JPH06252245A - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

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JPH06252245A
JPH06252245A JP5061253A JP6125393A JPH06252245A JP H06252245 A JPH06252245 A JP H06252245A JP 5061253 A JP5061253 A JP 5061253A JP 6125393 A JP6125393 A JP 6125393A JP H06252245 A JPH06252245 A JP H06252245A
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JP
Japan
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lcd
chamber
substrates
processed
substrate
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JP5061253A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Hiroki
勤 広木
Shoichi Abe
正一 阿部
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Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 減圧雰囲気で被処理体を処理するにあたり、
極めて高いスループットを実現するとともに、装置自体
の汎用性も向上させる。 【構成】 LCD用基板を収納したカセット9を大気中
に配置する。カセット9と第2ロードロック室5との間
では大気系搬送アーム7によって1度に2枚ずつのLC
D用基板Pの搬送が行われる。第1ロードロック室2と
第2ロードロック室5内には、複数のLCD用基板を保
持するバッファ機構が設けられている。第1ロードロッ
ク室2内のバッファ機構51によって一旦保持されたL
CD用基板は、搬送アーム41によって複数のプロセス
チャンバ1a、1b、1cに適宜振り分けられて、夫々
所定の処理がなされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板等を始めとする各
種被処理体を減圧雰囲気下で処理する真空処理装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から、例えばLCD(Liquid Cryst
al Display;液晶表示装置)用基板の製造工程において
は、減圧雰囲気下でLCD基板等にエッチングやアッシ
ングなどの処理を施すため各種の真空処理装置が使用さ
れている。
【0003】このような真空処理室においては、LCD
用基板を真空処理室内にロード、アンロードする毎に真
空処理室内を常圧に戻す必要がないように、開閉自在な
ゲートバルブを介してロードロック室と呼ばれる予備真
空室が設けられている場合が多い。そしてこのロードロ
ック室内には、LCD用基板を真空処理室内に搬送する
ための搬送アームなどの搬送機構が設けられている。
【0004】一方被処理体であるLCD用基板は、通常
基板収納カセットに複数枚収納されているが、上記従来
の真空処理装置においては、当該基板収納カセットを真
空排気可能なカセットチャンバ内に納め、さらに気密に
閉鎖自在なゲートバルブを介してこのカセットチャンバ
を上記ロードロック室と連結させ、上記ロードロック室
内の搬送機構によって上記カセットチャンバ内の基板収
納カセットから被処理体であるLCD用基板を1枚ずつ
取り出して、これを真空処理室内に搬入するようにして
いた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
技術によれば、基板収納カセットを交換する度に、カセ
ットチャンバ内が常圧に戻され、新しい基板収納カセッ
トをカセットチャンバ内に納めると再び減圧するという
プロセスが伴う。そのためカセットチャンバ内の減圧−
常圧が繰り返される。
【0006】基板収納カセットには通常14枚程度のL
CD用基板が収納されているので、カセットチャンバ内
容積は大型化せざるを得ず、そのため所定圧まで減圧す
