JP3447698B2 - 2ウエハ・ロードロック・ウエハ処理装置ならびにその装填および排出方法 - Google Patents

2ウエハ・ロードロック・ウエハ処理装置ならびにその装填および排出方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本願は、1997年5月8日出願の"Multi
ple Single-wafer Loadlock WaferProcessing Apparatu
s and Loading and Unloading Method Therefor"(多単
一ウエハ・ロードロック・ウエハ処理装置ならびにその
装填および排出方法)と題する、本願と同一譲受人に譲
渡された同時係属中の米国特許出願第08/853,1
72号に関連し、その発明者は本願の発明者と同一であ
り、この言及により本願にもその内容が明確に含まれる
ものとする。
【0002】(発明の分野) 本発明は、ウエハ処理機械の装填(loading)および排出
(unloading)に関し、特に、大気圧環境と高真空環境と
の間における、大径半導体基板群からの基板転送に関す
るものである。
【0003】(発明の背景) 半導体ウエハの真空処理では、処理装置内における高真
空環境またはウエハの有害な大気汚染を発生しないよう
に、ウエハのウエハ処理機器に対する装填および排出が
必要である。加えて、ウエハのスループットを最大限高
めるためには、典型的な装填および排出を行なう際に要
する時間を極力短くすることが望ましい。更に、ウエハ
・サイズが拡大し続け、現在直径150mmおよび20
0mmのウエハから直径300mmのウエハに移行して
いるため、汚染およびスループット双方の必要条件を同
時に満たすことは増々難しくなっており、その結果多く
の場合理想からは懸け離れた妥協案に甘んじている。さ
らにまた、処理の後期段階におけるようにウエハの価値
が高まるに連れて、そして増々大径化するウエハがより
多くのデバイスおよびより複雑なデバイスを含むように
なるに連れて、装置の故障に起因するウエハの損傷によ
る経済的損失の危険性が高まり、ウエハ転送装置に対す
る信頼性要件が増々高まりつつある。
【0004】現在使用中の従来技術の半導体ウエハ真空
処理システムの大部分は、ウエハ・サイズが200mm
までの真空カセット・エレベータ(VCE:Vacuum Cas
sette Elevator)と呼ばれているものを利用している。
VCEを装備した従来技術のウエハ処理システム10の
一例を図1に概略的に示す。システム10は、少なくと
も1つのVCE11を含む。VCE11は、高真空に減
圧可能なロードロック・チェンバ12、チェンバ12内
に位置するエレベータ・アセンブリ13、チェンバ12
が大気圧にあるときに多重ウエハ・カセット15を装填
および排出するために操作者がアクセスする前面ドア1
4、ならびにVCE11をある形態のウエハ転送モジュ
ール17に接続し、チャンバ12が高真空にあるときに
ウエハを個々に転送する、スリット・バルブで分離した
インターフェース・ポート16で構成されている。
【0005】処理装置10の典型的な動作は、VCE1
1の使用を基本としており、操作者がVCE11のドア
14を開けてウエハ18の新たなカセット15をエレベ
ータ13の上面に載置する。次いで、ドア14を閉じ、
その後、インターフェース・ポート16のスリット・バ
ルブを閉鎖状態として減圧過程を実行し、VCE11内
に適切な真空レベルを確立する。所与の真空圧レベルに
到達するために減圧時間は、概略的にVCE11の容
積、ならびにVCE11および内部に収容されているウ
エハ18の露出内面積に比例する。適切なVCE真空レ
ベルに達したときに、VCE11と真空運搬チェンバ1
7との間にある分離スリット・バルブ・ポート16を開
き、ロボット・アーム19によるウエハ運搬モジュール
17内への進入を可能にする。次に、エレベータ13
が、カセット15内の所望のウエハ18に転送アーム1
9が接近するように、カセット15を位置付ける。次
に、ロボット転送アーム19がスリット・バルブ・ポー
ト16を通ってVCE11内まで伸長し、位置付けたウ
エハ18を捕獲し、運搬モジュール17内に再度引っ込
み、装置10の適切なプロセス・モジュール20にウエ
ハ18を配給する準備を行なう。ウエハをカセット15
に戻す場合は、これらの工程を逆に行い、VCE11を
真空とし、スリット・バルブを閉じて、VCE11を減
圧する代わりにVCE11を大気圧に通気する。
【0006】図1の従来技術の装置10は、匹敵するサ
イズのオープン・ウエハ・カセットを用いれば、300
mmのウエハにも用いることができる。しかしながら、
多数の理由のために、ウエハ処理機器の最終ユーザであ
る半導体デバイス製造業者は、高真空に適合せず着脱式
カセット15を用いない形式のウエハ・キャリアの方を
好み、その標準を策定する過程にある。かかるキャリア
25を図2に示す。キャリア25は、当該キャリア25
内に形成した水平ウエハ支持レール26の垂直アレイを
含む。これらは、12または13の等間隔レベルあるい
は25または26の等間隔レベルで標準化することが考
えられている。キャリア25は、処理機器の異なる部分
間でウエハ28を運搬する間、通常は閉鎖されている前
面ドア27を有する。
【0007】キャリア25は高真空に適合せず、カセッ
トもカセット・エレベータも内蔵していないので、大気
圧下でウエハをキャリア25から、そしてウエハ処理機
器に転送しなければならない。従来技術において考えら
れた単純な方法は、図1の機械10のような処理装置
に、キャリア25からウエハ28を転送することであ
る。12または13枚のウエハあるいは25または26
枚のウエハのいずれかを収容した、満杯のキャリア25
を大型のVCE11に搬入することが望ましい場合、キ
ャリア25からVCE11に迅速にウエハを移動させる
方法を考案しなければならないであろう。単一ウエハ連
続転送法では、装填および排出サイクルにかかる時間が
長くなり、したがって望ましくない。複数のウエハを1
つまたは2つの集合にしてキャリア25からVCE11
に転送する、多重ウエハ同時転送法が提案されている。
しかしながら、かかる並行転送法では、1回の機器故障
によって多数のウエハが損傷する危険性がある。この危
険性は回避することが好ましい。また、別の未処理ウエ
ハ上に配置されるウエハの裏側に機械的に接触する可能
性のために、潜在的な粒子汚染問題も浮上する。これ
は、複数のウエハを同時に転送する場合には回避するの
は困難である。加えて、直径300mm以上のウエハを
保持する寸法のVCEでは、VCEの減圧および/また
は通気時間が容認できない程長くなる可能性があり、処
理装置の動作において、ロードロック・サイクルがスル
ープットを損なう要因となる。減圧または通気時間の妥
協によってこれらの遅延を補償すると、転送チェンバの
大気汚染、またはウエハ上の粒子汚染、あるいはその双
方が増大する虞れがある。
【0008】直径が大きいウエハでは、大径ウエハに必
要な大型のVCEを減圧するために、大型の高真空ポン
プが必要となる。かかる大型ポンプは、機械的にVCE
から分離することが難しく、その結果、かかるポンプは
VCEに振動を伝達することが多く、一方のウエハから
その下にある別のウエハに粒子を落下させる原因となり
得る。同様に、VCEにおけるエレベータの昇降運動
も、振動によって誘発する上側のウエハから下側のウエ
ハへ粒子落下の一因となる。また、振動のために、ウエ
ハがカセット内におけるその位置からずれてしまい、転
送アームによる捕捉に必要な位置から外れる可能性もあ
る。米国特許第5509771号は、キャリアから第1
ロード・ロック・チェンバに2枚のLCD基板を一度に
転送し、次いで個別に第2ロード・ロック・チェンバ
に、そしてプロセス・チェンバ間で転送する真空処理装
置について記載する。EP−A−0608633号は、
ガラス基板上に薄膜を多層堆積する方法について記載す
る。基板は連続的に大気圧環境から処理ツール内にある
真空カセット・エレベータ(VCE)型ロードロックに
転送される。
【0009】このように、高真空環境の有害な大気汚染
や、ウエハ処理装置内部でのウエハの粒子汚染を発生せ
ず、特に直径300mm以上のウエハのような大径ウエ
ハの場合に、機器のウエハ・スループットを低下させな
いように、更にはウエハ転送装置に対する信頼性要件を
強化することになりかねない、装置の故障による多数の
ウエハの損傷による経済的損失の危険性を高めることな
く、非VCEキャリアからウエハをウエハ処理機器に転
送しそこから排出する必要性がなおも残っている。
【0010】(発明の概要) 本発明の主要な目的の1つは、半導体ウエハ処理機械お
よびプロセスにおいて、大型の真空カセット・エレベー
タ・モジュールの必要性をなくすことである。本発明の
別の目的は、半導体ウエハ処理機械においてロードロッ
クの減圧および通気に要する時間を大幅に短縮するこ
と、特にロードロックがスループットを損なう要因とな
ることを防止することにある。
【0011】本発明の別の目的は、処理機械内へのウエ
ハの転送および処理機械からのウエハの転送において、
粒子汚染を低減または回避することにある。即ち、本発
明の目的は、粒子汚染問題の原因となるエレベータの移
動およびそれに伴う振動の根絶、高真空ポンプの小型化
および減圧動作による振動の低減、ならびに大型高真空
ポンプの使用必要性の回避を含む。
【0012】本発明の別の目的は、特にウエハ認定の間
に用いるような小さいウエハ群に対して、ウエハ処理機
械のスループットを向上することである。本発明の特定
の目的は、大型のCVEおよびロードロックがウエハ処
理装置のスループットを損なう根源となる可能性を低下
させることである。
【0013】本発明の付加的な目的は、同時即ち並行ウ
エハ処理の必要性をなくし、特にこれによって多数のウ
エハに対する損傷の危険性、および粒子がウエハ上に落
下する確率を低下させることである。
【0014】本発明の具体的な目的の1つは、ウエハ処
理機械のウエハ・スループットが水冷や整合による影響
を受けないようにすることである。
【0015】本発明の別の目的は、簡素で経済的であ
り、しかも効率的にパッケージ化される装置を提供しつ
つ、前述の目的を最適化することである。
【0016】本発明の原理によれば、高真空転送機構を
内部に備え、ロードロックを介して、同様に転送機構を
内部に有する大気圧フロント・エンド・モジュール(A
FE)と接続する、転送または運搬モジュールを有する
ウエハ処理クラスタ・ツールを提供する。好ましくは、
垂直に離間し水平に向けた2枚の平行なウエハを保持す
るように構成した単一のロードロックを用いる。ウエハ
転送モジュール内の転送機構は、ロードロックと処理モ
ジュールとの間でウエハを個々に移動させる。各処理モ
ジュールは、分離バルブを介して転送モジュールと接続
し、高真空環境において処理モジュール間でウエハを移
動させる。フロント・エンド・モジュール内の転送機構
は、1つ以上のロードロックと複数の多重ウエハ・キャ
リアとの間で、大気圧環境において個々のウエハを移動
させる。AFE転送アームまたは各キャリアのいずれか
が垂直方向に移動可能であり、選択した個々のウエハ
を、転送アームによってウエハの水平方向移動によって
キャリアに装填すること、またはキャリアから排出する
ことを可能とする。AFEと転送モジュールとの間の接
続は、好ましくはオーバ・アンダー型(over-under typ
e)の単一2ウエハ・ロードロックを介して行なうことが
好ましい。この種のロードロックは、上面に、真空圧側
または大気圧側のいずれかを有することができる。
【0017】本発明の好適な実施形態によれば、AFE
