JPS589240A - 被処理物のメタライジング方法および之を実施する装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特に光学的なビディオ・ディスク等の反射膜
を形成する場合に最適に採用できるディスク・メタライ
ジング方法及びそれを実施する装置を提供するのにある
。

近時、レコード再生系に代わる新しい形態としてビディ
オ・ディスク再生系が注目視されつつある。

ところでビディオ・ディスク・システムとしてはディス
クに記録された信号を再生する場合の相違から、ディス
クに直接、ピックアップが接触することによってディス
クに記録された信号を再生す４１ａ触式と、ディスクに
直接、ピックアップが接触しないで信号を再生する非接
触式とがある。

前者にはディスクに信号溝を形成して、この溝を電極の
付いたスタイラスで追従することにより静電容量変化を
とらえる溝付静電容量方式によるもの、又は複数のピッ
ト列が信号としてディスクの表面にうず巻状に形成され
、このビット列を電極の付いたスタイラスで追従してそ
の静電容量変化をとらえる溝なし静電容量方式によるも
の等があり、後者にはディスクに記録されたうず巻状の
ビット列に例えば半導体レーザを照射してその反射光を
読み取る光学式ビディオ・ディスク方式に代表される。

とごろで光学式ビディオ・ディスク・システムにおける
ディスクは通常、ディスク表面にはピットは影威されて
いない、即ち透明なプラスチック、例えば透過率の高い
アクリル樹脂や塩化ビニール樹脂を用い、てインシュク
シ醤ン或いはコンブレッジ霞ン等の方法でプラスチック
成型するごとにより表面にピットが形成されたディスク
製作基板を先ず成型し、次いで半導体レーザ等を照射し
た場合の反射効率を向上するために、ディスク製作基板
の表面に、例えばアルミニウムの反射膜をピット形状を
崩さずに極く薄く形成し、さらにその表面に透明なプラ
スチック保護層を形成することによって製造される０両
面ディスクにおいては一般にこのようにして製造された
片面ディスクを背中合せに接着することによって形成さ
れている。

ところで上記反射膜を形成するのには、化学めっき法、
電気めっき法、蒸着法、スパッタリング法等が考えられ
るが、無公害な点とビット形状を崩さずに反射効率を向
上させるために、蒸着法、スパッタリング法が普及しつ
つある。

蒸着法、スパッタリング法を実施するのには、気密性と
公害面とを考慮して真空室を必要とし、これには従来行
われているものとしてバラ・チ法と半連続法とがある。

バッチ法とは第１図に示すように、例えば真空ベルジャ
Ａ内にディスク製作基板１を放射状に数段、配贋してか
らドアパルプＢを閉め、その後、真空ポンプ等を向いて
前記ベルジ中Ａ内を排気し、真空にした後に、アルミニ
ウム等の処理金属１８を加熱することによって気化し、
被処理物としてのディスク製作基板ｌにアルミニウムを
蒸着させる方法をいう。

しかし蒸着法においては、メタライジングを行う毎に被
処理物を真空ベルジャＡ内に入れたり出したりするのに
ドアＢを開かなければならないので真空ベルジャＡの気
密性が繰枠できず、真空ベルジャＡ内を再び真空にする
ために時間がかかること、および彼処麹物を真空ベルジ
ャＡ内にセントするのに手間がかかることから生産能率
が悪く、コスト高になっていた。

他面、半連続法とは、第２図に示すように、気密を繰持
するためのドア付の室Ｃ，Ｅを、中間に位置するメタラ
イジング室りの前後にバルブＦ。

Ｇを介して連続して設け、そして前記室Ｃ内にストック
されている被処理物としてのディス゛り製作基板を用い
てメタライジング室り内に順次搬送し、メタライジング
室り内においてアルミニウム等の処理金属１８を気化す
る等して被処理物どしてのディスク・製作基板１にアル
ミニウムを蒸着させる□。

そして開いているパルプＧを通って室Ｅ＾に処理後の被
処理物を一送し、それからバルブＦ、Ｇを閉じ、前記室
Ｃ９Ｅめドアを開き、室Ｃには未処理のディスク製作基
ｌｌ１１を取り入れ、他□面宣Ｅから処理後のディスク
製作基板１を取り出す方法である。