るのには非常な時間がかかってしまう。これでは高スル
ープットは到底望めない。さらにまたLCD用基板のサ
イズ、規格等が変更されると基板収納カセットのみなら
ず、カセットチャンバそのものも変更せざるを得ず、汎
用性にも欠けていた。
【0007】本発明は叙上の問題点に鑑みてなされたも
のであって、上記のLCD用基板を始めとする各種被処
理体を減圧下で処理するにあたり、極めて高いスループ
ットが実現でき、また汎用性も高い新規な真空処理装置
を提供して問題の解決を図ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、 被処理体に処理を施す装置において、
・減圧雰囲気下で被処理体に所定の処理を施す複数の真
空処理室と、・前記各真空処理室に連結された第1の予
備真空室と、・前記第1の予備真空室に連結された第2
の予備真空室と、・前記第1の予備真空室内に設けら
れ、前記被処理体を第1の予備真空室と前記真空処理室
及び第2の予備真空室との間で前記被処理体を搬送する
真空系搬送機構と、・前記第1の予備真空室内に設けら
れ、前記被処理体を複数保持可能に構成されたバッファ
機構と・前記第2の予備真空室内に設けられ、前記被処
理体を複数保持可能に構成されたバッファ機構と、・前
記第2の予備真空室内に設けられ、前記被処理体の位置
合わせをする位置合わせ機構と、・大気中に位置する被
処理体収納物と前記第2の予備真空室との間で1度に複
数の前記被処理体を搬送する大気系搬送機構と、を具備
したことを特徴とする構成を採ったものである。
【0009】かかる場合、被処理体収納物は、請求項2
に記載したように、上下動自在な支持体に設けてもよ
い。
【0010】
【作用】請求項1によれば、まず被処理体が大気中に位
置する基板収容カセットなどの被処理体収納物に収納さ
れているので、カセットチャンバは不要である。そして
この被処理体収納物から大気系搬送機構によって取り出
された被処理体は、一旦、第2の予備真空室内に搬送さ
れて位置合わせが行われる。位置合わせが終了すると上
記被処理体は第1の予備真空室内の真空系搬送機構によ
って、真空処理室へと搬入され、そこで所定の処理、例
えばエッチング処理やアッシング処理などの減圧雰囲気
下で行われる各種の処理が施される。
【0011】上記の場合、被処理体収納物からは一度に
複数の被処理体が第2の予備真空室内に搬送され、また
この第2の予備真空室内には、複数の被処理体を保持可
能なバッファ機構が設けられ、またこの第2の予備真空
室内から被処理体が搬送される第1の予備真空室内にも
被処理体を複数保持可能に構成されたバッファ機構が設
けられているから、複数の真空処理室内に効率よく被処
理体を搬送して、無駄のない同時処理が可能である。
【0012】かかる場合、第1の予備真空室内に被処理
体を複数保持可能なバッファ機構が設けられているた
め、上記複数の真空処理室で処理される時間が異なった
り、あるいはこれら複数の真空処理室でシリアルプロセ
スが実施される場合でも、バッファ機構上での待機によ
り、効率よくこれら処理が実行される。従って、極めて
高いスループットの実現が可能である。
【0013】また請求項2のように、被処理体収納物を
上下動自在な支持体上に設けた場合には、大気系搬送機
構の上下動の動きを最小限に抑えることができ、一方こ
の上下動の範囲、ピッチ等を適宜調整することにより、
使用する被処理体収納物の大きさを選ばず、これを用い
ることが可能である。
【0014】
【実施例】以下、本発明の1実施例を図面に基づき説明
すると、図1、図2は本実施例にかかるLCD基板のプ
ラズマ処理(エッチング処理/アッシング処理)用の真
空処理装置1全体の概略を示し、図1は斜視図、図2は
平面図である。
【0015】これら各図からも明らかなように、この真
空処理装置1には、第1ロードロック室2の側面に、3
つのプロセスチャンバ1a、1b、1cが、夫々開閉自
在なゲートバルブ3a、3b、3cを介して設けられて
いる。そしてプロセスチャンバ1a、1bは夫々所定の
減圧雰囲気下で同一のエッチング処理を行い、また残り
のプロセスチャンバ1cは前記エッチング処理終了後の
基板に対して所定の減圧雰囲気下でアッシング処理を実
施するように各々構成されている。
【0016】これら各プロセスチャンバ1a、1b及び
1cにおいては、所定のエッチング処理やアッシング処
理を安定して行えるように、図3、図4に示したような
構成を有している。図3は上記プロセスチャンバ1aの
