JPH08316286A - プラズマ処理装置およびその運転方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびその運転方法Info
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- JPH08316286A JPH08316286A JP7120114A JP12011495A JPH08316286A JP H08316286 A JPH08316286 A JP H08316286A JP 7120114 A JP7120114 A JP 7120114A JP 12011495 A JP12011495 A JP 12011495A JP H08316286 A JPH08316286 A JP H08316286A
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
- B29C37/0089—Sealing devices placed between articles and treatment installations during moulding or shaping, e.g. sealing off the entrance or exit of ovens or irradiation rooms, connections between rooms at different pressures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ処理のスループットを向上させる装
置を提供する。 【構成】 プラズマ放電により基板Ｗの表面処理を行う
処理室１０と、この処理室１０を形成する壁部１０ａに
形成された開閉口１１Ｒ、１１Ｌを通して該処理室１０
と連通自在なロードロック室２０Ｒ、２０Ｌと、開閉口
１１Ｒ、１１Ｌを壁部１０ａの処理室１０内面側から開
閉する扉体３０を備えた開閉手段と、前記処理室１０と
ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌとの間において基板Ｗの
搬送を行う搬送手段とを備えてなる。
置を提供する。 【構成】 プラズマ放電により基板Ｗの表面処理を行う
処理室１０と、この処理室１０を形成する壁部１０ａに
形成された開閉口１１Ｒ、１１Ｌを通して該処理室１０
と連通自在なロードロック室２０Ｒ、２０Ｌと、開閉口
１１Ｒ、１１Ｌを壁部１０ａの処理室１０内面側から開
閉する扉体３０を備えた開閉手段と、前記処理室１０と
ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌとの間において基板Ｗの
搬送を行う搬送手段とを備えてなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板、ディスプ
レイ基板、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）、プリン
ト基板等のエッチング、アッシング、デポジション、表
面改質、表面クリーニング等に使用されるプラズマ処理
装置およびその運転方法に係わり、特にスループットを
向上させる技術や被処理基板にプラズマ発生時のダメー
ジを与えない技術に関するものである。
レイ基板、マルチチップモジュール（ＭＣＭ）、プリン
ト基板等のエッチング、アッシング、デポジション、表
面改質、表面クリーニング等に使用されるプラズマ処理
装置およびその運転方法に係わり、特にスループットを
向上させる技術や被処理基板にプラズマ発生時のダメー
ジを与えない技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＳＩの製造工程における半導体
基板等のエッチング、アッシング、デポジション、表面
改質、表面クリーニング等において、減圧下でプラズマ
を発生させて基板を処理する各種のプラズマ処理装置が
広く用いられている。
基板等のエッチング、アッシング、デポジション、表面
改質、表面クリーニング等において、減圧下でプラズマ
を発生させて基板を処理する各種のプラズマ処理装置が
広く用いられている。
【０００３】そのようなプラズマ処理装置においては、
プラズマ処理を行う処理室に隣接させてロードロック室
を設け、このロードロック室から基板の搬送が行われて
いる。この場合、処理室・ロードロック室間に基板を搬
送するための開閉口を設けておき、処理時には、この開
閉口をゲートバルブと称される扉体により気密状態に閉
塞し、搬送時には、この開閉口から基板の出し入れを行
う。
プラズマ処理を行う処理室に隣接させてロードロック室
を設け、このロードロック室から基板の搬送が行われて
いる。この場合、処理室・ロードロック室間に基板を搬
送するための開閉口を設けておき、処理時には、この開
閉口をゲートバルブと称される扉体により気密状態に閉
塞し、搬送時には、この開閉口から基板の出し入れを行
う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のプラズマ処理装置にあっては、扉体は、ロードロッ
ク室側に設けられてロードロック室側から開閉口の開閉
を行うので、ロードロック室内に扉体を駆動させる駆動
機構および扉体の駆動空間を配する必要があった。その
ため、ロードロック室の容積が大きなものとなり、真空
引きに時間を要し、基板１枚あたりの処理効率、すなわ
ちスループットを低下させる要因となっていた。
来のプラズマ処理装置にあっては、扉体は、ロードロッ
ク室側に設けられてロードロック室側から開閉口の開閉
を行うので、ロードロック室内に扉体を駆動させる駆動
機構および扉体の駆動空間を配する必要があった。その
ため、ロードロック室の容積が大きなものとなり、真空
引きに時間を要し、基板１枚あたりの処理効率、すなわ
ちスループットを低下させる要因となっていた。
【０００５】一方、プラズマ処理は、被処理基板を所定
の処理位置にまで搬送した後、プラズマを発生させて行
われるが、この際、プラズマ発生時においては、定常状
態におけるプラズマ維持電圧よりも大きな放電開始電圧
がかかり、一時的に多量の電子およびイオンが生成され
て、半導体基板等の被処理基板は、これら初期的に生成
される電子およびイオンによりダメージを受けるおそれ
があるという問題があった。
の処理位置にまで搬送した後、プラズマを発生させて行
われるが、この際、プラズマ発生時においては、定常状
態におけるプラズマ維持電圧よりも大きな放電開始電圧
がかかり、一時的に多量の電子およびイオンが生成され
て、半導体基板等の被処理基板は、これら初期的に生成
される電子およびイオンによりダメージを受けるおそれ
があるという問題があった。
【０００６】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、プラズマ処理のスループットを向上させる装置、
および、被処理基板にプラズマ発生時のダメージを与え
ない運転方法を提供することを目的とするものである。
ので、プラズマ処理のスループットを向上させる装置、
および、被処理基板にプラズマ発生時のダメージを与え
ない運転方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のプラズマ
処理装置にあっては、プラズマ放電により基板の表面処
理を行う処理室と、この処理室を形成する壁部に形成さ
れた開閉口を通して該処理室と連通自在なロードロック
室と、前記開閉口を前記壁部の処理室内面側から開閉す
る扉体を備えた開閉手段と、前記処理室とロードロック
室との間において基板の搬送を行う搬送手段とを備えて
なることを特徴としている。請求項２記載のプラズマ処
理装置にあっては、請求項１記載のプラズマ処理装置に
おいて、前記開閉口が前記壁部に複数設けられるととも
に前記ロードロック室が各開閉口ごとに複数設けられ、
前記搬送手段が、前記処理室と１つのロードロック室と
を１単位として、各単位ごとに設けられていることを特
徴としている。請求項３記載のプラズマ処理装置にあっ
ては、プラズマ放電により基板の表面処理を行う処理室
と、この処理室を形成する壁部に形成された第１の開閉
口を通して該処理室と連通自在な第１のロードロック室
と、前記壁部に形成された第２の開閉口を通して該処理
室と連通自在な第２のロードロック室と、前記処理室内
に支持され、該処理室内で移動して該処理室内面側から
前記第１の開閉口、第２の開閉口を交互に開閉する扉体
と、この扉体の前記第１のロードロック室を向く側に固
定されて前記基板を保持し、該扉体が前記第１の開閉口
を閉じたときに該基板を前記第１のロードロック室に位
