JPH06105742B2 - 真空処理方法及び装置 - Google Patents
真空処理方法及び装置Info
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- JPH06105742B2 JPH06105742B2 JP58222004A JP22200483A JPH06105742B2 JP H06105742 B2 JPH06105742 B2 JP H06105742B2 JP 58222004 A JP58222004 A JP 58222004A JP 22200483 A JP22200483 A JP 22200483A JP H06105742 B2 JPH06105742 B2 JP H06105742B2
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- vacuum
- belt
- processing
- chamber
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/03—Pressure vessels, or vacuum vessels, having closure members or seals specially adapted therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
- H01J37/185—Means for transferring objects between different enclosures of different pressure or atmosphere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は真空処理方法及び装置に係り、特に、プラズマ
エッチング装置、反応性スパッタエッチング装置、マイ
クロ波エッチング装置で代表されるドライエッチング装
置やプラズマCVD装置、スパッタ装置等の半導体集積回
路素子の製造に好適な真空処理方法及び装置に関するも
のである。
エッチング装置、反応性スパッタエッチング装置、マイ
クロ波エッチング装置で代表されるドライエッチング装
置やプラズマCVD装置、スパッタ装置等の半導体集積回
路素子の製造に好適な真空処理方法及び装置に関するも
のである。
〔発明の背景〕 最近の半導体製造プロセス技術の進歩は著しく、ドライ
エッチング装置においても１μｍパターンを処理する機
種が現われ、注目を浴びている。このような微細化が進
むにつれ、基板は大口径化し、それに伴って半導体製造
装置の占有床面積あたりのスループット（時間あたりの
基板処理枚数）を向上させることおよび製造プロセス技
術の多様化に応えることが大きな課題となっている。こ
のような要求を解決するためには装置の小形化するとと
ともに、複数の真空処理室を用いて多目的処理を行うこ
とが必要で、しかも、プロセス変更やライン変更に対応
して真空処理室数を自由に変えてシステムが構成あるい
は編成できる真空処理モジュールが要求されるようにな
ってきた。これに対して、従来の、例えば、特開昭57−
128928号公報に開示されているような真空処理室と大気
中での基板搬送ラインを結合したモジュールを増設でき
るタイプでは清浄度の悪い大気中を経て基板が次の真空
処理室に搬送されるので、処理途中で次の真空処理室に
処理を引き継ぐようなプロセス工程への適用にはむかな
い。また、実開昭57−39430号公報に開示されているよ
うないくつかの真空処理室と一つのバッファ室との間を
基板が搬送されて連続的に処理されるようなタイプでは
真空処理室数が固定され、プロセス変更やライン変更に
対応して真空処理室数を変更したりする自由度がなく、
使用しずらいという問題点を有している。
エッチング装置においても１μｍパターンを処理する機
種が現われ、注目を浴びている。このような微細化が進
むにつれ、基板は大口径化し、それに伴って半導体製造
装置の占有床面積あたりのスループット（時間あたりの
基板処理枚数）を向上させることおよび製造プロセス技
術の多様化に応えることが大きな課題となっている。こ
のような要求を解決するためには装置の小形化するとと
ともに、複数の真空処理室を用いて多目的処理を行うこ
とが必要で、しかも、プロセス変更やライン変更に対応
して真空処理室数を自由に変えてシステムが構成あるい
は編成できる真空処理モジュールが要求されるようにな
ってきた。これに対して、従来の、例えば、特開昭57−
128928号公報に開示されているような真空処理室と大気
中での基板搬送ラインを結合したモジュールを増設でき
るタイプでは清浄度の悪い大気中を経て基板が次の真空
処理室に搬送されるので、処理途中で次の真空処理室に
処理を引き継ぐようなプロセス工程への適用にはむかな
い。また、実開昭57−39430号公報に開示されているよ
うないくつかの真空処理室と一つのバッファ室との間を
基板が搬送されて連続的に処理されるようなタイプでは
真空処理室数が固定され、プロセス変更やライン変更に
対応して真空処理室数を変更したりする自由度がなく、
使用しずらいという問題点を有している。
本発明の目的は、基板処理モードに合わせてプロセス変
更やライン変更に対応して自由にシステム構成あるいは
編成ができる真空処理方法及び装置を提供することにあ
る。
更やライン変更に対応して自由にシステム構成あるいは
編成ができる真空処理方法及び装置を提供することにあ
る。
本発明は、バッファ室と、基板処理モードに応じてバッ
ファ室の真空搬送空間を介して必要な室のみ連結された
真空処理室と、真空搬送空間に設けられ基板を一枚毎搬
送する搬送手段と、基板処理モードに応じて、基板を単
一に処理する場合は真空搬送空間を介して真空処理室の
それぞれへ基板を直接に搬送制御し、基板を連続的に処
理する場合は真空搬送空間を介して真空処理室間で基板
を搬送制御する制御手段とを具備した装置とし、基板処
理モードに応じてバッファ室の真空搬送空間を介して連
結した必要な真空処理室のみを用いて基板を一枚毎処理
する工程と、基板処理モードに応じて、基板を単一に処
理する場合は真空搬送空間を介して真空処理室のそれぞ
れへ基板を直後に搬送し、基板を連続的に処理する場合
は真空搬送空間を介して真空処理室間で基板を搬送する
工程とを有する方法とすることにより、基板処理モード
