JP2883596B2 - 真空処理装置及び基板の処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の利用分野】本発明はエッチング装置、プラズマ
ＣＶＤ装置、スパッタ装置等の半導体製造工程における
真空処理装置に関するものである。 【０００２】 【発明の背景】最近の半導体製造プロセス技術の進歩は
著しく、ドライエッチング装置においても１μｍパター
ンを処理する機種が現われ、注目を浴びている。このよ
うな微細化が進むにつれ、基板は大口径化し、それに伴
って半導体製造装置の占有床面積あたりのスループット
（時間あたりの基板処理枚数）を向上させることおよび
製造プロセス技術の多様化に応えることが大きな課題と
なっている。 【０００３】このような要求を解決するためには装置を
小形化するとともに、複数の真空処理室を用いて多目的
処理を行うことが必要で、しかも、プロセス変更やライ
ン変更に対応して真空処理室数を自由に変えてシステム
が構成あるいは編成できる真空処理モジュールが要求さ
れるようになってきた。これに対して、従来の、例え
ば、特開昭５７−１２８９２８号公報に開示されている
ような真空処理室と大気中での基板搬送ラインを結合し
たモジュールを増設できるタイプでは清浄度の悪い大気
中を経て基板が次の真空処理室に搬送されるので、処理
途中で次の真空処理室に処理を引き継ぐようなプロセス
工程への適用にはむかない。また、実開昭５７−３９４
３０号公報に開示されているようないくつかの真空処理
室と一つのバッファ室との間を基板が搬送されて連続的
に処理されるようなタイプでは真空処理室数や処理の種
類が固定され、プロセス変更やライン変更に対応して真
空処理室数や処理の種類を変更したりする自由度がな
く、使用しづらいという問題点を有している。 【０００４】 【発明の目的】本発明の目的は、上記問題を解決するた
めに、装置を小形化した真空処理装置及びそれを用いた
基板の処理方法を提供することにある。 【０００５】 【発明の概要】本発明は、基板をー枚づつ処理する真空
処理室と、前記基板の搬送手段を有しかつ前記真空処理
室に連通するバッファ室とを備えた真空処理装置におい
て、前記バッファ室と前記真空処理室が、一部の空間を
共有するようにして上下に重なって構成され、前記バッ
ファ室と前記真空処理室間で前記基板を搬送する時に
は、該共有する空間を前記バッファ室と前記真空処理室
の双方に連通状態とし、前記基板処理時には、該共有す
る空間を前記真空処理室の一部として前記バッファ室か
ら隔離する手段を設けたことを特徴とする。 【０００６】本発明の他の特徴は、基板をー枚づつ処理
する真空処理室と、前記基板の搬送手段を有しかつ前記
真空処理室に連通したバッファ室とを備え、前記バッフ
ァ室と前記真空処理室とが一部の空間を共有するように
して上下に重なって構成され、前記バッファ室と前記真
空処理室との間に設けられた隔離手段を備えた真空処理
装置による基板の処理方法であって、前記隔離手段を操
作して、前記共有する空間が前記バッファ室及び前記真
空処理室の双方に連通する状態として、前記バッファ室
から前記真空処理室の処理空間に前記基板を搬送し、前
記隔離手段により前記バッファ室と前記真空処理室とを
隔離し前記共有する空間を前記真空処理室の一部とした
状態で、該真空処理室において前記基板を処理し、前記
隔離手段を操作して、前記共有する空間が前記バッファ
室及び前記真空処理室の双方に連通する状態として、前
記真空処理室内の処理済み基板を前記バッファ室内に搬
送することにある。 【０００７】本発明によれば、同種の処理をする処理室
を使う場合にはパラレル処理モードとし、異なった処理
を順次行う処理室を編成した場合にはシリーズ処理モー
ドとするといった自由度が有り、システム構成上、処理
