JP3216154B2 - 真空成膜装置 - Google Patents
真空成膜装置Info
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- JP3216154B2 JP3216154B2 JP21003691A JP21003691A JP3216154B2 JP 3216154 B2 JP3216154 B2 JP 3216154B2 JP 21003691 A JP21003691 A JP 21003691A JP 21003691 A JP21003691 A JP 21003691A JP 3216154 B2 JP3216154 B2 JP 3216154B2
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- Japan
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- substrate
- film forming
- gate valve
- chambers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板に成膜処理を行う
真空成膜装置に関する。
真空成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】基板に薄膜を形成する技術
として、スパッタリング法やＣＶＤ法、エッチング法、
蒸着法等が知られている。これらの成膜技術を利用した
成膜装置には、たとえばインライン式やマルチチャンバ
式（サテライト式）の成膜装置がある。
として、スパッタリング法やＣＶＤ法、エッチング法、
蒸着法等が知られている。これらの成膜技術を利用した
成膜装置には、たとえばインライン式やマルチチャンバ
式（サテライト式）の成膜装置がある。
【０００３】インライン式装置では、複数のチャンバが
それぞれ仕切弁を介して連続して配置されており、成膜
すべき基板を各チャンバ内を連続して搬送させつつ成膜
処理を行っている。またマルチチャンバ式装置は、放射
状に配置された複数のチャンバと、各チャンバの内方に
配置され各チャンバに接続される中間室とから構成され
ており、中間室と各チャンバとの間で基板の受け渡しを
行いつつ成膜処理を行っている。
それぞれ仕切弁を介して連続して配置されており、成膜
すべき基板を各チャンバ内を連続して搬送させつつ成膜
処理を行っている。またマルチチャンバ式装置は、放射
状に配置された複数のチャンバと、各チャンバの内方に
配置され各チャンバに接続される中間室とから構成され
ており、中間室と各チャンバとの間で基板の受け渡しを
行いつつ成膜処理を行っている。
【０００４】このような成膜装置において、インライン
式装置では基板を全チャンバ内を通過させて成膜処理を
行っている。またマルチチャンバ式装置では、基板の各
チャンバ間の移動の際には基板は必ず中間室を通ってか
ら他のチャンバ内へ搬送されている。
式装置では基板を全チャンバ内を通過させて成膜処理を
行っている。またマルチチャンバ式装置では、基板の各
チャンバ間の移動の際には基板は必ず中間室を通ってか
ら他のチャンバ内へ搬送されている。
【０００５】一方、研究段階等において複数のチャンバ
のうちの一部のチャンバを用いて成膜処理を行いたい場
合がある。このような場合、前記従来のインライン式装
置では、基板を、成膜処理に用いないチャンバ内をも通
過させる必要があるため、基板の搬送に要する時間が長
くかかる。また前記マルチチャンバ式装置では、各チャ
ンバ間での移動の際には基板は必ず中間室を通らなけれ
ばならず、同様に搬送時間が長くかかるという問題が生
じる。
のうちの一部のチャンバを用いて成膜処理を行いたい場
合がある。このような場合、前記従来のインライン式装
置では、基板を、成膜処理に用いないチャンバ内をも通
過させる必要があるため、基板の搬送に要する時間が長
くかかる。また前記マルチチャンバ式装置では、各チャ
ンバ間での移動の際には基板は必ず中間室を通らなけれ
ばならず、同様に搬送時間が長くかかるという問題が生
じる。
【０００６】本発明の目的は、基板の搬送時間を短縮で