に合わせてプロセス変更やライン変更に対応して自由に
システム構成あるいは編成ができるようにしたものであ
る。
ファ室の真空搬送空間を介して必要な室のみ連結された
真空処理室と、真空搬送空間に設けられ基板を一枚毎搬
送する搬送手段と、基板処理モードに応じて、基板を単
一に処理する場合は真空搬送空間を介して真空処理室の
それぞれへ基板を直接に搬送制御し、基板を連続的に処
理する場合は真空搬送空間を介して真空処理室間で基板
を搬送制御する制御手段とを具備した装置とし、基板処
理モードに応じてバッファ室の真空搬送空間を介して連
結した必要な真空処理室のみを用いて基板を一枚毎処理
する工程と、基板処理モードに応じて、基板を単一に処
理する場合は真空搬送空間を介して真空処理室のそれぞ
れへ基板を直後に搬送し、基板を連続的に処理する場合
は真空搬送空間を介して真空処理室間で基板を搬送する
工程とを有する方法とすることにより、基板処理モード
に合わせてプロセス変更やライン変更に対応して自由に
システム構成あるいは編成ができるようにしたものであ
る。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第５図により説明す
る。
る。
第１図は、真空処理単位の最小の構成を示す装置の構成
図で、その構成は、この場合、真空排気可能なバッファ
室10と、バッファ室10に設けられた真空処理室20と、バ
ッファ室10の側壁に設けられたゲート弁等の第１の真空
開閉手段50,51を介して連通可能に設けられた真空予備
室60と、第１の真空開閉手段50,51とは異なるバッファ
室10の側壁、この場合、第１の真空開閉手段50,51が設
けられた側壁と直角をなした側壁に対向して設けられた
ゲート弁，仕切具等でなる一対の第２の真空開閉手段4
0,41と、対向した一対の第２の真空開閉手段40,41の間
で基板30を矢印Ａ方向に搬送可能にバッファ室10に内設
された第１の基板搬送手段（図示省略）と、第１の基板
搬送手段と真空予備室60との間で基板30を矢印B,C方向
に搬送可能に設けられた第２の基板搬送手段（図示省
略）と、第１の基板搬送手段の基板搬送路上で、かつ、
真空処理室20に対応して設けられた基板受渡手段（図示
省略）と、基板受渡手段と真空処理室20との間で基板30
を矢印Ｄ方向に搬送する第３の基板搬送手段（図示省
略）とから成る。なお、この場合、真空予備室60には、
基板カセット70,71を昇降駆動するカセット昇降装置
（図示省略）のカセットテーブル（図示省略）が昇降可
能に真空開閉手段50,51と対応して内設されている。第
１〜第３の基板搬送手段、基板受渡手段等を第２図で更
に詳細に説明する。
図で、その構成は、この場合、真空排気可能なバッファ
室10と、バッファ室10に設けられた真空処理室20と、バ
ッファ室10の側壁に設けられたゲート弁等の第１の真空
開閉手段50,51を介して連通可能に設けられた真空予備
室60と、第１の真空開閉手段50,51とは異なるバッファ
室10の側壁、この場合、第１の真空開閉手段50,51が設
けられた側壁と直角をなした側壁に対向して設けられた
ゲート弁，仕切具等でなる一対の第２の真空開閉手段4
0,41と、対向した一対の第２の真空開閉手段40,41の間
で基板30を矢印Ａ方向に搬送可能にバッファ室10に内設
された第１の基板搬送手段（図示省略）と、第１の基板
搬送手段と真空予備室60との間で基板30を矢印B,C方向
に搬送可能に設けられた第２の基板搬送手段（図示省
略）と、第１の基板搬送手段の基板搬送路上で、かつ、
真空処理室20に対応して設けられた基板受渡手段（図示
省略）と、基板受渡手段と真空処理室20との間で基板30
を矢印Ｄ方向に搬送する第３の基板搬送手段（図示省
略）とから成る。なお、この場合、真空予備室60には、
基板カセット70,71を昇降駆動するカセット昇降装置
（図示省略）のカセットテーブル（図示省略）が昇降可
能に真空開閉手段50,51と対応して内設されている。第
１〜第３の基板搬送手段、基板受渡手段等を第２図で更
に詳細に説明する。
第２図で、第１の基板搬送手段はベルト搬送装置80であ
り、ベルト搬送装置80は、その全体を昇降装置、例え
ば、シリンダ81で昇降駆動されると共に、モータ82でベ
ルト83を回転駆動される。第２の基板搬送手段は、真空
開閉手段50,51をはさんで真空予備室60に設けられたベ
ルト搬送装置90,100とバッファ室10に設けられたベルト
搬送装置110,120である。ベルト搬送装置90のプーリ91,
92とプーリ91,92に無端に巻掛けられたベルト93とは、
カセット昇降装置130のカセットテーブル131に対応し、
かつ、カセットテーブル131が最高位置まで上昇させら
れた時点でもその上方に位置するように配設されてい
る。ベルト93はモータ94で回転駆動される。ベルト搬送
装置110はモータ111でベルト112を回転駆動され、ベル
ト搬送装置110のベルト搬送装置80側端部は、ベルト搬
送装置80のベルト83の一方の昇降動を阻害しないよう
に、この場合、Ｖ字形に折曲され最終端のプーリ113
は、ベルト搬送装置80のベルト83間に位置するように設
けられている。なお、ベルト搬送装置90のベルト93とベ
ルト搬送装置110のベルト112とは同一レベルであり、ベ
ルト搬送装置90とベルト搬送装置110との真空開閉手段5
0側端の間隔は、基板30の受渡しに支障のない大きさと
なっている。ベルト搬送装置100のプーリ101,102とプー
リ101,102に無端に巻掛けられたベルト103とは、ベルト
搬送装置90と同様に配設され、ベルト103はモータ104で
回動駆動される。ベルト搬送装置120はモータ121でベル
ト122を回転駆動され、ベルト搬送装置120のベルト搬送
装置80側端部は、ベルト搬送装置110の場合と同様にベ
ルト搬送装置80のベルト83の一方の昇降動を阻害しない
ようにＶ字形に折曲され最終端のプーリ123は、ベルト
搬送装置80のベルト83間に位置するように設けられてい
る。なお、ベルト搬送装置100のベルト103とベルト搬送
装置120のベルト122とは同一レベルであり、ベルト搬送
装置100とベルト搬送装置120との真空開閉手段51側端の
間隔は、基板30の受渡しに支障のない大きさとなってい
る。また、ベルト搬送装置110のプーリ113とプーリ113
に対応するプーリ114との間隔は、基板30の落下を防止
して良好に受渡し可能な大きさであり、ベルト搬送装置