内部下方の様子を示し、図4は同じくこのプロセスチャ
ンバ1a内部下方の様子を断面にて示しているが、この
プロセスチャンバ1aの側壁71と平面方形の下部電極
72の周囲との間には、プロセスチャンバ1a内に供給
された処理ガスをプロセスチャンバ1a下部から外部に
排気するためのスペースSが形成されている。なお図示
は省略したが、当該外部への排気を行うための排気口
は、上記プロセスチャンバ1aにおける底部76の各角
隅部に合計4カ所設けられている。そして上記スペース
Sに、アルミ製のパンチングメタルからなる複数のバッ
フル板73が、図4に示したように、下部電極71の上
面より少し下がった位置になるようにして下部電極71
の上面と平行に設けられており、上記スペースSはこれ
ら複数のバッフル板73によって覆われている。
【0017】このバッフル板73の具体的な取付け構造
についていうと、まずアルミネジ74によって、1対の
対向するアルミ製のバッフルサポート75が上記スペー
スS内においてプロセスチャンバ1aの底部76に対し
て固定され、さらに側面に対しては一種の仕切壁を形成
するこれら1対のバッフルサポート75の上面に、例え
ばセラミックスからなるバッフルベース77が夫々アル
ミネジ78によって固定されている。図4から明らかな
ように、上記バッフルベース77の上面には、上記アル
ミネジ78の頭部が納まる形状、大きさの凹部が形成さ
れており、上記アルミネジ78は当該凹部内にてバッフ
ルベース77を固定して上記バッフルサポート75に対
して螺着されている。従って各アルミネジ78の頭部
は、上記バッフルベース77の上面から上方に突出する
ことはないように構成されている。
【0018】そして上記対向して位置しているバッフル
ベース77の上に、適宜の補強板79を介して上記バッ
フル板73が渡されて、アルミネジ80によって固定さ
れている。なお当該アルミネジ80による固定は、上記
アルミネジ78によるバッフルベース77の固定箇所と
は、ずれた位置にてなされており、これらアルミネジ7
8、80相互の接触がないように構成されている。また
バッフル板73の端縁部は、上記バッフルベース77か
らはみ出ないようにして設定されており、プロセスチャ
ンバ1aの側壁71や下部電極72に対して接触しない
構成となっている。なお、以上の構成部材中、バッフル
板73を始めとする各アルミ製の部材には、全て硬質ア
ルマイト被膜処理が施されている。そして以上のような
プロセスチャンバ1a内の下部構成は、他のプロセスチ
ャンバ1b、1cにおいても共通して採用されている。
【0019】一方、上記第1ロードロック室2の残りの
側面には、開閉自在なゲートバルブ4を介して第2ロー
ドロック室5が隣接して連結され、この第2ロードロッ
ク室5における大気側のゲートバルブ6前面側には、載
置台7a、7bを上下二段に有する大気系搬送アーム7
を支持した支持台8が配置されている。
【0020】上記支持台8の両側には、処理対象である
LCD用基板Pが多数(例えば14枚のLCD用基板P
1〜P14)収納されるカセット9を支持する支持体とな
るカセットインデクサ10と、カセット11を支持する
支持体となるカセットインデクサ12とが上記支持台8
を挟んで夫々対向して配置されている。このように2つ
のカセット9、11を対向して配置させることにより、
1のカセットを未処理基板収納用とし、残りのカセット
を処理済み基板収納用として使用することができ、カセ
ット交換の回数を低減することができる。また上記のよ
うにカセットを2つとせずに、カセットを1つとした場
合であって、上記大気系搬送アーム7は載置台7a、7
bを上下二段に有しているから、一度に2枚の処理済み
基板を、未処理基板を取りだしたカセットに戻すことが
でき、そのような大気搬送系における搬送の作業効率が
高いものである。
【0021】これらカセットインデクサ10、12は基
本的に同一構成であり、いまカセットインデクサ10の
構成について説明すると、このカセットインデクサ10
は、上記カセット9をその上面に着脱自在に保持するテ
ーブル(図示せず)を有し、さらに当該テーブルは、適
宜のエレベーション機構10aによって上下動自在とな
るように構成されている。
【0022】かかる上下動は、例えば上記カセット9に
収納されている最上部のLCD用基板P1、及び最上部
から2番目に収納されているLCD用基板P2が、夫々
前記大気系搬送アーム7の各載置台7a、7bよりも若
干高い位置に位置するまでは連続的に上昇し、この大気