は、ウエハ・アライナ、および2つまたは3つの多重ウ
エハ・キャリアに接続するための装備を含む。ウエハを
真空内に転送するように搬入ロードロック(inbound loa
dlock)として動作可能であり、かつ真空からウエハを転
送するように搬出ロードロック(outbound loadlock)と
して動作可能な1つのロードロックが設けられている。
また、搬出ロードロックとして動作可能なロードロック
には、冷却要素が装備され、ウエハを処理した後、およ
びウエハを再度キャリア内に装填する前に、ロードロッ
ク通気サイクルの間、ウエハを冷却する。搬出ロードロ
ックは、かかる冷却要素によって、なおも処理温度また
はその付近にある高熱ウエハを支持することができる。
したがって、かかる搬出ロードロックには、例えば、金
属の高温適合ウエハ支持要素を設けることが好ましい。
1つよりも多くのロードロックを設け、各々、搬入およ
び搬出ウエハ双方に使用するように構成し、各々に冷却
機能を装備し、1つのロードロックが故障した場合にも
連続動作を可能とすることにより、スループットの最適
化を図ることも可能である。
【0018】本発明の代替実施形態では、別個の専用搬
入および搬出ロードロックを設けることも可能である。
かかる場合、専用搬入ロードロックには冷却要素を設け
る必要がなく、そのコストが削減される。また、その内
部の基板支持部は、高温のウエハを支持可能である必要
はない。その結果、高摩擦ゴム弾性ウエハ支持構造を用
いて、その上に支持される基板の振動または位置ずれの
可能性を低下させることができ、これによってロードロ
ックにおける基板の移動を高速化することが可能とな
る。同様に、搬出ウエハ程ウエハ整合保持は重要ではな
いので、ウエハの搬出転送に用いるロードロックを一層
高速化して動作させることができる。
【0019】また、AFEは、層流環境内に維持するこ
とが好ましい。好ましくは、キャリアを室内環境におい
て装填し、ここから装置のAFE部分に隣接する所に転
送する。かかるキャリアは、内部AFEチェンバへの開
口に面したキャリア・ドアをキャリアに備える構造上に
固着し、キャリア・アクセス・ドアが開いているとき
に、AFE転送アームによる内部のウエハへの接近を可
能とする適正な位置および配向とすることが好ましい。
このように位置付けかつ配向すると、AFE内の機構
は、AFE転送アームによる接近を可能にするように、
キャリア上のドアを動作させる。キャリア・ドアが開い
ている場合、清浄空気またはその他のガスの層流好まし
くは水平流をAFE内に維持し、ロードロックおよびキ
ャリアから粒子およびガスを吹き飛ばす。
【0020】本発明によれば、空気の層流をAFEチェ
ンバ内に維持している間に、AFEチェンバへの開口に
隣接する位置にキャリアを移動させる。キャリア・ドア
を開き、ウエハ、好ましくは一番下にある未処理のウエ
ハをAFE転送アームによって、開いたキャリアから捕
捉し、ロードロック内に配置する。ロードロックは、A
FEチェンバに対して開き、装置の高真空チェンバから
は封止されている。ロードロック内に置かれたウエハ
は、隆起したリフト・ピンの上、好ましくは2組のピン
の内上側の方に設定され、転送アームはロードロック・
チェンバから引っ込められる。次いで、キャリアから、
好ましくはキャリア内の次に高い位置から第2ウエハが
取り出され、第2組の隆起リフト・ピンの上に、好まし
くは前記組のピンの内低い方に配置され、ロードロック
・チェンバから転送アームが引っ込められる。次いで、
ロードロック・チェンバをAFEチェンバから封止し、
高真空転送チェンバの高真空レベルと適合する真空レベ
ルにロードロックを減圧する。ロードロック・チェンバ
を減圧している間、AFE転送アームは、同じキャリア
から、または他のキャリアが設けられている場合にはそ
のキャリアから、別のウエハを取り出し、ロードロック
・チェンバ内に配置する準備ができている位置にウエハ
を保持するか、あるいはAFE転送アームはポンプのダ
ウン・タイムを用いてウエハを、別のロードロック設け
られている場合にはそのロードロックから取り出し、そ
れをキャリア内に配置することもできる。
【0021】搬入未処理ウエハを収容したロードロック
を適切な真空まで減圧し終えると、ロードロックを高真
空転送チェンバに対して開き、リフト・ピン上、好まし
くは、低い方の1組のピン上のウエハを垂直方向に、ロ
ードロックから取り出す位置まで移動させ、次いで処理
チェンバの1つに転送する。次いで、処理したウエハを
処理チェンバから取り出し、ロードロック内の低い方の
1組のピン上に配置する。殆どのプロセスにおいて、こ
のようにすることにより、スループットは最適化され
る。また、好ましくは、他の1組のリフト・ピン上にあ
るウエハ、好ましくは、高い方の1組のピン上にあるウ
エハを垂直方向に、ロードロックから取り出す位置まで
移動させ、次いで処理チェンバの1つに転送する。次
に、処理チェンバから別の処理済みウエハを取り出し、
ロードロック内の高い方の1組のピン上に配置する。殆
どのプロセスでは、同様にこのようにすることによって
スループットは最適化される。
【0022】理想的には、ロードロックを減圧している
ときには1枚または2枚のウエハを常にロードロックを
介して搬入(pass inbound)し、ロードロックを通気して
いるときには1まいまたは2枚のウエハを常にロードロ
ックを介して排出(pass outbound)する。あるいは、1
つのロードロックを専用搬入ロードロックとし、別の1
つを専用搬出ロードロックとすることも可能である。い
ずれの場合でも、1枚以上の搬出ウエハを高真空バック
・エンド即ちHVBEからロードロック内に配置したな
ら、ロードロックを高真空転送チェンバから閉鎖し、大
気に通気する。
【0023】2枚のウエハを処理し終えたなら、次にプ
ロセスに用いた最終処理チェンバから各ウエハをロード
ロックに転送することができる。高真空転送チェンバの
転送アームによって、処理したウエハを連続的に各々1
組のピン上に配置し、ここで転送アームをロードロック
から引っ込め、続いてウエハを垂直方向にロードロック
・チェンバ内まで移動し、チェンバが高真空環境から封
止されている間に、搬出転送を行なう。好ましくは、支
持部内のピンを下降させてウエハを支持部上に設定し、
ここでウエハ支持部内の冷却管が、ウエハから熱を除去
するように機能し、これによって、ウエハをキャリア内
に配置するのに適した温度まで、ウエハを冷却する。何
故なら、キャリアは、処理し終えたばかりのウエハのよ
うな高い温度には適合性がない場合もあるからである。
冷却速度および通気ガスは、高温のウエハが空気と接触
するのを回避するように選択する。この接触は、ウエハ
の膜特性を劣化させる虞れがある。
【0024】ロードロック内において処理済みウエハを
冷却し、ロードロックをAFEチェンバの大気圧レベル
に通気したなら、ロードロックをAFEチェンバに対し
て開き、リフト・ピンはウエハを上昇させ、AFE転送
アームは連続的にウエハを捕捉してこれらを、各キャリ
アに1枚ずつ戻す。好ましくは、ウエハは、それを取り
出した元のキャリアに戻す。機械の高真空処理部分に
は、これらの処理空間があるので、キャリアからのウエ
ハの循環は、好ましくは、最初に一番下にあるウエハを
取り出し、次いでキャリアの下から上に順次ウエハの各
々を取り出すことを含む。ウエハは、一旦処理を終える
と、通常はそれらを取り出した際と同じ過程でキャリア
に戻され、それらを取り出した元のキャリア内の同じス
ロットまたは位置に置かれる。したがって、キャリアは
下から上に充填される。つまり、キャリアの底面から延
びる処理済みウエハの部分的積層体の最上部にある、キ
ャリアに戻された最後のウエハと、キャリアの最上部ま
で達する未処理ウエハの部分的積層体の一番下にある、
処理のために取り出される次の未処理ウエハとの間に、
キャリア内における空のスロット部分がある。
【0025】本発明の一実施形態によれば、HVBE運
搬チェンバ内にバッファ・ステーションを設け、ウエハ
をロードロックに装填したりまたはこれから排出する際
に、最短の待ち時間でロードロックが動作することを可
能にする。かかるバッファ・ステーションは、HVBE
転送チェンバ内部の支持部の形態とすることができる。
あるいは転送チェンバに対して常に開いており、HVB
E転送チェンバの真空レベルに維持した転送チェンバ・
ポートの1つにバッファ・チェンバを設けることも可能
である。
【0026】本発明のある態様によれば、AFE内のウ
エハを未処理ウエハのキャリアによって交換しつつ、他
のキャリアのウエハをAFE転送アームによってロード
ロックへおよびロードロックから循環させている。この
場合、使用中のキャリアが占めるAFEチェンバの部分
と、交換するキャリアまたは複数のキャリアが占める部
分との間の空気流を制限する構造を、オプションとして
設けるとよい。
【0027】本発明の好適な実施形態では、キャリアか
らロードロックに装填するウエハは、ウエハ整合ステー
ションを通過する。ウエハ整合ステーションは、ウエハ
上の平面またはその他の基準を、AFEの転送アームに
対して、ある角度に配向する。また、このウエハ整合ス
テーションの整合装置すなわちアライナは、転送アーム
上でウエハを中心に位置付けるが、好ましくは、偏心x
−y距離を測定し、転送アームの移動を制御して偏心距
離を補償するようにする。高真空内ではなく、AFE内
にアライナを配置することによって、スループットは向
上する。これまでに示した全てのウエハ処理の間、ウエ
ハは、そのデバイス側を上に向けて、水平方向に向けて
保持することが好ましい。また、好ましくは、ロードロ
ック、アライナおよびキャリア間において、AFE内の
ウエハの運動の殆どは、ウエハの沿層運動が共通面内で
行われ、ウエハを選択し適当な位置にウエハを戻すため
に必要なウエハの運動のみが、垂直成分を有する運動を
伴うようにする。同様に、転送チェンバ内におけるロー
ドロックと処理ステーション間のウエハの運動が行われ
る場合、ウエハの沿層運動は共通面内にある。AFEお
よび転送チェンバ内における運動面は、垂直方向に離間
することが好ましく、垂直方向に離間した面間の運動
は、ロードロックを介したウエハの転送によって行われ
る。これは、垂直運動のみによって行われることが好ま
しい。また、転送アームには、ウエハをロードロックの
支持ピン上に配置するとき、またはそこからウエハを持
ち上げるときにも、多少の垂直運動が生ずる。
【0028】本発明は、大型のVCEやそれに伴う長い
減圧および通気時間を、特に、大径ウエハのために設計
されそれを収容する場合に、不要とする。したがって、
特に小さなウエハ群の場合にスループットの向上が達成
され、ロードロック動作は、スループット制約要因とな
る可能性はない。特に、機械のスループットに悪影響を
及ぼすことなく、キャリアをウエハの他のキャリアと交
換するための時間が得られる。一旦機械に装填する位置
にウエハを挿入したなら、キャリアの移動は生じない。
別のウエハの上から1枚のウエハを捕捉すること、およ
びこれによって生ずる、下側のウエハに粒子が落下する
潜在的可能性は、回避される。本発明では、ロードロッ
ク減圧のための高真空ポンプは小型化され、コスト削
減、サイクル・タイムの短縮、ならびに粒子汚染および
キャリア内部での望ましくない振動によって誘発される
ウエハ位置ずれの増加を招き得る潜在的な振動の減少を
実現する。単一ウエハのキャリア内への移動およびそこ
から外への移動は、業界で認められているロボット転送
デバイスを用いて行われる。本発明では、標準的な大気
アライナを用いることができるので、高真空アライナを