しかし半連続法は、被処理物としてのディスク製作基板
１にメタライジングを行うのに被処理物が、室Ｃ１メタ
ライジング室Ｄ１室Ｅへと順次移動することになるから
、ｌバッチ内では連続となるが、バッチ間では不連続と
なる。また室Ｃ１メタライジング室Ｄ１室Ｅの真空状態
を緘持するのにパルプＦ、Ｇが必要となり、不連続時間
を短縮するには真空ポンプも大容量となる。このため設
備費がかかるとともにバッチ式同様に処理時間がかかり
、コスト高となっていた。

本発明は上述の如き点に鑑みてなされたものでありその
目的とするところは、被処理物としてのディスク製作基
板を大気中から数個の真空室とにパレットを用いて連続
的に皺送することにより多量のディスク製作基板を連袂
してメタライジングできるため、生産能率が向上し、コ
ストが低廉なディスクのメタライジング方法およびその
装置を提供するのにある。

以下本特定発明を実施するのに使用する装置とともに第
３図乃至第８図に従って説明する。

１は被処理物としてその表面にアルミニウム等の金属が
メタライジングされるべきドーナツ状のディスク製作基
板で、このディスク製作基板１は例えば半導体レーザ等
の透過率が高い透明なアクリル樹脂や塩化ビニール樹脂
を用いてコンブレフシ日ンやインジ晶りシーンによって
威Ｗ今れる。

２は被処理物としてのディスク製作基板ｌを例えば前後
両側面に縦型に着脱自在に装着して、連続して配電され
た後記入口側予備真空室３、イオン洗浄室４、高真空室
５、メタライジング室６、出口側予備真空室７，８の各
真空室内に連続又は間欠的に搬送されるパレットで、こ
のパレット２は軸長方向の前後両側面にディスク製作基
板１が装着される凹面部２Ａ、２Ａがそ、の大部分を占
めるように形成され、さらに進行方向に対して直交方向
の断−形状が後記入口側予備真空室３、イオン洗浄室４
、高真空室５、メタライジング室６、出口側予備真空室
７，８の各真空室内に設けた通路と酷似形状のシーリン
グ用−出＠２Ｂ、２Ｂを前記凹面部２Ａ・、２Ａと適役
している。

なおパレット２は、第６図に示すように、両画に凹面部
２人、２Ａが形成されるとともに前後両端にシーリング
用膨出部２Ｂ、２Ｂ；２Ｂ、２Ｂを設けたもの、また１
１７図および第ｓｍに示すように片面のみにディスク製
作基板装着用の凹面部２Ａｅ役け、シーリング用膨出部
２Ａを後端又は前後両端に設ける等、種々のものが考え
られる。

またパレット２の搬送手段は、連続してガイド枠にて支
持されたパレフ）２を油圧シリンダ等の受ＩＥで順次、
押込むか、或いはベルトコンベア、ローラコンベア、チ
易ンコンベア等の従来の搬送手段を用いて行う。

入口側予備真空室３、イオン洗浄室４、高真空室５、メ
タライジング室６、出口側予備真空室７．８から成る複
数個の真空室間は連絡通路９．ｌＯ、ｔｔ、ｔ２，１ｇ
によって連袂して接続され、しかも前記入口側予備真空
室３と出口側予備真空室８のそれぞれの入口側および出
口側には入口開通ｌ１１４と出口側通路１５が形成され
ている。この入口倒逓［１１４、出口側通路！５、およ
び前記連絡通路９，１０，１１，１２，１３のパレット
２の進行方向に対し直交方向の断面形状は、パレット２
のシーリング用膨出＠２Ｂ、２Ｂが接触して搬送方向に
位置する通路および之に通ずる真空室をシーリングして
真空状態にするためにシーリング用膨出部２Ｂ、２Ｂの
断面形状と酷似形状で僅かに大きく形成されている。ま
た入口側予備真空室３、イオン洗浄室４、高真空室５、
メタライジング室６、出口側予備真空室７，８は真空ポ
ンプ（図示せ４ず）等に接続されて該真空室代にするた
めの排気口３＾、４Ａ、５Ａ、６Ａ、？Ａ、８Ａが形成
されている。１６．１７はイオン洗浄室４内に設けられ
た１対のイオン洗浄電極、１８は前記メタライジング宣
６内に配置された処理金属、例えばアルにラムである。