系搬送アーム7によるLCD用基板Pの搬送が開始され
た後は、当該カセット9の収納ピッチの2倍に対応した
ステップ状(即ちLCD用基板2枚分)に上昇し、収納
されたLCD用基板Pの処理が完了した後は、連続的に
下降するように予め制御されている。
【0023】一方上記大気系搬送アーム7は、上記カセ
ット9又は11と第2ロードロック室5との間でLCD
用基板Pを搬送するように構成されており、スペーサ7
cを挟んで上記各載置台7a、7bを上下に有し、一度
に2枚のLCD用基板Pを搬送することが可能となって
いる。
【0024】また上記各載置台7a、7bの上面(載置
面)側には、パーティクル発生の少ないPEEK材から
なる吸着パッド7dが4カ所に設けられており、搬送対
象であるLCD用基板Pはこれら4カ所の吸着パッド7
dによって真空吸着され、強固に保持される。従ってL
CD用基板Pの高速搬送が可能であり、また大気系搬送
アーム7起動時、停止時において慣性によってLCD用
基板Pが位置ズレすることもない。そしてこの大気系搬
送アーム7は、上記支持台8上で回転自在かつ載置台7
a、7bの長手方向にスライド自在となるように構成さ
れ、またさらにLCD用基板Pのピックアップやダウン
を可能とする範囲で上下動自在となるように構成されて
いる。
【0025】上記支持台8の上面は、図1からも明らか
なように第2ロードロック室5の上面よりも低い位置に
あり、大気系搬送アーム7等のメンテナンスの際に作業
しやすくなっている。
【0026】上記の如く構成されている大気系搬送アー
ム7によって、被処理体であるLCD用基板Pがまず搬
入される上記第2ロードロック室5内には、図3に示し
たように、対向して配置されたバッファ21、22によ
って構成されるバッファ機構が設けられている。
【0027】これら各バッファ21、22は左右対称形
であり、その構成を例えばバッファ22についていう
と、このバッファ22は夫々バッファ21側に突出した
載置部22a、22bを上下に有し、これら各載置部2
2a、22b上に、LCD用基板Pの裏面側端縁が載置
されるように構成されている。バッファ21もこれと同
様、バッファ22側に突出した載置部21a、21bを
上下2段に有しており、図3は、これら各バッファ2
1、22に2枚のLCD用基板P1、P2が上下に載置さ
れ、上側の載置部21a、22aにLCD用基板P
1が、下側の載置部21b、22bにLCD用基板P2
夫々載置された状態を示している。
【0028】そしてそのように各バッファ21、22に
載置されたLCD用基板P1、P2の位置合わせを行うた
めのポジショナー31、32が、上記LCD用基板
1、P2の対角線の延長線上にて相互に対向するように
して設けられている。
【0029】これら各ポジショナー31、32は基本的
な構成は同一であって、まず第2ロードロック室5の大
気側搬送口5aに近い側のポジショナー31についてい
うと、このポジショナー31は、LCD用基板P1、P2
の各角部近傍に直接接して位置合わせを行うローラ31
a、31b及びこれらローラ31a、31bを支持する
支持部材31cによって構成され、第2ロードロック室
5の下方に設けられた別設のエアシリンダ(図示せず)
の駆動によって、図3における往復矢印A、Bで夫々示
したように、上下並びに上記対角線方向に移動自在であ
る。
【0030】一方第2ロードロック室5の真空側搬送口
5bに近い側のポジショナー32も、直接LCD用基板
1、P2の各角部近傍に接して位置合わせを行うローラ
32a、32b、及びこれらローラ32a、32bを支
持する支持部材32cによって構成され、エアシリンダ
(図示せず)の駆動によって、図3における往復矢印
C、Dで夫々示したように、上下並びに上記対角線方向
に移動自在である。但し、往復矢印Dで示される対角線
方向の移動については、前出ポジショナー31の移動幅
よりも小さく設定され、このポジショナー31は固定側
のポジショナーとして機能するように構成されている。
【0031】即ち、各バッファ21、22にLCD用基
板P1、P2が載置されると、各ポジショナー31、32
が夫々上昇し、上昇終了点に達すると次にこれら各ポジ
ショナー31、32は、上記対角線の延長線上を夫々中
心方向に向かって移動するが、このときポジショナー3
2の方が先に停止し、ポジショナー31についてはなお
も移動して、そのローラ31a、31bによって上記L
CD用基板P1、P2の各角部近傍を押圧しつつ、これら
