JP2002043389A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

Info

Publication number
JP2002043389A
JP2002043389A JP2000223986A JP2000223986A JP2002043389A JP 2002043389 A JP2002043389 A JP 2002043389A JP 2000223986 A JP2000223986 A JP 2000223986A JP 2000223986 A JP2000223986 A JP 2000223986A JP 2002043389 A JP2002043389 A JP 2002043389A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier
wafer
port
transferred
transfer device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000223986A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Tomezuka
幸二 遠目塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2000223986A priority Critical patent/JP2002043389A/ja
Publication of JP2002043389A publication Critical patent/JP2002043389A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コストの増加を抑制しつつ複数のキャリアを
扱うものとする。 【解決手段】 キャリア口12に移送されたキャリア1
0は上側室22に設置されたキャリア移送装置30でキ
ャリア口12からストッカ14の入出庫口15に移送さ
れ、昇降式棚装置16の三段の棚板19に移載される。
キャリア10はローディングポート20のウエハ口21
に昇降式棚装置16で順次移送され、キャリア開閉装置
25で開かれる。キャリア10の複数枚のウエハWはボ
ート9に下側室23に設置されたウエハ移載装置40で
移載された後、プロセスチューブ4に搬入処理される。
処理済みウエハWはウエハ移載装置40でボート9から
キャリア10に収納され、キャリア10は逆の順でキャ
リア口12に移送される。 【効果】 ウエハ移載装置のキャリアへのウエハ移載中
にキャリア移送装置のキャリア移送を実施できるため、
小形を図りつつスループットを向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置に関
し、特に、基板収納容器を取り扱う技術に係り、例え
ば、半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる基
板としての半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に不
純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のCVD膜を形成し
たりする拡散・CVD装置に利用して有効なものに関す
る。
【0002】
【従来の技術】ウエハに不純物を拡散したり絶縁膜や金
属膜等のCVD膜を形成したりする拡散・CVD装置と
して、バッチ式縦形拡散・CVD装置(以下、バッチ式
CVD装置という。)がある。このバッチ式CVD装置
は、ウエハに所望の処理を施すプロセスチューブと、複
数枚のウエハを保持してプロセスチューブに搬入搬出す
るボートと、ウエハがボートの間でウエハ移載装置によ
って授受されるウエハ授受ポートと、ウエハ収納容器
(以下、キャリアという。)が置かれるキャリアステー
ジと、キャリアを一時的に保管するキャリア棚と、キャ
リアをキャリアステージとキャリア棚との間およびキャ
リア棚とウエハ授受ポートとの間で移送するキャリア移
送装置とを備えている。
【0003】このバッチ式CVD装置の作用は次の通り
である。キャリアはキャリアステージに供給され、キャ
リア移送装置によってキャリア棚に移送されて一時的に
保管される。キャリア棚に保管されたキャリアはキャリ
ア移送装置によってウエハ授受ポートに移送され、ウエ
ハ移載装置によってボートに装填される。ボートに装填
されたウエハはボートによってプロセスチューブに搬入
され、プロセスチューブによって所望の処理を施され
る。処理されたウエハはボートによってプロセスチュー
ブから搬出される。処理済みのウエハはウエハ移載装置
によってボートからウエハ授受ポートの空のキャリアに
戻される。処理済みのウエハを収納されたキャリアはキ
ャリア移送装置によってキャリア棚に一時的に保管され
た後に、キャリアステージに移送されて排出される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たバッチ式CVD装置においては、キャリア棚の投影床
面積や段数を大きく設定したりキャリア棚を回転構造に
構築したりすることにより、キャリア棚におけるキャリ
アの保管数が増加されているため、全体が大形化したり
構造が複雑化したりすることにより、イニシャルコスト
やランニングコストが増加するという問題点がある。
【0005】本発明の目的は、コストの増加を抑制しつ
つ複数のキャリアを取り扱うことができる基板処理装置
を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に係る基板処理装
置は、基板収納容器を移送する基板収納容器移送装置