室を変更しやすい真空処理室となる。 【０００８】 【発明の実施例】本発明の一実施例を図１〜図５で説明
する。図１で、真空処理装置は、真空排気可能なバッフ
ァ室１０と、バッファ室１０に設けられた真空処理室２
０と、基板３０を矢印Ａ方向に搬送可能なバッファ室１
０に内設された第１の基板搬送手段（図示省略）と、第
１の基板搬送手段の両端に対応してバッファ室１０の側
壁に設けられたゲート弁、仕切具等の真空開閉手段４
０、４１と、この場合、真空開閉手段４０、４１が設け
られた側壁と直角をなし第１の基板搬送手段をはさんで
真空処理室２０と対応する側壁に設けられたゲート弁等
の他の真空開閉手段５０、５１を介してバッファ室１０
に具設された真空予備室６０と、第１の基板搬送手段と
の間で他の真空開閉手段５０、５１を介して基板３０を
矢印Ｂ、Ｃ方向に搬送する第２の基板搬送手段（図示省
略）と、第１の基板搬送手段の基板搬送経路上で、か
つ、真空処理室２０に対応して設けられた基板受渡手段
（図示省略）と、基板受渡手段と真空処理室２０との間
で基板３０を矢印Ｄ方向に搬送する第３の基板搬送手段
（図示省略）とを有している。なお、この場合、真空予
備室６０には、基板カセット７０、７１を昇降駆動する
カセット昇降装置（図示省略）のカセットテーブル（図
示省略）が昇降可能に他の真空開閉手段５０、５１と対
応して内設されている。第１〜第３の基板搬送手段、基
板受渡手段等を図２で更に詳細に説明する。 【０００９】図２において、第１の基板搬送手段は、ベ
ルト搬送装置８０であり、ベルト搬送装置８０は、その
全体を昇降装置、例えば、シリンダ８１で昇降駆動され
ると共に、モータ８２でベルト８３を回転駆動される。 【００１０】第２の基板搬送手段は、他の真空開閉手段
５０、５１をはさんで真空予備室６０に設けられたベル
ト搬送装置９０、１００とバッファ室１０に設けられた
ベルト搬送装置１１０、１２０である。ベルト搬送装置
９０のプーリ９１、９２とプーリ９１、９２に無端に巻
掛けられたベルト９３とは、カセット昇降装置１３０の
カセットテーブル１３１に対応し、かつ、カセットテー
ブル１３１が最高位置まで上昇させられた時点でもその
上方に位置するように配設されている。ベルト９３はモ
ータ９４で回転駆動される。ベルト搬送装置１１０はモ
ータ１１１でベルト１１２を回転駆動され、ベルト搬送
装置１１０のベルト搬送装置８０側端部は、ベルト搬送
装置８０のベルト８３の一方の昇降動を阻害しないよう
に、この場合、Ｖ字形に折曲され最終端のプーリ１１３
は、ベルト搬送装置８０のベルト８３間に位置するよう
に設けられている。 【００１１】なお、ベルト搬送装置９０のベルト９３と
ベルト搬送装置１１０のベルト１１２とは同一レベルで
あり、ベルト搬送装置９０とベルト搬送装置１１０との
他の真空開閉手段５０側端の間隔は、基板３０の受渡し
に支障のない大きさとなっている。ベルト搬送装置１０
０のプーリ１０１、１０２とプーリ１０１、１０２に無
端に巻掛けられたベルト１０３とは、ベルト搬送装置９
０と同様に配設され、ベルト１０３はモータ１０４で回
動駆動される。ベルト搬送装置１２０はモータ１２１で
ベルト１２２を回転駆動され、ベルト搬送装置１２０の
ベルト搬送装置８０側端部は、ベルト搬送装置１１０の
場合と同様にベルト搬送装置８０のベルト８３の一方の
昇降動を阻害しないようにＶ字形に折曲され最終端のプ
ーリ１２３は、ベルト搬送装置８０のベルト８３間に位
置するように設けられている。なお、ベルト搬送装置１
００のベルト１０３とベルト搬送装置１２０のベルト１
２２とは同一レベルであり、ベルト搬送装置１００とベ
ルト搬送装置１２０との他の真空開閉手段５１側端の間
隔は、基板３０の受渡しに支障のない大きさとなってい
る。 【００１２】また、ベルト搬送装置１１０のプーリ１１
３とプーリ１１３に対応するプーリ１１４との間隔は、
