JPS60115216A - 真空処理方法及び装置 - Google Patents
真空処理方法及び装置Info
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- JPS60115216A JPS60115216A JP58222004A JP22200483A JPS60115216A JP S60115216 A JPS60115216 A JP S60115216A JP 58222004 A JP58222004 A JP 58222004A JP 22200483 A JP22200483 A JP 22200483A JP S60115216 A JPS60115216 A JP S60115216A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- vacuum
- chamber
- vacuum processing
- closing means
- Prior art date
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- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/03—Pressure vessels, or vacuum vessels, having closure members or seals specially adapted therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
- H01J37/185—Means for transferring objects between different enclosures of different pressure or atmosphere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はエプチング装置、プラズマＣＶＤ装置。
スパッタ装置等の半導体製造工程における真空処理装置
に関するものである。
に関するものである。
最近の半導体製造プロセス技術の進歩は著し曵、ドライ
エツチング装置においても１μｍパターンを処理する機
種が現われ、注目を浴びている。このような微細化が進
むにつれ、基板は大口径化し、それに伴って半導体製造
装置の占有床面積あたりのスループブト（時間あたりの
基板処理枚数）を向上させることおよび製造プロセス技
術の多様化に応えることが大きな課題となっている。こ
のような要求を解決するためには装置を小形化するとと
もに、複数の真空処理室を用いて多目的処理を行うこと
が必要で、しかも、プロセス変更やライン変更に対応し
て真空処理室数を自由に変えてシステムが構成あるいは
編成できる真空処理モジュールが要求されるようになっ
てきた。これに対して、従来の、例えば、特開昭５７−
１２８９２８号公報に開示されているような真空処理室
と大気中での基板搬送ラインを結合したモジュールを増
設できるタイプでは清浄度の悪い大気中を経て基板が次
の真空処理室に搬送されるので、処理途中で次の真空処
理室に処理を引き継く゛ようなプロセス工程への適用に
はむかない。また、実開昭５７−３９４３０号公報に開
示されているようない畷つかの真空処理室と一つのバッ
ファ室との間を基板が搬駕されて連続的に処理されるよ
うなタイプでは真空処理室数が固定され、プロセス変更
やライン変更に対応して真空処理室数を変更したりする
自由度がなく、使用しすらいという問題点を有している
。
エツチング装置においても１μｍパターンを処理する機
種が現われ、注目を浴びている。このような微細化が進
むにつれ、基板は大口径化し、それに伴って半導体製造
装置の占有床面積あたりのスループブト（時間あたりの
基板処理枚数）を向上させることおよび製造プロセス技
術の多様化に応えることが大きな課題となっている。こ
のような要求を解決するためには装置を小形化するとと
もに、複数の真空処理室を用いて多目的処理を行うこと
が必要で、しかも、プロセス変更やライン変更に対応し
て真空処理室数を自由に変えてシステムが構成あるいは
編成できる真空処理モジュールが要求されるようになっ
てきた。これに対して、従来の、例えば、特開昭５７−
１２８９２８号公報に開示されているような真空処理室
と大気中での基板搬送ラインを結合したモジュールを増
設できるタイプでは清浄度の悪い大気中を経て基板が次
の真空処理室に搬送されるので、処理途中で次の真空処
理室に処理を引き継く゛ようなプロセス工程への適用に
はむかない。また、実開昭５７−３９４３０号公報に開
示されているようない畷つかの真空処理室と一つのバッ
ファ室との間を基板が搬駕されて連続的に処理されるよ
うなタイプでは真空処理室数が固定され、プロセス変更
やライン変更に対応して真空処理室数を変更したりする
自由度がなく、使用しすらいという問題点を有している
。
本発明の目的は、プロセス変更やライン変更に対応して
真空処理室数を自由に変えてシステム構成あるいは編成
ができる真空処理装置を提供することにある、。
真空処理室数を自由に変えてシステム構成あるいは編成
ができる真空処理装置を提供することにある、。
本発明は、真空排気可能なバッフ１室と、該室に設けら
れた真空処理室と、バッファ室に内設された第１の基板
搬送手段と、該手段の両端に対応してバッファ室に設け
られた真空開閉手段と、該手段の一つ若しくは他の真空
開閉手段を介してバッフ１室に具設された真空予備室と
、該室と１８１の基板搬送手段との間で真空開閉手段若
しくは他の真空開閉手段を介して基板を搬送する１１！
２の基板搬送手段と、第１の基板搬送手段の基部、搬送
経路上で、かつ、真空処理室に対応して設けられた基板
受渡手段と、該手段と真空処理室との間で基板を搬送す
る第３の基板搬送手段とを有した真空処理装置とし、該
装置を１モジユールとして少な曵と６２モジユ一ル真空
開閉手段を介して連設すム構成あるいは編成ができる装
置としようとじたものである。
れた真空処理室と、バッファ室に内設された第１の基板
搬送手段と、該手段の両端に対応してバッファ室に設け
られた真空開閉手段と、該手段の一つ若しくは他の真空
開閉手段を介してバッフ１室に具設された真空予備室と
、該室と１８１の基板搬送手段との間で真空開閉手段若
しくは他の真空開閉手段を介して基板を搬送する１１！
２の基板搬送手段と、第１の基板搬送手段の基部、搬送
経路上で、かつ、真空処理室に対応して設けられた基板