120のプーリ123に対応するプーリ124との間隔も同様の
大きさである。なお、ベルト搬送装置80は、ベルト83の
レベルがベルト搬送装置110,120のベルト112,122のレベ
ル以下並びに以上になるように昇降駆動される。基板受
渡手段140は、ベルト搬送装置80のベルト83間の寸法よ
り小さい基板テーブル141と昇降装置、例えば、シリン
ダ142とで構成されている。基板テーブル141は真空処理
室20と対応する位置で、この場合は、ベルト搬送装置11
0,120の間の位置で、ベルト搬送装置80のベルト83間を
通過しシリンダ142で昇降可能に設けられている。第３
の基板搬送手段は、アーム搬送装置150,160である。ア
ーム搬送装置150は、基板すくい具151とアーム152と回
動装置、例えば、パルスモータ153とで構成されてい
る。パルスモータ153は、ベルト搬送装置80と真空処理
室20との間で、かつ、基板受渡手段140の基板テーブル1
41の中心と真空処理室20の基板電極21の中心とを結ぶ線
の一方の側（第２図では左側）に設けられ、パルスモー
タ153には、アーム152の一端が設けられている。アーム
152の他端には基板すくい具151が設けられている。ま
た、アーム搬送装置160は、基板すくい具161とアーム16
2と回動装置、例えば、パルスモータ163とで構成されて
いる。パルスモータ163は、ベルト搬送装置80と真空処
理室20との間で、かつ、基板受渡手段140の基板テーブ
ル141の中心と真空処理室20の基板電極21の中心とを結
ぶ線の他方の側（第２図では右側）に設けられ、パルス
モータ163には、アーム162の一端が設けられている。ア
ーム162の他端には、基板すくい具161が設けられてい
る。この場合、基板すくい具151,161,アーム152,162の
寸法は、基板テーブル141並びに基板電極21に基板30が
載置されている場合、この基板30を基板すくい具151,16
1ですくい可能な寸法である。また、アーム152,162は、
基板すくい具151,161で基板30を基板テーブル141と基板
電極21との間で搬送可能にパルスモータ153,163でそれ
ぞれ部分回動される。なお、この場合、アーム152,162
の動作平面はアーム152が上面、アーム162で下面と異な
り、例えば、アーム搬送装置150で基板30を基板テーブ
ル141から基板電極21へ搬送する際に、アーム搬送装置1
60で基板30を基板電極21から基板テーブル141へ搬送す
るのを阻害しないようになっている。カセット昇降装置
130は、カセットテーブル131と、カセットテーブル131
に垂設され下端部にネジが形成された昇降ロッド132
と、モータ133で回動駆動される歯車134と、歯車134と
噛合し設けられると共に昇降ロッド132の下端部が螺合
された歯車135とで構成されている。基板電極21は、ラ
ック・ピニオン機構22を介しモータ23の回動により昇降
駆動される。また、基板電極21の中心部には、基板支持
用の爪24が昇降装置、例えば、シリンダ25で昇降可能に
設けられている。爪24は、その表面が基板電極21の表面
以下になる位置と、アーム搬送装置150,160の基板すく
い具151,161と基板30を受渡し可能な位置との間で昇降
駆動される。
り、ベルト搬送装置80は、その全体を昇降装置、例え
ば、シリンダ81で昇降駆動されると共に、モータ82でベ
ルト83を回転駆動される。第２の基板搬送手段は、真空
開閉手段50,51をはさんで真空予備室60に設けられたベ
ルト搬送装置90,100とバッファ室10に設けられたベルト
搬送装置110,120である。ベルト搬送装置90のプーリ91,
92とプーリ91,92に無端に巻掛けられたベルト93とは、
カセット昇降装置130のカセットテーブル131に対応し、
かつ、カセットテーブル131が最高位置まで上昇させら
れた時点でもその上方に位置するように配設されてい
る。ベルト93はモータ94で回転駆動される。ベルト搬送
装置110はモータ111でベルト112を回転駆動され、ベル
ト搬送装置110のベルト搬送装置80側端部は、ベルト搬
送装置80のベルト83の一方の昇降動を阻害しないよう
に、この場合、Ｖ字形に折曲され最終端のプーリ113
は、ベルト搬送装置80のベルト83間に位置するように設
けられている。なお、ベルト搬送装置90のベルト93とベ
ルト搬送装置110のベルト112とは同一レベルであり、ベ
ルト搬送装置90とベルト搬送装置110との真空開閉手段5
0側端の間隔は、基板30の受渡しに支障のない大きさと
なっている。ベルト搬送装置100のプーリ101,102とプー
リ101,102に無端に巻掛けられたベルト103とは、ベルト
搬送装置90と同様に配設され、ベルト103はモータ104で
回動駆動される。ベルト搬送装置120はモータ121でベル
ト122を回転駆動され、ベルト搬送装置120のベルト搬送
装置80側端部は、ベルト搬送装置110の場合と同様にベ
ルト搬送装置80のベルト83の一方の昇降動を阻害しない
ようにＶ字形に折曲され最終端のプーリ123は、ベルト
搬送装置80のベルト83間に位置するように設けられてい
る。なお、ベルト搬送装置100のベルト103とベルト搬送
装置120のベルト122とは同一レベルであり、ベルト搬送
装置100とベルト搬送装置120との真空開閉手段51側端の
間隔は、基板30の受渡しに支障のない大きさとなってい
る。また、ベルト搬送装置110のプーリ113とプーリ113
に対応するプーリ114との間隔は、基板30の落下を防止
して良好に受渡し可能な大きさであり、ベルト搬送装置
120のプーリ123に対応するプーリ124との間隔も同様の
大きさである。なお、ベルト搬送装置80は、ベルト83の
レベルがベルト搬送装置110,120のベルト112,122のレベ
ル以下並びに以上になるように昇降駆動される。基板受
渡手段140は、ベルト搬送装置80のベルト83間の寸法よ
り小さい基板テーブル141と昇降装置、例えば、シリン
ダ142とで構成されている。基板テーブル141は真空処理
室20と対応する位置で、この場合は、ベルト搬送装置11
0,120の間の位置で、ベルト搬送装置80のベルト83間を
通過しシリンダ142で昇降可能に設けられている。第３
の基板搬送手段は、アーム搬送装置150,160である。ア
ーム搬送装置150は、基板すくい具151とアーム152と回