基板３０の落下を防止して良好に受渡し可能な大きさで
あり、ベルト搬送装置１２０のプーリ１２３に対応する
プーリ１２４との間隔も同様の大きさである。なお、ベ
ルト搬送装置８０は、ベルト８３のレベルがベルト搬送
装置１１０、１２０のベルト１１２、１２２のレベル以
下並びに以上になるように昇降駆動される。 【００１３】基板受渡手段１４０は、ベルト搬送装置８
０のベルト８３間の寸法より小さい基板テーブル１４１
と昇降装置、例えば、シリンダ１４２とで構成されてい
る。基板テーブル１４１は真空処理室２０と対応する位
置で、この場合は、ベルト搬送装置１１０、１２０の間
の位置で、ベルト搬送装置８０のベルト８３間を通過し
シリンダ１４２で昇降可能に設けられている。 【００１４】第３の基板搬送手段は、アーム搬送装置１
５０、１６０である。アーム搬送装置１５０は、基板す
くい具１５１とアーム１５２と回動装置、例えば、パル
スモータ１５３とで構成されている。パルスモータ１５
３は、ベルト搬送装置８０と真空処理室２０との間で、
かつ、基板受渡手段１４０の基板テーブル１４１の中心
と真空処理室２０の基板電極２１の中心とを結ぶ線の一
方の側（図２では左側）に設けられ、パルスモータ１５
３には、アーム１５２の一端が設けられている。アーム
１５２の他端には基板すくい具１５１が設けられてい
る。 【００１５】また、アーム搬送装置１６０は、基板すく
い具１６１とアーム１６２と回動装置、例えば、パルス
モータ１６３とで構成されている。パルスモータ１６３
は、ベルト搬送装置８０と真空処理室２０との間で、か
つ、基板受渡手段１４０の基板テーブル141の中心と真
空処理室２０の基板電極２１の中心とを結ぶ線の他方の
側（図２では右側）に設けられ、パルスモータ１６３に
は、アーム１６２の一端が設けられている。アーム１６
２の他端には、基板すくい具１６１が設けられている。
この場合、基板すくい具１５１、１６１、アーム１５
２、１６２の寸法は、基板テーブル１４１並びに基板電
極２１に基板３０が載置されている場合、この基板３０
を基板すくい具１５１、１６１ですくい可能な寸法であ
る。また、アーム１５２、１６２は、基板すくい具１５
１、１６１で基板３０を基板テーブル１４１と基板電極
２１との間で搬送可能にパルスモータ１５３、１６３で
それぞれ部分回動される。なお、この場合、アーム１５
２、１６２の動作平面はアーム１５２が上面、アーム１
６２で下面と異なり、例えば、アーム搬送装置１５０で
基板３０を基板テーブル１４１から基板電極２１へ搬送
する際に、アーム搬送装置１６０で基板３０を基板電極
２１から基板テーブル１４１へ搬送するのを阻害しない
ようになっている。 【００１６】カセット昇降装置１３０は、カセットテー
ブル１３１と、カセットテーブル１３１に垂設され下端
部にネジが形成された昇降ロッド１３２と、モータ１３
３で回動駆動される歯車１３４と、歯車１３４と噛合し
設けられると共に昇降ロッド１３２の下端部が螺合され
た歯車１３５とで構成されている。 【００１７】基板電極２１は、ラック・ピニオン機構２
２を介しモータ２３の回動により昇降駆動される。ま
た、基板電極２１の中心部には、基板支持用の爪２４が
昇降装置、例えば、シリンダ２５で昇降可能に設けられ
ている。爪２４は、その表面が基板電極２１の表面以下
になる位置と、アーム搬送装置１５０、１６０の基板す
くい具１５１、１６１と基板３０を受渡し可能な位置と
の間で昇降駆動される。図１、図２で示される真空処理
装置では、次のような基板処理を行うことができる。 【００１８】まず、他の真空開閉手段５０に対応するカ
セットテーブル１３１は、最下部に下降させられ、他の
真空開閉手段５１に対応するカセットテーブル（図示省
略）は最上部に上昇させられる。他の真空開閉手段５
０、５１が、例えば、シリンダ５２、５３の駆動により
閉止されバッファ室１０と真空予備室６０との連通は気