受渡手段と、該手段と真空処理室との間で基板を搬送す
る第３の基板搬送手段とを有した真空処理装置とし、該
装置を１モジユールとして少な曵と６２モジユ一ル真空
開閉手段を介して連設すム構成あるいは編成ができる装
置としようとじたものである。
本発明の一実施例を第１図〜第５図で説明する。
第１図で、真空処理装置は、真空排気可能なバッファ室
１０と、バッフ１室１０に設けられた真空処理室加と、
基板（資）を矢印入方向に搬送可能にバッファ室１０に
内設された第１の基板搬送手段（図示省略）と、第１の
基板搬送手段の両端に対応してバッファ室１０の側壁に
設けられたゲート弁、仕切具等の真空開閉手段４０．４
１と、この場合、真空開閉手段４０．４１が設けられた
側壁と直角をなし第１の基板搬送手段をはさんで真空処
理室加と対応する側壁に設けられたゲート弁等の他の真
空開閉手段（資）、５１を介してバッフ１室１０に具設
された真空処理室数と、真空予備室ωと第１の基板搬送
手段との間で他の真空開閉手段若、５１を介して基板（
９）を矢印Ｂ、Ｃ方向に搬送する第２の基板搬送手段（
図示省略）と、′＠ｌの基板搬送手段の基板搬送経路上
で、かつ、真空処理室加に対応して設けられた基板受渡
手段（図示省略）と、基板受渡手段と真空処理室茄との
間で基板（資）を矢印り方向に搬送する第３の基板搬送
手段（図示省略）とを有している。なお、この場合、真
空予備室ωには、基板カセット７０．７１を昇降駆動す
るカセット昇降装置（図示省略）のカセットテーブル（
図示省略）が昇降可能に他の真空開閉手段型、５１と対
応して内股されている。第１〜第３の基板搬送手段、基
板受渡手段等を第２図で更に詳細に説明する。
１０と、バッフ１室１０に設けられた真空処理室加と、
基板（資）を矢印入方向に搬送可能にバッファ室１０に
内設された第１の基板搬送手段（図示省略）と、第１の
基板搬送手段の両端に対応してバッファ室１０の側壁に
設けられたゲート弁、仕切具等の真空開閉手段４０．４
１と、この場合、真空開閉手段４０．４１が設けられた
側壁と直角をなし第１の基板搬送手段をはさんで真空処
理室加と対応する側壁に設けられたゲート弁等の他の真
空開閉手段（資）、５１を介してバッフ１室１０に具設
された真空処理室数と、真空予備室ωと第１の基板搬送
手段との間で他の真空開閉手段若、５１を介して基板（
９）を矢印Ｂ、Ｃ方向に搬送する第２の基板搬送手段（
図示省略）と、′＠ｌの基板搬送手段の基板搬送経路上
で、かつ、真空処理室加に対応して設けられた基板受渡
手段（図示省略）と、基板受渡手段と真空処理室茄との
間で基板（資）を矢印り方向に搬送する第３の基板搬送
手段（図示省略）とを有している。なお、この場合、真
空予備室ωには、基板カセット７０．７１を昇降駆動す
るカセット昇降装置（図示省略）のカセットテーブル（
図示省略）が昇降可能に他の真空開閉手段型、５１と対
応して内股されている。第１〜第３の基板搬送手段、基
板受渡手段等を第２図で更に詳細に説明する。
第２図で、第１の基板搬送手段はベルト搬送装［８０で
あり、ベルト搬送装置額は、その全体を昇降装置、例え
ば、シリンダ８１で昇降駆動されると共に、モータ８２
でベルト羽を回転駆動される。第２の基板受渡手段は、
他の真空開閉手段５０．５１をはさんで真空予備室ωに
設けられたベルト搬送装置９０． ｔｏｏとバッフ１室
１０に設けられたベルト搬送装置１１０ 、 １２０で
ある。ベルト＊’ｍ ’１Ｍ’Ｈ’普’ｔｖ’１− Ｉ
Ｊ ９１．９２に無端に巻掛けられたベルト９３とは。
あり、ベルト搬送装置額は、その全体を昇降装置、例え
ば、シリンダ８１で昇降駆動されると共に、モータ８２
でベルト羽を回転駆動される。第２の基板受渡手段は、
他の真空開閉手段５０．５１をはさんで真空予備室ωに
設けられたベルト搬送装置９０． ｔｏｏとバッフ１室
１０に設けられたベルト搬送装置１１０ 、 １２０で
ある。ベルト＊’ｍ ’１Ｍ’Ｈ’普’ｔｖ’１− Ｉ
Ｊ ９１．９２に無端に巻掛けられたベルト９３とは。
カセット昇降装［１３０のカセットテーブル１３１に対
応し、かつ、カセットテーブル１３１が最高位置まで上
昇させられた時点でもその上方に位置するように配設さ
れている。ベルト９３はモータ例で回転駆動される。ベ
ルト搬送装置１１０はモータ１１１でベルト１１２を回
転駆動され、ベルト搬送装置１１０のベルト搬送装！８
０側端部は、ベルト搬送装置間のベルト＆の一方の昇降
動を阻害しないように、この場合、Ｖ字形に折曲され最
終−″のブーＩ７１１３は、ベルト搬送装置間のベルト
簡閲に位置するように設けられている。なお、ベルト搬
送装置叩のベルト９３とベルト搬送装置１１１０のベル
ト１１２とは同一レベルであり、ベルト搬送装置■とベ
ルト搬送装置１１０との他の真空開閉手段間側端の間隔
は、基［３０の受渡しに支障のない大きさとなっている
。
応し、かつ、カセットテーブル１３１が最高位置まで上
昇させられた時点でもその上方に位置するように配設さ
れている。ベルト９３はモータ例で回転駆動される。ベ
ルト搬送装置１１０はモータ１１１でベルト１１２を回
転駆動され、ベルト搬送装置１１０のベルト搬送装！８
０側端部は、ベルト搬送装置間のベルト＆の一方の昇降
動を阻害しないように、この場合、Ｖ字形に折曲され最
終−″のブーＩ７１１３は、ベルト搬送装置間のベルト
簡閲に位置するように設けられている。なお、ベルト搬
送装置叩のベルト９３とベルト搬送装置１１１０のベル
ト１１２とは同一レベルであり、ベルト搬送装置■とベ
ルト搬送装置１１０との他の真空開閉手段間側端の間隔
は、基［３０の受渡しに支障のない大きさとなっている
。
ベルト搬送装［１００のプーリ１０１ 、 １０２ と
プーリ１０１ 、 １０２に無端に巻掛けられたベルト
１０３とは、ベルト搬送装置９と同様に配設され、ベル
ト１０３はモータ１０４で回動駆動される。ベルト搬送
装置１２０はモータ１２１でベルト１２２を回転駆動さ
れ、ベルト搬送装置１２０のベルト搬送装置器側端部は
、ベルト搬送装置ｔ １１０の場合と同様にベルト搬送
装［８０のベルト羽の一方の昇降動を阻害しないように
Ｖ字形に折曲され最終端のプーリ１２３１１．ベルト搬
送装置（資）のベルト８間に位置するよう普こ設けられ
ている。なお、ベルト搬送装置ｔ ｔｏｏのベルト１０
３とベルト搬送装置１２０のベルト１２２ とは同一レ
ベルであり、ベルト搬送装置１００とベルシト搬送装［
１２０との他の真空開閉手段５１ａ１端の間隔（よ、基
板間の受渡しに支障のない大きさとなって０る。
プーリ１０１ 、 １０２に無端に巻掛けられたベルト