置させ該扉体が前記第２の開閉口を閉じたときに該基板
を前記処理室内に位置させる第１の搬送ボートと、前記
扉体の前記第２のロードロック室を向く側に固定されて
前記基板を保持し、該扉体が前記第２の開閉口を閉じた
ときに該基板を前記第２のロードロック室に位置させ該
扉体が前記第１の開閉口を閉じたときに該基板を前記処
理室内に位置させる第２の搬送ボートとを備えてなるこ
とを特徴としている。請求項４記載のプラズマ処理装置
にあっては、請求項３記載のプラズマ処理装置におい
て、前記扉体は、前記処理室内に鉛直方向の軸線をもっ
て配置されるとともに駆動源により回動される軸体に固
定され、該軸体の回動により揺動して前記第１の開閉
口、第２の開閉口を交互に開閉する構成とされているこ
とを特徴としている。請求項５記載のプラズマ処理装置
にあっては、請求項３または４記載のプラズマ処理装置
において、前記第１、第２の搬送ボートは、それぞれ基
板の下面周縁部が載置される保持部を有し、前記第１、
第２のロードロック室には、それぞれその上壁部に基板
装填・取出孔が形成されるとともに、上下方向に移動す
ることによって該基板装填・取出孔を開閉する蓋体が設
けられ、かつ、その内部で上下方向移動自在とされると
ともに下限位置から上方に移動したときに該内部におい
て前記保持部上に載置された基板をすくいとってその基
板を前記基板装填・取出孔から外部に移動させあるいは
上限位置から下方へ移動したときに前記基板装填・取出
孔の上方で受け取った基板を前記保持部上に載置させる
基板受け渡しテーブルが配置され、さらに前記蓋体と基
板受け渡しテーブルとを同期させて上下方向に移動させ
る駆動機構が付設されることを特徴としている。請求項
６記載のプラズマ処理装置の運転方法にあっては、請求
項１ないし５のいずれかに記載のプラズマ処理装置を運
転する方法として、複数の基板搬送の間にわたってプラ
ズマ処理を行うためのプラズマ放電を連続的に維持する
ことを特徴としている。
処理装置にあっては、プラズマ放電により基板の表面処
理を行う処理室と、この処理室を形成する壁部に形成さ
れた開閉口を通して該処理室と連通自在なロードロック
室と、前記開閉口を前記壁部の処理室内面側から開閉す
る扉体を備えた開閉手段と、前記処理室とロードロック
室との間において基板の搬送を行う搬送手段とを備えて
なることを特徴としている。請求項２記載のプラズマ処
理装置にあっては、請求項１記載のプラズマ処理装置に
おいて、前記開閉口が前記壁部に複数設けられるととも
に前記ロードロック室が各開閉口ごとに複数設けられ、
前記搬送手段が、前記処理室と１つのロードロック室と
を１単位として、各単位ごとに設けられていることを特
徴としている。請求項３記載のプラズマ処理装置にあっ
ては、プラズマ放電により基板の表面処理を行う処理室
と、この処理室を形成する壁部に形成された第１の開閉
口を通して該処理室と連通自在な第１のロードロック室
と、前記壁部に形成された第２の開閉口を通して該処理
室と連通自在な第２のロードロック室と、前記処理室内
に支持され、該処理室内で移動して該処理室内面側から
前記第１の開閉口、第２の開閉口を交互に開閉する扉体
と、この扉体の前記第１のロードロック室を向く側に固
定されて前記基板を保持し、該扉体が前記第１の開閉口
を閉じたときに該基板を前記第１のロードロック室に位
置させ該扉体が前記第２の開閉口を閉じたときに該基板
を前記処理室内に位置させる第１の搬送ボートと、前記
扉体の前記第２のロードロック室を向く側に固定されて
前記基板を保持し、該扉体が前記第２の開閉口を閉じた
ときに該基板を前記第２のロードロック室に位置させ該
扉体が前記第１の開閉口を閉じたときに該基板を前記処
理室内に位置させる第２の搬送ボートとを備えてなるこ
とを特徴としている。請求項４記載のプラズマ処理装置
にあっては、請求項３記載のプラズマ処理装置におい
て、前記扉体は、前記処理室内に鉛直方向の軸線をもっ
て配置されるとともに駆動源により回動される軸体に固
定され、該軸体の回動により揺動して前記第１の開閉
口、第２の開閉口を交互に開閉する構成とされているこ
とを特徴としている。請求項５記載のプラズマ処理装置
にあっては、請求項３または４記載のプラズマ処理装置
において、前記第１、第２の搬送ボートは、それぞれ基
板の下面周縁部が載置される保持部を有し、前記第１、
第２のロードロック室には、それぞれその上壁部に基板
装填・取出孔が形成されるとともに、上下方向に移動す
ることによって該基板装填・取出孔を開閉する蓋体が設
けられ、かつ、その内部で上下方向移動自在とされると
ともに下限位置から上方に移動したときに該内部におい
て前記保持部上に載置された基板をすくいとってその基
板を前記基板装填・取出孔から外部に移動させあるいは
上限位置から下方へ移動したときに前記基板装填・取出
孔の上方で受け取った基板を前記保持部上に載置させる
基板受け渡しテーブルが配置され、さらに前記蓋体と基
板受け渡しテーブルとを同期させて上下方向に移動させ
る駆動機構が付設されることを特徴としている。請求項
６記載のプラズマ処理装置の運転方法にあっては、請求
項１ないし５のいずれかに記載のプラズマ処理装置を運
転する方法として、複数の基板搬送の間にわたってプラ
ズマ処理を行うためのプラズマ放電を連続的に維持する
ことを特徴としている。
【０００８】
【作用】請求項１記載のプラズマ処理装置においては、
常に減圧状態に維持されることにより容積を大きくして
もスループットに影響を及ぼさない処理室内に扉体が配
されるので、ロードロック室側に扉体および扉体の開閉
に要する空間を配する必要がない。そのため、大気開放
と真空引きが繰り返されその容積がスループットに影響
を与えるロードロック室は、その容積が極力小さく構成
され、真空引きに要する時間が短縮されてスループット
が向上する。請求項２記載のプラズマ処理装置において
は、ロードロック室が複数であることにより、あるロー
ドロック室から基板搬送を行う際に、他のロードロック
室については、基板搬送の準備がなされる。すなわち、
基板搬送と搬送準備作業とが並行してなされるので、ス
ループットが向上する。請求項３記載のプラズマ処理装
置においては、１つの扉体により第１および第２の開閉
口の開閉操作が一動作にてなされるので、扉体の開閉時
間が短縮されてスループットが向上する。しかも、扉体
には、第１および第２の搬送ボートが一体的に固定され
ているので、開閉操作と同時に基板搬送が行われ、装置
構成が著しく単純化される。請求項４記載のプラズマ処
理装置においては、処理室内に設けられた軸体を中心と
して扉体が揺動させられて第１および第２の開閉口が交
互に開閉されるので、扉体による第１および第２の開閉
口の交互の開閉が容易な構成で実現される。請求項５記
載のプラズマ処理装置においては、基板の装填・取出
は、駆動機構により蓋体と基板受け渡しテーブルとが上
下方向に移動されることによりなされる。すなわち、蓋
体と基板受け渡しテーブルとが共に上方向に移動する
と、蓋体の上昇により基板装填・取出孔が開放され、こ
れと同時に基板受け渡しテーブルの上昇により保持部上
に載置された基板をすくいとってその基板を基板装填・
取出孔から外部に移動させることにより基板が回収され
る。逆に、蓋体と基板受け渡しテーブルとが共に下方向
に移動すると、基板受け渡しテーブルの下降により基板
装填・取出孔の上方で受け取られた基板が前記保持部上
に載置され、これと同時に蓋体の下降により基板装填・
取出孔が閉塞されて基板が装填される。請求項６記載の
プラズマ処理装置の運転方法においては、複数の基板搬
送の間にわたってプラズマ放電が連続的に維持されてい
ることにより、プラズマ放電が定常的に行われている状
態で被処理基板が処理室内に搬入、かつ、処理室内から
搬出されるので、被処理基板にプラズマ発生時のダメー
ジは起こらない。
常に減圧状態に維持されることにより容積を大きくして
もスループットに影響を及ぼさない処理室内に扉体が配
されるので、ロードロック室側に扉体および扉体の開閉
に要する空間を配する必要がない。そのため、大気開放
と真空引きが繰り返されその容積がスループットに影響
を与えるロードロック室は、その容積が極力小さく構成
され、真空引きに要する時間が短縮されてスループット
が向上する。請求項２記載のプラズマ処理装置において
は、ロードロック室が複数であることにより、あるロー
ドロック室から基板搬送を行う際に、他のロードロック
室については、基板搬送の準備がなされる。すなわち、
基板搬送と搬送準備作業とが並行してなされるので、ス
ループットが向上する。請求項３記載のプラズマ処理装
置においては、１つの扉体により第１および第２の開閉
口の開閉操作が一動作にてなされるので、扉体の開閉時