き、生産性を向上できる真空成膜装置を提供することに
ある。
き、生産性を向上できる真空成膜装置を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る真空成膜装
置は、基板に成膜処理を行う装置であって、成膜室と、
バイパス室と、バイパス通路とを備えている。前記成膜
室は、連続して配置された成膜処理を行うための複数の
室から構成され、隣り合う室は基板を出し入れ可能に接
続されている。前記バイパス室は、成膜室に並設されて
いる。前記バイパス通路は、バイパス室と成膜室の少な
くとも中間の室との間に設けられ、これらの室の間で基
板を搬送するためのものである。
置は、基板に成膜処理を行う装置であって、成膜室と、
バイパス室と、バイパス通路とを備えている。前記成膜
室は、連続して配置された成膜処理を行うための複数の
室から構成され、隣り合う室は基板を出し入れ可能に接
続されている。前記バイパス室は、成膜室に並設されて
いる。前記バイパス通路は、バイパス室と成膜室の少な
くとも中間の室との間に設けられ、これらの室の間で基
板を搬送するためのものである。
【０００８】
【作用】本発明に係る真空成膜装置では、成膜室の各室
内で基板に成膜処理が行われ、１つの室内で成膜処理さ
れた基板はさらに隣接する室に搬送される。成膜室の一
部の室を用いて成膜処理を行う際には、成膜室の前記室
内で成膜処理された基板は、成膜室からバイパス通路を
通ってバイパス室に搬送される。これにより、成膜処理
に用いられない成膜室の他の室内に基板を搬送させなく
て済み、基板の搬送時間を短縮できる。この結果、生産
性を向上できる。
内で基板に成膜処理が行われ、１つの室内で成膜処理さ
れた基板はさらに隣接する室に搬送される。成膜室の一
部の室を用いて成膜処理を行う際には、成膜室の前記室
内で成膜処理された基板は、成膜室からバイパス通路を
通ってバイパス室に搬送される。これにより、成膜処理
に用いられない成膜室の他の室内に基板を搬送させなく
て済み、基板の搬送時間を短縮できる。この結果、生産
性を向上できる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例としてのインライン
式成膜装置を示している。なお、ここでは、太陽電池の
薄膜形成用の成膜装置を例にとって説明する。このイン
ライン式成膜装置は、直線状に配置された複数のチャン
バ１〜９から構成される成膜室１０と、成膜室１０に並
設された中間室（バイパス室）３０とから主として構成
されている。
式成膜装置を示している。なお、ここでは、太陽電池の
薄膜形成用の成膜装置を例にとって説明する。このイン
ライン式成膜装置は、直線状に配置された複数のチャン
バ１〜９から構成される成膜室１０と、成膜室１０に並
設された中間室（バイパス室）３０とから主として構成
されている。
【００１０】成膜室１０の各チャンバ１〜９は連続して
配置されている。すなわち、隣り合う各チャンバは、そ
れぞれ仕切弁１１を介して接続されている。また、各チ
ャンバ１，５，７，９と中間室３０との間には、仕切弁
１１と同様の仕切弁３１が設けられている。各チャンバ
１，５，７，９は、それぞれ仕切弁３１を介して中間室
３０との間で基板の出し入れを行うための室である。中
間室３０隔壁のチャンバ１対向部、及び各チャンバ５，
７，９の仕切弁３１対向側隔壁には、それぞれプッシャ
ー３２，１２，１３，１４が設けられている。これらの
プッシャーは、主にシリンダによって構成されており、
基板３３が保持された基板カート３４を中間室３０と各
チャンバとの間で出し入れするためのものである。
配置されている。すなわち、隣り合う各チャンバは、そ
れぞれ仕切弁１１を介して接続されている。また、各チ
ャンバ１，５，７，９と中間室３０との間には、仕切弁
１１と同様の仕切弁３１が設けられている。各チャンバ
１，５，７，９は、それぞれ仕切弁３１を介して中間室
３０との間で基板の出し入れを行うための室である。中
間室３０隔壁のチャンバ１対向部、及び各チャンバ５，
７，９の仕切弁３１対向側隔壁には、それぞれプッシャ
ー３２，１２，１３，１４が設けられている。これらの
プッシャーは、主にシリンダによって構成されており、