１０３とは、ベルト搬送装置９と同様に配設され、ベル
ト１０３はモータ１０４で回動駆動される。ベルト搬送
装置１２０はモータ１２１でベルト１２２を回転駆動さ
れ、ベルト搬送装置１２０のベルト搬送装置器側端部は
、ベルト搬送装置ｔ １１０の場合と同様にベルト搬送
装［８０のベルト羽の一方の昇降動を阻害しないように
Ｖ字形に折曲され最終端のプーリ１２３１１．ベルト搬
送装置（資）のベルト８間に位置するよう普こ設けられ
ている。なお、ベルト搬送装置ｔ ｔｏｏのベルト１０
３とベルト搬送装置１２０のベルト１２２ とは同一レ
ベルであり、ベルト搬送装置１００とベルシト搬送装［
１２０との他の真空開閉手段５１ａ１端の間隔（よ、基
板間の受渡しに支障のない大きさとなって０る。
また、ベルト搬送装置１１０のプーリ１１３ とブーＱ
１１３に対応するブー１７１１４との間隔は、基板間の
落下を防止して良好に受渡し可能な大きさであり、ベル
ト搬送装置１２０のプーリ１２３に対応するプーリ１２
４との間隔も同様の大きさである。なお、ベルト搬送装
置（資）は、ベルト８３のレベルがベルト搬送装置１１
０ 、 １２０のベルト１１２，１２２のレベル以下並
びに以上になるように昇降駆動される。基板受渡手段１
４０は、ベルト搬送装［８０のベルト８間の寸法より小
さい基板テーブル１４１と昇降装置。
１１３に対応するブー１７１１４との間隔は、基板間の
落下を防止して良好に受渡し可能な大きさであり、ベル
ト搬送装置１２０のプーリ１２３に対応するプーリ１２
４との間隔も同様の大きさである。なお、ベルト搬送装
置（資）は、ベルト８３のレベルがベルト搬送装置１１
０ 、 １２０のベルト１１２，１２２のレベル以下並
びに以上になるように昇降駆動される。基板受渡手段１
４０は、ベルト搬送装［８０のベルト８間の寸法より小
さい基板テーブル１４１と昇降装置。
例えば、シリンダ１４２とで構成されている。基板テー
ブル１４１は真空処理室粉と対応する位置で、二の場合
は、ベルト搬送装＠ １１０ 、 １２０の間の位置で
、ベルト搬送！Ｉ［８０のベルト８間を通過しシリンダ
１４２で昇降可能に設けられている。第３の基板搬送手
段は、アーム搬送装置１５０． １６０である。アーム
搬送装置１５０は、基板す鳴い具１５１とアーム１５２
と回動装置、例えば、パルスモータ１５３とで構成され
ている。パルスモータ１５３は、ベルト搬送装置（資）
と真空処理室加との間で、かつ、基板受渡手段１４０の
基板テーブル１４１の中心と真寞処理室加の基板電極４
の中心とを結ぶ線の一方の側（第２図では左側）に設け
られ、パルスモータ１５３には、アーム１５２の一端が
設けられている。
ブル１４１は真空処理室粉と対応する位置で、二の場合
は、ベルト搬送装＠ １１０ 、 １２０の間の位置で
、ベルト搬送！Ｉ［８０のベルト８間を通過しシリンダ
１４２で昇降可能に設けられている。第３の基板搬送手
段は、アーム搬送装置１５０． １６０である。アーム
搬送装置１５０は、基板す鳴い具１５１とアーム１５２
と回動装置、例えば、パルスモータ１５３とで構成され
ている。パルスモータ１５３は、ベルト搬送装置（資）
と真空処理室加との間で、かつ、基板受渡手段１４０の
基板テーブル１４１の中心と真寞処理室加の基板電極４
の中心とを結ぶ線の一方の側（第２図では左側）に設け
られ、パルスモータ１５３には、アーム１５２の一端が
設けられている。
アーム１５２の他端には基板すくい具１５１が設けられ
ている。また、アーム搬送装置１６０は、基板すくい具
１６１ とアーム１６２ と回動装置、例えば、７Ｎ１
１ルスモータ１６３とで構成されている。ノ＜ルスモー
間で、かつ、基板受渡手段１４０の基板テーブル１４１
の中心と真空処理室加の基板電極２１の中心とを結ぶ線
の他方の側（第２図では右側）に設けられ。
ている。また、アーム搬送装置１６０は、基板すくい具
１６１ とアーム１６２ と回動装置、例えば、７Ｎ１
１ルスモータ１６３とで構成されている。ノ＜ルスモー
間で、かつ、基板受渡手段１４０の基板テーブル１４１
の中心と真空処理室加の基板電極２１の中心とを結ぶ線
の他方の側（第２図では右側）に設けられ。
パルスモータ１６３には、アーム１６２の一端が設けら
れている。アーム１６２の他端には、基板すくい具１６
１が設けられている。この場合、基板す鳴い具１５１
、 １６１ 、アーム１５２ 、 １６２の寸法は、基
板テーブル１４１並びに基板電極２１に基板間が載置さ
れている場合、この基板（資）を基板すくい具１５１
。
れている。アーム１６２の他端には、基板すくい具１６
１が設けられている。この場合、基板す鳴い具１５１
、 １６１ 、アーム１５２ 、 １６２の寸法は、基
板テーブル１４１並びに基板電極２１に基板間が載置さ
れている場合、この基板（資）を基板すくい具１５１
。
１６１ですくい可能な寸法である。また、アーム１５２
゜１６２は、基板す（い具１５１ 、 １６１で基板田
を基板チーフル１４１と基板電極４との間で搬送可能に
パルスモータ１５３ 、 １６３でそれぞれ部分回動さ
れる。
゜１６２は、基板す（い具１５１ 、 １６１で基板田
を基板チーフル１４１と基板電極４との間で搬送可能に
パルスモータ１５３ 、 １６３でそれぞれ部分回動さ
れる。
なお、この場合、アーム１５２，１６２の動作平面はア
ーム１５２が上面、アーム１６２で下面と異なり、例え
ば、アーム搬送装置１５０で基板（資）を基板テーブル
１４１から基板電極２１へ搬送する際に、アーム搬送装
置１６０で基板間な基板電極２１から基板テーブル１４
１へ搬送するのを阻害しないようになっている。カセッ
ト昇降装置１３０は、カセットテーブル１３１ と、カ
セットテーブル１３１に垂設され下端部にネジが形成さ
れた昇降ロッド１３２と、モータ１３３で回動駆動され
る歯車１３４と、歯車１３４と噛合し設けられると共に
昇降ロッド１３２の下端部が螺合された歯車１３５ と
で構成されている。基板電極２１は、ラック・ピニオン
機構ｎを介しモータコの回動により昇降駆動される。ま
た、基板電極２１の中心部には、基板支持用のボスが昇
降装置、例えば、シリンダ５で昇降可能に設けられてい
る。
ーム１５２が上面、アーム１６２で下面と異なり、例え
ば、アーム搬送装置１５０で基板（資）を基板テーブル
１４１から基板電極２１へ搬送する際に、アーム搬送装
置１６０で基板間な基板電極２１から基板テーブル１４
１へ搬送するのを阻害しないようになっている。カセッ
ト昇降装置１３０は、カセットテーブル１３１ と、カ
セットテーブル１３１に垂設され下端部にネジが形成さ
れた昇降ロッド１３２と、モータ１３３で回動駆動され