動装置、例えば、パルスモータ153とで構成されてい
る。パルスモータ153は、ベルト搬送装置80と真空処理
室20との間で、かつ、基板受渡手段140の基板テーブル1
41の中心と真空処理室20の基板電極21の中心とを結ぶ線
の一方の側（第２図では左側）に設けられ、パルスモー
タ153には、アーム152の一端が設けられている。アーム
152の他端には基板すくい具151が設けられている。ま
た、アーム搬送装置160は、基板すくい具161とアーム16
2と回動装置、例えば、パルスモータ163とで構成されて
いる。パルスモータ163は、ベルト搬送装置80と真空処
理室20との間で、かつ、基板受渡手段140の基板テーブ
ル141の中心と真空処理室20の基板電極21の中心とを結
ぶ線の他方の側（第２図では右側）に設けられ、パルス
モータ163には、アーム162の一端が設けられている。ア
ーム162の他端には、基板すくい具161が設けられてい
る。この場合、基板すくい具151,161,アーム152,162の
寸法は、基板テーブル141並びに基板電極21に基板30が
載置されている場合、この基板30を基板すくい具151,16
1ですくい可能な寸法である。また、アーム152,162は、
基板すくい具151,161で基板30を基板テーブル141と基板
電極21との間で搬送可能にパルスモータ153,163でそれ
ぞれ部分回動される。なお、この場合、アーム152,162
の動作平面はアーム152が上面、アーム162で下面と異な
り、例えば、アーム搬送装置150で基板30を基板テーブ
ル141から基板電極21へ搬送する際に、アーム搬送装置1
60で基板30を基板電極21から基板テーブル141へ搬送す
るのを阻害しないようになっている。カセット昇降装置
130は、カセットテーブル131と、カセットテーブル131
に垂設され下端部にネジが形成された昇降ロッド132
と、モータ133で回動駆動される歯車134と、歯車134と
噛合し設けられると共に昇降ロッド132の下端部が螺合
された歯車135とで構成されている。基板電極21は、ラ
ック・ピニオン機構22を介しモータ23の回動により昇降
駆動される。また、基板電極21の中心部には、基板支持
用の爪24が昇降装置、例えば、シリンダ25で昇降可能に
設けられている。爪24は、その表面が基板電極21の表面
以下になる位置と、アーム搬送装置150,160の基板すく
い具151,161と基板30を受渡し可能な位置との間で昇降
駆動される。
第１図，第２図で示された真空処理単位の最小の構成で
は、次のような基板処理を行うことができる。
は、次のような基板処理を行うことができる。
まず、真空開閉手段50に対応するカセットテーブル131
は、最上部に上昇させられ、真空開閉手段51に対応する
カセットテーブル（図示省略）は最下部に下降させられ
る。真空開閉手段50,51が、例えば、シリンダ52,53の駆
動により閉止されバッファ室10と真空予備室60との連通
は気密に遮断されると共に、真空開閉手段40,41が閉止
又は仕切られてバッファ室10と外部との連通も気密に遮
断される。この状態でバッファ室10は真空排気装置（図
示省略）を作動させることで所定圧力に減圧排気され
る。一方、真空予備室60には、外部が大気側である場合
は、真空予備室60に設けられた扉等の大気真空開閉手段
（図示省略）を開放することで所定枚数の基板30が装填
された基板カセット（以下、供給カセットと略）70と基
板回収用の空の基板カセット（以下、回収カセットと
略）71とが搬入されて、供給カセット70は真空開閉手段
50に対応するカセットテーブル131に、回収カセット71
は真空開閉手段51に対応するカセットテーブルにそれぞ
れ載置される。その後、大気真空開閉手段は閉止され真
空予備室60は、真空排気装置（図示省略）でバッファ室
10の圧力と同程度の圧力まで減圧排気される。その後、
シリンダ52の駆動により真空開閉手段50が開放され、こ
れによりバッファ室10と真空予備室60とは連通状態とな
る。この状態下で、モータ133を駆動しカセットテーブ
ル131を１ピッチ分下降させることで供給カセット70
の、この場合、最下部に装填された基板30はベルト93に
載置される。その後、モータ94によりベルト93を回転駆
動することで載置された基板30は他の真空開閉手段50側
へ搬送され、モータ111により回転駆動されているベル
ト112に真空開閉手段50を介して渡される。ベルト112に
渡された基板30はベルト搬送装置80側へ搬送される。な
お、このときベルト83のレベルがベルト112のレベル以
下となるようにベルト搬送装置80全体はシリンダ81によ
り降下させられている。その後、基板30がプーリ113,11
4にかかる程度に搬送されてきた時点でベルト83のレベ
ルがベルト112のレベル以上となるようにベルト搬送装
置80全体はシリンダ81により上昇させられ、これにより
基板30はベルト112からベルト83へ渡される。ベルト83
に渡された基板30は、モータ82の駆動により基板テーブ
ル141に対応する位置まで搬送された後に、基板テーブ
ル141をシリンダ142で上昇させることで基板テーブル14
1に受取られる。基板テーブル141に受取られた基板30
は、この場合、オリフラを合わせ装置170でオリフラを
合わされ、その後、基板30は、基板のせ具151に渡され
アーム152をパルスモータ153で真空処理室20側へ回転駆
動することで、バッファ室10を経て真空処理室20の基板
電極21の上方へ搬送される。その後、爪24をシリンダ25
で上昇させることで、基板のせ具151の基板30は、爪24
に受取られる。その後、基板30を爪24に渡した基板のせ
具151は、真空処理室20外のバッファ室10に退避させら
れる。その後、爪24を、その表面が基板電極21の表面以
下となるようにシリンダ25で下降させることで、基板30
は爪24から基板電極21に渡されて載置される。その後、
仕切り用のフランジ180と、フランジ180の裏面とバッフ
ァ室10の底壁とに跨設されたベローズ181と、フランジ1
80を昇降駆動する昇降装置、例えば、シリンダ182とで
構成される仕切り手段183によりバッファ室10と真空処
理室20とは仕切られる。この状態で、まず、基板電極21
と、基板電極21の上方に対向して真空処理室20に設けら
れた対向電極（図示省略）との電極間隔は、モータ23を
駆動することにより適正間隔に調節される。その後、真