用いる場合よりも、コストを抑え、処理の複雑化を軽減
し、動作の高速化が可能となる。本発明の好適な実施形
態では、2つまたは3つのキャリアを収容することがで
きる。2つのウエハ・オーバ・アンダー・ロードロック
には、米国特許第5,237,756号および第5,2
05,051号の汚染回避構造を容易に装備することが
できる。これらの特許の内容は、この言及により本願に
も含まれるものとする。
【0029】本発明の装置は、設計の簡略化、コストの
節約、および空間の効率的使用を可能にする。特に、1
つよりも多いロードロックに伴う構成部品のコストは、
追加の極低温ポンプおよびコンプレッサを不要とするこ
とによって、なくすことができる。追加のバルブ、測定
およびその他の機械的部品も削減される。装置全体で
は、動作部品が少なくしたがって高い信頼性は不要であ
る。更に、第2ロードロックに用いられるはずのHVB
E内の転送ポートを他の目的に用いることも可能であ
る。
【0030】本発明のこれらおよびその他の目的は、本
発明の以下の詳細な説明から容易に明白となろう。
【0031】(好適な実施形態の詳細な説明) 図3を参照すると、半導体ウエハ処理装置30の好適な
一実施形態が概略的に示されている。装置30は、2つ
の基本的部分、即ち、高真空バック・エンド(HVB
E:high vacuum back end)31および大気フロント・
エンド(AFE:atmospheric front end)32を有す
る。HVBE31は、転送チェンバ33を含む。これに
は、4つのモジュール34a〜34dとして図示する、
多数のプロセス・チェンバ34が接続されている。しか
し、5つ以上のかかるモジュールを含むあらゆる数のモ
ジュールでも含むことができる。転送チェンバ33は、
垂直軸36のまわりに回動するために設置され、かつ半
径方向の延長が可能な市販型のウエハ転送アーム35を
有する。これは、処理モジュール34間における複数の
ウエハの個別移動や、単一のロード・ロック・ステーシ
ョンへの移動およびこれからの移動が可能である。しか
し、1つよりも多くのロードロックを含むこともでき、
HVBE31およびAFE32間でウエハを移動させ
る、単一のロードロック・ステーション37を含むもの
として示す。
【0032】転送チェンバ33および処理チェンバ34
を含むHVBE31は、処理装置30の動作中高真空が
内部に発生し、一方AFE32は、空気または乾燥不活
性ガスのようなその他のガスを、周囲即ち大気圧レベル
で含む。処理チェンバ34は各々スリット・バルブ38
を介して転送チェンバ33と連通する。スリット・バル
ブ38は、転送アーム335の水平面にウエハ転送スリ
ットを有し、アーム35は、スリット・バルブの水平ス
リットを介して、ウエハを個々に処理チェンバ34に出
し入れしたり、転送チャンバ33に出し入れする。
【0033】AFE32は、複数のキャリア支持ステー
ション40を含む。その各々は、図2に示すように、別
個の着脱型カセットを有さない様式のキャリア25を支
持することができる。キャリア・ステーションの数は2
つまたは3つが好ましく、2つのかかるステーション4
0aおよび40bが図示されている。キャリア・ステー
ション40は、各々、好ましくは300mmキャリア2
5または典型的にVCE(図1)において用いられてい
た形式の従来からのオープン・ウエハ・カセットのいず
れかの形態の垂直ラックまたはキャリア内にある1群の
ウエハを、受け入れる。また、AFE32は、ウエハ・
アライナ・ステーション41および、好ましくは、垂直
軸43上で回動する、市販型の延長可能なウエハ転送ア
ーム42という形態の、5つのウエハ転送デバイス・ロ
ボットも含む。アーム42は、個々のウエハのキャリア
・ステーション40a,40bにおけるキャリア25に
対する双方向の転送、アライナ・ステーション41に対
する双方向の転送、およびロードロック・ステーション
37に対する双方向の転送を行なう。アライナ・ステー
ション41には、例えば、光学アライナのような、数種
類の市販型のいずれかのウエハ・アライナが装備されて
いる。アライナは、アーム42上のウエハを配向し、あ
らゆる偏心距離を測定し、機械コントローラが、補償用
転送アーム移動によって、かかる偏心距離を全て補償す
ることを可能とする。AFE32には、転送アーム4
2、アライナ・ステーション41、およびロードロック
・ステーション37の大気側を包囲する、シート・メタ
ル・エンクロージャ74が設けられている。エンクロー
ジャ74内には、キャリア・ステーション40a,40
bの各々に対して1つずつ、複数の開口44がある。開
口44は、当該開口に面しこれを通って突出するキャリ
ア・ドア27で開口をほぼ覆うような位置にキャリア2
5の前面を配置できるような形状をしており、キャリア
・ドア27が開いたときに、キャリア25内に配置した
ウエハに転送アーム42が接近可能としている。
【0034】図示する装置30の実施形態では、ユーザ
のクリーン・ルーム環境に少なくとも1つのキャリア装
填ステーション70が設けられている。ステーション7
0は、装置30にウエハを装填しかつ装置30からウエ
ハを排出するために、操作者またはロボット・キャリア
処理デバイス(図示せず)からキャリア25を受け取り
これらにキャリア25を渡すように位置付けたプラット
フォームまたはキャリッジ(図示せず)を含む。装填ス
テーション70のプラットフォームまたはキャリッジは
キャリア処理機能を有し、装填ステーション70とキャ
リア・ステーション40a,40bのいずれか1つとの
間でキャリア25の自動的な移動を可能とする。
【0035】図4に見られるように、ロードロック・ス
テーション37では、独立して動作可能な2ウエハ・ロ
ードロック45が設けられている。これは、HVBE3
1の上側または下側の水平壁の一部であり、それと一体
化されている。ロードロック45は、好ましくは一度に
2枚ずつ、AFE32の大気環境からHVBE31の高
真空環境にウエハの通過を可能にしつつ、2つの環境間
における分離を維持する。ロードロック45には、高真
空極低温ポンプ46が設けられている。高真空極低温ポ
ンプ46は、ロードロック45をかなりの高真空圧力レ
ベルまで減圧するように動作可能であるが、必ずしもH
VBE31の真空レベルまで減圧しなくてもよい。ロー
ドロックの減圧は、AFE32からHVBE31に移動
させたウエハ周囲でロードロック45を密閉して行われ
る(図4B)。また、ロードロック45には、各々、通
風バルブ構造39が設けられており、HVBE31から
AFE32に移動させたウエハ周囲でロードロック45
を密閉しているときに、流量を制御しつつ、ロードロッ
ク45を大気圧に通気し、AFE32内にある種類のガ
スを導入するように動作可能である。
【0036】ロードロック45は、密閉可能なロードロ
ック・チェンバ47を密閉する。このチェンバ47の容
積は、ウエハ転送支持部48上に垂直に離間して水平方
向に向けた平行な2枚の大径ウエハを収容するのに必要
な容積に限定されている。ウエハ転送支持部48は、図
4に更に詳しく示すように、上側支持部48aおよび下
側支持部48bを含む。図面では、支持部48a,48
bの垂直方向寸法を誇張しその詳細を図示するようにし
ているが、実際には2つの支持部48a,48bの間隔
および垂直方向寸法をできるだけ小さくし、ロードロッ
ク・チェンバ47の容積を極力抑える。
【0037】ロードロック45は、転送チェンバ33と
AFE32との間に位置する、転送チェンバ33の壁5
1、例えば、横上壁内の開口50に配置される。ロード
ロック45には、垂直方向に移動可能で下を向いた上側
のカップ形状のチェンバ・カバー52が設けられてい
る。チェンバ・カバー52は、転送チェンバ33の上壁
51に対して下に向かって移動する。カバー52には、
その底面リムの周囲に沿って環状シール55が設けら
れ、カバー52の選択的下方向活性化によって、AFE
32内の大気圧環境からロードロック・チェンバ45を
封止する。カバー52を上方向に上昇させると、AFE
転送アーム42がウエハを転送しロードロック45への
出し入れが可能となる。
【0038】同様に、開口50直下にある壁51の底面
側には、上に向けたウエハ支持部48a,48bを含
み、垂直方向に移動可能なウエハ・エレベータ56と、
上向きのカップ型閉鎖パネル57とが設けられている。
閉鎖パネル57には、その上側リムの周囲に沿って環状
シール58が設けられ、閉鎖パネル57の選択的上向き
移動によって、HVBE31内部の低圧環境からロード
ロック・チェンバ47を封止する。閉鎖パネル57を上
方向に上昇させると、HVBE転送アーム35がウエハ
を転送しロードロック45への出し入れが可能となる。
【0039】ウエハ支持部48a,48bは、各々、リ
フト・ピン59のアレイを含むことが好ましい。各支持
部48a,48bのピン59を選択的に同期して下降お
よび隆起させ、支持部48a,48bの表面へまたはこ
れらからウエハを移動させる。通常、ピン59は、転送
アーム35および42と支持レベル48a,48bとの
間におけるウエハの受け渡しを簡単に行なうために、隆
起した位置にある。かかる受け渡しでは、転送アーム3
5および42が、隆起したピンの上端によって規定され
る面とウエハをロードロック・チェンバ47に対して水
平方向に移動して出し入れする、多少高い水平面との間
で、把持したウエハを垂直方向にずらす。図示の双方向
ロードロックでは、ピン59は、金属のような高耐熱材
料で作られている。ロードロックが専用搬入ロードロッ
ク(inbound loadlock)である場合、ピンはウエハを冷却
プラットフォームに下降させる機能を有する必要がな
く、したがって支持部48上の固定ピンとしてもよい。
搬入および搬出ロードロック双方を収容する多重ロード
ロックでは、専用搬入ロードロックにおけるピン59
は、耐熱材料で作る必要はなく、したがってウエハが動
くことなくプラットフォーム動作の高速化を可能とする
ように、高摩擦材料で作ることが好ましい。
【0040】ロードロック45の動作において、装填プ
ロセス(即ち、ウエハをHVBE31内に移動させ、更
に真空環境における転送および処理を行なう)では、H
VBE31内への転送のためにウエハをAFE32から
ロードロック・ステーション37に転送する前に、図4
に示すように、ロードロック45は既にAFE32の大
気に通気されており、カバー52は持ち上げられてお
り、ロードロック45をAFEチェンバ32の内側に開
いている。この状態では、閉鎖パネル57を上昇して、
HVBE31の高真空環境からロードロック45を封止
している。ピン59は隆起しており、AFE転送アーム
42は伸長して、支持レベル48a,48bの一方の上
にある隆起ピン59の先端の面および転送チェンバ33
の上壁51の面の上方にて、転送アーム42の水平面内
において、ロードロック・チェンバ47の中心にウエハ
60を位置付ける。ウエハ60をロードロック・チェン
バ47の中心に配置すると、アーム42は支持部48
a,48bの一方、好ましくは最初に上側支持部48a
に向かって多少下降し、ウエハ60をピン59上に設定
する。好ましくは、次いで第2のウエハ60も同様に、
図4Aに示すように、下側支持部48bのピン59上に
配置する。
【0041】次に、図4Bに示すように、アーム42を
引っ込め、カバー52を適所に下降させ、ポンプ46の
動作によってチェンバ47の小容積を吸引する。ロード
ロック吸引サイクルが完了したなら、底面のエレベータ
・ユニット56を転送チェンバ33の高真空内に下降さ
せ、カバー52で開口50を封止し、図4Cに示すよう
に、HVBE転送アーム35のウエハ60と係合する移
動によって、ウエハ60を取り出し、ウエハ60をピン