LCD用基板P1、P2全体を、先に停止しているポジシ
ョナー32側へと押しやるのである。これによって、L
CD用基板P1、P2は所定の位置に位置合わせされるこ
とになる。
【0032】また本実施例では、上記各ローラ31a、
31b、ローラ32a、32bの全高が、バッファ2
1、22に上下2段に載置されるLCD用基板P1、P2
の上下間隔よりも大きくとってあり、一度に上下2枚の
LCD用基板の位置合わせを行うことが可能となるよう
に構成されている。
【0033】またさらに例えばバッファの構成を上下3
段の構成とし、同時に3枚のLCD用基板の保持を行う
場合には、予め上記の各ローラ31a、31b、32
a、32bの全高を、これら3枚のLCD用基板のうち
の最上部と最下部との間の間隔よりも大きくとってお
き、かつ各ポジショナー31、32の各上下動(図3に
おける往復矢印A、Cで示される移動)の範囲をさらに
大きくするように構成しておけばよい。そのように構成
することにより、1度に3枚のLCD用基板の位置合わ
せを行うことが可能となる。もちろん予め上記の各ロー
ラ31a、31b、32a、32bの全高を、上記の如
くLCD用基板3枚用に設定しておけば、各ポジショナ
ー31、32の各上下動(図3における往復矢印A、C
で示される移動)の範囲の調整により、LCD用基板2
枚用の位置合わせにも適用でき、汎用性が向上する。
【0034】既述のようにポジショナー32は位置合わ
せの際の固定側ポジショナーとして機能しているが、さ
らに叙上のように往復矢印Dで示される対角線方向の動
きも行うように構成されているので、LCD用基板がバ
ッファ21、22に対して比較的ずれた位置に載置され
ても、これをカバーして所定位置に位置合わせすること
が可能である。
【0035】そして本実施例では、上記ポジショナー3
1におけるローラ31aの側面には、第2ロードロック
室5の両側壁5c、5d方向と平行な方向で貫通孔33
が穿たれ、またそれに対応して上記側壁5cにガラス窓
34、側壁5dにガラス窓35が夫々気密に設けられ、
さらにこのガラス窓34の外方にレーザ発光装置36
が、ガラス窓35の外方にレーザ受光装置37が夫々設
けられている。なお図3においては説明の都合上、これ
らレーザ発光装置36、レーザ受光装置37は、上記第
2ロードロック室5の両側壁5c、5dから離されて図
示されている。
【0036】上記レーザ発光装置36、レーザ受光装置
37は、LCD用基板Pが上記各ポジショナー31、3
2によって所定位置に位置合わせされた際に、レーザ発
光装置36のレーザ光が上記ローラ31aの貫通孔33
を通過してレーザ受光装置37によって受光されるよう
に配置されている。
【0037】また本実施例では、図3における往復矢印
Bで示される上記ローラ31aの対角線方向の移動範囲
は、このローラ31a自体で、上記レーザ発光装置36
からのレーザ光を遮蔽できる範囲となるように設定され
ている。もちろんかかる移動範囲を任意に拡大したい場
合には、上記ローラ31aの側面外周に適宜の遮蔽部材
を設ければよく、そのように構成することにより、ロー
ラ31a、即ちポジショナー31の対角線方向の移動範
囲を自由に設定することが可能である。
【0038】なお既述の如く上記の各ローラ31a、3
1b、32a、32bの全高を、上記の如くLCD用基
板3枚用に設定して、各ポジショナー31、32の各上
下動の制御によってLCD用基板2枚用の位置合わせに
も適用できる如く構成した場合には、上記貫通孔33を
それに対応して、上下2カ所に穿設しておけばよい。
【0039】以上のようにして第2ロードロック室5内
で所定位置にバッファされたLCD用基板P1、P2は、
図2、図4に示される第1ロードロック室2内に設けら
れた真空系の搬送アーム41によって取り出され、当該
搬送アーム41に併設されたバッファ機構51によって
一旦そこでバッファされた後、夫々所定のプロセスチャ
ンバ1a、1b内に振り分けられて搬送するように構成
されている。
【0040】図4は上記搬送アーム41とバッファ機構
51の斜視図であり、同図から明らかなように、本実施
例ではこれら搬送アーム41とバッファ機構51は共
に、アームドライブ61によって回転駆動される回転台
62上に設けられている。そして搬送アーム41は、上
記回転台62の一側端近傍に設けられた昇降軸42に対
して回転自在な第1アーム43、この第1アーム43に
対して回転自在な第2アーム44、さらにこの第2アー