間が短縮されてスループットが向上する。しかも、扉体
には、第１および第２の搬送ボートが一体的に固定され
ているので、開閉操作と同時に基板搬送が行われ、装置
構成が著しく単純化される。請求項４記載のプラズマ処
理装置においては、処理室内に設けられた軸体を中心と
して扉体が揺動させられて第１および第２の開閉口が交
互に開閉されるので、扉体による第１および第２の開閉
口の交互の開閉が容易な構成で実現される。請求項５記
載のプラズマ処理装置においては、基板の装填・取出
は、駆動機構により蓋体と基板受け渡しテーブルとが上
下方向に移動されることによりなされる。すなわち、蓋
体と基板受け渡しテーブルとが共に上方向に移動する
と、蓋体の上昇により基板装填・取出孔が開放され、こ
れと同時に基板受け渡しテーブルの上昇により保持部上
に載置された基板をすくいとってその基板を基板装填・
取出孔から外部に移動させることにより基板が回収され
る。逆に、蓋体と基板受け渡しテーブルとが共に下方向
に移動すると、基板受け渡しテーブルの下降により基板
装填・取出孔の上方で受け取られた基板が前記保持部上
に載置され、これと同時に蓋体の下降により基板装填・
取出孔が閉塞されて基板が装填される。請求項６記載の
プラズマ処理装置の運転方法においては、複数の基板搬
送の間にわたってプラズマ放電が連続的に維持されてい
ることにより、プラズマ放電が定常的に行われている状
態で被処理基板が処理室内に搬入、かつ、処理室内から
搬出されるので、被処理基板にプラズマ発生時のダメー
ジは起こらない。
【０００９】
【実施例】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の一実
施例について、図１および図２を参照して説明する。
施例について、図１および図２を参照して説明する。
【００１０】図１および図２は、本発明に係るプラズマ
処理装置の一実施例を示すもので、図中、符号１は基
台、１０は処理室、２０Ｒ、２０Ｌは共にロードロック
室（第１および第２のロードロック室）、３０は扉体、
４０Ｒ、４０Ｌは共に搬送ボート（第１および第２の搬
送ボート）、Ｗは基板を示している。
処理装置の一実施例を示すもので、図中、符号１は基
台、１０は処理室、２０Ｒ、２０Ｌは共にロードロック
室（第１および第２のロードロック室）、３０は扉体、
４０Ｒ、４０Ｌは共に搬送ボート（第１および第２の搬
送ボート）、Ｗは基板を示している。
【００１１】処理室１０は、壁部１０ａにより形成され
るとともに、基台１上に固定されている。壁部１０ａに
は、開閉口１１Ｒ、１１Ｌ（第１および第２の開閉
口）、排気口１２、開口１３が形成されている。排気口
１２には、例えばターボ分子ポンプ１４ａおよびドライ
ポンプ１４ｂの組み合わせからなる高真空排気手段１４
が接続されており、排気口１２を通して処理室１０内が
高真空に排気されるようになっている。処理室１０に
は、開口１３を連通してプラズマ放電を起こすプラズマ
発生室１３ａが接続されている。また、処理室１０に
は、上下動自在とされた基板位置調整手段１５が配置さ
れ、基板Ｗを上下させることができる。
るとともに、基台１上に固定されている。壁部１０ａに
は、開閉口１１Ｒ、１１Ｌ（第１および第２の開閉
口）、排気口１２、開口１３が形成されている。排気口
１２には、例えばターボ分子ポンプ１４ａおよびドライ
ポンプ１４ｂの組み合わせからなる高真空排気手段１４
が接続されており、排気口１２を通して処理室１０内が
高真空に排気されるようになっている。処理室１０に
は、開口１３を連通してプラズマ放電を起こすプラズマ
発生室１３ａが接続されている。また、処理室１０に
は、上下動自在とされた基板位置調整手段１５が配置さ
れ、基板Ｗを上下させることができる。
【００１２】ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌは、基板Ｗ
の処理室１０への搬送および基板Ｗの外部からの装填・
取出に供されるものであって、処理室１０の両側方に同
心円状にそれぞれ隣接して配置されている。ロードロッ
ク室２０Ｒ、２０Ｌには、開閉口１１Ｒ、１１Ｌと連通
する開口部２１が形成され、これら開口部２１および開
閉口１１Ｒ、１１Ｌを通して処理室１０と連通自在とさ
れるとともに、この開口部２１を囲むロードロック室２
０Ｒ、２０Ｌの側壁部２０ａには、Ｏリング等のシール
材２１ａが配されて、側壁部２０ａと処理室１０の側壁
部１０ｂとがシール材２１ａを挟持した状態で気密状態
に固定されている。ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌに
は、その上壁部２０ｂに基板装填・取出孔２２が形成さ
れている。
の処理室１０への搬送および基板Ｗの外部からの装填・
取出に供されるものであって、処理室１０の両側方に同
心円状にそれぞれ隣接して配置されている。ロードロッ
ク室２０Ｒ、２０Ｌには、開閉口１１Ｒ、１１Ｌと連通
する開口部２１が形成され、これら開口部２１および開
閉口１１Ｒ、１１Ｌを通して処理室１０と連通自在とさ
れるとともに、この開口部２１を囲むロードロック室２
０Ｒ、２０Ｌの側壁部２０ａには、Ｏリング等のシール
材２１ａが配されて、側壁部２０ａと処理室１０の側壁
部１０ｂとがシール材２１ａを挟持した状態で気密状態
に固定されている。ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌに
は、その上壁部２０ｂに基板装填・取出孔２２が形成さ
れている。
【００１３】ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌの外部側方
には、シリンダ２３（駆動機構）が配され、シリンダ２
３に付設されるピストンロッド２３ａの露出状態にある
上端には、上下方向に移動することにより基板装填・取
出孔２２を開放・閉塞可能に設けられた蓋体２４が接続
体２３ｂにより一体的に取り付けられ、ピストンロッド
２３ａの露出状態にある下端には、下壁部２０ｃを気密
状態に貫通した状態で上下動可能に設けられた基板受け
渡しテーブル２５が接続体２３ｂにより一体的に取り付
けられている。この場合、ピストンロッド２３ａの上下
端は、一体的に移動するので、蓋体２４と基板受け渡し
テーブル２５とは、同時的に（同期して）上下動を受け
る。また、ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌには、図示し
ない高真空排気手段がバルブ等により接続・解離可能に
接続されているとともに、アルゴン、窒素、空気等の不
活性ガスを導入するためのリークバルブが設けられてい
る。
には、シリンダ２３（駆動機構）が配され、シリンダ２
３に付設されるピストンロッド２３ａの露出状態にある
上端には、上下方向に移動することにより基板装填・取
出孔２２を開放・閉塞可能に設けられた蓋体２４が接続
体２３ｂにより一体的に取り付けられ、ピストンロッド
２３ａの露出状態にある下端には、下壁部２０ｃを気密
状態に貫通した状態で上下動可能に設けられた基板受け
渡しテーブル２５が接続体２３ｂにより一体的に取り付
けられている。この場合、ピストンロッド２３ａの上下
端は、一体的に移動するので、蓋体２４と基板受け渡し
テーブル２５とは、同時的に（同期して）上下動を受け
る。また、ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌには、図示し
ない高真空排気手段がバルブ等により接続・解離可能に
接続されているとともに、アルゴン、窒素、空気等の不
活性ガスを導入するためのリークバルブが設けられてい
る。
【００１４】扉体３０は、処理室１０内において鉛直方
向の軸線をもって配置されるとともに図示しない駆動源
により回動される軸体３０ａに固定されることにより、
この軸体３０ａの回動により処理室１０内で揺動して開
閉口１１Ｒ、１１Ｌを壁部１０ａの処理室１０内面側か
ら交互に開閉するものである。この場合の扉体３０によ
る開閉口１１Ｒの閉塞は、開閉口１１Ｒを囲む処理室１
０の側壁部１０ｂの処理室内面側周縁部１０ｃに配され
たＯリング等のシール材３０ｂに向けて扉体３０のロー
ドロック室２０Ｒ側壁面３０ｃが気密状態に押圧された
状態で軸体３０ａに設けられたロック機構（図示せず）
により固定されることによりなされる。扉体３０による
開閉口１１Ｌの閉塞も同様になされ、この場合には、ロ
ードロック室２０Ｌ側壁面３０ｄがシール材３０ｂに向
けて押圧されることとなる。ここで、扉体３０、軸体３
０ａ、駆動源およびロック機構により開閉口１１Ｒ、１
１Ｌを開閉する開閉手段を構成している。
向の軸線をもって配置されるとともに図示しない駆動源
