JPS6362233A - 反応性イオンエツチング装置 - Google Patents
反応性イオンエツチング装置Info
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- JPS6362233A JPS6362233A JP61205854A JP20585486A JPS6362233A JP S6362233 A JPS6362233 A JP S6362233A JP 61205854 A JP61205854 A JP 61205854A JP 20585486 A JP20585486 A JP 20585486A JP S6362233 A JPS6362233 A JP S6362233A
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 39
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 12
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ウェハ搬送メカニズムを備え、半導体製造
に供用する反応性イオンエツチング装置に関するもので
ある。
に供用する反応性イオンエツチング装置に関するもので
ある。
第2図は例えば日立製作所カタログ[−2obA日立枚
葉式ドライエツチング袈置」に示された従来の反応性イ
オンエツチング装置を示し、図において、ウェハ(1)
はカセットL21(、?)に収容される。エツチング美
貌(100)と後部j中装置(20θ)は、反応槽(/
(7/)と(コ(7/)の電極構造は異るがウェハ搬送
メカニズムは同一としており、それぞれ搬入用ロードロ
ック室(102)(20コ)、搬出用ローベルト(/θ
6)(2θ6)、ステージ(/(177) (2o7)
。
葉式ドライエツチング袈置」に示された従来の反応性イ
オンエツチング装置を示し、図において、ウェハ(1)
はカセットL21(、?)に収容される。エツチング美
貌(100)と後部j中装置(20θ)は、反応槽(/
(7/)と(コ(7/)の電極構造は異るがウェハ搬送
メカニズムは同一としており、それぞれ搬入用ロードロ
ック室(102)(20コ)、搬出用ローベルト(/θ
6)(2θ6)、ステージ(/(177) (2o7)
。
ウェハ(1)の搬送アーム(10t) (10q )お
よび(20g )。
よび(20g )。
(20V)、ウェハ(1)の通過孔を形成するゲートシ
ャッタ(Ilo)〜(//コ)、(コio−コ//)予
備室(//J)(コへ7)等を備えている。
ャッタ(Ilo)〜(//コ)、(コio−コ//)予
備室(//J)(コへ7)等を備えている。
以上の構成により、エツチングに引き続いて後処理を行
う場合、ゲートシャッタ(Ilo)を開きロードロック
室(102)内のカセット(2)からウェハ(1)を搬
入用ベルト(1011)で予備室(//、?)に送り込
み、横送りベルト(7oz)でステージ(107)に送
り、図示は略したが必要な場合、ウェハ(1)のオリエ
ンテーションフラットの位賀合せを行った後、搬送アー
ム(108)で反応相(/θ/)に送る。
う場合、ゲートシャッタ(Ilo)を開きロードロック
室(102)内のカセット(2)からウェハ(1)を搬
入用ベルト(1011)で予備室(//、?)に送り込
み、横送りベルト(7oz)でステージ(107)に送
り、図示は略したが必要な場合、ウェハ(1)のオリエ
ンテーションフラットの位賀合せを行った後、搬送アー
ム(108)で反応相(/θ/)に送る。
エツチング完了後、搬送アーム(10y )でワエハ(
1)をステージ(10り)に戻し、ゲートシャッタ(/
/コ)を開いた後、横送りベルト(log)(二or)
でウエヒ(1)をステージ(2oq)へ送り、ゲートシ
ャッタ(//コ)を閉じた後、搬送アーム(コOg)で
ウェハ(1)を反応槽(コO/)へ送る。後処理完了後
、搬送アーム(−09)でステージ(207)VC7エ
ハ(1)を戻す、ゲートシャッタ(2//)を開いた後
、横送りベルト(205)および搬出ベルト(JA)テ
ウエハ(/′)を搬出用ロードロック室(コOJ)内の
カセット(3)に回収する。
1)をステージ(10り)に戻し、ゲートシャッタ(/
/コ)を開いた後、横送りベルト(log)(二or)
でウエヒ(1)をステージ(2oq)へ送り、ゲートシ
ャッタ(//コ)を閉じた後、搬送アーム(コOg)で
ウェハ(1)を反応槽(コO/)へ送る。後処理完了後
、搬送アーム(−09)でステージ(207)VC7エ
ハ(1)を戻す、ゲートシャッタ(2//)を開いた後
、横送りベルト(205)および搬出ベルト(JA)テ
ウエハ(/′)を搬出用ロードロック室(コOJ)内の
カセット(3)に回収する。
上記一連の動作の途中からコ枚目のウェハ(1)が動作