空処理室20には、流量を調節されてプロセスガスが導入
されると共に、真空排気装置（図示省略）の駆動により
真空処理室20の圧力は処理圧力に調整される。その後、
例えば、基板電極21に接続された電源、例えば、高周波
電源（図示省略）より基板電極21に高周波電力を印加す
ることで、対向電極と基板電極21との間には、グロー放
電が生じ、該放電によりプロセスガスはプラズマ化され
る。このプラズマにより基板電極21に載置された基板30
は、エッチング処理等所定処理される。この間、供給カ
セット70からは、上記した操作により基板30が取り出さ
れベルト搬送装置110,80で搬送されて基板テーブル141
に渡されオリフラが合わされた後に基板のせ具151に渡
される。真空処理室20での処理が終了した後に仕切り手
段183によるバッファ室10と真空処理室20の仕切りは解
除され、真空処理室20はバッファ室10と再び連通させら
れる。その後、基板電極21は、所定位置まで降下させら
れ、爪24をシリンダ25で上昇させることで、処理済みの
基板30は、基板電極21から除去され爪24に渡される。そ
の後、基板のせ具161を爪24に渡された基板30の裏面に
対応する位置まで回転させた後に、爪24をシリンダ25で
下降させることで、処理済みの基板30は基板のせ具161
に渡される。その後、基板のせ具151に渡された基板30
は、基板テーブル141から基板電極21へ、また、基板の
せ具161に渡された処理済みの基板30は基板電極21から
基板テーブル141へそれぞれ搬送される。基板電極21へ
搬送された基板30は、上記した操作により所定処理され
る。この間、基板テーブル141に搬送された処理済みの
基板30は、基板テーブル141をシリンダ142で下降させる
ことでベルト搬送装置80のベルト83に渡され、その後、
ベルト83,122のモータ82,121による回転駆動で真空開閉
手段51側へ搬送される。なお、ベルト83からベルト122
への処理済みの基板30の受渡しは、ベルト112からベル
ト83への基板30の受渡しと逆操作により行われる。シリ
ンダ53の駆動により真空開閉手段51が開放され、モータ
104によりベルト103を回転駆動することで、真空開閉手
段51側へ搬送されてきた処理済みの基板30は真空開閉手
段51を介して真空予備室60に搬入され、その後、カセッ
トテーブルを１ピッチ分上昇させることで回収カセット
71に回収される。また、供給カセット70からは上記した
操作により基板30が取り出されベルト搬送装置110,80で
搬送されて基板テーブル141に渡されオリフラが合わさ
れた後に基板のせ具151に渡される。
は、最上部に上昇させられ、真空開閉手段51に対応する
カセットテーブル（図示省略）は最下部に下降させられ
る。真空開閉手段50,51が、例えば、シリンダ52,53の駆
動により閉止されバッファ室10と真空予備室60との連通
は気密に遮断されると共に、真空開閉手段40,41が閉止
又は仕切られてバッファ室10と外部との連通も気密に遮
断される。この状態でバッファ室10は真空排気装置（図
示省略）を作動させることで所定圧力に減圧排気され
る。一方、真空予備室60には、外部が大気側である場合
は、真空予備室60に設けられた扉等の大気真空開閉手段
（図示省略）を開放することで所定枚数の基板30が装填
された基板カセット（以下、供給カセットと略）70と基
板回収用の空の基板カセット（以下、回収カセットと
略）71とが搬入されて、供給カセット70は真空開閉手段
50に対応するカセットテーブル131に、回収カセット71
は真空開閉手段51に対応するカセットテーブルにそれぞ
れ載置される。その後、大気真空開閉手段は閉止され真
空予備室60は、真空排気装置（図示省略）でバッファ室
10の圧力と同程度の圧力まで減圧排気される。その後、
シリンダ52の駆動により真空開閉手段50が開放され、こ
れによりバッファ室10と真空予備室60とは連通状態とな
る。この状態下で、モータ133を駆動しカセットテーブ
ル131を１ピッチ分下降させることで供給カセット70
の、この場合、最下部に装填された基板30はベルト93に
載置される。その後、モータ94によりベルト93を回転駆
動することで載置された基板30は他の真空開閉手段50側
へ搬送され、モータ111により回転駆動されているベル
ト112に真空開閉手段50を介して渡される。ベルト112に
渡された基板30はベルト搬送装置80側へ搬送される。な
お、このときベルト83のレベルがベルト112のレベル以
下となるようにベルト搬送装置80全体はシリンダ81によ
り降下させられている。その後、基板30がプーリ113,11
4にかかる程度に搬送されてきた時点でベルト83のレベ
ルがベルト112のレベル以上となるようにベルト搬送装
置80全体はシリンダ81により上昇させられ、これにより
基板30はベルト112からベルト83へ渡される。ベルト83
に渡された基板30は、モータ82の駆動により基板テーブ
ル141に対応する位置まで搬送された後に、基板テーブ
ル141をシリンダ142で上昇させることで基板テーブル14
1に受取られる。基板テーブル141に受取られた基板30
は、この場合、オリフラを合わせ装置170でオリフラを
合わされ、その後、基板30は、基板のせ具151に渡され
アーム152をパルスモータ153で真空処理室20側へ回転駆
動することで、バッファ室10を経て真空処理室20の基板
電極21の上方へ搬送される。その後、爪24をシリンダ25
で上昇させることで、基板のせ具151の基板30は、爪24
に受取られる。その後、基板30を爪24に渡した基板のせ
具151は、真空処理室20外のバッファ室10に退避させら
れる。その後、爪24を、その表面が基板電極21の表面以
下となるようにシリンダ25で下降させることで、基板30
は爪24から基板電極21に渡されて載置される。その後、
仕切り用のフランジ180と、フランジ180の裏面とバッフ
ァ室10の底壁とに跨設されたベローズ181と、フランジ1
80を昇降駆動する昇降装置、例えば、シリンダ182とで
構成される仕切り手段183によりバッファ室10と真空処
理室20とは仕切られる。この状態で、まず、基板電極21
と、基板電極21の上方に対向して真空処理室20に設けら
れた対向電極（図示省略）との電極間隔は、モータ23を
駆動することにより適正間隔に調節される。その後、真
