光磁気記録担体の製造
   装置。
2. （２）補助スパッタターゲットの被スパッタ面に磁界を
   印加する永久磁石、電磁石等で構成された磁界印加機構
   部と、前記補助スパッタターゲットに高周波又は直流の
   高電圧を印加する電力印加機構部を備えたことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録担体の製造
   装置。
3. （３）スパッタターゲットの被スパッタ面を構成する材
   料と前記補助スパッタターゲットの被スパッタ面を構成
   する材料が同一であることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の光磁気記録担体の製造装置。