59から持ち上げる。支持部48の2つの支持部48
a,48bにおけるウエハ60は、HVBE31のアー
ム35によって連続的に取り出すことが好ましく、支持
部48b上にある下側のウエハ60を最初に取り出し、
上側のウエハからその表面に粒子が落下する可能性を低
下させることが好ましい。ロードロック45から取り出
す第1ウエハ60は、HVBE31の真空チェンバ33
内部にある保持用即ちバッファ・ステーション69(図
3)に一時的に格納してもよい。保持ステーション69
は、ロードロック45から真空チェンバ33に取り出す
一方のウエハ60、双方のウエハ60またはそれ以上の
ウエハ60を保持する多数の支持部を含むことができ、
更に、ロードロック45への装填、または処理ステーシ
ョン34のような他のステーションへの移動を待ってい
る、処理済みウエハのための支持部も含むことができ
る。
【0042】ロボット・アーム35によって、ウエハを
処理する真空プロセス・チェンバ34a〜dにおよびこ
れらからウエハを運搬した後、前述の装填プロセスの逆
を行なうことによって、処理済みのウエハ60をAFE
32内にあるそれぞれの元の場所に戻すことができる。
排出プロセス(即ち、例えば、プロセス・チェンバ34
の真空環境における処理の後にHVBE31から、およ
びキャリア25に戻すためにAFE32内に1枚または
2枚のウエハを移動させるプロセス)におけるロードロ
ック45の動作が開始すると、ロードロック45を転送
チェンバ33の真空圧力に吸引し、カバー52を下降さ
せてAFE32の大気圧環境からロードロック・チェン
バ47を封止し、閉鎖パネル57を下降して、HVBE
31の転送チェンバ33の内側にロードロック45を開
放する。これは、HVBE31の真空チェンバ33内に
ウエハを転送した後のロードロック45の状態でもあり
得る。図4Cに示すように、支持部48a,48bの一
方の上方で、ピン59を隆起させ、HVBE転送アーム
35が延長し、転送アーム35の水平面におけるロード
ロック・チェンバ47内の中心にウエハ60を位置付け
る。
【0043】次いで、アーム35は多少下降し、ピン5
9の先端上にウエハ60を設定する。ここでウエハ60
はアーム35から解放され、アーム35はロードロック
・チェンバ47から引っ込められる。好ましくは、連続
して2枚のウエハをロードロック45に、1枚ずつ支持
部48a,48bの各々に装填する。次に、図4Bに示
すように、閉鎖パネル57が転送チェンバ33の真空環
境からロードロック・チェンバ47を封止するまで、エ
レベータ56を上昇させる。次いで、バルブ39の動作
を制御することによって、チェンバ47の小容積を、A
FE32の大気圧環境に通気させる。通気サイクルが完
了すると、図4Aに示すように、カバー52を上昇さ
せ、ウエハ60の下におけるAFE転送アーム42の移
動によってウエハ60を取り出し、図4に示すように、
転送アーム42によってピン59からウエハ60を持ち
上げる。
【0044】HVBE31における処理の後、そしてウ
エハ60をAFE32外部の周囲環境に露出する前に、
ウエハ60を冷却することが望ましい。この冷却は、1
つよりも多いロードロック・ステーションが設けられて
いる場合、1つのロードロック・ステーションによって
のみ行なえばよい。単一の2ウエハ・ロードロック37
では、図示の単一ロードロック実施形態において、各支
持部48a,48b上で冷却を行なう。好ましくは、ス
テーション37の外側にある搬出ロードロックに通気す
るのに要する時間中ウエハを冷却し、冷却によるスルー
プットの損失を招かないようにするのに有効な冷却能力
をロードロック45が備える。これを行なうために、支
持部48a,48b双方の支持部48の上面を冷却する
に当たり、その上面上の水冷ウエハ支持板を設ける。好
ましくは、水冷ウエハ支持板には、複数の、例えば3つ
以上の小さな隆起エリア66を形成する。ウエハ60を
保持していたピン59を支持部48aまたは48b内に
下降させた後には、これらが実際にウエハ60を支持す
る。支持部の各支持部48a,48b内に冷却ポートを
設けてもよく、あるいは、支持部に、熱伝導性プレート
を設けて一緒に接続するか、あるいは水導入(water por
ted)または能動冷却、または温度制御ヒート・シンクに
接続することも可能である。隆起エリア66の高さは、
直接伝導による熱転移を回避し、これによって冷却速度
の低下を回避するように選択し、こうしなければ発生し
得る望ましくないウエハの反りを回避する。何故なら、
物理的なウエハの締め付けは行なわない方が好ましいか
らである。ウエハ・スループットを極力高める時間枠で
ロードロックに通気可能とするという目的を損なう虞れ
があるので、冷却速度を規制するためのロードロック4
5内部のガス圧力制御を回避する。
【0045】単一2ウエハ・ロードロック45のバッチ
・キャリア25との併用によって、全体的な容積および
全露出表面積を、図1におけるような、最大のウエハ・
カセットに合わせた大きさとしこれらを収容するロード
ロックに見られるものの小部分に縮小し、コストを極力
抑え、簡単で信頼性の高い効率的なパッケージ構造を維
持することが可能となる。最大カセット・ロードロック
の代わりに単一2ウエハ・ロードロック45を使用する
ことにより、例えば、検定用ウエハのような、少数のウ
エハ群を装置30内におよび装置30から移動させるの
に要する時間は、大幅に短縮する。更に、通気および減
圧過程の間、2ウエハ・ロードロック45は、米国特許
第5,205,051号および第5,237,756号
に記載されている汚染防止機構の使用により、粒子また
は水分の凝縮のいずれかによる汚染を低減することが可
能とする。これらの特許の内容は、この言及により本願
にも明示的に含まれるものとする。
【0046】機械30の装填は、操作者によって行なう
ことができるが、好ましくはロボットによって行なう。
図3および図4に示すように、ロボットは、複数の未処
理ウエハ、例えば12または13枚、あるいは25また
は26枚の300mmウエハの標準的な1群全て装填し
たキャリア25を、例えば、AFE32の装填ステーシ
ョン70における適所に配置する。次いで、転送機構
(図示しないが、矢印71で表わす)が、キャリア25
を装填ステーション70からキャリア・ステーション4
0の1つ、例えばステーション40aに移動させる。キ
ャリア25のドア27はロックされ、開口44の1つを
通じてAFE転送アーム42の軸に面している。このよ
うに配置すると、キャリア25と機械的に相互作用する
AFE32内の固定および解除機構72によってキャリ
ア25が係合され、キャリア25が適所に配置される
と、ドア27が自動的に解除される。次いで、機構72
は、キャリア・ドア27をキャリア25から離れる方向
に移動させ、次いで下降させることにより、キャリア2
5を開き、選択したウエハを転送アーム42に露出す
る。この状態において、キャリア25は、AFE32に
おける壁74の開口44の1つを占め、AFE32の内
側をクリーン・ルーム環境から緩く分離することによ
り、クリーン・ルーム規格の緩和に対処し、AFE32
内において粒子の分離を更に強める。好ましくは、アー
ム42は、最初に、キャリア25の最も下の位置に隣接
するように垂直方向に位置付け、ウエハ転送アーム25
がキャリア25内の一番下にあるウエハを最初に捕捉
し、転送するようにする。このようにすれば、ウエハを
キャリア25から取り外すことによって散乱するキャリ
ア25内の粒子は、未処理ウエハの上向きの面に落下す
ることはない。粒子があると、処理における欠陥の原因
となり得る。
【0047】第1ウエハを取り出すために、キャリア2
5に隣接して適正に、好ましくはキャリア25内のウエ
ハ積層体の底面側から、アーム42を位置付けると、転
送アーム42はキャリア25からウエハを捕捉し、それ
を整合ステーション41に移動し、ここでウエハの偏心
距離があれば測定し、転送アーム42がウエハを適正に
配向できるようにする。次に、アーム42はロードロッ
ク37内の支持レベル48a,48b上にウエハを置
き、偏心距離が測定されていればこれを補償する。一旦
ロードロック45内に入ると、ウエハ60、または好ま
しくは1対のウエハ60をAFE32からHVBE31
に前述のように移動させる。転送アーム42が次にキャ
リア・ステーション40aに戻るときに捕捉する、下か
ら2番目のウエハとそれを整合させるように、アーム4
2は垂直方向に位置合わせ(index)を行なう。
【0048】ロードロック・ステーション37において
ロードロック45からウエハを取り出し、転送チェンバ
33の転送アーム35によって処理ステーション34を
一順した後、アーム35はウエハを好ましくはロードロ
ック45内に置く。このとき、ロードロック45は既に
チェンバ33に対して開いている。ロードロック45を
通過した後、ウエハは好ましくはAFE転送アーム42
によって、好ましくは、ウエハを取り出した同じキャリ
ア25内の同じ位置、例えば、キャリア・ステーション
40aにおけるキャリア25に戻す。ロードロック・ス
テーション37からキャリア25に移動させる際、通常
アライナ・ステーションを迂回する。しかしながら、ア
ライナをフロント・エンド内に有することにより、望ま
しければ、キャアリアへの挿入に先立って、HVBE3
1におけるバック・エンド処理に影響を及ぼすことな
く、ウエハを整合し直すことが可能となる。この搬出ウ
エハ整合機能(outbound wafer alignment capability)
は、冷却やロードロック通気サイクルの間、ウエハが位
置ずれを起こし、ウエハ・キャリア25の内壁に沿って
引きずられ、粒子問題が重大化する虞れがある場合に望
ましい。キャリア・ステーション40においてキャリア
25内のウエハ全てを処理し終えると、キャリア25の
ドア27を閉鎖し、固定および解除機構72を外す。次
に、キャリア25を装填ステーション70に移動させ、
ここから操作者またはロボットによって取り出すことが
できる。
【0049】キャリア・ステーション40におけるウエ
ハのキャリア25に対する装填および排出の間、他のス
テーション40からキャリア25を取り出し、他のウエ
ハのキャリア25と交換し、HVBE31全体を一巡さ
せることができる。この動作およびAFEチェンバ内に
おける全ての動作の間、粒子汚染の危険性は、濾過空気
の層流によって低減する。濾過空気は、AFE32内で
水平に横方向に移動することが好ましい。当業者が満足
する結果が得られる層流を生成するのに効果的な構造
(送風機75およびフィルタ76として概略的に表わ
す)であればいずれでも、受け入れ可能である。
【0050】先に概説したAFE32のフロント・エン
ド構造では、必要であれば、例えば、配置替えが可能な
ウエハ・アライナが占める位置に第3のウエハ・キャリ
ア・ステーション40の追加を容易に行なうことができ
る。
【0051】ロードロック45の好適な構造の利点は、
実用上できるだけ小さい容積を有するようにロードロッ
ク45を構成することによって、最も効果的に実現さ
れ、好ましくは、約6ないし8リットル未満であり、僅
か約4.5ないし5リットル未満であることが好まし
い。ロードロック・チェンバ47の容積は図4から図4
Cでは誇張されており、チェンバ・カバー52の下面
は、上昇させたとき、ピン59上に支持されるウエハか
ら20000から30000インチ(50800から7
3500cm)以内に位置するような形状にすることが
できる。同様に、上昇位置におけるピン59の高さも図
では誇張されており、転送アーム35および42へおよ
びこれらからの転送を可能とし、ならびに転送中に上昇
した表面66に対する隙間が取れるのに十分であればよ