空処理室20には、流量を調節されてプロセスガスが導入
されると共に、真空排気装置（図示省略）の駆動により
真空処理室20の圧力は処理圧力に調整される。その後、
例えば、基板電極21に接続された電源、例えば、高周波
電源（図示省略）より基板電極21に高周波電力を印加す
ることで、対向電極と基板電極21との間には、グロー放
電が生じ、該放電によりプロセスガスはプラズマ化され
る。このプラズマにより基板電極21に載置された基板30
は、エッチング処理等所定処理される。この間、供給カ
セット70からは、上記した操作により基板30が取り出さ
れベルト搬送装置110,80で搬送されて基板テーブル141
に渡されオリフラが合わされた後に基板のせ具151に渡
される。真空処理室20での処理が終了した後に仕切り手
段183によるバッファ室10と真空処理室20の仕切りは解
除され、真空処理室20はバッファ室10と再び連通させら
れる。その後、基板電極21は、所定位置まで降下させら
れ、爪24をシリンダ25で上昇させることで、処理済みの
基板30は、基板電極21から除去され爪24に渡される。そ
の後、基板のせ具161を爪24に渡された基板30の裏面に
対応する位置まで回転させた後に、爪24をシリンダ25で
下降させることで、処理済みの基板30は基板のせ具161
に渡される。その後、基板のせ具151に渡された基板30
は、基板テーブル141から基板電極21へ、また、基板の
せ具161に渡された処理済みの基板30は基板電極21から
基板テーブル141へそれぞれ搬送される。基板電極21へ
搬送された基板30は、上記した操作により所定処理され
る。この間、基板テーブル141に搬送された処理済みの
基板30は、基板テーブル141をシリンダ142で下降させる
ことでベルト搬送装置80のベルト83に渡され、その後、
ベルト83,122のモータ82,121による回転駆動で真空開閉
手段51側へ搬送される。なお、ベルト83からベルト122
への処理済みの基板30の受渡しは、ベルト112からベル
ト83への基板30の受渡しと逆操作により行われる。シリ
ンダ53の駆動により真空開閉手段51が開放され、モータ
104によりベルト103を回転駆動することで、真空開閉手
段51側へ搬送されてきた処理済みの基板30は真空開閉手
段51を介して真空予備室60に搬入され、その後、カセッ
トテーブルを１ピッチ分上昇させることで回収カセット
71に回収される。また、供給カセット70からは上記した
操作により基板30が取り出されベルト搬送装置110,80で
搬送されて基板テーブル141に渡されオリフラが合わさ
れた後に基板のせ具151に渡される。
以上のような操作を繰り返し実施することで、供給カセ
ット70からは基板30が１枚毎取り出され、真空予備室60
からバッファ室10を経て真空処理室20に搬送され、真空
処理室20で１枚毎処理され、処理済みの基板30は、真空
処理室20からバッファ室10を経て真空予備室60に搬送さ
れて１枚毎回収カセット71に回収される。
ット70からは基板30が１枚毎取り出され、真空予備室60
からバッファ室10を経て真空処理室20に搬送され、真空
処理室20で１枚毎処理され、処理済みの基板30は、真空
処理室20からバッファ室10を経て真空予備室60に搬送さ
れて１枚毎回収カセット71に回収される。
以上説明した真空処理単位の最小の構成では、第２の基
板搬送手段と第３の基板搬送手段とを平行にし、真空処
理装置の前面横幅を小さくすることができるので、真空
処理単位の最小の構成を１モジュールとして多モジュー
ル構成を容易に実施できる。
板搬送手段と第３の基板搬送手段とを平行にし、真空処
理装置の前面横幅を小さくすることができるので、真空
処理単位の最小の構成を１モジュールとして多モジュー
ル構成を容易に実施できる。
第３図は、第１図，第２図で示される真空処理単位の最
小の構成を１モジュールとして真空開閉手段40,41を介
して２モジュール連設し、真空処理装置を構成た場合の
例を示すものである。なお、第３図での構成部品は、第
２図のそれと全て同一であり、したがって、構成，作用
等の説明は省略する。第３図で示される真空処理装置で
は、第４図（ａ）〜第４図（ｃ）に示すような基板処理
モードに対応した基板処理を行うことができる。
小の構成を１モジュールとして真空開閉手段40,41を介
して２モジュール連設し、真空処理装置を構成た場合の
例を示すものである。なお、第３図での構成部品は、第
２図のそれと全て同一であり、したがって、構成，作用
等の説明は省略する。第３図で示される真空処理装置で
は、第４図（ａ）〜第４図（ｃ）に示すような基板処理
モードに対応した基板処理を行うことができる。
すなわち、第４図（ａ）に示すように基板30を連設され
た２モジュールから成る真空処理装置の二つの真空処理
室20でシリーズ処理することも、第４図（ｂ）に示すよ
うに、基板30を連設された２モジュールから成る真空処
理装置の二つの真空処理室20でパラレル処理すること
も、第４図（ｃ）に示すように、基板30を、連設された
２モジュールから成る真空処理装置の真空処理室20毎で
パラレル処理することもできる。なお、このような第４
図（ａ），（ｂ）に示される基板処理モードの場合は、
前段の処理モジュールの真空予備室60に供給カセット
（図示省略）を少なくとも１個セットし、後段の処理モ
ジュールの真空予備室60に回収カセット（図示省略）を
少なくとも１個セットするようにする。また、第４図
（ｃ）に示される基板処理モードの場合は、各真空処理
装置の真空予備室60に供給カセット（図示省略），回収
カセット（図示省略）を各１個セットするようにする。
た２モジュールから成る真空処理装置の二つの真空処理
室20でシリーズ処理することも、第４図（ｂ）に示すよ
うに、基板30を連設された２モジュールから成る真空処
理装置の二つの真空処理室20でパラレル処理すること
も、第４図（ｃ）に示すように、基板30を、連設された
２モジュールから成る真空処理装置の真空処理室20毎で
パラレル処理することもできる。なお、このような第４
図（ａ），（ｂ）に示される基板処理モードの場合は、
前段の処理モジュールの真空予備室60に供給カセット
（図示省略）を少なくとも１個セットし、後段の処理モ
ジュールの真空予備室60に回収カセット（図示省略）を
少なくとも１個セットするようにする。また、第４図
（ｃ）に示される基板処理モードの場合は、各真空処理