をスタートし、同様にしてエツチング、後処理を流す。
をスタートし、同様にしてエツチング、後処理を流す。
従来の反応性イオンエツチング装fR,は以上のように
構成されているため、エツチング装置も後処理装置も同
一メカニズムとすることができ装置の標準化が可能であ
り、個々の装置を単独でも連続でも使用できる利点があ
る。しかしながら、エツチングと後処理を必ず連続させ
て使用するプロセスに使用する場合はぜいたくな装置と
なるという問題点があった。
構成されているため、エツチング装置も後処理装置も同
一メカニズムとすることができ装置の標準化が可能であ
り、個々の装置を単独でも連続でも使用できる利点があ
る。しかしながら、エツチングと後処理を必ず連続させ
て使用するプロセスに使用する場合はぜいたくな装置と
なるという問題点があった。
この発明は上記の問題点を解消するためになされたもの
で、エツチングと後処理が連続に行える小形の反応性イ
オンエツチング装置を得ることを目的とする。
で、エツチングと後処理が連続に行える小形の反応性イ
オンエツチング装置を得ることを目的とする。
この発明に係る反応性イオンエツチング装置は、7つの
予備室内に反応槽を2組配置し、第1の反応槽、第2の
反応槽に対向して、第1のステージ、第一のステージを
備え、第1のステージと第1の反応槽間でウェハを搬送
する第1の搬送アーム、第1.第一のステージ、第1.
第一の反応槽間でウェハを搬送する第二の搬送アーム、
第二のステージと第一の反応槽間でウェハを搬送する第
3の搬送アームを配設したものである。
予備室内に反応槽を2組配置し、第1の反応槽、第2の
反応槽に対向して、第1のステージ、第一のステージを
備え、第1のステージと第1の反応槽間でウェハを搬送
する第1の搬送アーム、第1.第一のステージ、第1.
第一の反応槽間でウェハを搬送する第二の搬送アーム、
第二のステージと第一の反応槽間でウェハを搬送する第
3の搬送アームを配設したものである。
この発明圧おいては、第1の反応槽でエツチングした後
、第2の搬送アームでウェハを第2の反応槽に移し、後
処理を引き続き行うことが可能である。なお、第1〜第
3の搬送アームの作用により、第1と第2の反応槽を個
別に使用することも可能である。
、第2の搬送アームでウェハを第2の反応槽に移し、後
処理を引き続き行うことが可能である。なお、第1〜第
3の搬送アームの作用により、第1と第2の反応槽を個
別に使用することも可能である。
〔実施例]
第1図はこの発明の一実施例を示し、図におAて、後処
理付きエツチング装f(,7oo)は、エツチングを行
うための第1の反応槽(,7o /)、後処理を行うた
めの第2の反応槽(Jo2)、搬入側ロー )’ 0
ツク室(、?(7,7)、搬出側ロードロック室(,7
(7ダ)、第1の反応槽(Jo/)および第一の反応槽
(302)を同時に収納する予備室(,30!;)、搬
入用ベルト(Jo&)、搬出用ベルh (307)、搬
入用に使用し、必要に応じウェハ(1)のオリエンテー
ションフラット合せの機構を組み込んでいる第1のステ
ージ(3ot>、Wj出用に使用する第一のステージ(
309)、第1のステージ(tog)から第1の反応槽
(30/)にウェハ(1)を搬送する第1の搬送アーム
(310)、第1の反応槽(、? 0 / )から第一
の反応槽(302)にウェハ(1)を搬送する第一の搬
送アーム(、?//)、第一の反応槽(302)(3o
3)と予備室(3OS)の間を真空遮断するだめの第1
のゲートシャッタ(,7/、7) 、搬出用ロードロッ
ク室(joy)と予備室(、?θ&)の間を真空遮断す
るための第一のゲートシャッタ(3ハ・等を備えている
。
理付きエツチング装f(,7oo)は、エツチングを行
うための第1の反応槽(,7o /)、後処理を行うた
めの第2の反応槽(Jo2)、搬入側ロー )’ 0
ツク室(、?(7,7)、搬出側ロードロック室(,7
(7ダ)、第1の反応槽(Jo/)および第一の反応槽
(302)を同時に収納する予備室(,30!;)、搬
入用ベルト(Jo&)、搬出用ベルh (307)、搬
入用に使用し、必要に応じウェハ(1)のオリエンテー
ションフラット合せの機構を組み込んでいる第1のステ
ージ(3ot>、Wj出用に使用する第一のステージ(
309)、第1のステージ(tog)から第1の反応槽
(30/)にウェハ(1)を搬送する第1の搬送アーム
(310)、第1の反応槽(、? 0 / )から第一
の反応槽(302)にウェハ(1)を搬送する第一の搬
送アーム(、?//)、第一の反応槽(302)(3o
3)と予備室(3OS)の間を真空遮断するだめの第1
のゲートシャッタ(,7/、7) 、搬出用ロードロッ
ク室(joy)と予備室(、?θ&)の間を真空遮断す
るための第一のゲートシャッタ(3ハ・等を備えている
。