い。また、支持部48a,48bの厚さおよび間隔も、
好ましいものよりも大きく示されている。支持部48
a,48bの上支持面は、約1インチ離れていればよ
い。ピン59は、集合化し、内側に突出するタブを有
し、同時に2枚のウエハを持ち上げることができるよう
にする。
【0052】好ましくは、チェンバ47は平坦であり、
即ち、縦の輪郭形状が低く、平面では円形か、少なくと
もほぼ円形であり、無駄な容積を極力減らすことによ
り、減圧を高速化し、通気を一層容易に可能とする。加
えて、好適なオーバ・アンダー形状(over and under co
nfiguration)におけるロードロック45の垂直転送方向
により、一層ロバスト性の高い低容積ロック構造が得ら
れる。かかる形状により、HVBE31の構造壁内にロ
ックを加工し、真空ポンプをロードロック45に取り付
けおよび接続しても、振動は最少に抑えることができ
る。ロードロック45内において時間または空間を浪費
する、予備加熱やガス抜きプロセスのような、プロセス
の配置を回避することによって、ロードロックのスルー
プット低下を回避する。オーバ・アンダー変形(over-un
der version)により、小さなフットプリントを維持しつ
つ、振動を低減させる。
【0053】図3に示す単一装填ステーション70は、
キャリア配給システムの設計およびユーザによる使用を
簡便化する。キャリア25は、キャリア配給システムに
よって、装填ステーション70または予め整備されたト
ラックから受け渡され搬送される。加えて、1つ以上の
バッファ位置78を、矢印71で示す経路に沿って確保
し、その中に、受け入れた未処理ウエハのキャリアのよ
うな、1つ以上のキャリア25を一時的に止めておく。
これによって、機械10とステーション70における単
一のキャリア・ハンドラとの間でのキャリア25の交換
が容易となる。例えば、ステーション40aおよび40
bの各々におけるキャリア25では、未処理ウエハのキ
ャリア25を装填ステーション70に送り込み、次いで
ステーション40aに移動させ、図ではステーション7
0の左側の、矢印71の円弧状経路に沿った位置に止め
ておくことができる。次いで、ステーション40bから
ステーション70にキャリア25を転送し、ステーショ
ン70においてロボットでこれを取り出し、ステーショ
ン70の左に止めてある受け入れキャリアを位置40b
に転送することができる。他の移動の組み合わせも、追
加のバッファ・ステーション78によって得ることがで
きる。
【0054】前述の特徴、目的および利点は、図6およ
び図7に示す本発明の代替実施形態によって実現され
る。これらの図では、VHBE31aの代替変形を、A
FE32aの代替変形と組み合わせて備えている。これ
らは水平方向に通過するスリット・バルブを装備したロ
ードロック37aによって相互接続されている。HVB
E31aは、転送チェンバ33aを含み、これに、6つ
のモジュール34a〜34fとして図示する多数のプロ
セス・チェンバ34、およびバッファ即ち保持ステーシ
ョン69aが接続されている。モジュール34aは、例
えば、誘導結合プラズマ・エッチング・モジュールであ
り、モジュール34b〜34eは堆積モジュールとする
ことができる。モジュール34fは、例えば、ガス抜き
モジュールとすることができる。保持ステーション69
aは、例えば、分離バルブのない2位置動作バッファと
することができ、その中にあるチェンバは、転送チェン
バ33aの延長であり、これと同一圧力および同一雰囲
気にある。また、転送チェンバ33aは、内部に回動お
よび延長可能なウエハ転送アーム35を有する。ウエハ
転送アーム35は、処理モジュール34間でウエハを個
別に移動可能とすると共に、ロード・ロック・ステーシ
ョン37aへおよびこれからのウエハの移動を可能とす
るように、垂直軸36上に装着されている。
【0055】ロードロック・ステーション37aには、
内部に容積が小さいロードロック・チェンバ47aを有
するロードロック45aが装備されている。チェンバ4
7aは、AFE32aの雰囲気およびHVBE31aの
真空と、それぞれ、従来のスリット・バルブ91および
92を介して連通する。ロードロック45aには、真空
ポンプ46aおよび大気通気ポート39aが設けられて
いる。これらは、図3の実施形態の要素46および39
と同様に機能する。ロードロック45aのチェンバ47
a内には、1対の垂直に離間した支持部148aおよび
148bを有する2つのレベル支持部148が設けられ
ており、その上に2枚のウエハ60を載置することがで
き、先に論じた図3の実施形態と同様の連続動作にした
がって、それぞれ真空状態および大気状態に減圧および
通気し、AFE32aからHVBE31aへ、またはH
VBE31aからAVE32aに転送する。支持部14
8a,148bは双方共、リフト・ピン(図示せず)ま
たは支持部148a,148b内において冷却要素(図
示せず)から離れるように、およびこれらに接触するよ
うにウエハを移動させるその他の昇降構造を含むことが
好ましい。
【0056】先に詳しく論じた2つの実施形態に加え
て、その他の実施形態も可能である。本発明の用途は様
々であり、本発明は主に好適な実施形態において説明し
たことを当業者は認めよう。したがって、本発明の原理
から逸脱することなく、追加および変更が可能である。 [図面の簡単な説明]
【図1】従来技術のVCEを装備したクラスタ・ツール
の正面断面図。
【図2】高真空に適合性がなく、着脱型カセットを用い
ない、業界提案のウエハ・キャリアの斜視図。
【図3】本発明の好適な一実施形態による、単一2ウエ
ハ・ロードロックを装備したウエハ処理装置の上平面
図。
【図4】開放位置にある単一2ウエハ・ロードロックを
示す、図3の線4−4に沿った断面図。
【図4A】大気環境からロードロックを介した高真空環
境へのウエハの通過を示す、図4のロードロックの連続
図。
【図4B】大気環境からロードロックを介した高真空環
境へのウエハの通過を示す、図4のロードロックの連続
図。
【図4C】大気環境からロードロックを介した高真空環
境へのウエハの通過を示す、図4のロードロックの連続
図。
【図5】図4Cの線5−5に沿った図。
【図6】図3と同様であるが、本発明の代替実施形態の
上面図。
【図7】図6の線7−7に沿った断面図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−51260(JP,A) 特開 平6−283430(JP,A) 特開 昭63−204726(JP,A) 特開 平6−97260(JP,A) 特表 昭64−500072(JP,A) 国際公開99/13504(WO,A1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/68 B01J 3/02 B65G 49/00

Claims (20)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のウエハを収容可能な多重ウエハ・
    キャリアとウエハ処理クラスタ・ツールの転送チェン
    (33,33a)の高真空環境との間でウエハを転送
    する方法であって、高真空の前記転送チェンバ(33,33a)に隣接して
    配置される大気フロント・エンド・チェンバであって、
    前記転送チェンバ(33,33a)との間に分離壁構造
    (51)の一部分を有し、内部にロボット転送デバイス
    (42)が配置され、また内部にクリーンな大気環境が
    形成される大気フロント・エンド・チェンバと連通する
    ように、第1の多重 ウエハ・キャリア(25)を位置付
    けるステップと、第1および第2ウエハを、前記ロボット転送デバイス
    (42)を用いて、前記第1のキャリア(25)から、
    前記大気フロント・エンド・チェンバを通して、2ウエ
    ハ・ロードロック(37,37a)へと転送するステッ
    プであって、この時、該2ウエハ・ロードロック(3
    7,37a)が前記大気環境に対して開き且つ真空側閉
    鎖部(57)によって前記転送チェンバ(33,33
    a)の前記高真空環境からは封止されて搬入ロードロッ
    クとして動作している ステップと、大気側閉鎖部(52)によって 前記ロードロック(4
    5,45a)を前記大気環境から封止するステップと、 前記ロードロック(45,45a)を真空圧力レベルに
    減圧するステップと、前記真空側閉鎖部(57)を用いて前記ロードロック
    (45,45a)を前記転送チェンバ(33,33a)
    の前記 高真空環境に開放するステップと、前記転送チェンバ(33,33a)内に配置された転送
    アーム(35)を用いて前記ロードロック(45,45
    a)から前記第1および第2ウエハを連続的に取り出
    し、1以上の真空処理チェンバ(34)内に配置するス
    テップであって、この時、前記真空処理チェンバ(3
    4)が前記高真空環境と連通状態にされている ステップ
    と、前記転送チェンバ(33,33a)内に配置された前記
    転送アーム(35)を用いて前記第1および第2ウエハ
    を1以上の前記真空処理チェンバ(34)から連続的に
    取り出し、2ウエハ・ロードロック(45,45a)内
    に配置するステップであって、この時、前駆真空処理チ
    ェンバ(34)が前記転送チェンバ(33,33a)の
    前記高真空環境と連通状態にされており、前記2ウエハ
    ・ロードロック(45,45a)が前記高真空環境に対
    して開き且つ前記大気側閉鎖部(52)によって前記ツ
    ールの前記フロント・エンド・チェンバの前記大気環境
    からは封止されて搬出ロードロックとして動作している
    ステップと、 前記搬出ロードロック(45,45a)を、前記転送チ
    ェンバ(33,33a)の前記高真空環境から封止する
    ステップと、 前記搬出ロードロック(45,45a)を、前記ツール
    のフロント・エンド・チェンバ前記大気環境の圧力レ
    ベルに通気するステップと、 前記搬出ロードロック(45,45a)を、前記フロン
    ト・エンド・チェンバ前記大気環境に開放するステッ
    プと、 前記第1および第2ウエハを前記搬出ロードロック(3
    7,37a)からキャリア(25)に転送するステップ
    、を含むウエハ転送方法において、 前記第1および第2ウエハが、前記第1キャリア(2
    5)から前記搬入ロードロック(45,45a)に、そ
    して前記搬出ロードロック(45,45a)からキャリ
    ア(25)に連続的に転送され、 前記ロードロック(45,45a)が、前記分離壁構造
    の前記部分に開口(50)を有し、 前記真空側閉鎖部(57)が、前記開口(50)におけ
    る前記転送チェンバ側で、前記分離壁構造(51)に対
    して選択的に位置付けることおよび封止することが可能
    であり、 前記大気側閉鎖部(52)が、前記開口(50)におけ
    る前記大気フロント・エンド側で、前記分離壁構造(5
    1)に対して選択的に位置付けることおよび封止するこ
    とが可能であり、 前記閉鎖部(52,57)は、前記分離壁構造に対して
    そのように位置付けられたときに、該閉鎖部の間にロー
    ドロック・チェンバ(47)を形成し、 前記大気環境から前記搬入ロードロック(45,45
    a)を封止する前記ステップが、前記大気側閉鎖部(5
    2)を前記分離壁構造(51)に対する前記封止位置に
    位置付けし、それによって内部に前記第1および第2ウ