と、前記基板収納容器に基板を出し入れする基板移載装
置とが上下に配置されており、前記基板収納容器移送装
置の設置室と、前記基板移載装置の設置室とが上下に隔
絶されていることを特徴とする。
【0007】前記した手段によれば、基板収納容器移送
装置と基板移載装置とが上下に配置されているため、占
拠面積の増加を回避することができる。しかも、基板収
納容器移送装置の設置室と、基板移載装置の設置室とが
上下に隔絶されていることにより、基板移載装置の基板
収納容器に対する基板の出し入れ作業中に基板収納容器
移送装置の基板収納容器の移送を実施することができる
ため、基板収納容器を一時的に保管するための棚を省略
することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。
【0009】本実施の形態において、本発明に係る基板
処理装置は、バッチ式CVD装置すなわちバッチ式縦形
拡散・CVD装置として構成されている。図1〜図4に
示されているように、このバッチ式CVD装置1は気密
室構造に構築された筐体2を備えている。筐体2内の一
端部(以下、後端部とする。)の上部にはヒータユニッ
ト3が垂直方向に据え付けられており、ヒータユニット
3の内部にはプロセスチューブ4が同心に配置されてい
る。プロセスチューブ4にはプロセスチューブ4内に原
料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管5
と、プロセスチューブ4内を真空排気するための排気管
6とが接続されている。
【0010】筐体2の後端部の下部には送りねじ装置等
によって構成されたエレベータ7が設置されており、エ
レベータ7はプロセスチューブ4の真下に水平に配置さ
れたキャップ8を垂直方向に昇降させるように構成され
ている。キャップ8はプロセスチューブ4の炉口である
下端開口をシールするように構成されているとともに、
ボート9を垂直に支持するように構成されている。ボー
ト9は基板としての多数枚のウエハWを中心を揃えて水
平に配置した状態で支持して、プロセスチューブ4の処
理室に対してエレベータ7によるキャップ8の昇降に伴
って搬入搬出するように構成されている。
【0011】図3および図4に詳示されているように、
筐体2の正面の下部における片側(以下、右側とす
る。)には次に述べるキャリア10をローディングおよ
びアンローディング(供給および排出)するためのステ
ージ(以下、ローディングステージという。)11が設
定されており、ローディングステージ11の背面壁の上
部にはキャリア10を筐体2の内部に搬入搬出するため
のキャリア搬入搬出口(以下、キャリア口という。)1
2が開設されている。ローディングステージ11には送
りねじ装置等によって構成されたキャリアエレベータ1
3が設置されており、キャリアエレベータ13はキャリ
ア10をキャリア口12に移送するように構成されてい
る。
【0012】ところで、バッチ式CVD装置を含む基板
処理装置において被処理基板であるウエハを収納して搬
送するためのキャリア(ウエハ収納容器)としては、互
いに対向する一対の面が開口された略立方体の箱形状に
形成されているカセットと、一つの面が開口された略立
方体の箱形状に形成され開口面にキャップが着脱自在に
装着されているFOUP(front opening unified pod
。以下、ポッドという。)とがある。ウエハのキャリ
アとしてポッドが使用される場合には、ウエハが密閉さ
れた状態で搬送されることになるため、周囲の雰囲気に
パーティクル等が存在していたとしてもウエハの清浄度
は維持することができる。したがって、基板処理装置が
設置されるクリーンルーム内の清浄度をあまり高く設定
する必要がなくなるため、クリーンルームに要するコス
トを低減することができる。そこで、本実施の形態にお
いては、カセット(図示せず)が収納されたポッドをキ
ャリア10として使用している。
【0013】筐体2の正面の左側部分には複数のキャリ
ア10を保管するためのキャリアストッカ(以下、スト
ッカという。)14が設定されており、ストッカ14の
背面壁のキャリア口12の左方にはキャリア10をスト
ッカ14に出し入れするための入出庫口15が開設され
ている。ストッカ14にはキャリア10を保管するとと
もに昇降させる昇降式棚装置16が設置されている。昇
降式棚装置16は送りねじ装置等によって構成されたエ
レベータ17を備えており、エレベータ17の昇降台1
8にはキャリア10を支持する棚板19が複数段(本実
施の形態においては三段)、上下方向に間隔を置かれて
水平に固定されている。
【0014】ストッカ14の下部にはウエハWをローデ
ィングおよびアンローディングするためのポート(以
下、ローディングポートという。)20が設定されてお
り、ローディングポート20の背面壁における入出庫口
15の真下位置にはウエハWをローディングおよびアン
ローディングするためのウエハ搬入搬出口(以下、ウエ
ハ口という。)21が開設されている。したがって、昇
降式棚装置16はキャリア10を入出庫口15とウエハ
口21との間で移送するようになっている。
【0015】筐体2内の中央部の上部にはキャリア移送
装置の設置室(以下、上側室という。)22が設定さ
れ、下部にはウエハ移載装置の設置室(下側室とい
う。)23が設定されており、上側室22と下側室23
とは筐体2の隔壁24によって互いに隔絶されている。
上側室22にはローディングステージ11およびストッ
カ14が右側のキャリア口12および左側の入出庫口1
5によってそれぞれ連通されており、下側室23にはウ
エハ口21によってストッカ14が連通されている。下
側室23のウエハ口21の側壁内面にはキャリア10の