基板３３が保持された基板カート３４を中間室３０と各
チャンバとの間で出し入れするためのものである。
【００１１】なお、図示していないが、各チャンバ内に
は、基板搬送機構が設けられている。この基板搬送機構
は、例えばラックアンドピニオン等から構成されてい
る。
は、基板搬送機構が設けられている。この基板搬送機構
は、例えばラックアンドピニオン等から構成されてい
る。
【００１２】チャンバ２，３，４は、それぞれ太陽電池
のｐ層，ｉ型層，ｎ層形成用のチャンバである。またチ
ャンバ６はＩＴＯ（透明導電膜）形成用のスパッタリン
グ室であり、チャンバ８はアルミニウム膜等の電極膜形
成用のスパッタリング室である。
のｐ層，ｉ型層，ｎ層形成用のチャンバである。またチ
ャンバ６はＩＴＯ（透明導電膜）形成用のスパッタリン
グ室であり、チャンバ８はアルミニウム膜等の電極膜形
成用のスパッタリング室である。
【００１３】中間室３０内には、１対のレール３５が配
設されている。基板カート３４は、ラックアンドピニオ
ン等から構成される基板搬送機構（図示せず）によりレ
ール３５上を走行し得る。また、中間室３０の一端に
は、基板３３が導入される入口室３７が配置されてい
る。入口室３７と中間室３０との間には仕切弁３６が設
けられており、入口室３７の他端にはゲート弁３８が設
けられている。また、中間室３０の他端には、成膜処理
後の基板３３が搬出される出口室４０が配置されてい
る。出口室４０と中間室３０との間には仕切弁４１が設
けられており、出口室４０の他端にはゲート弁４２が設
けられている。
設されている。基板カート３４は、ラックアンドピニオ
ン等から構成される基板搬送機構（図示せず）によりレ
ール３５上を走行し得る。また、中間室３０の一端に
は、基板３３が導入される入口室３７が配置されてい
る。入口室３７と中間室３０との間には仕切弁３６が設
けられており、入口室３７の他端にはゲート弁３８が設
けられている。また、中間室３０の他端には、成膜処理
後の基板３３が搬出される出口室４０が配置されてい
る。出口室４０と中間室３０との間には仕切弁４１が設
けられており、出口室４０の他端にはゲート弁４２が設
けられている。
【００１４】次に、上述のインライン式成膜装置の作動
について説明する。成膜すべき基板はゲート弁３８を通
って入口室３７内に導入され、仕切弁３６を通って中間
室３０内に搬入される。
について説明する。成膜すべき基板はゲート弁３８を通
って入口室３７内に導入され、仕切弁３６を通って中間
室３０内に搬入される。
【００１５】次に、プッシャー３２を駆動する。これに
より、基板３３が保持された基板カート３４が仕切弁３
１を通ってチャンバ１内に搬入される。次に、成膜室１
０内の基板搬送機構により、チャンバ１内の基板カート
３４を仕切弁１１を介してチャンバ２内に導入する。チ
ャンバ２内では、基板３３上にｐ層が形成される。ま
た、チャンバ３，４内ではそれぞれｉ型層及びｎ層が形
成される。チャンバ４内での成膜処理後、基板３３はチ
ャンバ５内に搬入される。
より、基板３３が保持された基板カート３４が仕切弁３
１を通ってチャンバ１内に搬入される。次に、成膜室１
０内の基板搬送機構により、チャンバ１内の基板カート
３４を仕切弁１１を介してチャンバ２内に導入する。チ
ャンバ２内では、基板３３上にｐ層が形成される。ま
た、チャンバ３，４内ではそれぞれｉ型層及びｎ層が形
成される。チャンバ４内での成膜処理後、基板３３はチ
ャンバ５内に搬入される。
【００１６】ここで、基板３３に対する処理を終了する
場合には、プッシャー１２の駆動により、チャンバ５内
の基板カート３４を仕切弁３１を介して中間室３０内に
搬入する。そして、中間室３０内の基板搬送機構によ
り、基板３３を仕切弁４１を介して出口室４０内に搬送
する。出口室４０内の基板３３はゲート弁４２を通って
装置外部に排出される。
場合には、プッシャー１２の駆動により、チャンバ５内
の基板カート３４を仕切弁３１を介して中間室３０内に
搬入する。そして、中間室３０内の基板搬送機構によ
り、基板３３を仕切弁４１を介して出口室４０内に搬送
する。出口室４０内の基板３３はゲート弁４２を通って
装置外部に排出される。
【００１７】この場合には、各チャンバ２，３，４で成