    エハを備える第1ロード・ロック・チェンバ(47)を
    前記閉鎖部(52,57)の間に形成するステップを含
    み、 前記搬入ロードロック(45,45a)を前記高真空環
    境に開放する前記ステップが、前記真空側閉鎖部(5
    7)を前記分離壁構造(51)から離れるように真空転
    送位置に移動させるステップを含み、 前記搬出ロードロックを前記高真空環境から封止する前
    記ステップが、前記真空側閉鎖部(57)を前記分離壁
    構造(51)に対する封止位置に位置付けし、それによ
    って内部に前記第1および第2ウエハを備える搬出ロー
    ドロック・チェンバ(47)を前記閉鎖部(52,5
    7)の間に形成するステップを含み、 前記搬出ロードロック(45,45a)を開放する前記
    ステップが、前記大気側閉鎖部(52)を前記分離壁構
    造から離れるように移動させるステップを含む、 ことを
    特徴とするウエハ転送方法。
  2. 【請求項2】 搬出ロードロックとして機能する前記2
    ウエハ・ロードロック(45,45a)が、前記搬入ロ
    ードロックとして機能するロードロックと同一であり、 前記第1および第2ウエハを前記2ウエハ・ロードロッ
    ク内に配置する前記ステップ、前記搬出ロードロックを
    封止する前記ステップ、前記搬出ロードロックを通気す
    前記ステップ、前記搬出ロードロックを開放する前記
    ステップ、および前記第1および第2ウエハを前記搬出
    ロードロックから転送する前記ステップが、前記搬入ロ
    ードロックとして用いる同一ロードロック(45,45
    a)に前記ウエハを配置、これを封止、通気、開
    そして前記ロードロックから前記ウエハを転送す
    るステップを含む請求項1に記載のウエハ転送方法。
  3. 【請求項3】 前記真空転送チェンバ環境内で前記搬入
    ロードロック(37,37a)から前記ウエハを取り出
    前記ステップが、前記ロードロック(45,45a)
    から前記第1ウエハを取り出して前記真空転送チェンバ
    環境内の保持位置に移送するステップと、次いで前記ロ
    ードロック(45,45a)から前記第2ウエハを取り
    して前記真空転送チェンバ環境内の保持位置に移送す
    ステップとを含む請求項1または請求項2に記載の
    エハ転送方法。
  4. 【請求項4】記搬出ロードロック通気ステップ中
    に、前記搬出ロードロック(45,45a)においてウ
    エハを能動的に冷却するステップをさらに含む請求項1
    から請求項までのいずれか一項に記載のウエハ転送
    法。
  5. 【請求項5】記大気フロント・エンド環境におい
    て前記ロボット転送デバイス(42)によってウエハを
    移動させるステップと、前記高真空転送チェンバ環境
    において前記転送アーム(35)によってウエハを移動
    させるステップとをさらに含み、前記ロードロック(4
    5,45a)を前記大気フロント・エンド環境および前
    記高真空転送チェンバ環境双方に対して封止している
    ときに前記ステップの両方が行なわれる請求項1から
    求項までのいずれか一項に記載のウエハ転送方法。
  6. 【請求項6】 前記ロボット転送デバイス(42)が内
    部に配置された前記大気フロント・エンド・チェンバか
    ら前記第1多重ウエハ・キャリアを取り外すステップ
    と、前記大気フロント・エンド・チェンバと連通する第
    3のキャリア(25)からのウエハを前記ロボット転送
    デバイス(42)によって前記ロードロック(45,4
    5a)へ転送し、また前記ロードロック(45,45
    a)から転送している間に、前記大気フロント・エンド
    ・チェンバと連通するように前記第2多重ウエハ・キャ
    リア(25)を配置することによって、前記第1キャリ
    ア(25)を前記第2キャリア(25)と交換するステ
    ップとをさらに含む請求項1から請求項までのいずれ
    か一項に記載のウエハ転送方法。
  7. 【請求項7】 前記ウエハを前記第1キャリア(25)
    から転送し、また前記搬入ロードロック(45,45
    a)へ転送する前記ステップが、前記ウエハを前記大気
    環境内のウエハ・アライナ(41)へ転送し、またウエ
    ハ・アライナ(41)から転送するステップを含む請求
    項1から請求項6までのいずれか一項に記載のウエハ転
    方法。
  8. 【請求項8】 前記高真空環境において行われる、ウエ
    ハの前記搬入および搬出ロードロック(45,45a)
    への転送および前記搬入および搬出ロードロック(4
    5,45a)からの取り出しと、ウエハの前記処理チェ
    ンバ(34)への転送および前記処理チェンバ(34)
    からの取り出しとが、第1水平面における前記ウエハの
    水平方向の移動によって行われ、前記大気環境において
    行われる前記ウエハの前記搬入および搬出ロードロック
    (45,45a)への転送および前記搬入および搬出
    ードロック(45,45a)からの取り出し、前記第
    1水平面から垂直方向に離間した第2水平面における前
    記ウエハの水平方向の移動によって行われ、前記ウエハ
    前記ロードロック(45,45a)の各々の中にある
    場合の前記ウエハの垂直方向移動、前記第1および第
    2水平面間で行われる請求項1から請求項7までのいず
    れか一項に記載のウエハ転送方法。
  9. 【請求項9】 前記全てのステップは、前記ウエハを水
    平にして行われ、ウエハの前記搬入および搬出ロードロ
    ック(45,45a)への転送、および前記搬入および
    搬出ロードロック(45,45a)からの取り出しは、
    前記ウエハの水平方向の移動によって行われ、 前記第1および第2ウエハが前記搬入および搬出ロード
    ロック(45,45a)内にあるときに、該ウエハを垂
    直方向に移動させるステップをさらに含む請求項1から
    請求項7までのいずれか一項に記載のウエハ転送方法。
  10. 【請求項10】ート(38)を内部に有し、これを
    通じてウエハを個々に装填および排出する複数の真空処
    理チェンバ(34)と、 前記処理チェンバの前記ポートと連通可能な複数のポー
    トを有する高真空転送チェンバ(33,33a)と、前記高真空転送チェンバ(33,33a)に隣接した大
    気フロント・エンド・チェンバであって、前記高真空転
    送チェンバ(33,33a)との間に分離壁構造(5
    1)の一部分を有し、少なくとも1つのキャリア装填お
    よび排出ステーションをさらに有している大気フロント
    ・エンド・チェンバと、 前記高真空転送チェンバと前記大気フロント・エンド・
    チェンバとの間にアクセス・チェンバを形成する2ウエ
    ハ・ロードロック(45,45a)であって、内部に2
    枚のウエハを保持するように構成されており、また前記
    ロードロック(45,45a)と前記高真空転送チェン
    バ(33,33a)を接続するように選択的に開放可能
    な真空側閉鎖部(57)と、前記ロードロック(45,
    45a)と前記大気フロント・エンド・チェンバを接続
    するように選択的に開放可能な大気側閉鎖部(52)と
    を有する2ウエハ・ロードロック(45,45a)と、前記ロードロック(45,45a)内でウエハを移動さ
    せるためのウエハ・エレベータ(56)と、 前記フロント・エンド・チェンバ内にある少なくとも1
    つのキャリア・ステーション(70)であって複数枚
    のウエハを収容可能な多重ウエハ・キャリア(25)を
    支持するように構成されているキャリア・ステーション
    (70)と、 前記高真空転送チェンバ(33,33a)内にある転送
    アーム(35)であって、前記処理チェンバ(34)お
    よび前記ロードロック(45,45a)の各々へ、およ
    びその各々から移動可能な単一のウエハ係合要素を有
    し、これらの間で個々のウエハを連続的に転送する転送
    アーム(35)と、 前記フロント・エンド・チェンバ内にあるウエハ転送デ
    バイス(42)であって、前記ロードロック(45,4
    5a)および前記少なくとも1つのキャリア(25)間
    で移動可能であり、これらの間で個々のウエハを転送す
    るウエハ転送デバイス(42)と、を有する高真空ウエ
    ハ処理装置において前記 ウエハ転送デバイスが、前記ロードロック(45,
    45a)および前記少なくとも1つのキャリア(25)
    間で個々のウエハを連続的に転送する個別ウエハ転送デ
    バイス(42)であり、 前記ロードロック(45,45a)が、前記分離壁構造
    の前記部分に設けられた開口(50)と、該開口(5
    0)における前記転送チェンバ側で前記分離壁構造(5
    1)に対して選択的に位置付けおよび封止可能な真空側
    閉鎖部(57)と、前記開口における前記大気フロント
    ・エンド側で前記分離壁構造(51)に対して選択的に
    位置付けおよび封止可能な大気側閉鎖部(52)とを有
    し、 前記閉鎖部(52,57)が、前記分離壁構造に対して
    そのように位置付けられたときに、該閉鎖部(52,5
    7)の間にロードロック・チェンバ(47)を形成する
    ことを特徴とする高真空ウエハ処理装置。
  11. 【請求項11】記フロント・エンド・チェンバ(7
    4)内に設けられたウエハ・アライナ(41)をさらに
    有し、前記ウエハ転送デバイス(42)が、ウエハ・
    アライナ(41)に向かっておよび前記ウエハ・アライ
    ナ(41)からも移動可能である請求項10に記載の
    真空ウエハ処理装置。
  12. 【請求項12】 前記ロードロック(45,45a)内
    に設けられた2つのウエハ冷却器であって、前記ロード
    ロック(45,45a)の通気中に前記2枚のウエハか
    らの熱をそれぞれのウエハ冷却器に移転させるように
    置されたウエハ冷却器をさらに有する請求項10または
    請求項11に記載の高真空ウエハ処理装置。
  13. 【請求項13】 前記ロードロックは、それぞれが前記
    ウエハ冷却器の各1つを内部に有する2つの上向きウエ
    ハ支持面(48,148)を含み、ウエハ支持部(4
    8,148)はそれぞれ少なくとも3つで1組のリフ
    ト・ピン(59)を含み、該リフト・ピン(59)は、
    前記支持部と前記転送アーム(33,33a)または前
    記転送デバイス(42)との間でウエハを受け渡すため
    各リフト・ピンの支持面上ウエハが配置される隆
    起位置と、ウエハが各リフト・ピンの支持面と接触する
    下降位置とを有する請求項12に記載の高真空ウエハ処
    装置。
  14. 【請求項14】 前記ウエハ・エレベータ(56)が、
    真空転送位置と大気転送位置との間で移動可能であり
    前記転送アーム(33,33a)、前記処理チェンバ
    (34)の前記ポート、および前記真空転送位置にある
    前記ロードロックが共通の水平面内に位置し、前記転送
    デバイス(42)前記大気転送位置にある前記ロー
    ドロックを含む水平面内において水平方向に移動可能で
    ある請求項10から請求項13までのいずれか一項に記