キャップ(図示せず)を開閉するキャリア開閉装置25
が設備されており、キャリア開閉装置25はウエハ口2
1に対して上下移動するように構成されている。また、
下側室23の左側側壁には下側室23にクリーンエア
(図示せず)を流通させるためのクリーンユニット26
が設置されている。
【0016】図1および図2(a)に示されているよう
に、上側室22にはキャリア口12と入出庫口15との
間でキャリア10を移送するキャリア移送装置30が設
置されており、キャリア口12と入出庫口15とはキャ
リア移送装置30の回転中心と同心円上に配置されてい
る。キャリア移送装置30はスカラ形ロボット(select
ive compliance assembly robot arm 。SCARA)に
より構成されている。すなわち、キャリア移送装置30
は上側室22の天井面に据え付けられたベース31を備
えており、ベース31の下面にはロータリーアクチュエ
ータ32が設置されている。ロータリーアクチュエータ
32の下面にはリニアアクチュエータ33が設置されて
おり、ロータリーアクチュエータ32はリニアアクチュ
エータ33を水平面内で回転させるように構成されてい
る。リニアアクチュエータ33の下面には移動台34が
設置されており、リニアアクチュエータ33は移動台3
4を水平移動させるように構成されている。移動台34
にはキャリア10を下から支持するフォーク形状のアー
ム35が水平に取り付けられている。
【0017】図1および図2(b)に示されているよう
に、下側室23にはウエハ口21とボート9との間でウ
エハWを授受するウエハ移載装置40が設置されてい
る。ウエハ移載装置40はスカラ形ロボットによって構
成されている。すなわち、ウエハ移載装置40はロータ
リーアクチュエータ41を備えており、ロータリーアク
チュエータ41は上面に設置された第一リニアアクチュ
エータ42を水平面内で回転させるように構成されてい
る。第一リニアアクチュエータ42の上面には第二リニ
アアクチュエータ43が設置されており、第一リニアア
クチュエータ42は第二リニアアクチュエータ43を水
平移動させるように構成されている。第二リニアアクチ
ュエータ43の上面には移動台44が設置されており、
第二リニアアクチュエータ43は移動台44を水平移動
させるように構成されている。移動台44にはウエハW
を下から支持するツィーザ45が複数枚(本実施の形態
においては五枚)、等間隔に配置されて水平に取り付け
られている。ウエハ移載装置40は送りねじ機構によっ
て構成されたエレベータ46によって昇降されるように
なっている。
【0018】次に、前記構成に係るバッチ式CVD装置
の作用を説明する。
【0019】ローディングステージ11に図4に示され
ているように供給されたキャリア10は、キャリアエレ
ベータ13によってキャリア口12に図3に示されてい
るように移送される。図1および図2に示されているよ
うに、キャリア口12に移送されたキャリア10はキャ
リア移送装置30によってキャリア口12から入出庫口
15に移送され、ストッカ14に設置された昇降式棚装
置16の棚板19の上に移載される。すなわち、移動台
34に支持されたアーム35がリニアアクチュエータ3
3によって前進されてキャリア口12に挿入され、キャ
リアエレベータ13の上のキャリア10をキャリアエレ
ベータ13と協働して掬い取った後に後退してキャリア
10を取り出す。
【0020】続いて、リニアアクチュエータ33がロー
タリーアクチュエータ32によって回転されることによ
り、キャリア10が入出庫口15に移送される。次い
で、キャリア10はリニアアクチュエータ33によって
前進されてストッカ14に入庫され、昇降式棚装置16
と協働して棚板19の上に移載される。
【0021】この際、昇降式棚装置16は三段の棚板1
9を備えているため、三台のキャリア10がローディン
グステージ11からストッカ14に続けて移送されて、
三段の棚板19に順次に移載されることになる。すなわ
ち、図1および図3に示されているように、昇降式棚装
置16は棚板19によって各キャリア10を受け取る度
にストッカ14を一段ずつ上昇することにより、三台の
キャリア10を一時的に保管することになる。
【0022】図1および図4に示されているように、昇
降式棚装置16の三段の棚板19に一時的に保管された
三台のキャリア10は、ローディングポート20に昇降
式棚装置16によって順次移送される。キャリア10が
ローディングポート20のウエハ口21に移送されて位
置合わせされると、キャリア10のキャップ(図示せ
ず)がキャリア開閉装置25によって外されることによ
り、キャリア10が開かれる。
【0023】ローディングポート20で開放されたキャ
リア10の複数枚のウエハWは、ボート9にウエハ移載
装置40によって順次移載(ローディング)されて行
く。この際、一台のキャリア10に収納されたウエハW
の枚数が二十五枚であると、ボート9には三台のキャリ
ア10によって七十五枚のウエハWを装填することがで
きる。
【0024】予め指定された複数枚のウエハWがキャリ
ア10からボート9に移載されると、ボート9はエレベ
ータ7によって上昇されてプロセスチューブ4の処理室
に搬入される。ボート9が上限に達すると、ボート9を
保持したキャップ8の上面の周辺部がプロセスチューブ
4をシール状態に閉塞するため、処理室は気密に閉じら
れた状態になる。
【0025】プロセスチューブ4の処理室が気密に閉じ
られた状態で、所定の真空度に排気管6によって真空排
気され、ヒータユニット3によって所定の温度に加熱さ
れ、所定の原料ガスがガス導入管5によって所定の流量
だけ供給される。これにより、所定の膜がウエハWに形
成される。