により回動される軸体３０ａに固定されることにより、
この軸体３０ａの回動により処理室１０内で揺動して開
閉口１１Ｒ、１１Ｌを壁部１０ａの処理室１０内面側か
ら交互に開閉するものである。この場合の扉体３０によ
る開閉口１１Ｒの閉塞は、開閉口１１Ｒを囲む処理室１
０の側壁部１０ｂの処理室内面側周縁部１０ｃに配され
たＯリング等のシール材３０ｂに向けて扉体３０のロー
ドロック室２０Ｒ側壁面３０ｃが気密状態に押圧された
状態で軸体３０ａに設けられたロック機構（図示せず）
により固定されることによりなされる。扉体３０による
開閉口１１Ｌの閉塞も同様になされ、この場合には、ロ
ードロック室２０Ｌ側壁面３０ｄがシール材３０ｂに向
けて押圧されることとなる。ここで、扉体３０、軸体３
０ａ、駆動源およびロック機構により開閉口１１Ｒ、１
１Ｌを開閉する開閉手段を構成している。
【００１５】搬送ボート４０Ｒ、４０Ｌは、扉体３０の
２つのロードロック室２０Ｒ、２０Ｌを向く両側方にそ
れぞれ一体的に固定されたもので、扉体３０の揺動によ
ってもロードロック室２０Ｒ、２０Ｌおよび開閉口１１
Ｒ、１１Ｌと干渉しない外形とされ、基板Ｗよりも若干
大きく形成された凹所４０ａが形成されるとともにこの
凹所４０ａの内方側に向けて張り出して形成された爪４
０ｂ（保持部）上に基板Ｗの下端周縁部を載置するもの
である。また、搬送ボート４０Ｒ、４０Ｌと基板受け渡
しテーブル２５とは、所定位置にて基板受け渡しテーブ
ル２５が上下動する際に互いに干渉を避ける形状に設計
されており、例えば、基板受け渡しテーブル２５の外径
は、凹所４０ａよりも小径に設定されるとともに、基板
受け渡しテーブル２５の外周縁には、爪４０ｂとの干渉
を避けるための凹所２５ａが形成されており、この構成
のもとに、基板受け渡しテーブル２５が上昇して爪４０
ｂ上に載置された基板Ｗをすくいとること、逆に、基板
Ｗを載置した基板受け渡しテーブル２５が下降して爪４
０ｂ上に基板Ｗを載置することが行われる。
２つのロードロック室２０Ｒ、２０Ｌを向く両側方にそ
れぞれ一体的に固定されたもので、扉体３０の揺動によ
ってもロードロック室２０Ｒ、２０Ｌおよび開閉口１１
Ｒ、１１Ｌと干渉しない外形とされ、基板Ｗよりも若干
大きく形成された凹所４０ａが形成されるとともにこの
凹所４０ａの内方側に向けて張り出して形成された爪４
０ｂ（保持部）上に基板Ｗの下端周縁部を載置するもの
である。また、搬送ボート４０Ｒ、４０Ｌと基板受け渡
しテーブル２５とは、所定位置にて基板受け渡しテーブ
ル２５が上下動する際に互いに干渉を避ける形状に設計
されており、例えば、基板受け渡しテーブル２５の外径
は、凹所４０ａよりも小径に設定されるとともに、基板
受け渡しテーブル２５の外周縁には、爪４０ｂとの干渉
を避けるための凹所２５ａが形成されており、この構成
のもとに、基板受け渡しテーブル２５が上昇して爪４０
ｂ上に載置された基板Ｗをすくいとること、逆に、基板
Ｗを載置した基板受け渡しテーブル２５が下降して爪４
０ｂ上に基板Ｗを載置することが行われる。
【００１６】そして、搬送ボート４０Ｒは、扉体３０が
開閉口１１Ｒを閉じたときに基板Ｗをロードロック室２
０Ｒに位置させ、扉体３０が開閉口１１Ｌを閉じたとき
に基板Ｗを処理室１０内に位置させるものであり、搬送
ボート４０Ｌは、これとは逆に扉体３０が開閉口１１Ｒ
を閉じたときには基板Ｗを処理室１０内に位置させ、扉
体３０が開閉口１１Ｌを閉じたときに基板Ｗをロードロ
ック室２０Ｌに位置させるものである。この場合、処理
室１０とロードロック室２０Ｒを１単位として見た場
合、扉体３０の開閉手段の駆動源が搬送手段の駆動源を
兼ねており、搬送ボート４０Ｒおよび扉体３０の開閉手
段により搬送手段を構成している。処理室１０とロード
ロック室２０Ｌを１単位として見た場合も同様である。
開閉口１１Ｒを閉じたときに基板Ｗをロードロック室２
０Ｒに位置させ、扉体３０が開閉口１１Ｌを閉じたとき
に基板Ｗを処理室１０内に位置させるものであり、搬送
ボート４０Ｌは、これとは逆に扉体３０が開閉口１１Ｒ
を閉じたときには基板Ｗを処理室１０内に位置させ、扉
体３０が開閉口１１Ｌを閉じたときに基板Ｗをロードロ
ック室２０Ｌに位置させるものである。この場合、処理
室１０とロードロック室２０Ｒを１単位として見た場
合、扉体３０の開閉手段の駆動源が搬送手段の駆動源を
兼ねており、搬送ボート４０Ｒおよび扉体３０の開閉手
段により搬送手段を構成している。処理室１０とロード
ロック室２０Ｌを１単位として見た場合も同様である。
【００１７】上記構成を有するプラズマ処理装置を使用
した場合のプラズマ処理について、図３を参照して以下
説明を行う。
した場合のプラズマ処理について、図３を参照して以下
説明を行う。
【００１８】処理準備 まず、扉体３０が、例えば図１および図２に示すように
ロードロック室２０Ｒの開閉口１１Ｒを閉塞した状態
で、処理室１０およびロードロック室２０Ｒをそれぞれ
の真空排気手段により高真空に排気し、所定の真空度が
得られた後、プラズマ発生室１３ａにおいて処理目的に
応じたプラズマを発生させる。
ロードロック室２０Ｒの開閉口１１Ｒを閉塞した状態
で、処理室１０およびロードロック室２０Ｒをそれぞれ
の真空排気手段により高真空に排気し、所定の真空度が
得られた後、プラズマ発生室１３ａにおいて処理目的に
応じたプラズマを発生させる。
【００１９】１回目の処理 −１ ロードロック室２０Ｒへの外部からの基板導入 扉体３０により開閉口１１Ｒが閉塞されているロードロ
ック室２０Ｒについて、真空排気手段を解離し、かつ、
リークバルブにより不活性ガスを導入してこのロードロ
ック室２０Ｒ内を常圧（あるいは常圧よりも若干高めの
圧力）とする。シリンダ２３を駆動してピストンロッド
２３ａを上昇させることにより、蓋体２４が上昇してロ
ードロック室２０Ｒの基板装填・取出孔２２が開放さ
れ、これと同時に基板受け渡しテーブル２５が下限位置
から上方に移動して基板装填・取出孔２２から外部に移
動し基板Ｗを受け取り得る状態とする。この状態の基板
受け渡しテーブル２５上に被処理基板Ｗを載置した後、
シリンダ２３を駆動してピストンロッド２３ａを下降さ
せ、蓋体２４により基板装填・取出孔２２を閉塞すると
同時に基板受け渡しテーブル２５が上限位置から下方に
移動して基板装填・取出孔２２の上方で受け取った被処
理基板Ｗをロードロック室２０Ｒ内に導入して、搬送ボ
ート４０Ｒの爪４０ｂ上に載置する。その後、ロードロ
ック室２０Ｒを真空排気手段により処理室１０と同程度
の真空度にまで真空引きを行う。
ック室２０Ｒについて、真空排気手段を解離し、かつ、
リークバルブにより不活性ガスを導入してこのロードロ
ック室２０Ｒ内を常圧（あるいは常圧よりも若干高めの
圧力）とする。シリンダ２３を駆動してピストンロッド
２３ａを上昇させることにより、蓋体２４が上昇してロ
ードロック室２０Ｒの基板装填・取出孔２２が開放さ
れ、これと同時に基板受け渡しテーブル２５が下限位置
から上方に移動して基板装填・取出孔２２から外部に移
動し基板Ｗを受け取り得る状態とする。この状態の基板
受け渡しテーブル２５上に被処理基板Ｗを載置した後、
シリンダ２３を駆動してピストンロッド２３ａを下降さ
せ、蓋体２４により基板装填・取出孔２２を閉塞すると
同時に基板受け渡しテーブル２５が上限位置から下方に
移動して基板装填・取出孔２２の上方で受け取った被処
理基板Ｗをロードロック室２０Ｒ内に導入して、搬送ボ
ート４０Ｒの爪４０ｂ上に載置する。その後、ロードロ
ック室２０Ｒを真空排気手段により処理室１０と同程度
の真空度にまで真空引きを行う。
【００２０】−２ ロードロック室２０Ｒから処理室
１０への搬送 軸体３０ａを中心として扉体３０を図示反時計回りに揺
動させて扉体３０がロードロック室２０Ｌの開閉口１１
Ｌを閉塞した状態とする。この一動作にて、扉体３０に
よる開閉口１１Ｒの開操作と開閉口１１Ｌの閉操作と、
搬送ボート４０Ｒによる被処理基板Ｗの搬入が達成され
る。
１０への搬送 軸体３０ａを中心として扉体３０を図示反時計回りに揺
動させて扉体３０がロードロック室２０Ｌの開閉口１１
Ｌを閉塞した状態とする。この一動作にて、扉体３０に
よる開閉口１１Ｒの開操作と開閉口１１Ｌの閉操作と、
搬送ボート４０Ｒによる被処理基板Ｗの搬入が達成され
る。
【００２１】−３ プラズマ処理 処理室１０内において、基板位置調整手段１５による高
さ調節等の処理条件の最適化が適宜なされつつ、プラズ
マ発生室１３ａからのラジカル等による表面処理が施さ
れる。
さ調節等の処理条件の最適化が適宜なされつつ、プラズ
マ発生室１３ａからのラジカル等による表面処理が施さ
れる。
【００２２】２回目の処理 −１ ロードロック室２０Ｌへの外部からの基板導入 上記の如く、ロードロック室２０Ｌが閉塞された時点か