装置の真空予備室60に供給カセット（図示省略），回収
カセット（図示省略）を各１個セットするようにする。
さらに、真空開閉手段40,41を介して３モジュール以上
連設した場合は、第４図に示すような基板処理モードに
加えて第５図（ａ），第５図（ｂ）に示すような基板処
理モードを実施することができる。なお、第５図
（ａ），第５図（ｂ）は、３モジュール連設した場合を
示す。
連設した場合は、第４図に示すような基板処理モードに
加えて第５図（ａ），第５図（ｂ）に示すような基板処
理モードを実施することができる。なお、第５図
（ａ），第５図（ｂ）は、３モジュール連設した場合を
示す。
すなわち、第５図（ａ）に示すように、基板30を連設し
た３モジュールから成る真空処理装置の前段の真空処理
室30と、この場合は、中段の真空処理室20とで、まず、
パラレル処理し、引き続き後段の真空処理室20でシリー
ズ処理することも、第５図（ｂ）に示すように、基板30
を連設された３モジュールから成る真空処理装置の前段
の真空処理室20で処理し、中段と後段の真空処理室20で
パラレル処理することもできる。なお、このような基板
処理モードの場合は、前段の真空予備室60に供給カセッ
ト（図示省略）を２個セットし、後段の真空予備室60に
回収カセット（図示省略）を２個セットするようにす
る。また、各真空処理室20で基板30をシリーズ処理する
場合は、前段の真空予備室60に供給カセットを１個セッ
トし、後段の真空予備室60に回収カセットを１個セット
するようにする。また、各真空処理室20で基板30をパラ
レル処理する場合は、前段の真空予備室60に供給カセッ
トを少なくとも１個カセットし、後段の真空予備室60に
回収カセットを少なくとも１個セットするようにする。
以上のような場合は、中段の真空処理モジュールに設け
られた真空予備室，第１の真空開閉手段を不要にでき
る。また、各真空処理モジュールを独立させそれぞれの
真空処理室で基板をパラレル処理する場合は、各真空処
理モジュールの真空予備室に供給カセットと回収カセッ
トとを各１個セットするようにする。
た３モジュールから成る真空処理装置の前段の真空処理
室30と、この場合は、中段の真空処理室20とで、まず、
パラレル処理し、引き続き後段の真空処理室20でシリー
ズ処理することも、第５図（ｂ）に示すように、基板30
を連設された３モジュールから成る真空処理装置の前段
の真空処理室20で処理し、中段と後段の真空処理室20で
パラレル処理することもできる。なお、このような基板
処理モードの場合は、前段の真空予備室60に供給カセッ
ト（図示省略）を２個セットし、後段の真空予備室60に
回収カセット（図示省略）を２個セットするようにす
る。また、各真空処理室20で基板30をシリーズ処理する
場合は、前段の真空予備室60に供給カセットを１個セッ
トし、後段の真空予備室60に回収カセットを１個セット
するようにする。また、各真空処理室20で基板30をパラ
レル処理する場合は、前段の真空予備室60に供給カセッ
トを少なくとも１個カセットし、後段の真空予備室60に
回収カセットを少なくとも１個セットするようにする。
以上のような場合は、中段の真空処理モジュールに設け
られた真空予備室，第１の真空開閉手段を不要にでき
る。また、各真空処理モジュールを独立させそれぞれの
真空処理室で基板をパラレル処理する場合は、各真空処
理モジュールの真空予備室に供給カセットと回収カセッ
トとを各１個セットするようにする。
本実施例のような真空処理装置では、次のような効果が
得られる。
得られる。
（１）プロセス変更やライン変更に対して自由にシステ
ム構成あるいは編成ができる。
ム構成あるいは編成ができる。
（２）基板は真空排気されているバッファ室を経て次の
真空処理室に搬送されるため、処理途中で次の真空処理
室へ処理を引き継ぐようなプロセス工程にも問題なく適
用できる。
真空処理室に搬送されるため、処理途中で次の真空処理
室へ処理を引き継ぐようなプロセス工程にも問題なく適
用できる。
（３）多モジュールによるシリーズ処理あるいはパラレ
ル処理が可能となるため、真空処理装置の小型化と合わ
せ床面積当たりのスループットを向上させることができ
る。
ル処理が可能となるため、真空処理装置の小型化と合わ
せ床面積当たりのスループットを向上させることができ
る。
なお、真空処理装置の奥行寸法を小さくして、しかも他
の装置との連続一貫処理を目指す場合は、第６図に示す
ように、真空予備室60′、を例えば、真空開閉手段40を
介してバッファ室10に具設すると共に、矢印Ａ方向に基
板30を搬送する第１の基板搬送手段であるベルト搬送装
置（図示省略）との間で真空開閉手段40を介して矢印Ｅ
方向に基板30を受渡し可能に第２の基板搬送手段である
ベルト搬送装置（図示省略）を真空予備室60′に設ける
ようにする。この場合、他の真空開閉手段は不用であ
る。
の装置との連続一貫処理を目指す場合は、第６図に示す
ように、真空予備室60′、を例えば、真空開閉手段40を
介してバッファ室10に具設すると共に、矢印Ａ方向に基
板30を搬送する第１の基板搬送手段であるベルト搬送装
置（図示省略）との間で真空開閉手段40を介して矢印Ｅ
方向に基板30を受渡し可能に第２の基板搬送手段である
ベルト搬送装置（図示省略）を真空予備室60′に設ける
ようにする。この場合、他の真空開閉手段は不用であ
る。
以上、説明した実施例では、真空予備室を供給カセッ
ト，回収カセットが外部より搬入されてセットされるよ
うな真空予備室としているが、特に、このような真空予
備室に限定する必要はない。例えば、供給カセット，回
収カセットを真空予備室に固定してセットし、供給カセ
ットに外部から所定枚数基板を装填すると共に、回収カ
セットに回収された基板を回収カセットから取り出して
外部へ搬出するようにしても良い。また、第１の基板搬
送手段は、ベルト搬送装置の他に基板をバッファ室に設
けられた真空開閉手段との間で搬送するようなものであ
れば良い。また、第２の基板搬送手段は、ベルト搬送装
置の他に、例えば、アームが直進するアーム搬送装置、
アームが回動するアーム搬送装置等を用いても良い。
ト，回収カセットが外部より搬入されてセットされるよ
うな真空予備室としているが、特に、このような真空予
備室に限定する必要はない。例えば、供給カセット，回
収カセットを真空予備室に固定してセットし、供給カセ
ットに外部から所定枚数基板を装填すると共に、回収カ