ム44に固定されてLCD用基板Pを載置するための載
置部材45によって構成されている。
【0041】一方上記バッファ機構51は上記回転台6
2の他側端近傍に設けらており、図4に示されるよう
に、LCD用基板Pの3つの角部近傍が載置されて保持
される3つの載置部群52、53、54によって構成さ
れている。各載置部群52、53、54はいずれも4つ
の載置部による上下4段構成になっており、載置部群5
2は適宜のスペーサ52sを介して上から順に等間隔で
同形同大の載置部52a、52b、52c、52dが配
置され、載置部群53も適宜のスペーサ53sを介して
上から順に等間隔で同形同大の載置部53a、53b、
53c、53dが配置され、また載置部群54も適宜の
スペーサ54sを介して上から順に等間隔で載置部54
a、54b、54c、54dが配置され、これら各載置
部にLCD用基板Pを載置させることにより、最大で4
枚のLCD用基板を独立して保持させることが可能にな
っている。
【0042】以上のような構成により、例えば上記搬送
アーム41の載置部材45によって搬送されてきたLC
D用基板Pを上記バッファ機構51における任意の載置
部間に載置したり、あるいは逆に任意の載置部に載置さ
れているLCD用基板Pを、上記搬送アーム41の載置
部材45によって取り出し、これを所定の場所、即ち、
各プロセスチャンバ1a、1b、1c内の所定位置、並
びに上記第2ロードロック室5のバッファ21、22に
まで搬送することが可能となっている。
【0043】本実施例にかかる真空処理装置1は以上の
ように構成されており、その処理動作について説明する
と、まず未処理のLCD用基板Pを収納したカセット9
が、その出入口(オープン側)を既述の支持台8側に向
けてカセットインデクサ10のて゜ぶる上の所定位置に
セットされると、既述のエレベーション機構10aによ
って当該カセット9が上昇し、次にその最上部、並びに
最上部から2番目に収納されているLCD用基板P1
2の2枚のLCD用基板がまず大気系搬送アーム7に
よって取り出される。
【0044】その後大気系搬送アーム7は後退して90
゜回転してからスライドして前進し、開放されたゲート
バルブ6から、これらLCD用基板P1、P2を第2ロー
ドロック室5内のバッファ21、22に載置する。この
後大気系搬送アーム7が後退して退避し、ゲートバルブ
6が閉じられて、上記第2ロードロック室2内は所定の
減圧雰囲気、例えば10-1Torr程度まで真空引きさ
れる。
【0045】上記のように真空引きされた後、ポジショ
ナー31、32が上昇し、その後の対角線方向の移動に
よって、各ローラ31a、31b、32a、32bの押
圧によるLCD用基板P1、P2の位置合わせが実施され
る。このように本実施例では、真空引きされた後に基板
の位置合わせが行われるので、真空引きした際に発生す
る大気の流れにより、LCD用基板P1、P2があおられ
て位置ズレしても、これを修正することが可能となって
いる。従って近年大型化しつつあるLCD用基板に対し
ても、効果的にその位置ズレ防止を図ることができる。
【0046】もちろんそのような位置合わせは、第1ロ
ードロック室2内への搬送前に完了していればよいの
で、真空引きする前に上記位置合わせを行い、そのまま
各ローラ31a、31b、32a、32bによってLC
D用基板P1、P2を押圧保持しつつ、真空引きを行って
もよい。かかる場合でも、LCD用基板P1、P2はこれ
らローラ31a、31b、32a、32bによって強固
に保持されているから、真空引きの際に発生する大気の
流れによって、上記LCD用基板P1、P2があおられて
位置ズレしたり、バッファ21、22から落下したりす
るおそれはないものである。
【0047】そして叙上のようにポジショナー31、3
2によってLCD用基板P1、P2の位置合わせが行われ
た時点、即ち各ローラ31a、31b、32a、32b
によってLCD用ス基板P1、P2が押圧保持された時点
で、レーザ発光装置36からレーザ光が、対向するレー
ザ受光装置37に向けて発光される。このときLCD用
基板P1、P2が所定の位置に正しく位置合わせされてい
れば、図3に示したように、当該レーザ光はローラ31
aの貫通孔33を通過してレーザ受光装置37によって
受光される。したがってそのことによってLCD用基板
1、P2が所定位置に位置合わせされたことが確認でき
る。
【0048】しかしながら何らかの事情で上記LCD用
基板P1、P2が所定位置からずれていた場合や存在して