る歯車１３４と、歯車１３４と噛合し設けられると共に
昇降ロッド１３２の下端部が螺合された歯車１３５ と
で構成されている。基板電極２１は、ラック・ピニオン
機構ｎを介しモータコの回動により昇降駆動される。ま
た、基板電極２１の中心部には、基板支持用のボスが昇
降装置、例えば、シリンダ５で昇降可能に設けられてい
る。
ボスは、その表面が基板電極２１の表面以下になる位置
と、アーム搬送装！！ｊ１５０，１６０の基板すくい具
１５１． １６１と基板（至）を受渡し可能な位置との
間で昇降駆動される。
と、アーム搬送装！！ｊ１５０，１６０の基板すくい具
１５１． １６１と基板（至）を受渡し可能な位置との
間で昇降駆動される。
第１図、第２図で示される真空処理装置では、次のよう
な基板処理を行うことができる。
な基板処理を行うことができる。
まず、他の真空開閉手段間に対応するカセットテーブル
１３１は、最下部に下降させられ、他の真空開閉手段５
１に対応するカセットテーブル（図示省略）は最上部に
上昇させられる。他の真空開閉手段間、５１が、例えば
、シリンダ５２．５３の駆動により閉止されバッファ室
１０と真空予備室ωとの連通は気密に遮断されると共に
、真空開閉手段４０゜４１が閉止又は仕切られてバッフ
１室１ｏと外部との連通も気密に遮断される。この状態
でバッフ１室１０は真空排気装［（図示省略）を作動さ
せることで所定圧力ｌこ減圧排気される。一方、真空予
備室ωには、外部が大気側である場合は、真空予備室。
１３１は、最下部に下降させられ、他の真空開閉手段５
１に対応するカセットテーブル（図示省略）は最上部に
上昇させられる。他の真空開閉手段間、５１が、例えば
、シリンダ５２．５３の駆動により閉止されバッファ室
１０と真空予備室ωとの連通は気密に遮断されると共に
、真空開閉手段４０゜４１が閉止又は仕切られてバッフ
１室１ｏと外部との連通も気密に遮断される。この状態
でバッフ１室１０は真空排気装［（図示省略）を作動さ
せることで所定圧力ｌこ減圧排気される。一方、真空予
備室ωには、外部が大気側である場合は、真空予備室。
ωに設けられた扉等の大気真空開閉手段（図示省略）を
開放することで所定枚数の基板間が装填された基板カセ
ット（以下、供給カセットと略）７０と基板回収用の空
の基板カセット（以下、回収カセットと略）７１とが搬
入されて、供給カセット７０は他の真空開閉手段類に対
応するカセットテーブル１３１に、回収カセット７１は
他の真空開閉手段５１に対応するカセットテーブルにそ
れぞれ載置される。その後、大気真空開閉手段は閉止さ
れ真空予備室ωは、真空排気装ｒｔ＜図示省略）でバッ
フ１室１０の圧力と同程度の圧力まで減圧排気される。
開放することで所定枚数の基板間が装填された基板カセ
ット（以下、供給カセットと略）７０と基板回収用の空
の基板カセット（以下、回収カセットと略）７１とが搬
入されて、供給カセット７０は他の真空開閉手段類に対
応するカセットテーブル１３１に、回収カセット７１は
他の真空開閉手段５１に対応するカセットテーブルにそ
れぞれ載置される。その後、大気真空開閉手段は閉止さ
れ真空予備室ωは、真空排気装ｒｔ＜図示省略）でバッ
フ１室１０の圧力と同程度の圧力まで減圧排気される。
その後、シリンダ５２の駆動により他の真空開閉手段恥
が開放され、これによりバッフ１室１０と真空予備室６
０とは連通状態となる。この状態下で、モータ１３３を
駆動しカセットテーブル１３１を１ピッチ分下降させる
ことで供給カセット７０の、この場合、最下部に装填さ
れた基板（資）はベルト９３に戟１される。その後、モ
ータ例によりベルト９３を回転駆動することで載置され
たｉ板□□□は他の真空開閉手段（資）側へ搬送され、
モータ１１１により回転駆動されているベルト１１２に
他の真空開閉手段間を介して渡される。ベルト１１２に
渡された基板Ｘはベルト搬送装置園側へ搬送される。な
お、このときベルト羽のレベルがベルト１１２のレベル
以下となるようにベルト搬送装置（資）全体はシリンダ
８１により降下させられている。その後、基板Ｊがプー
リ１１３．１１４にかかる程度に搬送されてきた時点で
ベルト羽のレベルがベルト１１２のレベル以上となるよ
うにベルト搬送装置８０全体はシリンダ８１により上昇
させられ、これにより基板間はベルト１１２からベルト
羽へ渡される。ベルト羽に渡された基［３０は、モータ
８２の駆動により基板テーブル１４１に対応する位置ま
で搬送された後に、基板テーブル１４１をシリンダ１４
２で上昇させることで基板テーブル１４１に受取られる
。基板テーブル１４１に受取られた基板間は、例えば、
オリフラ合せ装［１７０でオリフラを合わされる。その
後、基板間は、例 −えば、基板のせ具１５１に渡され
アーム１５２をパルスモータ１５３で真空処理室四側へ
回転駆動することで、バッファ室１０を経て真空処理室
印の基板電・極２１の上方へ搬送される。その後、ホス
をシリンダ５で上昇させることで、基板のせ具１５１の
基板（資）は、ボスに受取られる。その後、基板Ｊをホ
スに渡した基板のせ具１５１は、真空処理室に外のバッ
ファ室１０に退避させられる。その後、ボスな、その表
面が基板電極２１の表面以下となるようにシリンダ５で
下降させることで、基板間はボスから基板電極２１に渡
されて載置される。その後、仕切り用のフランジ１８０
と、フランジ１８０の裏面とバッファ室１０の底壁とに
跨設されたベローズ１８１と、フランジ１８０を昇降駆
動する昇降装置、例えば、シリンダ１８２とで構成され
る仕切り手段１８３によりバッフ１室１０と真空処理室
印とは仕切られる。
が開放され、これによりバッフ１室１０と真空予備室６
０とは連通状態となる。この状態下で、モータ１３３を
駆動しカセットテーブル１３１を１ピッチ分下降させる
ことで供給カセット７０の、この場合、最下部に装填さ
れた基板（資）はベルト９３に戟１される。その後、モ
ータ例によりベルト９３を回転駆動することで載置され
たｉ板□□□は他の真空開閉手段（資）側へ搬送され、
モータ１１１により回転駆動されているベルト１１２に
他の真空開閉手段間を介して渡される。ベルト１１２に
渡された基板Ｘはベルト搬送装置園側へ搬送される。な
お、このときベルト羽のレベルがベルト１１２のレベル
以下となるようにベルト搬送装置（資）全体はシリンダ
８１により降下させられている。その後、基板Ｊがプー
リ１１３．１１４にかかる程度に搬送されてきた時点で
ベルト羽のレベルがベルト１１２のレベル以上となるよ
うにベルト搬送装置８０全体はシリンダ８１により上昇