密に遮断されると共に、真空開閉手段４０、４１が閉止
又は仕切られてバッファ室１０と外部との連通も気密に
遮断される。この状態でバッファ室１０は真空排気装置
（図示省略）を作動させることで所定圧力に減圧排気さ
れる。 【００１９】一方、真空予備室６０には、外部が大気側
である場合は、真空予備室６０に設けられた扉等の大気
真空開閉手段（図示省略）を開放することで所定枚数の
基板３０が装填された基板カセット（以下、供給カセッ
トと略）７０と基板回収用の空の基板カセット（以下、
回収カセットと略）７１とが搬入されて、供給カセット
７０は他の真空開閉手段５０に対応するカセットテーブ
ル１３１に、回収カセット７１は他の真空開閉手段５１
に対応するカセットテーブルにそれぞれ載置される。そ
の後、大気真空開閉手段は閉止され真空予備室６０は、
真空排気装置（図示省略）でバッファ室１０の圧力と同
程度の圧力まで減圧排気される。その後、シリンダ５２
の駆動により他の真空開閉手段５０が開放され、これに
よりバッファ室１０と真空予備室６０とは連通状態とな
る。 【００２０】この状態下で、モータ１３３を駆動しカセ
ットテーブル１３１を１ピッチ分下降させることで供給
カセット７０の、この場合、最下部に装填された基板３
０はベルト９３に載置される。その後、モータ９４によ
りベルト９３を回転駆動することで載置された基板３０
は他の真空開閉手段５０側へ搬送され、モータ１１１に
より回転駆動されているベルト１１２に他の真空開閉手
段５０を介して渡される。ベルト１１２に渡された基板
３０はベルト搬送装置８０側へ搬送される。なお、この
ときベルト８３のレベルがベルト１１２のレベル以下と
なるようにベルト搬送装置８０全体はシリンダ８１によ
り降下させられている。 【００２１】その後、基板３０がプーリ１１３、１１４
にかかる程度に搬送されてきた時点でベルト８３のレベ
ルがベルト１１２のレベル以上となるようにベルト搬送
装置８０全体はシリンダ８１により上昇させられ、これ
により基板３０はベルト１１２からベルト８３へ渡され
る。ベルト８３に渡された基板３０は、モータ８２の駆
動により基板テーブル１４１に対応する位置まで搬送さ
れた後に、基板テーブル１４１をシリンダ１４２で上昇
させることで基板テーブル１４１に受取られる。基板テ
ーブル１４１に受取られた基板３０は、例えば、オリフ
ラ合せ装置１７０でオリフラを合わされる。 【００２２】その後、基板３０は、例えば、基板のせ具
１５１に渡されアーム１５２をパルスモータ１５３で真
空処理室２０側へ回転駆動することで、バッファ室１０
を経て真空処理室２０の基板電極２１の上方へ搬送され
る。その後、爪２４をシリンダ２５で上昇させること
で、基板のせ具１５１の基板３０は、爪２４に受取られ
る。その後、基板３０を爪２４に渡した基板のせ具１５
１は、真空処理室２０外のバッファ室１０に退避させら
れる。その後、爪２４を、その表面が基板電極２１の表
面以下となるようにシリンダ２５で下降させることで、
基板３０は爪２４から基板電極２１に渡されて載置され
る。 【００２３】その後、仕切り用のフランジ１８０と、フ
ランジ１８０の裏面とバッファ室１０の底壁とに跨設さ
れたベローズ１８１と、フランジ１８０を昇降駆動する
昇降装置、例えば、シリンダ１８２とで構成される仕切
り手段１８３によりバッファ室１０と真空処理室２０と
は仕切られる。この状態で、まず、基板電極２０と、基
板電極３０の上方に対向して真空処理室２０に設けられ
た対向電極（図示省略）との電極間隔は、モータ２３を
駆動することにより適正間隔に調節される。その後、真
空処理室２０には、流量を調節されてプロセスガスが導
入されると共に、真空排気装置（図示省略）の駆動によ
り真空処理室２０の圧力は処理圧力に調整される。 【００２４】その後、例えば、基板電極２１に接続され