いなかった場合には、ローラ31aが所定位置で停止し
ないためレーザ光はこのローラ31aによって遮蔽され
る。その結果、レーザ受光装置37は当該レーザ光を受
光できず、そのことによって、LCD用基板P1、P2
所定位置に存在しないことが確認できるのである。
【0049】このようにしてLCD用基板P1、P2に対
して直接発光されないレーザ光によって、被処理体であ
るLCD用基板の所定位置の有無が検出されるので、例
えばLCD用基板P1、P2の材質が透明度の高いガラス
であったりしても、その表面状態等に左右されず、確実
な検出が行われるものである。
【0050】そしてそのようにしてLCD用基板P1
2が位置合わせの確認がなされると、ゲートバルブ4
が開放された後、これらLCD用基板P1、P2は搬送ア
ーム41によって第1ロードロック室2内に搬入され
る。この場合図3における下側に位置するLCD用基板
2から取り出されて、当該LCD用基板P2はバッファ
機構51における最上部の載置部52a、53a、54
a上に載置される。このように下側のLCD用基板P2
から取り出されることにより、上側のLCD用基板P1
の汚染が防止される。
【0051】その後ゲートバルブ4が閉じられて第1ロ
ードロック室2内は、例えば10-3Torr程度まで減
圧され、当該LCD用基板P1はプロセスチャンバ1a
内に搬送され、そこでエッチング処理がなされる。
【0052】一方その間、第2ロードロック室5内に残
っていたLCD用基板P2も、上記と同様な手順で第1
ロードロック室2内に搬入され、その後プロセスチャン
バ1b内に搬送されて、そこでエッチング処理がなされ
る。
【0053】そして第2ロードロック室5内にあったL
CD用基板P1、P2が叙上のようなプロセスに付されて
いる間、カセットインデクサ10のエレベーション機構
10aによってカセット9は次のステップ分上昇し、3
番目、4番目に収納されているLCD用基板P3、P
4(これらLCD用基板P3、P4は具体的に図示してい
ない)の2枚の未処理のLCD用基板が、大気系搬送ア
ーム7によって取り出されて、第2ロードロック室5内
に搬入され、位置合わせ並びにその検出が行われて第2
ロードロック室5内のバッファ21、22にて待機して
いる。
【0054】一方最初にプロセスチャンバ1a内に搬入
されてエッチング処理が完了したLCD用基板P2は、
一旦搬送アーム41によって取り出され、最下部の載置
部52d、53d、54dにて保持される。そしてその
代わりに次の未処理基板である上記LCD用基板P4
上記プロセスチャンバ1a内に搬入されてエッチング処
理に付される。このようにエッチング処理済みのLCD
用基板P2をバッファ機構51における最下部に保持さ
せることにより、未処理の上記LCD用基板P4の汚染
が防止される。
【0055】その後上記エッチング処理済みのLCD用
基板P2は、次の処理工程であるアッシング処理を施す
ため、プロセスチャンバ1c内に搬入される。そして残
りの未処理基板であるLCD用基板P3が第1ロードロ
ック室2内に搬入され、バッファ機構51における最上
部の載置部52a、53a、54a上に載置され、空に
なった第2ロードロック室5内には次の処理基板である
LCD用基板P5、P6が搬入されてくる。
【0056】次にプロセスチャンバ1bにてエッチング
処理されたLCD用基板P1は、バッファ機構51にお
ける最下部の載置部52d、53d、54dにて保持さ
れ、代わりに次の未処理基板である上記LCD用基板P
3が上記プロセスチャンバ1b内に搬入されてエッチン
グ処理に付される。
【0057】そしてプロセスチャンバ1cにおいてアッ
シング処理が完了したLCD用基板P2は、バッファ機
構51における2番目の載置部52b、53b、54b
にて保持され、その代わりに上記エッチング処理された
LCD用基板P1がこのプロセスチャンバ1c内に搬送
されてアッシング処理に付される。その後アッシング処
理が完了したLCD用基板P1は、バッファ機構51に
おける3番目の載置部52c、53c、54cにて保持
される。
【0058】このように本実施例におけるバッファ機構
51では、その最上部の載置部52a、53a、54a
がプロセスチャンバ1a又は1bへと搬入する前の待機
場所として機能し、2番目の載置部52b、53b、5
4b、並びに3番目の載置部52c、53c、54c
が、プロセスチャンバ1cにおいてアッシング処理が完
了した基板の待機場所として機能し、最下部の載置部5