させられ、これにより基板間はベルト１１２からベルト
羽へ渡される。ベルト羽に渡された基［３０は、モータ
８２の駆動により基板テーブル１４１に対応する位置ま
で搬送された後に、基板テーブル１４１をシリンダ１４
２で上昇させることで基板テーブル１４１に受取られる
。基板テーブル１４１に受取られた基板間は、例えば、
オリフラ合せ装［１７０でオリフラを合わされる。その
後、基板間は、例 −えば、基板のせ具１５１に渡され
アーム１５２をパルスモータ１５３で真空処理室四側へ
回転駆動することで、バッファ室１０を経て真空処理室
印の基板電・極２１の上方へ搬送される。その後、ホス
をシリンダ５で上昇させることで、基板のせ具１５１の
基板（資）は、ボスに受取られる。その後、基板Ｊをホ
スに渡した基板のせ具１５１は、真空処理室に外のバッ
ファ室１０に退避させられる。その後、ボスな、その表
面が基板電極２１の表面以下となるようにシリンダ５で
下降させることで、基板間はボスから基板電極２１に渡
されて載置される。その後、仕切り用のフランジ１８０
と、フランジ１８０の裏面とバッファ室１０の底壁とに
跨設されたベローズ１８１と、フランジ１８０を昇降駆
動する昇降装置、例えば、シリンダ１８２とで構成され
る仕切り手段１８３によりバッフ１室１０と真空処理室
印とは仕切られる。
この状態で、まず、基板電極頭と、基板電極加の上方に
対向して真空処理室印に設けられた対向電極（図示省略
）との電極間隔は、モータｎを駆動することにより適正
間隔に調節される。その後。
対向して真空処理室印に設けられた対向電極（図示省略
）との電極間隔は、モータｎを駆動することにより適正
間隔に調節される。その後。
真空処理室印には、流量を調節されてプロセスガスが導
入されると共に、真空排気装置（図示省略）の駆動によ
り真空処理室印の圧力は処理Ｌ・“に調整される。その
後、例えば、基板電極２１に接続された電源、例えば、
高周波電源（図示省略）より基板電極２１に高周波電力
を印加することで、対向電極と基板電極２１との間には
、グロー放電が生じ、該放電によりプロセスガスはプラ
ズマ化される。
入されると共に、真空排気装置（図示省略）の駆動によ
り真空処理室印の圧力は処理Ｌ・“に調整される。その
後、例えば、基板電極２１に接続された電源、例えば、
高周波電源（図示省略）より基板電極２１に高周波電力
を印加することで、対向電極と基板電極２１との間には
、グロー放電が生じ、該放電によりプロセスガスはプラ
ズマ化される。
このプラズマにより基板電極２１に載置された基板（資
）は、エツチング処理等所定処理される。この間、供給
カセット７０からは、上記した操作により基板間が取り
出されベルト搬送装置１１０．８０で搬送されて基板テ
ーブル１４１に渡されオリフラが合わされた後に基板の
せ具１５１に渡される。真空処理室加での処理が終了し
た後に仕切り手段１８３にょるバッフ１室ｌＯと真空処
理室印の仕切りは解除され、真空処理室印はバッファ室
１ｏと再び連通させられる。その後、基板電極２１は、
所定位置まで降下させられ、爪冴なシリンダｂで上昇さ
せることで、処理済みの基板Ｉは、基板電［１２１から
除去され爪 。
）は、エツチング処理等所定処理される。この間、供給
カセット７０からは、上記した操作により基板間が取り
出されベルト搬送装置１１０．８０で搬送されて基板テ
ーブル１４１に渡されオリフラが合わされた後に基板の
せ具１５１に渡される。真空処理室加での処理が終了し
た後に仕切り手段１８３にょるバッフ１室ｌＯと真空処
理室印の仕切りは解除され、真空処理室印はバッファ室
１ｏと再び連通させられる。その後、基板電極２１は、
所定位置まで降下させられ、爪冴なシリンダｂで上昇さ
せることで、処理済みの基板Ｉは、基板電［１２１から
除去され爪 。
冴に渡される。その後、基板のせ具１６１をホスに渡さ
れた基板間の裏面に対応する位置まで回転させた後に、
ボスなシリンダ５で下降させることで、処理済みの基板
間は基板のせ具１６１に渡される。
れた基板間の裏面に対応する位置まで回転させた後に、
ボスなシリンダ５で下降させることで、処理済みの基板
間は基板のせ具１６１に渡される。
その後、基板のせ具１５１に渡された基板間は、基板テ
ーブル１４１から基板電極２１へ、また、基板のせ具１
６１に渡された処理済みの基板（資）は基板電極２１か
ら基板テーブル１４１へそれぞれ搬送される。
ーブル１４１から基板電極２１へ、また、基板のせ具１
６１に渡された処理済みの基板（資）は基板電極２１か
ら基板テーブル１４１へそれぞれ搬送される。
基板電極２１へ搬送された基板間は、上記した操作によ
り所定処理される。この間、基板テーブル１４１に搬送
された処理済みの基板（資）は、基板テーブル１４１を
シリンダ１４２で下降させることでベルト搬送装置間の
ベルト羽に渡され、その後、ベルト田。
り所定処理される。この間、基板テーブル１４１に搬送
された処理済みの基板（資）は、基板テーブル１４１を
シリンダ１４２で下降させることでベルト搬送装置間の
ベルト羽に渡され、その後、ベルト田。
１２２のモータ８２． １２１による回転駆動で他の真
空開閉手段５１側へ搬送される。なお、ベルト羽からベ
ルト１２２への処理済みの基板（資）の受渡しは、ベル
ト１１２からベルト羽への基板間の受渡しと逆操作によ
り行われる。シリンダ団の駆動により他の真空開閉手段
５１が開放され、モータ１０４によりベルト１０３を回
転駆動することで、他の真空開閉手段５１側へ搬送され
てきた処理済みの基板間は他の真空開閉手段５１を介し
て真空予備室ωに搬入され、その後、カセットテーブル
を１ピッチ分上昇させることで回収カセット７１に回収
される。また、供給カセット７０からは上記した操作に
より基板間が取り出されベルト搬送装置１１０ 、８０
で搬送されて基板テーブル１４１に渡されオリフラが合
わされた後に基板のせ具１５１に渡される。
空開閉手段５１側へ搬送される。なお、ベルト羽からベ
ルト１２２への処理済みの基板（資）の受渡しは、ベル
ト１１２からベルト羽への基板間の受渡しと逆操作によ
り行われる。シリンダ団の駆動により他の真空開閉手段
５１が開放され、モータ１０４によりベルト１０３を回
転駆動することで、他の真空開閉手段５１側へ搬送され
てきた処理済みの基板間は他の真空開閉手段５１を介し
て真空予備室ωに搬入され、その後、カセットテーブル
を１ピッチ分上昇させることで回収カセット７１に回収
される。また、供給カセット７０からは上記した操作に
より基板間が取り出されベルト搬送装置１１０ 、８０
で搬送されて基板テーブル１４１に渡されオリフラが合