た電源、例えば、高周波電源（図示省略）より基板電極
２１に高周波電力を印加することで、対向電極と基板電
極２１との間には、グロー放電が生じ、該放電によりプ
ロセスガスはプラズマ化される。このプラズマにより基
板電極２１に載置された基板３０は、エッチング処理等
所定処理される。この間、供給カセット７０からは、上
記した操作により基板３０が取り出されベルト搬送装置
１１０、８０で搬送されて基板テーブル１４１に渡され
オリフラが合わされた後に基板のせ具１５１に渡され
る。 【００２５】真空処理室２０での処理が終了した後に仕
切り手段１８３によるバッファ室１０と真空処理室２０
の仕切りは解除され、真空処理室２０はバッファ室１０
と再び連通させられる。その後、基板電極２１は、所定
位置まで降下させられ、爪２４をシリンダ２５で上昇さ
せることで、処理済みの基板３０は、基板電極２１から
除去され爪２４に渡される。その後、基板のせ具１６１
を爪２４に渡された基板３０の裏面に対応する位置まで
回転させた後に、爪２４をシリンダ２５で下降させるこ
とで、処理済みの基板３０は基板のせ具１６１に渡され
る。 【００２６】その後、基板のせ具１５１に渡された基板
３０は、基板テーブル１４１から基板電極２１へ、ま
た、基板のせ具１６１に渡された処理済みの基板３０は
基板電極２１から基板テーブル１４１へそれぞれ搬送さ
れる。基板電極２１へ搬送された基板３０は、上記した
操作により所定処理される。 【００２７】この間、基板テーブル１４１に搬送された
処理済みの基板３０は、基板テーブル１４１をシリンダ
１４２で下降させることでベルト搬送装置８０のベルト
８３に渡され、その後、ベルト８３、１２２のモータ８
２、１２１による回転駆動で他の真空開閉手段５１側へ
搬送される。なお、ベルト８３からベルト１２２への処
理済みの基板３０の受渡しは、ベルト１１２からベルト
８３への基板３０の受渡しと逆操作により行われる。シ
リンダ５３の駆動により他の真空開閉手段５１が開放さ
れ、モータ１０４によりベルト１０３を回転駆動するこ
とで、他の真空開閉手段５１側へ搬送されてきた処理済
みの基板３０は他の真空開閉手段５１を介して真空予備
室６０に搬入され、その後、カセットテーブルを１ピッ
チ分上昇させることで回収カセット７１に回収される。 【００２８】また、供給カセット７０からは上記した操
作により基板３０が取り出されベルト搬送装置１１０、
８０で搬送されて基板テーブル１４１に渡されオリフラ
が合わされた後に基板のせ具１５１に渡される。 【００２９】以上のような操作を繰り返し実施すること
で、供給カセット７０からは基板３０が１枚毎取り出さ
れ、真空予備室６０からバッファ室１０を経て真空処理
室２０に搬送され、真空処理室２０で１枚毎処理され、
処理済みの基板３０は、真空処理室２０からバッファ室
１０を経て真空予備室６０に搬送されて１枚毎回収カセ
ット７１に回収される。 【００３０】図３は、図１、図２で示される真空処理装
置を１モジュールとして真空開閉手段４０、４１を介し
て２モジュール連設した場合の例を示すものである。な
お、図３での構成部品は、図２のそれと全て同一であ
り、したがって、構成、作用等の説明は省略する。図３
で示される真空処理装置では、図４（ａ）〜図４（ｃ）
に示すような基板処理を行うことができる。 【００３１】即ち、図４（ａ）に示すように基板３０を
連設された真空処理装置の二つの真空処理室２０でシリ
ーズ処理することも、図４（ｂ）に示すように、基板３
０を連設された真空処理装置の二つの真空処理室２０で
パラレル処理することも、図４（ｃ）に示すように、基
板３０を、連設された真空処理装置毎の真空処理室２０
でパラレル処理することもできる。 【００３２】なおこのような基板処理モードで図４
（ａ)、（ｂ）に示される基板処理モードの場合、前段
の真空処理装置の真空予備室６０に供給カセット（図示