膜処理の終了した基板３３が、残りのチャンバ６〜９を
通過することなく、チャンバ５から仕切弁３１及び中間
室３０を通って装置外部に排出されるので、基板３３の
搬送時間が短縮され、生産性が向上する。しかも、残り
のチャンバ６〜９内が基板３３の搬送により汚染される
のが回避される。
膜処理の終了した基板３３が、残りのチャンバ６〜９を
通過することなく、チャンバ５から仕切弁３１及び中間
室３０を通って装置外部に排出されるので、基板３３の
搬送時間が短縮され、生産性が向上する。しかも、残り
のチャンバ６〜９内が基板３３の搬送により汚染される
のが回避される。
【００１８】また、各チャンバ２，３，４で成膜処理の
終了した基板３３に透明導電膜を形成する場合には、基
板３３がチャンバ５から仕切弁１１を通ってチャンバ６
内に搬入される。チャンバ６内ではスパッタリングによ
って基板３３上に透明導電膜が形成される。チャンバ６
内での処理後、基板３３は仕切弁１１を通ってチャンバ
７内に搬入される。
終了した基板３３に透明導電膜を形成する場合には、基
板３３がチャンバ５から仕切弁１１を通ってチャンバ６
内に搬入される。チャンバ６内ではスパッタリングによ
って基板３３上に透明導電膜が形成される。チャンバ６
内での処理後、基板３３は仕切弁１１を通ってチャンバ
７内に搬入される。
【００１９】ここで、基板３３に対する処理を終了する
際には、プッシャー１３を駆動することにより、チャン
バ７内の基板３３が仕切弁３１を通って中間室３０内に
搬送される。そして、前記と同様にして、中間室３０内
の基板搬送機構により基板３３が中間室３０内を通って
出口室４０に搬送され、ゲート弁４２から装置外部に排
出される。
際には、プッシャー１３を駆動することにより、チャン
バ７内の基板３３が仕切弁３１を通って中間室３０内に
搬送される。そして、前記と同様にして、中間室３０内
の基板搬送機構により基板３３が中間室３０内を通って
出口室４０に搬送され、ゲート弁４２から装置外部に排
出される。
【００２０】また、チャンバ７での処理後、電極膜を形
成する際には、チャンバ７内の基板３３をチャンバ８内
に搬入する。チャンバ８内では、スパッタリング法によ
り基板３３上にアルミニウム膜等の電極膜が形成され
る。チャンバ８内での処理後、基板３３は仕切弁１１を
通ってチャンバ９内に搬送される。チャンバ９内に搬送
された基板３３は、プッシャー１４の駆動により仕切弁
３１を通って中間室３０内に搬送される。そして、中間
室３０から出口室４０に搬送され、ゲート弁４２を通っ
て装置外部に排出される。
成する際には、チャンバ７内の基板３３をチャンバ８内
に搬入する。チャンバ８内では、スパッタリング法によ
り基板３３上にアルミニウム膜等の電極膜が形成され
る。チャンバ８内での処理後、基板３３は仕切弁１１を
通ってチャンバ９内に搬送される。チャンバ９内に搬送
された基板３３は、プッシャー１４の駆動により仕切弁
３１を通って中間室３０内に搬送される。そして、中間
室３０から出口室４０に搬送され、ゲート弁４２を通っ
て装置外部に排出される。
【００２１】このような本実施例では、成膜室１０の中
の一部のチャンバを用いて成膜処理を行う際に、仕切弁
３１及び中間室３０を利用することにより、残りのチャ
ンバ内に基板を搬入することなく処理が行われる。これ
により、基板の搬送時間を短縮でき生産性を向上でき
る。
の一部のチャンバを用いて成膜処理を行う際に、仕切弁
３１及び中間室３０を利用することにより、残りのチャ
ンバ内に基板を搬入することなく処理が行われる。これ
により、基板の搬送時間を短縮でき生産性を向上でき
る。
【００２２】〔他の実施例〕図２は本発明の一実施例と
してのマルチチャンバ式成膜装置を示している。図２に
おいて、この成膜装置は、円環状に配置された複数のチ
ャンバ５１〜５５によって構成される成膜室５０と、成
膜室５０の内方に配置された中間室７０とから主として
構成されている。
してのマルチチャンバ式成膜装置を示している。図２に
おいて、この成膜装置は、円環状に配置された複数のチ
ャンバ５１〜５５によって構成される成膜室５０と、成
膜室５０の内方に配置された中間室７０とから主として
構成されている。
【００２３】各チャンバ５１〜５６は連続して配置され