わされた後に基板のせ具１５１に渡される。
以上のような操作を繰り返し実施することで、供給カセ
ット７０からは基板（資）が１枚毎取り出され、真空予
備室ωからバッフ１室ｌＯを経て真空処理室印に搬送さ
れ、真空処理室印−で１枚毎処理され、処理済みの基板
（９）は、真空処理室印からバッファ室１０を経て真空
予備室間に搬送されて１枚毎回収カセット７１に回収さ
れる。
ット７０からは基板（資）が１枚毎取り出され、真空予
備室ωからバッフ１室ｌＯを経て真空処理室印に搬送さ
れ、真空処理室印−で１枚毎処理され、処理済みの基板
（９）は、真空処理室印からバッファ室１０を経て真空
予備室間に搬送されて１枚毎回収カセット７１に回収さ
れる。
第３図は、第１図、第２図で示される真空処理装置を１
モジユールとして真空開閉手段４０．４１を介して２モ
ジユール連設した場合の例を示すものである。なお、第
３図での構成部品は、第２図のそれと全て同一であり、
したがって、構成２作用等の説明は省略する。′＠３図
で示される真空処理装置では、第４図（ａｌ〜ｇ７Ｊ４
図（ｃｌに示すような基板処理を行うことができる。
モジユールとして真空開閉手段４０．４１を介して２モ
ジユール連設した場合の例を示すものである。なお、第
３図での構成部品は、第２図のそれと全て同一であり、
したがって、構成２作用等の説明は省略する。′＠３図
で示される真空処理装置では、第４図（ａｌ〜ｇ７Ｊ４
図（ｃｌに示すような基板処理を行うことができる。
即ち、第４図（ａｔに示すように基板（資）を連設され
た真空処理装置の二つの真空処理室列でシリーズ処理す
ることも、第４図（ｂ）に示すように、基板（資）を連
設された真空処理装置の二つの真空処理室列でパラレル
処理することも、第４図（ｄに示すように、基板間を、
連設された真空処理装置毎の真空処理室列でパラレル処
理することもできる。なおの真空予備室ωに供給カセッ
ト（図示省略）を少なくとも１個セットし、後段の真空
処理装置の真空予備室ωに回収カセット（図示省略）を
少なくとも１個セットするようにする。また、第４図（
Ｃ１に示される基板処理モードの場合、各真空処理装置
の真空予備室ωに供給カセット（図示省略）。
た真空処理装置の二つの真空処理室列でシリーズ処理す
ることも、第４図（ｂ）に示すように、基板（資）を連
設された真空処理装置の二つの真空処理室列でパラレル
処理することも、第４図（ｄに示すように、基板間を、
連設された真空処理装置毎の真空処理室列でパラレル処
理することもできる。なおの真空予備室ωに供給カセッ
ト（図示省略）を少なくとも１個セットし、後段の真空
処理装置の真空予備室ωに回収カセット（図示省略）を
少なくとも１個セットするようにする。また、第４図（
Ｃ１に示される基板処理モードの場合、各真空処理装置
の真空予備室ωに供給カセット（図示省略）。
回収カセット（図示省略）を各１個セットするようにす
る。また、第１図、第２図で示される真空処理装置を１
モジユールとして真空開閉手段４０゜４１を介して２モ
ジユール連設した場合、各真空処理装置における基板間
の搬送はバッファ室１０を経ることで行われる。
る。また、第１図、第２図で示される真空処理装置を１
モジユールとして真空開閉手段４０゜４１を介して２モ
ジユール連設した場合、各真空処理装置における基板間
の搬送はバッファ室１０を経ることで行われる。
更に、第１図、第２図で示される真空処理装置を１モジ
ユールとして真空開閉手段４０．４１を介して３モジユ
一ル以上連設した場合は、＠４図に示すような基板処理
モードに加えて第５図（ａｌ、第５図（ｂ）に示すよう
な基板処理を行うことができる。
ユールとして真空開閉手段４０．４１を介して３モジユ
一ル以上連設した場合は、＠４図に示すような基板処理
モードに加えて第５図（ａｌ、第５図（ｂ）に示すよう
な基板処理を行うことができる。
即ち、第５図（ａ）に示すように、基板（資）を連設さ
れた真空処理装置の前段の真空処理装置の真空処理室列
と、この場合は、中段の真空処理装置の真空処理室列と
で、まず、パラレル処理し、引続きぐ１ 後段の真空処理装置の真空処理室列でシリーズ処理する
ことも、第５図（ｂｌに示すように、基板（資）を連設
された真空処理装置の前段と中段の真空処理装置の真空
処理室列でシリーズ処理すると共に、前段と後段の真空
処理装置の真空処理室列でシリーズ処理することもでき
る。なお、このような基板処理モードの場合、前段の真
空処理装置の真空予備室ωに供給カセット（図示省略）
を２個セットし、後段の真空処理装置の真空予備室ωに
回収カセット（図示省略）を２個セットするようにする
。また、各真空処理装置の真空処理室列で基板上 ３０＆シリーズ処理する場合は、前段の、真空処理装置
の真空予備室６０に供給カセットを１個セットし、後段
の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを１個セッ
トするようにする。また、各真空処理装置の真空処理室
で基板間をパラレル処理する場合は、前段の真空処理装
置の真空予備室に供給カセットを少なくとも１個セット
し後段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを少
な畷とも】個セットするようにする。また、各真空処理
装置を独立させそれぞれの真空処理室で基板なｔ４ラレ
ル処理する場合は、各真空処理装置の真空予備室に供給
カセットと回収カセットとを各１個セットするようにす
る。また、第１図、第２図で示される真空処理装置を１
モジユールとして真空開閉手段４０．４１を介して３モ
ジユ一ル以上達設した場合でも、各真空処理装置におけ
る基板間の搬送は、バッファ室１０を経ることで行われ
る。
れた真空処理装置の前段の真空処理装置の真空処理室列
と、この場合は、中段の真空処理装置の真空処理室列と
で、まず、パラレル処理し、引続きぐ１ 後段の真空処理装置の真空処理室列でシリーズ処理する
ことも、第５図（ｂｌに示すように、基板（資）を連設
された真空処理装置の前段と中段の真空処理装置の真空
処理室列でシリーズ処理すると共に、前段と後段の真空
処理装置の真空処理室列でシリーズ処理することもでき
る。なお、このような基板処理モードの場合、前段の真
空処理装置の真空予備室ωに供給カセット（図示省略）
を２個セットし、後段の真空処理装置の真空予備室ωに
回収カセット（図示省略）を２個セットするようにする
。また、各真空処理装置の真空処理室列で基板上 ３０＆シリーズ処理する場合は、前段の、真空処理装置