省略）を少なくとも１個セットし、後段の真空処理装置
の真空予備室６０に回収カセット（図示省略）を少なく
とも１個セットするようにする。また、図４（ｃ）に示
される基板処理モードの場合、各真空処理装置の真空予
備室６０に供給カセット（図示省略）、回収カセット
（図示省略）を各１個セットするようにする。また、図
１、図２で示される真空処理装置を１モジュールとして
真空開閉手段４０、４１を介して２モジュール連設した
場合、各真空処理装置における基板３０の搬送はバッフ
ァ室１０を経ることで行われる。 【００３３】更に、図１、図２で示される真空処理装置
を１モジュールとして真空開閉手段４０、４１を介して
３モジュール以上連設した場合は、図４に示すような基
板処理モードに加えて図５（ａ)、（ｂ）に示すような
基板処理を行うことができる。 【００３４】即ち、図５（ａ）に示すように、基板３０
を連設された真空処理装置の前段の真空処理装置の真空
処理室２０と、この場合は、中段の真空処理装置の真空
処理室２０とで、まず、パラレル処理し、引続き後段の
真空処理装置の真空処理室２０でシリーズ処理すること
も、図５（ｂ）に示すように、基板３０を連設された真
空処理装置の前段と中段の真空処理装置の真空処理室２
０でシリーズ処理すると共に、前段と後段の真空処理装
置の真空処理室２０でシリーズ処理することもできる。
なお、このような基板処理モードの場合、前段の真空処
理装置の真空予備室６０に供給カセット（図示省略）を
２個セットし、後段の真空処理装置の真空予備室６０に
回収カセット（図示省略）を２個セットするようにす
る。 【００３５】また、各真空処理装置の真空処理室２０で
基板３０をシリーズ処理する場合は、前段の真空処理装
置の真空予備室６０に供給カセットを１個セットし、後
段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを１個セ
ットするようにする。また、各真空処理装置の真空処理
室で基板３０をパラレル処理する場合は、前段の真空処
理装置の真空予備室に供給カセットを少なくとも１個セ
ットし後段の真空処理装置の真空予備室に回収カセット
を少なくとも１個セットするようにする。 【００３６】また、各真空処理装置を独立させそれぞれ
の真空処理室で基板をパラレル処理する場合は、各真空
処理装置の真空予備室に供給カセットと回収カセットと
を各１個セットするようにする。また、図１、図２で示
される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段
４０、４１を介して３モジュール以上連設した場合で
も、各真空処理装置における基板３０の搬送は、バッフ
ァ室１０を経ることで行われる。 【００３７】本実施例のような真空処理装置では、次の
ような効果が得られる。 (1）プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数
を自由に変えてシステム構成あるいは編成ができる。 (2）基板は真空排気されているバッファ室を経て次の真
空処理室に搬送されるため、処理途中で次の真空処理室
へ処理を引継ぐようなプロセス工程にも問題なく適用で
きる。 (3）第２の基板搬送手段と第３の基板搬送手段とを平行
とし真空処理装置の前面横幅を小さくすることができ、
多モジュール構成がし易くなっている。 【００３８】(4）真空予備室を真空排気可能なカセット
室としているので、真空処理装置の奥行寸法を小さくす
ることができ、多モジュールシステムでは、１モジュー
ルに２個のカセットをセットすることも可能でスループ
ット向上時のカセットセット時間間隔を長くすることが
できる。 (5）第３の基板搬送手段として動作平面の異なるアーム
搬送装置を用いているので、真空処理室への基板の搬
入、搬出を同時に行うことができるので、スループット