ている。すなわち、隣り合う各チャンバはそれぞれ仕切
弁５６によって接続されている。また、チャンバ５１の
側方には、基板が導入される入口室５７が配置されてい
る。入口室５７とチャンバ５１との間には、仕切弁５６
と同様の仕切弁５８が設けられている。入口室５７には
基板導入用のゲート弁５９が設けられている。また、チ
ャンバ５５の側方には、成膜処理後の基板を装置外部に
排出するための出口室６０が仕切弁５８を介して設けら
れている。出口室６０には基板排出用のゲート弁６１が
設けられている。
ている。すなわち、隣り合う各チャンバはそれぞれ仕切
弁５６によって接続されている。また、チャンバ５１の
側方には、基板が導入される入口室５７が配置されてい
る。入口室５７とチャンバ５１との間には、仕切弁５６
と同様の仕切弁５８が設けられている。入口室５７には
基板導入用のゲート弁５９が設けられている。また、チ
ャンバ５５の側方には、成膜処理後の基板を装置外部に
排出するための出口室６０が仕切弁５８を介して設けら
れている。出口室６０には基板排出用のゲート弁６１が
設けられている。
【００２４】また、チャンバ５２，５４及び出口室６０
と中間室７０との間には仕切弁６２が設けられている。
なお、図示していないが、入口室５７、成膜室５０及び
出口室６０内には、基板搬送用の搬送機構が設けられて
いる。
と中間室７０との間には仕切弁６２が設けられている。
なお、図示していないが、入口室５７、成膜室５０及び
出口室６０内には、基板搬送用の搬送機構が設けられて
いる。
【００２５】中間室７０内には、基板受渡し機構８０が
設けられている。この基板受渡し機構８０は、仕切弁６
２を介してチャンバ５２，５４及び出口室６０との間で
基板の受渡しを行うための機構である。基板受渡し機構
８０は、旋回可能なアーム８１と、アーム８１先端に設
けられるとともに基板を着脱自在に保持し得る進退可能
な基板保持部８２とを有している。
設けられている。この基板受渡し機構８０は、仕切弁６
２を介してチャンバ５２，５４及び出口室６０との間で
基板の受渡しを行うための機構である。基板受渡し機構
８０は、旋回可能なアーム８１と、アーム８１先端に設
けられるとともに基板を着脱自在に保持し得る進退可能
な基板保持部８２とを有している。
【００２６】ゲート弁５９を通って入口室５７内に導入
された基板は、仕切弁５８を通ってチャンバ５１内に搬
入される。チャンバ５１での成膜処理後、基板は仕切弁
５６を通ってチャンバ５２内に搬入され、所定の成膜処
理を受ける。
された基板は、仕切弁５８を通ってチャンバ５１内に搬
入される。チャンバ５１での成膜処理後、基板は仕切弁
５６を通ってチャンバ５２内に搬入され、所定の成膜処
理を受ける。
【００２７】ここで、チャンバ５２での処理後の基板を
排出する際には、基板受渡し機構８０を駆動してアーム
８１を旋回させ、基板保持部８２をチャンバ５２に対向
配置させる。そして、仕切弁６２を開いて基板保持部８
２をチャンバ５２内に進入させ、チャンバ５２内の基板
を基板保持部８２に保持させる。次に、基板保持部８２
を後退させるとともに仕切弁６２を閉じる。次に、アー
ム８１を旋回させて、基板が保持された基板保持部８２
を出口室６０に対向配置させる。そして、仕切弁６２を
開き、基板保持部８２を進退させることにより、基板保
持部８２側の基板を出口室６０内に搬入する。出口室６
０内に搬入された基板は、ゲート弁６１を通って装置外
部に排出される。
排出する際には、基板受渡し機構８０を駆動してアーム
８１を旋回させ、基板保持部８２をチャンバ５２に対向
配置させる。そして、仕切弁６２を開いて基板保持部８
２をチャンバ５２内に進入させ、チャンバ５２内の基板
を基板保持部８２に保持させる。次に、基板保持部８２
を後退させるとともに仕切弁６２を閉じる。次に、アー
ム８１を旋回させて、基板が保持された基板保持部８２
を出口室６０に対向配置させる。そして、仕切弁６２を
開き、基板保持部８２を進退させることにより、基板保
持部８２側の基板を出口室６０内に搬入する。出口室６
０内に搬入された基板は、ゲート弁６１を通って装置外
部に排出される。
【００２８】このように、成膜室５０の一部のチャンバ
を用いて成膜処理を行う際には、前記実施例と同様に、