次に、作用について説明する。搬入用ロードロック室(
3o、y)を真空排気し、予備室(Jog)と同圧とな
った時点で第1のゲートシャッタ(,7/、7)を開放
し、搬入用ベルト(3o6)でカセット(2)からウェ
ハ(1)を7枚、第1のステージ(301)に搬送する
。次に第1の搬送アーム(、ylo)でウェハ(1)を
第1のステージ(3Ot)から第1の反応槽(、yo/
)に搬送し、エツチング処理を行う。エッチング完了後
、第一の搬送アーム(J//)で第1の反応槽(、?
0 / )から第二の反応槽(、? 02)ヘウエハ(
1)を搬送し後処理を行う。後処理完了後筒3の搬送ア
ーム(、V t 2)で第一の反応槽(30コ)から第
2のステージ(、?(79)ヘウエハ(1)を搬送する
、なお、前記の動作完了以前に搬出用ロードロック室(
、yOp)を真空排気し、予備室(30t)と同圧にし
た後筒−のゲートシャッタ(、? / q )を開放し
ておく。次に、搬出用ベルト(30り)で第2のステー
ジ(JO9)からカセット(3)ヘウエハ(/lを回収
する。
3o、y)を真空排気し、予備室(Jog)と同圧とな
った時点で第1のゲートシャッタ(,7/、7)を開放
し、搬入用ベルト(3o6)でカセット(2)からウェ
ハ(1)を7枚、第1のステージ(301)に搬送する
。次に第1の搬送アーム(、ylo)でウェハ(1)を
第1のステージ(3Ot)から第1の反応槽(、yo/
)に搬送し、エツチング処理を行う。エッチング完了後
、第一の搬送アーム(J//)で第1の反応槽(、?
0 / )から第二の反応槽(、? 02)ヘウエハ(
1)を搬送し後処理を行う。後処理完了後筒3の搬送ア
ーム(、V t 2)で第一の反応槽(30コ)から第
2のステージ(、?(79)ヘウエハ(1)を搬送する
、なお、前記の動作完了以前に搬出用ロードロック室(
、yOp)を真空排気し、予備室(30t)と同圧にし
た後筒−のゲートシャッタ(、? / q )を開放し
ておく。次に、搬出用ベルト(30り)で第2のステー
ジ(JO9)からカセット(3)ヘウエハ(/lを回収
する。
なお、複数枚のウェハ(1)を連続的に処理する場合は
、前のウェハ(1)を第1の反応槽(,7(7/)から
第一の反応槽(302)へ搬送するタイミングに合わせ
て、次のウェハ(/lを第1の反応槽へ送り込むように
すれば連続的に処理することができる。
、前のウェハ(1)を第1の反応槽(,7(7/)から
第一の反応槽(302)へ搬送するタイミングに合わせ
て、次のウェハ(/lを第1の反応槽へ送り込むように
すれば連続的に処理することができる。
また、第1の反応槽(、? 0 / )のみの処理でウ
ェハ(1)を搬出する場合は、第一の搬送アーム(,7
/ /)で第1の反応槽(30/)から第一のステージ
(,777?)ヘウエハ(1)を搬送することができる
。
ェハ(1)を搬出する場合は、第一の搬送アーム(,7
/ /)で第1の反応槽(30/)から第一のステージ
(,777?)ヘウエハ(1)を搬送することができる
。
さらに、第一の反応槽(30コ)のみの処理が必要な場
合は、第一の搬送アーム(310)で第1のステージ(
30t)から第2の反応槽(302)ヘウエハ(1)を
搬送することができる。
合は、第一の搬送アーム(310)で第1のステージ(
30t)から第2の反応槽(302)ヘウエハ(1)を
搬送することができる。
なお、上記実施例は反応性イオンエツチング装置につい
て説明したが、枚葉方式で2つの処理を連続して行う他
のプロセス装置(例えばCVD装置t)Kf適用できる
ことはいうまでもない。
て説明したが、枚葉方式で2つの処理を連続して行う他
のプロセス装置(例えばCVD装置t)Kf適用できる
ことはいうまでもない。
さら忙、上記実施例ではλつの反応槽を7つの予備室に
収納する例で説明しているが、反応槽が3つ以上になっ
てもこの発明の延長線上で構成できる。
収納する例で説明しているが、反応槽が3つ以上になっ
てもこの発明の延長線上で構成できる。
なお、上記実施例では搬入用および搬出用ロードロック
室とt$/および第一のステージ間のウェハ搬送はベル
ト搬送を使用しているがどのような搬送方式を使用して
もよい。
室とt$/および第一のステージ間のウェハ搬送はベル
ト搬送を使用しているがどのような搬送方式を使用して
もよい。
〔発明の効果]
以上、のように、この発明によれば2つの反応室を7つ
の予備室内圧収納し、3本の搬送アームでウェハを搬送
するようKしたため、処理能力が向上し、かつ、所要部
品が大幅に削減する結果、低廉化、省スペース化が達成
される効果がある。
の予備室内圧収納し、3本の搬送アームでウェハを搬送
するようKしたため、処理能力が向上し、かつ、所要部
品が大幅に削減する結果、低廉化、省スペース化が達成
される効果がある。
第1図はこの発明の一実施例の概略平面図、第2図は従