の真空予備室６０に供給カセットを１個セットし、後段
の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを１個セッ
トするようにする。また、各真空処理装置の真空処理室
で基板間をパラレル処理する場合は、前段の真空処理装
置の真空予備室に供給カセットを少なくとも１個セット
し後段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを少
な畷とも】個セットするようにする。また、各真空処理
装置を独立させそれぞれの真空処理室で基板なｔ４ラレ
ル処理する場合は、各真空処理装置の真空予備室に供給
カセットと回収カセットとを各１個セットするようにす
る。また、第１図、第２図で示される真空処理装置を１
モジユールとして真空開閉手段４０．４１を介して３モ
ジユ一ル以上達設した場合でも、各真空処理装置におけ
る基板間の搬送は、バッファ室１０を経ることで行われ
る。
本実施例のような真空処理装置では、次のような効果が
得られる。
得られる。
（１） プロセス変更やライン変更に対応して真空処理
室数を自由に変えてシステム構成あるいは編成ができる
。
室数を自由に変えてシステム構成あるいは編成ができる
。
（２）基板は真空排気されているバッファ室を経て次の
真空処理室骨こ搬送されるため、処理途中で次の真空処
理室へ処理を引継（゛ようなプロセス工程にも問題なく
適用できる。
真空処理室骨こ搬送されるため、処理途中で次の真空処
理室へ処理を引継（゛ようなプロセス工程にも問題なく
適用できる。
（３）第２の基板搬送手段と第３の基板搬送手段とを平
行とし真空処理装置の前面横幅を小さくすることができ
、多モジュール構成がし易くなつ 。
行とし真空処理装置の前面横幅を小さくすることができ
、多モジュール構成がし易くなつ 。
ている。
（４）真空予備室を真空排気可能なカセツ＋−室として
いるので、真空処理装置の奥行寸法を小さくすることが
でき、多モジュールシステムでは、１モジユールに２個
のカセットをセットすることも可能でスループブト向上
時のカセットセット時間間隔を長くすることができる。
いるので、真空処理装置の奥行寸法を小さくすることが
でき、多モジュールシステムでは、１モジユールに２個
のカセットをセットすることも可能でスループブト向上
時のカセットセット時間間隔を長くすることができる。
１５１第ａの基板搬送手段として動作平面の異なるアー
ム搬送装置を用いているので、真空処理室゛ への基板
の搬入、搬出を同時に行うことができるので、スループ
ットを向上できる。
ム搬送装置を用いているので、真空処理室゛ への基板
の搬入、搬出を同時に行うことができるので、スループ
ットを向上できる。
（６）多モジュー・ルによるシリーズ処理あるいはパラ
レル処理が可能となるため、真空処理装置の小形化と合
わせ床面積当りのスループットを向上させることができ
る。
レル処理が可能となるため、真空処理装置の小形化と合
わせ床面積当りのスループットを向上させることができ
る。
（７）バッファ室に設けられる真空開閉手段の開口面積
は、基板が１枚通過可能な面積であればよく、したがっ
て、多モジュールの場合、真空処理装置間での残留プロ
セスガスの混入がほとんど生じないため、各真空処理装
置でのプロセスガスに対する独立性を確保できる。
は、基板が１枚通過可能な面積であればよく、したがっ
て、多モジュールの場合、真空処理装置間での残留プロ
セスガスの混入がほとんど生じないため、各真空処理装
置でのプロセスガスに対する独立性を確保できる。
第６図に示すように、真空予備室６０Ｃｉ例えば、真空
開閉手段若な介してバッフ１室１０に具設すると共に、
矢印入方向に基板（資）を搬送する第１の基板搬送手段
であるベルト搬送装置Ｉ（図示省略）との間で真空開閉
手段若な介して矢印Ｅ方向に基板菊な受渡し可能に第２
の基板搬送手段であるベルト搬送装置（図示省略）を真
空予備室θ′に設けるようにする。この場合、他の真空
開閉手段は不用である。
開閉手段若な介してバッフ１室１０に具設すると共に、
矢印入方向に基板（資）を搬送する第１の基板搬送手段
であるベルト搬送装置Ｉ（図示省略）との間で真空開閉
手段若な介して矢印Ｅ方向に基板菊な受渡し可能に第２
の基板搬送手段であるベルト搬送装置（図示省略）を真
空予備室θ′に設けるようにする。この場合、他の真空
開閉手段は不用である。
以上、説明した実施例では、真空予備室を供給カセット
、回収カセットが外部より搬入されてセットされるよう
な真空予備室としているが、特に、このような真空予備
室に限定する必要はない。例えば、供給カセット、回収
カセットを真空予備室に固定してセットし、供給カセッ
トに外部から所定枚数基板を装填すると共に、回収カセ
ットに回収された基板を回収カセットから取り出して外
部へ搬出するようにしても良い。また、第１の基板搬送
手段は、ベルト搬送装置の他に基板をバッファ室に設け
られた真空開閉手段との間で搬送するようなものであれ
ば良い。また、第２の基板搬送手段は、ベルト搬送装置
の他に、例えば、アームが直進するアーム搬送装置、ア
ームが回動するアーム搬送装置等を用いても良い。
、回収カセットが外部より搬入されてセットされるよう
な真空予備室としているが、特に、このような真空予備
室に限定する必要はない。例えば、供給カセット、回収
カセットを真空予備室に固定してセットし、供給カセッ
トに外部から所定枚数基板を装填すると共に、回収カセ
ットに回収された基板を回収カセットから取り出して外
部へ搬出するようにしても良い。また、第１の基板搬送
手段は、ベルト搬送装置の他に基板をバッファ室に設け
られた真空開閉手段との間で搬送するようなものであれ
ば良い。また、第２の基板搬送手段は、ベルト搬送装置
の他に、例えば、アームが直進するアーム搬送装置、ア
ームが回動するアーム搬送装置等を用いても良い。
本発明は、以上説明したように、真空排気可能なバッフ
ァ室と、該室に設けられた真空処理室と”、バッフ１室
に内股された第１の基板搬送手段と、該手段の両端に対
応もてバッフ１室に設けられた真空開閉手段と、該手段
の一つ若しくは他の真空開閉手段を介してバッフ１室に
具設された真空予備室と、該室と第１の基板搬送手段と
の間で真空開閉手段若し喝は他の真空開閉手段を介して
基板を搬送する第２の基板搬送手段と、第１の基板搬送
手段の基板搬送経路上で、かつ、真空処理室に手段とを
有した真空処理装置とし、該装置を１モジユールとして
少なくとも２モジユ一ル真空開閉手段を介して連設した
ことで、プロセス変更やライン変更に対応して真空処理