ら、ロードロック室２０Ｌへの基板導入を行う。すなわ
ち、上記「−３ プラズマ処理」と並行して、ロード
ロック室２０Ｌへの基板導入の作業を開始する。基板導
入は、上記「−１ ロードロック室２０Ｒへの外部か
らの基板導入」と同様の手順で行う。
ら、ロードロック室２０Ｌへの基板導入を行う。すなわ
ち、上記「−３ プラズマ処理」と並行して、ロード
ロック室２０Ｌへの基板導入の作業を開始する。基板導
入は、上記「−１ ロードロック室２０Ｒへの外部か
らの基板導入」と同様の手順で行う。
【００２３】−２ ロードロック室２０Ｌから処理室
１０への搬送 軸体３０ａを中心として扉体３０を図示時計回りに揺動
させて扉体３０がロードロック室２０Ｒの開閉口１１Ｒ
を閉塞した状態とする。この一動作にて、ロードロック
室２０Ｌから処理室１０への被処理基板Ｗの搬入が達成
されるとともに、処理室１０からロードロック室２０Ｒ
への処理済み基板Ｗの搬出が達成される。
１０への搬送 軸体３０ａを中心として扉体３０を図示時計回りに揺動
させて扉体３０がロードロック室２０Ｒの開閉口１１Ｒ
を閉塞した状態とする。この一動作にて、ロードロック
室２０Ｌから処理室１０への被処理基板Ｗの搬入が達成
されるとともに、処理室１０からロードロック室２０Ｒ
への処理済み基板Ｗの搬出が達成される。
【００２４】−３ プラズマ処理 ロードロック室２０Ｌから処理室１０へ搬入された被処
理基板Ｗについては、上記「−３ プラズマ処理」と
同じ手順でプラズマ処理が施される。
理基板Ｗについては、上記「−３ プラズマ処理」と
同じ手順でプラズマ処理が施される。
【００２５】３回目以降の処理 −１ ロードロック室２０Ｒにおける基板入れ替え 上記「−３ プラズマ処理」が開始された時点から並
行してロードロック室２０Ｒにおける基板入れ替えを行
う。手順は、上記「−１ ロードロック室２０Ｒへの
外部からの基板導入」と同様であり、異なるのは基板受
け渡しテーブル２５を上昇させる際に、基板受け渡しテ
ーブル２５がロードロック室２０Ｒ内において爪４０ｂ
上の処理済み基板Ｗをすくいとって外部へと移動させ、
処理済み基板Ｗを回収する操作が付加されるのみであ
る。
行してロードロック室２０Ｒにおける基板入れ替えを行
う。手順は、上記「−１ ロードロック室２０Ｒへの
外部からの基板導入」と同様であり、異なるのは基板受
け渡しテーブル２５を上昇させる際に、基板受け渡しテ
ーブル２５がロードロック室２０Ｒ内において爪４０ｂ
上の処理済み基板Ｗをすくいとって外部へと移動させ、
処理済み基板Ｗを回収する操作が付加されるのみであ
る。
【００２６】以降は、−２に記す搬送の後、−３と
−１を並行して行う等の操作を順次繰り返して行う。
この際、処理が終了するまで、プラズマは切ることなく
連続運転される。
−１を並行して行う等の操作を順次繰り返して行う。
この際、処理が終了するまで、プラズマは切ることなく
連続運転される。
【００２７】〔実験例〕上記構成を有するプラズマ処理
装置を製作して、プラズマ処理の一例であるアッシング
処理を試みたところ、図３に示すように基板Ｗの入れ替
えが４５秒（基板回収・セットに５秒、ロードロック室
２０の真空引きに４０秒）、扉体３０の揺動による基板
搬送が５秒、アッシング時間（プラズマ処理時間）が４
０秒であり、合計９０秒で１つの工程を行った。しかし
ながら、図３に示すように、２つのロードロック室２０
Ｒ、２０Ｌを並行して用いることにより、すなわちプラ
ズマ処理と基板入れ替えを並行して行うことにより、１
枚あたりの処理に要するサイクルを５０秒で達成するこ
とができ、７２枚／ｈｒという高いスループットが得ら
れた。
装置を製作して、プラズマ処理の一例であるアッシング
処理を試みたところ、図３に示すように基板Ｗの入れ替
えが４５秒（基板回収・セットに５秒、ロードロック室
２０の真空引きに４０秒）、扉体３０の揺動による基板
搬送が５秒、アッシング時間（プラズマ処理時間）が４
０秒であり、合計９０秒で１つの工程を行った。しかし
ながら、図３に示すように、２つのロードロック室２０
Ｒ、２０Ｌを並行して用いることにより、すなわちプラ
ズマ処理と基板入れ替えを並行して行うことにより、１
枚あたりの処理に要するサイクルを５０秒で達成するこ
とができ、７２枚／ｈｒという高いスループットが得ら
れた。
【００２８】上記プラズマ処理装置においては、処理室
１０内に扉体３０が配されるので、ロードロック室２０
Ｒ、２０Ｌに扉体およびその駆動機構・駆動空間を配す
る必要がない。そのため、ロードロック室２０Ｒ、２０
Ｌの容積を極力小さく構成でき、真空引きに要する時間
を、例えば上記実験例においては４０秒と著しく短縮で
きてスループットを向上させることができる。
１０内に扉体３０が配されるので、ロードロック室２０
Ｒ、２０Ｌに扉体およびその駆動機構・駆動空間を配す
る必要がない。そのため、ロードロック室２０Ｒ、２０
Ｌの容積を極力小さく構成でき、真空引きに要する時間
を、例えば上記実験例においては４０秒と著しく短縮で
きてスループットを向上させることができる。
【００２９】また、ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌが２
つであることにより、一方のロードロック室からの基板
搬送後において、プラズマ処理と他方のロードロック室
についての基板搬送の準備（基板入れ替え）とを並行し
て行うことができ、例えば上記実験例においては、実時
間が９０秒の工程を、並行して処理することにより５０
秒とすることができ、スループットを向上させることが
できる。
つであることにより、一方のロードロック室からの基板
搬送後において、プラズマ処理と他方のロードロック室
についての基板搬送の準備（基板入れ替え）とを並行し
て行うことができ、例えば上記実験例においては、実時
間が９０秒の工程を、並行して処理することにより５０
秒とすることができ、スループットを向上させることが
できる。
【００３０】さらに、１つの扉体３０により２つのロー
ドロック室２０Ｒ、２０Ｌの開閉口１１Ｒ、１１Ｌの開
閉操作を一動作にて行うことができ、扉体３０の開閉時
間を短縮してスループットを向上させることができる。
これに加えて、扉体３０には搬送ボート４０Ｒ、４０Ｌ
が一体的に固定されているので、開閉操作と同時に基板
搬送を行うことができ、例えば上記実験例においてはこ
の開閉操作と基板搬送が５秒で実現でき、スループット
を向上させることができるとともに、装置構成を単純化
できて、装置コストを低減することができる。
ドロック室２０Ｒ、２０Ｌの開閉口１１Ｒ、１１Ｌの開
閉操作を一動作にて行うことができ、扉体３０の開閉時
間を短縮してスループットを向上させることができる。
これに加えて、扉体３０には搬送ボート４０Ｒ、４０Ｌ
が一体的に固定されているので、開閉操作と同時に基板
搬送を行うことができ、例えば上記実験例においてはこ
の開閉操作と基板搬送が５秒で実現でき、スループット
を向上させることができるとともに、装置構成を単純化
できて、装置コストを低減することができる。
【００３１】また、軸体３０ａを中心として扉体３０を
揺動させて開閉口１１Ｒ、１１Ｌを交互に開閉するの
で、容易な構成で実現することができ、装置コストを低
減することができる。
揺動させて開閉口１１Ｒ、１１Ｌを交互に開閉するの
で、容易な構成で実現することができ、装置コストを低
減することができる。
【００３２】そして、シリンダ２３を駆動するだけで、
ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌの基板Ｗの入れ替えを行
うことができ、基板Ｗの入れ替えを容易に、かつ迅速に
行うことができる。加えて、ロードロック室２０Ｒ、２
０Ｌは、基板Ｗ・搬送ボート４０Ｒまたは搬送ボート４
０Ｌ・基板受け渡しテーブル２５を収容するだけの容積
で足りるのでの容積を極力小さく設計することができ、
ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌの真空引きに要する時間
を、例えば上記実験例においては４０秒と著しく短縮で
きてスループット向上に寄与することができる。
ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌの基板Ｗの入れ替えを行
うことができ、基板Ｗの入れ替えを容易に、かつ迅速に
行うことができる。加えて、ロードロック室２０Ｒ、２
０Ｌは、基板Ｗ・搬送ボート４０Ｒまたは搬送ボート４
０Ｌ・基板受け渡しテーブル２５を収容するだけの容積
で足りるのでの容積を極力小さく設計することができ、
ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌの真空引きに要する時間
を、例えば上記実験例においては４０秒と著しく短縮で
きてスループット向上に寄与することができる。
【００３３】さらに、複数の基板搬送の間にわたって、
プラズマ放電が切られることなく、連続的に維持されて
いることにより、プラズマ放電が定常的に行われている
状態で被処理基板Ｗの出し入れを行うので、被処理基板
にプラズマ発生時のダメージを起こさせることがない。
この運転方法は、（１）ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌ
の小容積化による真空引き時間の短縮、（２）ロードロ
ック室２０Ｒ、２０Ｌの並行利用による効率向上、
（３）１つの扉体３０が２つのロードロック室２０Ｒ、
２０Ｌの開閉口２１、２１間を一動作により開閉するこ
とによる開閉操作の迅速化、（４）扉体３０に搬送ボー
ト４０Ｒ、４０Ｌが一体化されているため、ロードロッ
ク室２０Ｒ、２０Ｌの開閉と基板搬送とが一動作でなさ
れることによる基板搬送操作の迅速化、（５）ロードロ
ック室２０Ｒ、２０Ｌの基板入れ替え機構（シリンダ２
３、蓋体２４、基板受け渡しテーブル２５）による基板
入れ替えが速いこと、を要因として、プラズマを切らな
い連続運転が、現実的に無理がなく有利な運転方法とな
ったことによる。
プラズマ放電が切られることなく、連続的に維持されて
いることにより、プラズマ放電が定常的に行われている
状態で被処理基板Ｗの出し入れを行うので、被処理基板
にプラズマ発生時のダメージを起こさせることがない。
この運転方法は、（１）ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌ
の小容積化による真空引き時間の短縮、（２）ロードロ
ック室２０Ｒ、２０Ｌの並行利用による効率向上、
（３）１つの扉体３０が２つのロードロック室２０Ｒ、
２０Ｌの開閉口２１、２１間を一動作により開閉するこ
とによる開閉操作の迅速化、（４）扉体３０に搬送ボー
ト４０Ｒ、４０Ｌが一体化されているため、ロードロッ
ク室２０Ｒ、２０Ｌの開閉と基板搬送とが一動作でなさ
れることによる基板搬送操作の迅速化、（５）ロードロ
ック室２０Ｒ、２０Ｌの基板入れ替え機構（シリンダ２
３、蓋体２４、基板受け渡しテーブル２５）による基板
入れ替えが速いこと、を要因として、プラズマを切らな
い連続運転が、現実的に無理がなく有利な運転方法とな
ったことによる。
【００３４】なお、本発明のプラズマ処理装置は、上記
実施例に限定されるものではなく、以下の実施態様とす
ることもできる。 ａ）２つのロードロック室２０Ｒ、２０Ｌを設けること
に代えて、１つのロードロック室を設けること、あるい
は、３つ以上のロードロック室を設けること。 ｂ）２つのロードロック室２０Ｒ、２０Ｌに対して１つ
の扉体３０を設けることに代えて、２つのロードロック
室に対してそれぞれ扉体を設けること。 ｃ）扉体３０による２つのロードロック室２０Ｒ、２０
Ｌの開閉口１１Ｒ、１１Ｌの閉塞を揺動運動により行う
ことに代えて、直線的な往復運動により行うこと。 ｄ）２つのロードロック室２０Ｒ、２０Ｌを処理室１０
に対して同心円状に隣接配置することに代えて、直線状
に隣接配置すること、あるいは任意の位置関係に配置す
ること。 ｅ）搬送ボート４０Ｒ、４０Ｌを扉体３０に対して一体
的に設けることに代えて、別体として設けること。 ｆ）基板受け渡しテーブル２５をロードロック室２０
Ｒ、２０Ｌ内に設けることに代えて、ロードロック室２
０Ｒ、２０Ｌの下壁部２０ｃに蓋体２４と同様の蓋体を
設けてこの蓋体を基板受け渡しテーブルとして使用する
こと。 ｇ）プラズマ発生室１３ａを処理室１０に接続すること
に代えて、処理室１０内にプラズマ発生機構を配するこ
と。 ｈ）ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌに処理室１０の高真
空排気手段１４とは別の真空排気手段を設けることに代
えて、ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌの真空引きに高真
空排気手段１４を兼用すること。 ｉ）プラズマ処理としてアッシング処理を行うことに代
えて、エッチング処理、デポジション、表面改質等の他
のプラズマ処理を行うこと。 ｊ）処理室とロードロック室の各単位ごとに個別に搬送
手段を設けること。
実施例に限定されるものではなく、以下の実施態様とす
ることもできる。 ａ）２つのロードロック室２０Ｒ、２０Ｌを設けること
に代えて、１つのロードロック室を設けること、あるい
は、３つ以上のロードロック室を設けること。 ｂ）２つのロードロック室２０Ｒ、２０Ｌに対して１つ
の扉体３０を設けることに代えて、２つのロードロック
室に対してそれぞれ扉体を設けること。 ｃ）扉体３０による２つのロードロック室２０Ｒ、２０
Ｌの開閉口１１Ｒ、１１Ｌの閉塞を揺動運動により行う
ことに代えて、直線的な往復運動により行うこと。 ｄ）２つのロードロック室２０Ｒ、２０Ｌを処理室１０
に対して同心円状に隣接配置することに代えて、直線状
に隣接配置すること、あるいは任意の位置関係に配置す
ること。 ｅ）搬送ボート４０Ｒ、４０Ｌを扉体３０に対して一体
的に設けることに代えて、別体として設けること。 ｆ）基板受け渡しテーブル２５をロードロック室２０
Ｒ、２０Ｌ内に設けることに代えて、ロードロック室２
０Ｒ、２０Ｌの下壁部２０ｃに蓋体２４と同様の蓋体を
設けてこの蓋体を基板受け渡しテーブルとして使用する
こと。 ｇ）プラズマ発生室１３ａを処理室１０に接続すること
に代えて、処理室１０内にプラズマ発生機構を配するこ
と。 ｈ）ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌに処理室１０の高真
空排気手段１４とは別の真空排気手段を設けることに代
えて、ロードロック室２０Ｒ、２０Ｌの真空引きに高真
空排気手段１４を兼用すること。 ｉ）プラズマ処理としてアッシング処理を行うことに代
えて、エッチング処理、デポジション、表面改質等の他
のプラズマ処理を行うこと。 ｊ）処理室とロードロック室の各単位ごとに個別に搬送
手段を設けること。
【００３５】
【発明の効果】請求項１記載のプラズマ処理装置によれ
ば、処理室内に扉体が配されので、ロードロック室側に
扉体およびその駆動機構・駆動空間を配する必要がな
い。そのため、ロードロック室の容積を極力小さく構成
でき、真空引きに要する時間を短縮できてスループット
を向上させることができる。請求項２記載のプラズマ処
理装置によれば、ロードロック室が複数であることによ
り、あるロードロック室から基板搬送を行う間を利用し
て、他のロードロック室については、基板搬送の準備を
行うことができる。すなわち、基板搬送と搬送準備作業
とを並行して行うことができ、スループットを向上させ
ることができる。請求項３記載のプラズマ処理装置によ
れば、１つの扉体により第１および第２の開閉口の開閉
操作を一動作にて行うことができ、扉体の開閉時間を短
縮してスループットを向上させることができる。これに
加えて、扉体には第１および第２の搬送ボートが一体的
に固定されているので、開閉操作と同時に基板搬送を行
うことができ、装置構成を単純化できて、装置コストを
低減することができる。請求項４記載のプラズマ処理装
置によれば、処理室内に設けられた軸体を中心として扉
体が揺動させられて第１および第２の開閉口が交互に開
閉されるので、扉体による第１および第２の開閉口の交
互の開閉を容易な構成で実現することができ、装置コス
トを低減することができる。請求項５記載のプラズマ処
理装置においては、基板の装填・取出は、駆動機構によ
り蓋体と基板受け渡しテーブルとを上下方向に移動させ
ることにより達成されるので、基板の入れ替えを容易か
つ迅速に行うことができる。加えて、ロードロック室の
容積を極力小さく設計することができる。請求項６記載
のプラズマ処理装置の運転方法によれば、複数の基板搬
送の間にわたってプラズマ放電が連続的に維持されてい
ることにより、プラズマ放電が定常的に行われている状
態で被処理基板の出し入れを行うので、被処理基板にプ
ラズマ発生時のダメージを起こさせることがない。
ば、処理室内に扉体が配されので、ロードロック室側に
扉体およびその駆動機構・駆動空間を配する必要がな
い。そのため、ロードロック室の容積を極力小さく構成
でき、真空引きに要する時間を短縮できてスループット
を向上させることができる。請求項２記載のプラズマ処
理装置によれば、ロードロック室が複数であることによ
り、あるロードロック室から基板搬送を行う間を利用し
て、他のロードロック室については、基板搬送の準備を