を向上できる。 【００３９】(6）多モジュールによるシリーズ処理ある
いはパラレル処理が可能となるため、真空処理装置の小
形化と合わせ床面積当りのスループットを向上させるこ
とができる。 (7）バッファ室に設けられる真空開閉手段の開口面積
は、基板が１枚通過可能な面積であればよく、したがっ
て、多モジュールの場合、真空処理装置間での残留プロ
セスガスの混入がほとんど生じないため、各真空処理装
置でのプロセスガスに対する独立性を確保できる。 【００４０】なお、真空処理装置の奥行寸法を小さくし
て、しかも他の装置との連続一貫処理を目指す場合は、
図６に示すように、真空予備室６０′を例えば、真空開
閉手段４０を介してバッファ室１０に具設すると共に、
矢印Ａ方向に基板３０を搬送する第１の基板搬送手段で
あるベルト搬送装置（図示省略）との間で真空開閉手段
４０を介して矢印Ｅ方向に基板３０を受渡し可能に第２
の基板搬送手段であるベルト搬送装置（図示省略）を真
空予備室６０′に設けるようにする。この場合、他の真
空開閉手段は不用である。 【００４１】以上、説明した実施例では、真空予備室を
供給カセット、回収カセットが外部より搬入されてセッ
トされるような真空予備室としているが、特に、このよ
うな真空予備室に限定する必要はない。例えば、供給カ
セット、回収カセットを真空予備室に固定してセット
し、供給カセットに外部から所定枚数基板を装填すると
共に、回収カセットに回収された基板を回収カセットか
ら取り出して外部へ搬出するようにしても良い。 【００４２】また、第１の基板搬送手段は、ベルト搬送
装置の他に基板をバッファ室に設けられた真空開閉手段
との間で搬送するようなものであれば良い。また、第２
の基板搬送手段は、ベルト搬送装置の他に、例えば、ア
ームが直進するアーム搬送装置、アームが回動するアー
ム搬送装置等を用いても良い。 【００４３】 【発明の効果】本発明によれば、バッファ室と上下に重
なるようにして真空処理室を設けたために、真空処理装
置を小型化する、すなわち、真空処理装置の床占有面積
を小さくし省スペースを図ることができるという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明による真空処理装置の一実施例を示す平
面図。 【図２】図１の真空処理装置の基板搬送手段の斜視構成
図。 【図３】図１の真空処理装置を２モジュール連設した真
空処理装置の基板搬送手段の斜視構成図。 【図４】（ａ）ないし（ｃ）は、２モジュール真空処理
装置での基板処理モード図。 【図５】（ａ)、（ｂ）は、３モジュール真空処理装置
での他の基板処理モード図。 【図６】本発明による真空処理装置の他の実施例を示す
平面図。 【符号の説明】 １０…バッファ室、２０…真空処理室、３０…基板、４
０、４１…真空開閉手段、５０、５１…他の真空開閉手
段、６０、６０′…真空予備室、８０ないし１２０…ベ
ルト搬送装置、１４０…基板受渡手段、１５０、１６０
…アーム搬送装置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 史雄 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (72)発明者 坪根 恒彦 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (72)発明者 金井 謙雄 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (56)参考文献 特開 昭57−149748（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−158911（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−170028（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/68 H01L 21/203 H01L 21/205 H01L 21/3065