来の反応性イオンエツチング装置の概略平面図である。 (1)・・ウェハ、弁日巧ヰ(300)・・後処理付エ
ツチング装置、(3oi)・−第1の反応槽、(tO2
)・・第二の反応槽、(3or)・・予備室、(,70
g) −・k /のステージ、(、j09)、@第一の
ステージ、(310)・・第1の搬送アーム、(、?/
/)・−第一の搬送アーム、(、yy2) @拳第3の
搬送アーム、 なお、各図中、同一符号は同−筐たけ相当部分を示す。 第1図
来の反応性イオンエツチング装置の概略平面図である。 (1)・・ウェハ、弁日巧ヰ(300)・・後処理付エ
ツチング装置、(3oi)・−第1の反応槽、(tO2
)・・第二の反応槽、(3or)・・予備室、(,70
g) −・k /のステージ、(、j09)、@第一の
ステージ、(310)・・第1の搬送アーム、(、?/
/)・−第一の搬送アーム、(、yy2) @拳第3の
搬送アーム、 なお、各図中、同一符号は同−筐たけ相当部分を示す。 第1図
Claims (1)
- 単一の予備室内に配置されたエッチングを行う第1の反
応槽および後処理を行う第2の反応槽と、前記第1およ
び第2の反応槽に対向して配置されたウェハ搬入用の第
1のステージおよびウェハ搬出用の第2のステージと、
前記第1のステージと前記第1の反応槽間でウェハを搬
送する第1の搬送アームと、前記第1、第2のステージ
と前記第1、第2の反応槽間で前記ウェハを搬送する第
2の搬送アームと、前記第2のステージと前記第2の反
応槽間で前記ウェハを搬送する第3の搬送アームとを備
えてなる反応性イオンエッチング装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61205854A JPS6362233A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 反応性イオンエツチング装置 |
US07/259,395 US4927484A (en) | 1986-09-03 | 1988-10-18 | Reactive ion etching appartus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61205854A JPS6362233A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 反応性イオンエツチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6362233A true JPS6362233A (ja) | 1988-03-18 |
JPH0533529B2 JPH0533529B2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=16513810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61205854A Granted JPS6362233A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 反応性イオンエツチング装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4927484A (ja) |
JP (1) | JPS6362233A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01246941A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-02 | Aiphone Co Ltd | コンピュータ・データ通信制御方式 |
JPH0338051A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-19 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハのハンドリング方法及び装置 |
JP2004179660A (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Boc Group Inc:The | 半導体製造システム |
CN112275671A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-01-29 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种晶圆分选设备及晶圆分选方法 |
Families Citing this family (19)
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