成膜室５０の残りのチャンバ内を基板を搬送させなくて
済み、これにより基板搬送時間を短縮でき、生産性を向
上できる。なお、成膜室５０のうちのチャンバ５１，５
２，５３，５４を用いて成膜処理を行う場合においても
同様に基板搬送時間を短縮でき、生産性を向上できる。
を用いて成膜処理を行う際には、前記実施例と同様に、
成膜室５０の残りのチャンバ内を基板を搬送させなくて
済み、これにより基板搬送時間を短縮でき、生産性を向
上できる。なお、成膜室５０のうちのチャンバ５１，５
２，５３，５４を用いて成膜処理を行う場合においても
同様に基板搬送時間を短縮でき、生産性を向上できる。
【００２９】
【発明の効果】本発明に係る真空成膜装置では、連続し
て配置された複数の室から構成される成膜室と、これに
並設されたバイパス室と、バイパス通路とが設けられる
ので、基板搬送時間を短縮でき、生産性を向上できる。
て配置された複数の室から構成される成膜室と、これに
並設されたバイパス室と、バイパス通路とが設けられる
ので、基板搬送時間を短縮でき、生産性を向上できる。
【図１】本発明の一実施例としてのインライン式成膜装
置の平面概略図。
置の平面概略図。
【図２】本発明の他の実施例としてのマルチチャンバ式
成膜装置の平面概略図。
成膜装置の平面概略図。
【符号の説明】 １０，５０ 成膜室 ３０，７０ バイパス室 ３１，６２ 仕切弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 H01L 21/203 H01L 21/205
Claims (1)
- 【請求項１】基板に成膜処理を行う真空成膜装置であっ
て、 連続して配置された成膜処理を行うための複数の室から
構成され、隣り合う前記室は前記基板を出し入れ可能に
接続されている成膜室と、 前記成膜室に並設されたバイパス室と、 前記バイパス室と、前記成膜室の少なくとも中間の室と
の間に設けられ、これらの室の間で基板を搬送するため
のバイパス通路と、 を備えた真空成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21003691A JP3216154B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 真空成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21003691A JP3216154B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 真空成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536813A JPH0536813A (ja) | 1993-02-12 |
| JP3216154B2 true JP3216154B2 (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=16582749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21003691A Expired - Fee Related JP3216154B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 真空成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3216154B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4859485B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2012-01-25 | 三菱重工業株式会社 | 有機半導体製造装置 |
-
1991
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| JPH0536813A (ja) | 1993-02-12 |
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