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 １．基板をー枚づつ処理する真空処理室と、前記基板の
   搬送手段を有しかつ前記真空処理室に連通するバッファ
   室とを備えた真空処理装置において、 前記バッファ室と前記真空処理室が、一部の空間を共有
   するようにして上下に重なって構成され、 前記バッファ室と前記真空処理室間で前記基板を搬送す
   る時には、該共有する空間を前記バッファ室と前記真空
   処理室の双方に連通状態とし、前記基板処理時には、該
   共有する空間を前記真空処理室の一部として前記バッフ
   ァ室から隔離する手段を設け たことを特徴とする真空処
   理装置。 ２．請求項１記載の真空処理装置において、前記隔離す
   る手段として前記バッファ室と前記真空処理室とを仕切
   る仕切手段を有し、該仕切手段は、 仕切用のフランジと、該フランジの裏面と前記バッファ
   室の底壁とにまたがって設けられたべローズと、前記フ
   ランジを昇降駆動する昇降装置とで構成された仕切部材
   とを備えた、ことを特徴とする真空処理装置。 ３．請求項２記載の真空処理装置において、前記真空処
   理室で前記基板が載置される電極を上下動させる電極上
   下動手段を備えたことを特徴とする真空処理装置。 ４．請求項３記載の真空処理装置において、前記昇降装
   置と前記電極上下動手段とは別々に動作するよう構成さ
   れている、ことを特徴とする真空処理装置。 ５．基板をー枚づつ処理する真空処理室と、前記基板の
   搬送手段を有しかつ前記真空処理室に連通したバッファ
   室とを備え、前記バッファ室と前記真空処理室とが一部
   の空間を共有するようにして上下に重なって構成され、
   前記バッファ室と前記真空処理室との間に設けられた隔
   離手段を備えた真空処理装置による基板の処理方法であ
   って、 前記隔離手段を操作して、前記共有する空間が前記バッ
   ファ室及び前記真空処 理室の双方に連通する状態とし
   て、前記バッファ室から 前記真空処理室の処理空間に、
   前記基板を搬送し、前記隔離手段により前記バッファ室と前記真空処理室と
   を隔離し前記共有する空間を前記真空処理室の一部とし
   た状態で、 該真空処理室において前記基板を処理し、前記隔離手段を操作して、前記共有する空間が前記バッ
   ファ室及び前記真空処理室の双方に連通する状態とし
   て、 前記真空処理室内の処理済み基板を前記バッファ室
   内に搬送することを特徴とする基板の処理方法。 ６．基板をー枚づつ処理する真空処理室と、前記基板の
   搬送手段を有しかつ前記真空処理室に連通したバッファ
   室とを備えた真空処理装置であって、前記バッファ室と
   上下に重なる位置に前記真空処理室を設けた真空処理装
   置による基板の処理方法において、 前記バッファ室と前記真空処理室とを仕切るフランジお
   よび前記真空処理室で基板が載置される電極をぞれぞ
   れ、前記バッファ室に対応した高さに下降させ、前記バ
   ッファ室内の基板を搬送して前記電極上に載置し、 該基板の載置された電極を前記真空処理室の処理空間の
   所定位置に上昇させ、 前記フランジを上昇させて前記バッファ室と前記真空処
   理室とを仕切り、 前記真空処理室で前記基板を処理し、 前記基板の処理後、前記フランジおよび前記電極をぞれ
   ぞれ、前記バッファ室に対応した高さに下降させ、 前記真空処理室内の処理済み基板を前記バッファ室内に
   搬送することを特徴とする基板の処理方法。