上記装置を用いて本■特定尭明を実施するのには、先ず
アクリル樹脂のような透過度の高いプラスチックにてう
す巻き状のビットを表面に成型されたディスク製作基板
１，１をパレット零の両画に形成された凹面部２Ａ、２
Ａに装着する。この場合凹面部２Ａ、２Ａにはディスク
製作基板ｌ。

１の中心に設けたスピンドル挿通孔ＩＡ、ＩＡ内に挿通
されるスピンドル２　Ａｔ　　ｔ　２　Ａｔが挿入すれ
ることにより容易にディスク製作基板１．１をパレット
２に装着できる。

そして先ず第１工程として油圧シリンダ（図示せず）等
の連続的又は間欠的な受圧を受けて、ディスク製作基板
１，１を装着し且つ連続して配置されたパレット２は＆
統するものに押圧されることによって入口側道路１４内
に押込まれていく。

入口側通路１４の断面形状はパレット２の進行方向に対
して直交方向の断面形状と酷似形状で僅かに大きく形成
されているのでパレット２が入口側通路１４内に押込ま
れていくに従いパレット２のシーリング用膨出ｆｓ２Ｂ
、２Ｂが入口側通路１４の内壁に接触して閉塞する。従
って入口側道路１４に遥する入口側予備真空室３は真空
ぽンプ（Ｉｆ示せず）等で排気され真空状態となる。こ
の場合、１つのパレット２が入口側真空予倫宣３内に完
全に収容されると、後槍のパレット２のシーリング用膨
出部２Ｂ、２Ｂが入口側通路１４を閉塞するので入口側
真空予備室３は常時、真空状態となる。

第２工程としてパレット２のシーリング用膨出部２Ｂ、
２Ｂと近似形状で僅かに大きい断面形状を有する通路９
にシーリング用膨出部２　Ｂ　ｔ　２　Ｂが接触しなが
ら気密を維持してパレット２は順次イオン洗浄室４内に
搬送される。従って、イオン洗浄室４内に搬送されたパ
レット２に装着されているディスク製作基板ｌ、１は特
定ガスを流入しながら真空排気されている定真空下にお
いてイオン洗浄電極１６．１７間に高電圧を印加するこ
とによ、うてイオン洗浄される。この場合、通路９内に
は後続のパレット２のシーリング用膨出部２Ｂ、２Ｂｉ
ｌＫ接触し、しかも真空ポンプ（ＩＱ示せず）にて排気
されているからイオン洗浄室４内は真空状態を維持して
イオン洗浄が速やかに行われるとともに後記の処理金属
のメタライジング効果を高めることができる。

その後、第３工程として最初のパレット２は通路１０か
ら高真空室５内に搬送されてくる。この高真空室５にお
いては真空ポンプ（図示せず）等を用いて排気がされる
とともに通路ｌｏ内は後続のパレット２のシーリング用
膨出部２Ｂ、２Ｂが接触して閉塞され、さらには大気と
接する入口側通路１４から入口側予゛備真空室３、イオ
ン洗浄室４と２つの真空室を経ているから高真空室５は
高真空状態になっている。

ここにおいてディスク製作基板１が高真空室を通過する
ことはそのディス゛り製作基板１の表面付着ガスを除去
できる作用があり、後記のメタライジング効果をさらに
高めることができるからである。

更にＩＩ４工程として、最初のパレット２は通路１１を
経てメタライジング室６内に搬送されて来る。このメタ
ライジング６内は、前部に通１１１１１を介して前記高
真空室５が、また後部には通路１２．１３を経て２つの
出口側予備真空室７，８が連続して設ｉすられ、その５
うえそれぞれ真空ポンプ（図示せず）によって排気が行
われているから、前記高真空室５ど同様、高真空となっ
ている。