    載の高真空ウエハ処理装置。
  15. 【請求項15】 前記転送アーム(35)、前記処理チ
    ェンバ(34)の前記ポート、および前記真空転送位置
    にある前記ロードロックが、第1水平面内に位置し、前
    記転送デバイス(42)前記大気転送位置にある前
    記ロードロックを含む第2水平面内において水平方向に
    移動可能である請求項14に記載の高真空ウエハ処理
    置。
  16. 【請求項16】 前記キャリア(25)は、内部で垂直
    方向に重なり合い且つ垂直方向に離間された複数のウエ
    ハ格納位置を有し、各キャリア・ステーションは、前記
    複数のウエハ格納位置から選択した1つから前記第2水
    平面に移動するように動作可能なキャリア・エレベータ
    を含み、前記転送デバイス(42)は、前記大気転送位
    置にある前記ロードロックと前記格納位置から選択した
    前記1つの位置との間で、前記第2水平面内において水
    平方向に移動可能である請求項15に記載の高真空ウエ
    ハ処理装置。
  17. 【請求項17】 前記キャリア(25)は、内部で垂直
    方向に重なり合い且つ垂直方向に離間された複数のウエ
    ハ格納位置を有し、前記転送デバイス(42)は、前記
    第2水平面と前記格納位置から選択した1つのレベルと
    間で垂直方向に移動可能である請求項15に記載の高真
    空ウエハ処理方法。
  18. 【請求項18】 前記2ウエハ・ロードロック(45,
    45a)は、離間した平行なウエハ支持面内に2つのウ
    エハを支持するように構成され、また前記2ウエハ・ロ
    ードロック(45,45a)は、前記ウエハ支持面に対
    して垂直な方向に、ウエハの前記チェンバ(47)への
    転送および前記チェンバ(47)からの転送のために構
    成された前記閉鎖部(52,57)を備え、それによっ
    て前記ロードロック・チェンバが、前記ウエハ支持面が
    水平な場合に上下に重なって位置する2つのウエハ支持
    面間においてウエハを垂直方向に受け渡すオーバ・アン
    ダー型になされている請求項10から請求項16までの
    いずれか一項に記載の高真空ウエハ処理装置。
  19. 【請求項19】 前記2つのロードロック(45,45
    a)が、前記大気フロント・エンドおよび高真空転送チ
    ェンバに対して閉鎖しているとき、多重ウエハ・キャリ
    ア(25)を収容するのに必要な容積よりも実質的に小
    さい、吸引可能な容積を密閉している請求項10から請
    求項18までのいずれか一項に記載の高真空ウエハ処理
    装置。
  20. 【請求項20】 前記高真空ウエハ処理装置は、高真空
    バック・エンド・セクション(31)を含み、該高真空
    バック・エンド・セクション(31)が、前記複数の真
    空処理チェンバ(34)と、バック・エンド・セクシ
    ョン内部の真空環境を外部環境から分離する壁によって
    囲まれた前記真空転送チェンバ(33,33a)とを含
    み、前記ロードロック(45,45a)は、前記バック
    ・エンド・セクション(31)の壁内に設けられ前記
    真空側閉鎖部(57)が前記壁の前記真空環境側にあ
    り、前記大気側閉鎖部(52)が前記壁の前記真空環境
    反対側にある請求項10から請求項19までのいずれ
    か一項に記載の高真空ウエハ処理装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011091160A (ja) * 2009-10-21 2011-05-06 Ulvac Japan Ltd 基板搬送装置及び基板処理装置

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5961269A (en) 1996-11-18 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Three chamber load lock apparatus
KR100296651B1 (ko) * 1998-07-09 2001-10-26 윤종용 반도체진공설비및이를이용하는방법
US6350321B1 (en) * 1998-12-08 2002-02-26 International Business Machines Corporation UHV horizontal hot wall cluster CVD/growth design
US6440261B1 (en) 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
US6318945B1 (en) * 1999-07-28 2001-11-20 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus with vertically stacked load lock and substrate transport robot
US6309161B1 (en) * 1999-11-04 2001-10-30 Brooks Automation, Inc. Load lock with vertically movable support
US6558509B2 (en) 1999-11-30 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Dual wafer load lock
US6949143B1 (en) * 1999-12-15 2005-09-27 Applied Materials, Inc. Dual substrate loadlock process equipment
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
US6609877B1 (en) * 2000-10-04 2003-08-26 The Boc Group, Inc. Vacuum chamber load lock structure and article transport mechanism
US6609869B2 (en) * 2001-01-04 2003-08-26 Asm America Transfer chamber with integral loadlock and staging station
US6575186B2 (en) 2001-01-16 2003-06-10 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Multiple speed slit valve controller
KR20020071393A (ko) * 2001-03-06 2002-09-12 주식회사 아이피에스 자동연속 웨이퍼가공시스템 및 그를 이용한 웨이퍼가공방법
KR20020073931A (ko) * 2001-03-17 2002-09-28 주식회사 아이피에스 자동연속 웨이퍼가공시스템 및 그를 이용한 웨이퍼가공방법
KR20020076039A (ko) * 2001-03-27 2002-10-09 주식회사 아이피에스 자동연속 웨이퍼가공시스템 및 그를 이용한 웨이퍼가공방법
US6585470B2 (en) 2001-06-19 2003-07-01 Brooks Automation, Inc. System for transporting substrates
US7316966B2 (en) * 2001-09-21 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Method for transferring substrates in a load lock chamber
JP3686866B2 (ja) * 2001-12-18 2005-08-24 株式会社日立製作所 半導体製造装置及び製造方法
JP3660626B2 (ja) 2002-01-15 2005-06-15 株式会社野田スクリーン 真空印刷装置
US6899507B2 (en) * 2002-02-08 2005-05-31 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections
WO2003100836A1 (en) 2002-05-21 2003-12-04 Asm America, Inc. Reduced cross-contamination between chambers in a semiconductor processing tool
US6854948B1 (en) 2002-08-15 2005-02-15 Nanometrics Incorporated Stage with two substrate buffer station
US6696367B1 (en) * 2002-09-27 2004-02-24 Asm America, Inc. System for the improved handling of wafers within a process tool
US8241701B2 (en) * 2005-08-31 2012-08-14 Lam Research Corporation Processes and systems for engineering a barrier surface for copper deposition
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
US20070269297A1 (en) * 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
US8029226B2 (en) 2003-11-10 2011-10-04 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
EP1749116B1 (en) * 2004-05-14 2015-03-04 Ferrotec (USA) Corporation Methods and apparatuses for transferring articles through a load lock chamber under vacuum
US7784164B2 (en) 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
US7497414B2 (en) * 2004-06-14 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Curved slit valve door with flexible coupling
WO2006004718A1 (en) * 2004-06-28 2006-01-12 Brooks Automation, Inc. Non productive wafer buffer module for substrate processing apparatus
US20090304914A1 (en) * 2006-08-30 2009-12-10 Lam Research Corporation Self assembled monolayer for improving adhesion between copper and barrier layer