行うことができる。すなわち、基板搬送と搬送準備作業
とを並行して行うことができ、スループットを向上させ
ることができる。請求項３記載のプラズマ処理装置によ
れば、１つの扉体により第１および第２の開閉口の開閉
操作を一動作にて行うことができ、扉体の開閉時間を短
縮してスループットを向上させることができる。これに
加えて、扉体には第１および第２の搬送ボートが一体的
に固定されているので、開閉操作と同時に基板搬送を行
うことができ、装置構成を単純化できて、装置コストを
低減することができる。請求項４記載のプラズマ処理装
置によれば、処理室内に設けられた軸体を中心として扉
体が揺動させられて第１および第２の開閉口が交互に開
閉されるので、扉体による第１および第２の開閉口の交
互の開閉を容易な構成で実現することができ、装置コス
トを低減することができる。請求項５記載のプラズマ処
理装置においては、基板の装填・取出は、駆動機構によ
り蓋体と基板受け渡しテーブルとを上下方向に移動させ
ることにより達成されるので、基板の入れ替えを容易か
つ迅速に行うことができる。加えて、ロードロック室の
容積を極力小さく設計することができる。請求項６記載
のプラズマ処理装置の運転方法によれば、複数の基板搬
送の間にわたってプラズマ放電が連続的に維持されてい
ることにより、プラズマ放電が定常的に行われている状
態で被処理基板の出し入れを行うので、被処理基板にプ
ラズマ発生時のダメージを起こさせることがない。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を示
す平断面図である。
す平断面図である。
【図２】図１におけるＸ−Ｘ線矢視断面の展開図であ
る。
る。
【図３】本発明に係るプラズマ処理装置の運転方法の一
実施例を示すタイムチャートである。
実施例を示すタイムチャートである。
１０ 処理室 １０ａ 壁部 １１Ｒ 開閉口（第１の開閉口） １１Ｌ 開閉口（第２の開閉口） ２０Ｒ ロードロック室（第１のロードロック室） ２０Ｌ ロードロック室（第２のロードロック室） ２０ｂ 上壁部 ２２ 基板装填・取出孔 ２３ シリンダ（駆動機構） ２３ａ ピストンロッド ２４ 蓋体 ２５ 基板受け渡しテーブル ３０ 扉体 ３０ａ 軸体 ４０Ｒ 搬送ボート（第１の搬送ボート） ４０Ｌ 搬送ボート（第２の搬送ボート） ４０ｂ 爪（保持部） Ｗ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１Ｄ 21/304 ３４１ Ｈ０５Ｋ 3/08 Ａ Ｈ０５Ｋ 3/08 7511−4Ｅ 3/26 3/26 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 芳賀 喜七 東京都国立市谷保992 株式会社プラズマ システム内 (72)発明者 副島 幸雄 東京都国立市谷保992 株式会社プラズマ システム内
Claims (6)
- 【請求項１】 プラズマ放電により基板の表面処理を行
う処理室と、 この処理室を形成する壁部に形成された開閉口を通して
該処理室と連通自在なロードロック室と、 前記開閉口を前記壁部の処理室内面側から開閉する扉体
を備えた開閉手段と、 前記処理室とロードロック室との間において基板の搬送
を行う搬送手段とを備えてなることを特徴とするプラズ
マ処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ処理装置におい
て、 前記開閉口が前記壁部に複数設けられるとともに前記ロ
ードロック室が各開閉口ごとに複数設けられ、 前記搬送手段が、前記処理室と１つのロードロック室と
を１単位として、各単位ごとに設けられていることを特
徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 プラズマ放電により基板の表面処理を行
う処理室と、 この処理室を形成する壁部に形成された第１の開閉口を
通して該処理室と連通自在な第１のロードロック室と、 前記壁部に形成された第２の開閉口を通して該処理室と
連通自在な第２のロードロック室と、 前記処理室内に支持され、該処理室内で移動して該処理
室内面側から前記第１の開閉口、第２の開閉口を交互に
開閉する扉体と、 この扉体の前記第１のロードロック室を向く側に固定さ
れて前記基板を保持し、該扉体が前記第１の開閉口を閉
じたときに該基板を前記第１のロードロック室に位置さ
せ該扉体が前記第２の開閉口を閉じたときに該基板を前
記処理室内に位置させる第１の搬送ボートと、 前記扉体の前記第２のロードロック室を向く側に固定さ
れて前記基板を保持し、該扉体が前記第２の開閉口を閉
じたときに該基板を前記第２のロードロック室に位置さ
せ該扉体が前記第１の開閉口を閉じたときに該基板を前
記処理室内に位置させる第２の搬送ボートとを備えてな
ることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のプラズマ処理装置におい
て、 前記扉体は、前記処理室内に鉛直方向の軸線をもって配
置されるとともに駆動源により回動される軸体に固定さ
れ、該軸体の回動により揺動して前記第１の開閉口、第
２の開閉口を交互に開閉する構成とされていることを特
徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 請求項３または４記載のプラズマ処理装
置において、 前記第１、第２の搬送ボートは、それぞれ基板の下面周
縁部が載置される保持部を有し、 前記第１、第２のロードロック室には、それぞれその上
壁部に基板装填・取出孔が形成されるとともに、上下方
向に移動することによって該基板装填・取出孔を開閉す
る蓋体が設けられ、かつ、その内部で上下方向移動自在
とされるとともに下限位置から上方に移動したときに該
内部において前記保持部上に載置された基板をすくいと
ってその基板を前記基板装填・取出孔から外部に移動さ
せあるいは上限位置から下方へ移動したときに前記基板
装填・取出孔の上方で受け取った基板を前記保持部上に
載置させる基板受け渡しテーブルが配置され、さらに前
記蓋体と基板受け渡しテーブルとを同期させて上下方向
に移動させる駆動機構が付設されることを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載のプ
ラズマ処理装置を運転する方法であって、 複数の基板搬送の間にわたってプラズマ処理を行うため
のプラズマ放電を連続的に維持することを特徴とするプ
ラズマ処理装置の運転方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12011495A JP3165348B2 (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | プラズマ処理装置およびその運転方法 |
| TW084108155A TW298658B (ja) | 1995-05-18 | 1995-08-04 | |
| US08/512,092 US5759334A (en) | 1995-05-18 | 1995-08-07 | Plasma processing apparatus |
| KR1019950024852A KR100196036B1 (ko) | 1995-05-18 | 1995-08-11 | 플라즈마 처리장치 및 그 운전방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12011495A JP3165348B2 (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | プラズマ処理装置およびその運転方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316286A true JPH08316286A (ja) | 1996-11-29 |
| JP3165348B2 JP3165348B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=14778298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12011495A Expired - Fee Related JP3165348B2 (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | プラズマ処理装置およびその運転方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5759334A (ja) |