次に、この高真空下でのメタライジング室６内に不活性
ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）を送入して、同雰囲気の
下に高電圧又は高周波電圧が処理、金属、例えばアルミ
ニウム１８に印加されることにより放電が行われると、
Ａ　ｒ　”が□発生し、これが陰極としての処理金属１
８、即ちアルミニウムに衝突することによって表面の原
子番たたき出し、アクリル樹脂にて成型□された陽極−
としてのディスク製作基板１，１０表面８８′極めて薄
いアルミニウムの請が形成される。即ちｉパ□ツタリン
、グにより処理金属の薄膜がディ曵り−゛作麓板１，１
にｉ成できる。この場４ｊｒＪプｊミニウムの膿の厚さ
は５００λ〜２０００λ程度であり、ディスク″製作基
板１，１０表面に珍威された償号としてのビット列の形
状はアルミニウム膿辷よっそ埋められて形状が−れるこ
とはない、　　′ 第５工程としｔ１メタライジング室６においでスパッタ
リングにより□メタライジング□されたディ□スク慣作
基板１，１番嘘”’ｍｌ１１２．１　ｓを介して接続さ
れている２つの出ロー子惜□゛真空室７，８′を軽て出
口測道１１１５からパレット２とともに搬送されること
により被処理物としてのディスク製作基板１のメタライ
ジングが完了する。この場合、メタライジング室６に通
ずる２つの通路１２，１３には後続のパレットを、２の
シーリング用膨出部２Ｂ、２Ｂ：２Ｂ、２Ｂが接触して
閉塞されるため、家′た出口側通路１５には先行するパ
レット２めシーリンゲ用１１ｍ−２ｇ、２Ｂが接触して
いるため、出口側予備真空室７，８の排気を行えば、こ
゛の出口側予備真空室７，８を真空状廟に維持できると
ともにメタライジング室６′を高真空に維持でき為、　
なお、上記メタライジング室６での被処理物のメタライ
ジングをスパッタリングによ゛っで行うように説明した
けれとも、その柚、真空蒸着によってもメタライジング
が行える。

上述のように本発明は、゛従来の半速−法のようにメタ
ライジング室を仕ｗ４Ｉ／ｌｌ１１のバルブを設けな（
でもパレットと之が通性抜ける通路とによって一統して
役けた数個の真空室内を高真空にでき゛るから被処理物
としてのディスク製作基板を大気中からこれらの真空室
Ｆ）にパレットを用いて順次搬送するだけで多量のディ
スク製作基板をメタライジングすることができる。

従って生産能率が向上し、しかも設備費も安くコストを
低層にできる。

【図面の簡単な説明】

□ 第１図および第２図は従来のメタライジング法としての
、バッジ法と半連続法を示す断面図、第３図は本特定発
明を実施するのに使用する装置を示す側面図、第４図は
同じく原理を示す説明用の水平断面図、第５図は同じく
パレットと、ディスク製作基板と通路とを示す斜面図、
第６図乃至第８図は同じ、くパレフドのいくつかの変化
例である。 、ｌ・・・ディスク製作基板、２・・・パレッ）、２Ａ
・・・凹面部、２Ｂ・・・シーリング用膨出部、３・・
・入口側真空予備室、４・・・イオン洗浄室、５・・・
高真空室、６・・・メタライジング室、７，８・・・出
口側真空予備室、９，１０，１１，１２，１３・・・通
路、１４・・・入口側通路、１５・・・出口側通路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　ディスク製作基板をパレットに着脱自在に装
   着し、該パレットの進行方向に対し直交方向の断面形状
   が酷似形状の通路を介して数個の真空室を連袂的に役け
   、該真空室内に前記ディスク製作基板、をパレットとと
   もに連続して搬送することによってメタライジングする
   ことを特徴としたディスク・メタライソング方法。 偉）　ディスク製作基板が着脱自在に装着されるパレＬ
   ｔ　）と、該パレットの進行方向に対し直交方向の断面
   形状が酷似形状の遥・路を介して辿論的に設けられた数
   個の真空室とから成り、該真空室内に前記ディスク製作
   基板を前記パレットとともに搬送することによってメタ
   ライジングすることを特徴としたディスク・メタライジ
   ング装置。