【0026】そして、予め設定された処理時間が経過す
ると、ボート9がエレベータ7によって下降されること
により、処理済みウエハWを保持したボート9が元の待
機位置に搬出される。
【0027】図1および図3に示されているように、待
機位置に搬出されたボート9の処理済みウエハWはロー
ディングポート20に移送されて空のキャリア10に、
ウエハ移載装置40によって移載(アンローディング)
される。すなわち、ボート9の処理済みウエハWは昇降
式棚装置16の三段の棚板19に支持された三台の空の
キャリア10に順次に移載される。この際、各キャリア
10のキャップはキャリア開閉装置25によってそれぞ
れ開閉されることになる。
【0028】図1および図4に示されているように、処
理済みウエハWが収納されてキャップによって閉塞され
た三台のキャリア10は、昇降式棚装置16によってス
トッカ14の入出庫口15に移送される。
【0029】入出庫口15に移送されたキャリア10は
入出庫口15からキャリア口12にキャリア移送装置3
0の前述と逆の順番の作動によって移送され、キャリア
エレベータ13に移載される。この際も、昇降式棚装置
16は三段の棚板19を備えているため、三台のキャリ
ア10がストッカ14からローディングステージ11に
続けて移送されて、キャリアエレベータ13に順次に移
載される。
【0030】キャリアエレベータ13に移載されたキャ
リア10はローディングステージ11から次工程へと搬
送されて行く。
【0031】以降、前述した作用が繰り返されてウエハ
Wがバッチ式CVD装置1によってバッチ処理されて行
く。
【0032】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。
【0033】1) キャリア移送装置30とウエハ移載装
置40とが上下に配置されているため、占拠面積の増加
を回避することができるとともに、バッチ式CVD装置
1のスループットを高めることができる。
【0034】2) キャリア移送装置30が設置された上
側室22と、ウエハ移載装置40が設置された下側室2
3とが隔壁24によって隔絶されているため、ウエハ移
載装置40のキャリア10に対するウエハWのローディ
ング・アンローディング作業中にキャリア移送装置30
のキャリア10の移送を実施することができる。
【0035】3) ストッカ14に昇降式棚装置16を設
置することにより、複数台のキャリア10を入出庫口1
5からローディングポート20のウエハ口21に順番に
移送することができるため、複数台のキャリア10を一
時的に保管するためのキャリア棚を省略することがで
き、その結果、バッチ式CVD装置1を大幅に小形化す
ることができる。
【0036】4) キャリア口12と入出庫口15とをキ
ャリア移送装置30の回転中心と同心円上に配置するこ
とにより、キャリア移送装置30のアーム35のストロ
ークを小さく抑制することができるため、筐体2ひいて
はバッチ式CVD装置1の横幅の増加を小さく設定する
ことができる。
【0037】5) 前記1)〜4)により、バッチ式CVD装
置1を小形化しつつスループットを高めることができる
ため、バッチ式CVD装置1のイニシャルコストおよび
ランニングコストを低減することができる。
【0038】図5は本発明の他の実施の形態である枚葉
式CVD装置を示す側面断面図である。
【0039】本実施の形態に係る特徴部分が前記実施の
形態と異なる点は、キャリア移送装置30Aが下側室2
3に設置され、ウエハ移載装置40Aが下側室23に設
置されている点である。すなわち、前記実施の形態に係
るバッチ式CVD装置1においては、ボート9のプロセ
スチューブ4に対する搬入搬出室である下側室23にウ
エハ移載装置40を配置することがスペース的に効率的
であるため、ウエハ移載装置40が下側室23に配置さ
れている。これに対して、本実施の形態に係る枚葉式C
VD装置50においては、プロセスチューブ51の排気
系統(図示せず)や真空ウエハ移載装置52の駆動部等
が下部に配置されていることにより下側空間がデッドス
ペースになるため、下側室23にキャリア移送装置30
Aが配置されている。ちなみに、図5において、53は
ロードロック室である。便宜上、昇降式棚装置16の棚
板19は二段に図示されているが、実際には三段以上設
定することが望ましい。
【0040】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。
【0041】例えば、昇降式棚装置の棚板は二段または
三段に設定するに限らず、四段以上設定してもよい。
【0042】バッチ式CVD装置および枚葉式CVD装
置は成膜処理に使用するに限らず、酸化膜形成処理や拡
散処理等の処理にも使用することができる。
【0043】前記実施の形態ではバッチ式CVD装置お
よび枚葉式CVD装置の場合について説明したが、本発
明はこれに限らず、基板処理装置全般に適用することが
できる。
【0044】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
コストの増加を抑制しつつ複数のキャリアを取り扱い可
能の基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるバッチ式CVD装
置を示す側面断面図である。
【図2】(a)は図1のa−a線に沿う平面断面図、
(b)は図1のb−b線に沿う平面断面図である。
【図3】図2のIII −III 線に沿う正面断面図である。
【図4】図3の作動状態を示す正面断面図である。
【図5】本発明の他の実施の形態である枚葉式CVD装
置を示す側面断面図である。
【符号の説明】
W…ウエハ(基板)、1…バッチ式CVD装置(基板処
理装置)、2…筐体、3…ヒータユニット、4…プロセ