| JP (1) | JP3165348B2 (ja) |
| KR (1) | KR100196036B1 (ja) |
| TW (1) | TW298658B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009120937A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-06-04 | Masato Toshima | 処理装置および処理方法 |
| WO2009119580A1 (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | Toshima Masato | 処理装置および処理方法 |
| US7736528B2 (en) | 2005-10-12 | 2010-06-15 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US8672603B2 (en) | 2009-12-10 | 2014-03-18 | Orbotech LT Solar, LLC. | Auto-sequencing inline processing apparatus |
| US9462921B2 (en) | 2011-05-24 | 2016-10-11 | Orbotech LT Solar, LLC. | Broken wafer recovery system |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100218269B1 (ko) * | 1996-05-30 | 1999-09-01 | 윤종용 | 건식 에칭기의 잔류 가스 제거 장치 및 방법 |
| JP3215643B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2001-10-09 | ワイエイシイ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US6178660B1 (en) | 1999-08-03 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Pass-through semiconductor wafer processing tool and process for gas treating a moving semiconductor wafer |
| US6881269B2 (en) * | 2000-08-17 | 2005-04-19 | Novartis Ag | Lens plasma coating system |
| US6858085B1 (en) * | 2002-08-06 | 2005-02-22 | Tegal Corporation | Two-compartment chamber for sequential processing |
| US7553684B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-06-30 | Idc, Llc | Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques |
| US20060065622A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Floyd Philip D | Method and system for xenon fluoride etching with enhanced efficiency |
| US7534080B2 (en) * | 2005-08-26 | 2009-05-19 | Ascentool, Inc. | Vacuum processing and transfer system |
| US7719754B2 (en) * | 2008-09-30 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Multi-thickness layers for MEMS and mask-saving sequence for same |
| JP2014056987A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8332394D0 (en) * | 1983-12-05 | 1984-01-11 | Pilkington Brothers Plc | Coating apparatus |
| US5021138A (en) * | 1985-01-17 | 1991-06-04 | Babu Suryadevara V | Side source center sink plasma reactor |
-
1995
- 1995-05-18 JP JP12011495A patent/JP3165348B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-04 TW TW084108155A patent/TW298658B/zh active
- 1995-08-07 US US08/512,092 patent/US5759334A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-11 KR KR1019950024852A patent/KR100196036B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7736528B2 (en) | 2005-10-12 | 2010-06-15 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| KR100964775B1 (ko) * | 2005-10-12 | 2010-06-21 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 |
| US8231798B2 (en) | 2005-10-12 | 2012-07-31 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US8591754B2 (en) | 2005-10-12 | 2013-11-26 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP2009120937A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-06-04 | Masato Toshima | 処理装置および処理方法 |
| US8998552B2 (en) | 2007-10-23 | 2015-04-07 | Orbotech LT Solar, LLC. | Processing apparatus and processing method |
| WO2009119580A1 (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | Toshima Masato | 処理装置および処理方法 |
| KR20100134062A (ko) * | 2008-03-25 | 2010-12-22 | 오보텍 엘티 솔라 엘엘씨 | 처리장치 및 처리 방법 |
| US8672603B2 (en) | 2009-12-10 | 2014-03-18 | Orbotech LT Solar, LLC. | Auto-sequencing inline processing apparatus |
| US9287152B2 (en) | 2009-12-10 | 2016-03-15 | Orbotech LT Solar, LLC. | Auto-sequencing multi-directional inline processing method |
| US9462921B2 (en) | 2011-05-24 | 2016-10-11 | Orbotech LT Solar, LLC. | Broken wafer recovery system |
Also Published As
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| JP3165348B2 (ja) | 2001-05-14 |
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