室数を自由に変えてシステム構成あるいは編成ができる
真空処理装置を提供できるという効果がある。
ァ室と、該室に設けられた真空処理室と”、バッフ１室
に内股された第１の基板搬送手段と、該手段の両端に対
応もてバッフ１室に設けられた真空開閉手段と、該手段
の一つ若しくは他の真空開閉手段を介してバッフ１室に
具設された真空予備室と、該室と第１の基板搬送手段と
の間で真空開閉手段若し喝は他の真空開閉手段を介して
基板を搬送する第２の基板搬送手段と、第１の基板搬送
手段の基板搬送経路上で、かつ、真空処理室に手段とを
有した真空処理装置とし、該装置を１モジユールとして
少なくとも２モジユ一ル真空開閉手段を介して連設した
ことで、プロセス変更やライン変更に対応して真空処理
室数を自由に変えてシステム構成あるいは編成ができる
真空処理装置を提供できるという効果がある。
第１図は、本発明による真空処理装置の一実施例を示す
平面図、１ｆｉ２図は、第１図の真空処理装置の基板搬
送手段の斜視構成図、第３図は、第１図の真空処理装置
を２モジユール連設した真空処理装置の基板搬送手段の
斜視構成図、第４図＋８＋ないし第４図（ｄは、２モジ
ユール真空処理装置での基板処理モード図、第５図（ａ
）、第５図（ｂ）は、３モジユール真空処理装置での他
の基板処理モード図、第６図は、本発明による真空処理
装置の他の実施例を示す平面図である。 １０・・・・・・バッフ１室、加・・・・・・真空処理
室、凹・・・・・・基板、伯、４１・・・・・・真空開
閉手段、印、５１・・・・・・他の真空開閉手段、ω、
６０′・・・・・・真空予備室、（資）ないし１２０・
・・・・・ベルト搬送装置、１４０・・・・・・基板受
渡手段、才４図 矛５図
平面図、１ｆｉ２図は、第１図の真空処理装置の基板搬
送手段の斜視構成図、第３図は、第１図の真空処理装置
を２モジユール連設した真空処理装置の基板搬送手段の
斜視構成図、第４図＋８＋ないし第４図（ｄは、２モジ
ユール真空処理装置での基板処理モード図、第５図（ａ
）、第５図（ｂ）は、３モジユール真空処理装置での他
の基板処理モード図、第６図は、本発明による真空処理
装置の他の実施例を示す平面図である。 １０・・・・・・バッフ１室、加・・・・・・真空処理
室、凹・・・・・・基板、伯、４１・・・・・・真空開
閉手段、印、５１・・・・・・他の真空開閉手段、ω、
６０′・・・・・・真空予備室、（資）ないし１２０・
・・・・・ベルト搬送装置、１４０・・・・・・基板受
渡手段、才４図 矛５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空排気可能なバッファ室と、該室に設けられた真
空処理室と、前記バッフ１室に内設された＠１の基板搬
送手段と、該手段の両端に対応して前記パブ７１室に設
けられた真空開閉手段と、該手段の一つ若しくは他の真
空開閉手段を介して前記バッフ１室に具設された真空予
備室と、該室と前記＠１の基板搬送手段との間で前記真
空開閉手段若しｑは前記他の真空開閉手段を介して基板
を搬送する第２の基板搬送手段と、前記第１の基板搬送
手段の基板搬送経路上で、かつ、前記真空処理室に対応
して設けられた基板受渡手段と、該手段と前記真空処理
室との間で基板を搬送する第３の基板搬送手段とを有し
たことを特徴とする真空処理装置。 ２、前記第１の基板搬送手段を昇降可能なベルト搬送装
置とすると共に、前記第２の基板搬送手段をベルト搬送
装置とし、前記第３の基板搬送手段をアーム搬送装置と
した特許請求の範囲第１１！４記載の真空処理袋Ｍ。 ３、 前記アーム搬送装置を、基板のせ具と、該のせ具
が一端に設けられた動作平面が異なる２木のアームと、
該アームをその他端を中心としてそれぞれ部分回動する
回動装置とで構成した特許請求の範囲第２項記載の真空
処理装置。 ４、 真空排気可能なバッファ室と、該室に設けられた
真空処理室と、前記バッフ１室に内設された第１の基板
搬送手段と、該手段の両端に対応して前記バッファ室に
設けられた真空開閉手段と、該手段の一つ若しくは他の
真空開閉手段を介して前記バッフ１室に具設された真空
予備室と、該室とＨ記第１の基板搬送手段との間で前記
真空開閉手段若し曵は前記他の真空開閉手段を介して基
板を搬送する第２の基板搬送手段と、前記第１の基板搬
送手段の基板搬送経路上で、かつ、ｌｌｆｆ記真空処理
室に対応して設けられた基板受渡手段と、該手段と前記
真空処理室との間で基板を搬送する第３の基板搬送手段
とを有した真空処理装置を１モジユールとして少なくと
電も２モジユ一ル雇記真空開閉手段を介して連設したこ
とを特徴とする真空処理装置。
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| DE3442844A DE3442844C2 (de) | 1983-11-28 | 1984-11-23 | Vorrichtung zur Behandlung einer Probe im Vakuum |
| DE3448572A DE3448572C2 (de) | 1983-11-28 | 1984-11-23 | Verfahren zur Durchführung einer Behandlung unter Vakuum |
| DE3448599A DE3448599B4 (de) | 1983-11-28 | 1984-11-23 | Verfahren zur Durchführung einer Behandlung unter Vakuum |
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| JP58222004A JPH06105742B2 (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 真空処理方法及び装置 |
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| JP7325665A Division JP2714548B2 (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 真空処理装置及び真空処理装置の使用方法 |
| JP7325664A Division JP2669455B2 (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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