US7578650B2 (en) * 2004-07-29 2009-08-25 Kla-Tencor Technologies Corporation Quick swap load port
KR100615091B1 (ko) * 2004-08-16 2006-08-23 삼성전자주식회사 슬릿밸브 제어시스템 및 그 제어방법
US8668422B2 (en) * 2004-08-17 2014-03-11 Mattson Technology, Inc. Low cost high throughput processing platform
WO2006023326A1 (en) * 2004-08-17 2006-03-02 Mattson Technology, Inc. Advanced low cost high throughput processing platform
US20060273815A1 (en) * 2005-06-06 2006-12-07 Applied Materials, Inc. Substrate support with integrated prober drive
US7604449B1 (en) * 2005-06-27 2009-10-20 Kla-Tencor Technologies Corporation Equipment front end module
US20070006936A1 (en) * 2005-07-07 2007-01-11 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with substrate temperature regulation
US20070020890A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor processing
US7845891B2 (en) * 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
US20080067368A1 (en) * 2006-04-19 2008-03-20 Mks Instruments Inc Ionizing system for vacuum process and metrology equipment
US7665951B2 (en) * 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation
US7845618B2 (en) 2006-06-28 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Valve door with ball coupling
US20080019806A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Nyi Oo Myo Small footprint modular processing system
US8124907B2 (en) * 2006-08-04 2012-02-28 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment
US20080251019A1 (en) * 2007-04-12 2008-10-16 Sriram Krishnaswami System and method for transferring a substrate into and out of a reduced volume chamber accommodating multiple substrates
KR101522324B1 (ko) 2007-05-18 2015-05-21 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 로드 락 빠른 펌프 벤트
KR20100031681A (ko) * 2007-05-18 2010-03-24 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 빠른 교환 로봇을 가진 컴팩트 기판 운송 시스템
US10541157B2 (en) 2007-05-18 2020-01-21 Brooks Automation, Inc. Load lock fast pump vent
JP5108557B2 (ja) * 2008-02-27 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置および基板冷却方法
US7972961B2 (en) * 2008-10-09 2011-07-05 Asm Japan K.K. Purge step-controlled sequence of processing semiconductor wafers
US8216380B2 (en) 2009-01-08 2012-07-10 Asm America, Inc. Gap maintenance for opening to process chamber
US8287648B2 (en) * 2009-02-09 2012-10-16 Asm America, Inc. Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber
JP5952526B2 (ja) * 2011-02-04 2016-07-13 株式会社ダイヘン ワーク搬送システム
KR101713630B1 (ko) * 2011-11-25 2017-03-09 주식회사 원익아이피에스 기판처리시스템 및 그에 사용되는 반송모듈
KR101713629B1 (ko) * 2011-11-25 2017-03-09 주식회사 원익아이피에스 기판처리시스템 및 그에 사용되는 반송모듈
TW201639063A (zh) 2015-01-22 2016-11-01 應用材料股份有限公司 批量加熱和冷卻腔室或負載鎖定裝置
US10007198B2 (en) * 2015-09-23 2018-06-26 Globalfoundries Inc. Method including an adjustment of a plurality of wafer handling elements, system including a plurality of wafer handling elements and photolithography track
DE102017103468A1 (de) * 2017-02-21 2018-08-23 Mecora Medizintechnik Gmbh Raum und Verfahren zum Herstellen eines Raums
JP6863784B2 (ja) * 2017-03-16 2021-04-21 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
KR102598402B1 (ko) * 2018-07-24 2023-11-06 현대자동차 주식회사 기어 검사장치 및 이를 이용한 기어 검사방법
JP7246256B2 (ja) * 2019-05-29 2023-03-27 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び搬送システム

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5259881A (en) * 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
US4917556A (en) * 1986-04-28 1990-04-17 Varian Associates, Inc. Modular wafer transport and processing system
JPS63157870A (ja) * 1986-12-19 1988-06-30 Anelva Corp 基板処理装置
JPS63204726A (ja) * 1987-02-20 1988-08-24 Anelva Corp 真空処理装置
US5186718A (en) * 1989-05-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Staged-vacuum wafer processing system and method
JPH03241853A (ja) * 1990-02-20 1991-10-29 Teru Barian Kk 処理装置
US5067218A (en) * 1990-05-21 1991-11-26 Motorola, Inc. Vacuum wafer transport and processing system and method using a plurality of wafer transport arms
JP3139155B2 (ja) * 1992-07-29 2001-02-26 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP3186262B2 (ja) * 1992-10-14 2001-07-11 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
EP0608633B1 (en) * 1993-01-28 1999-03-03 Applied Materials, Inc. Method for multilayer CVD processing in a single chamber
US5638687A (en) * 1994-11-21 1997-06-17 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate cooling method and apparatus
TW359849B (en) * 1994-12-08 1999-06-01 Tokyo Electron Ltd Sputtering apparatus having an on board service module
US5520002A (en) * 1995-02-01 1996-05-28 Sony Corporation High speed pump for a processing vacuum chamber
JPH0936198A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011091160A (ja) * 2009-10-21 2011-05-06 Ulvac Japan Ltd 基板搬送装置及び基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010034036A (ko) 2001-04-25
JP2002501303A (ja) 2002-01-15
TW406285B (en) 2000-09-21
US6042623A (en) 2000-03-28
EP1048059B1 (en) 2007-01-03
WO1999035673A1 (en) 1999-07-15
DE69934668D1 (de) 2007-02-15
KR100354205B1 (ko) 2002-09-26
WO1999035673B1 (en) 1999-09-10
EP1048059A1 (en) 2000-11-02
DE69934668T2 (de) 2007-10-18

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