セットに回収された基板を回収カセットから取り出して
外部へ搬出するようにしても良い。また、第１の基板搬
送手段は、ベルト搬送装置の他に基板をバッファ室に設
けられた真空開閉手段との間で搬送するようなものであ
れば良い。また、第２の基板搬送手段は、ベルト搬送装
置の他に、例えば、アームが直進するアーム搬送装置、
アームが回動するアーム搬送装置等を用いても良い。
本発明は、以上説明したように、基板処理モードに応じ
て必要な真空処理室のみを連結し、真空搬送空間を介し
て搬送手段により真空処理室に基板を一枚毎搬送するよ
うにし、基板処理モードに応じて、基板を単一に処理す
る場合は真空搬送空間を介して真空処理室の基板をそれ
ぞれへ基板を直接に搬送し、基板を連続的に処理する場
合は真空搬送空間を介して真空処理室間で基板を搬送制
御するようにしたので、基板処理モードに合わせてプロ
セス変更やライン変更に対応して自由にシステム構成あ
るいは編成を行うことができるという効果がある。
て必要な真空処理室のみを連結し、真空搬送空間を介し
て搬送手段により真空処理室に基板を一枚毎搬送するよ
うにし、基板処理モードに応じて、基板を単一に処理す
る場合は真空搬送空間を介して真空処理室の基板をそれ
ぞれへ基板を直接に搬送し、基板を連続的に処理する場
合は真空搬送空間を介して真空処理室間で基板を搬送制
御するようにしたので、基板処理モードに合わせてプロ
セス変更やライン変更に対応して自由にシステム構成あ
るいは編成を行うことができるという効果がある。
第１図は、本発明による真空処理装置の一実施例を示す
平面図、第２図は、第１図の真空処理装置の基板搬送手
段の斜視構成図、第３図は、第１図の真空処理装置を２
モジュール連設した真空処理装置の基板搬送手段の斜視
構成図、第４図（ａ）ないし第４図（ｃ）は、２モジュ
ール真空処理装置での基板処理モード図、第５図
（ａ）、第５図（ｂ）は、３モジュール真空処理装置で
の他の基板処理モード図、第６図は、本発明による真空
処理装置の他の実施例を示す平面図である。 10……バッファ室、20……真空処理室、30……基板、4
0,41および50,51……真空開閉手段、60,60′……真空予
備室、80ないし120……ベルト搬送装置、140……基板受
渡手段、150,160……アーム搬送装置
平面図、第２図は、第１図の真空処理装置の基板搬送手
段の斜視構成図、第３図は、第１図の真空処理装置を２
モジュール連設した真空処理装置の基板搬送手段の斜視
構成図、第４図（ａ）ないし第４図（ｃ）は、２モジュ
ール真空処理装置での基板処理モード図、第５図
（ａ）、第５図（ｂ）は、３モジュール真空処理装置で
の他の基板処理モード図、第６図は、本発明による真空
処理装置の他の実施例を示す平面図である。 10……バッファ室、20……真空処理室、30……基板、4
0,41および50,51……真空開閉手段、60,60′……真空予
備室、80ないし120……ベルト搬送装置、140……基板受
渡手段、150,160……アーム搬送装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 史雄 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 坪根 恒彦 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 金井 謙雄 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (56)参考文献 特開 昭57−134946（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−169343（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−160889（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−106131（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】基板処理モードに応じてバッファ室の真空
搬送空間を介して連結した必要な真空処理室のみを用い
て基板を一枚毎処理する工程と、 前記基板処理モードに応じて、前記基板を単一に処理す
る場合は前記真空搬送空間を介して前記真空処理室のそ
れぞれへ前記基板を直接に搬送し、前記基板を連続的に
処理する場合は前記真空搬送空間を介して前記真空処理
室間で前記基板を搬送する工程とを有することを特徴と
する真空処理方法。 - 【請求項２】バッファ室と、 基板処理モードに応じて前記バッファ室の真空搬送空間
を介して必要な室のみ連結された真空処理室と、 前記真空搬送空間に設けられ基板を一枚毎搬送する搬送
手段と、 前記基板処理モードに応じて、前記基板を単一に処理す
る場合は前記真空搬送空間を介して前記真空処理室のそ
れぞれへ前記基板を直接に搬送制御し、前記基板を連続
的に処理する場合は前記真空搬送空間を介して前記真空
処理室間で前記基板を搬送制御する制御手段とを具備し
たことを特徴とする真空処理装置。
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|---|---|---|---|
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| DE3448572A DE3448572C2 (de) | 1983-11-28 | 1984-11-23 | Verfahren zur Durchführung einer Behandlung unter Vakuum |
| DE3442844A DE3442844C2 (de) | 1983-11-28 | 1984-11-23 | Vorrichtung zur Behandlung einer Probe im Vakuum |
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|---|---|---|---|
| JP58222004A JPH06105742B2 (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 真空処理方法及び装置 |
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