スチューブ、5…ガス導入管、6…排気管、7…エレベ
ータ、8…キャップ、9…ボート、10…キャリア(基
板収納容器)、11…ローディングステージ、12…キ
ャリア口(キャリア搬入搬出口)、13…キャリアエレ
ベータ、14…ストッカ(キャリアストッカ)、15…
入出庫口、16…昇降式棚装置、17…エレベータ、1
8…昇降台、19…棚板、20…ローディングポート、
21…ウエハ口(ウエハ搬入搬出口)、22…上側室
(キャリア移送装置設置室)、23…下側室(ウエハ移
載装置設置室)、24…隔壁、25…キャリア開閉装
置、26…クリーンユニット、30、30A…キャリア
移送装置、31…ベース、32…ロータリーアクチュエ
ータ、33…リニアアクチュエータ、34…移動台、3
5…アーム、40、40A…ウエハ移載装置、41…ロ
ータリーアクチュエータ、42…第一リニアアクチュエ
ータ、43…第二リニアアクチュエータ、44…移動
台、45…ツィーザ、46…エレベータ、50…枚葉式
CVD装置(基板処理装置)、51…プロセスチュー
ブ、52…真空ウエハ移載装置、53…ロードロック
室。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板収納容器を移送する基板収納容器移
    送装置と、前記基板収納容器に基板を出し入れする基板
    移載装置とが上下に配置されており、前記基板収納容器
    移送装置の設置室と、前記基板移載装置の設置室とが上
    下に隔絶されていることを特徴とする基板処理装置。
JP2000223986A 2000-07-25 2000-07-25 基板処理装置 Pending JP2002043389A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000223986A JP2002043389A (ja) 2000-07-25 2000-07-25 基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000223986A JP2002043389A (ja) 2000-07-25 2000-07-25 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002043389A true JP2002043389A (ja) 2002-02-08

Family

ID=18718015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000223986A Pending JP2002043389A (ja) 2000-07-25 2000-07-25 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002043389A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5178639A (en) Vertical heat-treating apparatus
JP5518132B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板の搬送方法、基板収納容器開閉装置および基板収納容器開閉方法
JP4642619B2 (ja) 基板処理システム及び方法
JP2003077974A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR20020019414A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 반도체디바이스 제조 방법
JP2003124284A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003007800A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2002203892A (ja) 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
JPH09104982A (ja) 基板処理装置
JP2002246432A (ja) 基板処理装置
US7416405B2 (en) Vertical type of thermal processing apparatus and method of using the same
JP2002359237A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4383636B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JPH09104983A (ja) 基板処理装置
JP3856726B2 (ja) 半導体製造装置
JP2011066423A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2002246439A (ja) 被処理体の搬出入装置と処理システム
JP2004119627A (ja) 半導体製造装置
JP2002246436A (ja) 基板処理装置
JP2002043389A (ja) 基板処理装置
JP2005347667A (ja) 半導体製造装置
KR100515775B1 (ko) 고온 공정용 반도체 제조장치
JP2004011005A (ja) 処理装置および処理方法
JP2004023032A (ja) 半導体製造装置
JP4456727B2 (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置