2d、53d、54dが、プロセスチャンバ1a又は1
bにてエッチング処理された基板のアッシング処理前の
待機場所として機能している。
【0059】そして、その次に処理されるべき第2ロー
ドロック室5内のLCD用基板P5、P6については、ま
ず下側のLCD用基板P6がバッファ機構51の最上部
の載置部52a、53a、54aに保持され、その代わ
りに最初にアッシング処理が完了してバッファ機構51
における2番目の載置部52b、53b、54bにて保
持されていたLCD用基板P2が、第2ロードロック室
5内に搬入され、上記LCD用基板P6が最上部の載置
部52a、53a、54aからプロセスチャンバ1a内
に搬入された後、当該空いた載置部52a、53a、5
4aに第2ロードロック室5内のLCD用基板P5が載
置され、またいままでLCD用基板P5が保持されてい
た第2ロードロック室5内上側のバッファに、残りのア
ッシング処理済みのLCD用基板P1が搬送される。
【0060】このようにして第2ロードロック室5内の
バッファの上側にLCD用基板P1が位置し、下側にL
CD用基板P2が位置するので、最初の搬入時と全く同
一位置関係にて処理済みのLCD用基板P1、P2が保持
されることになる。
【0061】これら処理済みのLCD用基板P1、P
2は、大気系搬送アーム7によって第2ロードロック室
5から搬出され、大気中にあるカセット11内に収納さ
れる。この場合、上記の如く第2ロードロック室5内の
バッファの上側にLCD用基板P1が位置し、下側にL
CD用基板P2が位置していたので、カセット11に
は、上から順にLCD用基板P1、P2・・・・のようにシリ
アルナンバーの順に収納されていくことになる。そして
上記のようにしてLCD用基板P1、P2が収納された
後、カセット11はカセットインデクサ12によって次
のステップ分(LCD用基板2枚分)上昇して、次のL
CD用基板P3、P4の収納に備えて待機する。
【0062】以上のようにして例えば、カセット9に収
納されていた最後の2枚のLCD用基板P13、P14の第
2ロードロック室5内への搬入が完了した時点で、この
カセット9を次の未処理基板を収納したカセットと交換
し、次いでカセット11に処理済みのLCD用基板
13、P14が収納された時点でこのカセット11を次の
処理済み収納カセットと交換すれば、極めて効率よくL
CD用基板の処理を行うことが可能である。即ち従来の
カセットチャンバ方式に較べると、迅速にカセット交換
ができ、その分スループットが向上する。
【0063】さらにまた通常この種のLCD用基板のエ
ッチング処理はアッシング処理に要する2倍の時間、例
えば2分を要するため、上記のような手順で各LCD用
基板Pの搬送、待機を実施することにより、各プロセス
チャンバ1a、1b、1cによる処理が効率よく行え、
極めて高いスループットを実現することが可能となって
いる。発明者が実際に実機を使用して処理作業を行った
ところ、稼働時間16時間当たり、500枚のLCD用
基板の処理を実施することができた。従って、従来みら
れない極めて高いスループットが実現されている。
【0064】一方エッチング処理やアッシング処理自体
を行う各プロセスチャンバ1a、1b、1cについてみ
ても、これら各プロセスチャンバ1a、1b、1c内に
おけるバッフル板73の固定は、従来のバッフル板の固
定とは異なり、セラミックスからなるバッフルベース7
7が介在して固定されているので、プロセスチャンバ1
aの壁体などに対する絶縁効果は極めて高く、また安定
している。従って、例えばクリーニングの度にバッフル
板73の取付、取り外しを行って、その際の摩擦などに
よりバッフル板73自体やアルミネジ78等の表面の絶
縁劣化が起こっても、バッフル板73のプロセスチャン
バ1aに対する絶縁は、上記バッフルベース77によっ
て充分確保されている。それゆえ、従来この種のバッフ
ル板採用に伴ないその絶縁劣化に起因する異常放電は防
止され、安定したプラズマエッチング処理やプラズマア
ッシング処理が実現される。
【0065】またさらに既述の如く、本実施例では、各
プロセスチャンバ1a、1b、1c内のガスを外部へ排
気のための排気口は、上記プロセスチャンバ1aにおけ
る底部の各角隅部4カ所に設けられているから、バッフ
ル板73に多数穿設されている小孔と相俟って、極めて
均一な排気が可能であり、この点からも均一な処理等プ
ロセスの安定化が図られている。
【0066】なお上記実施例では、プロセスチャンバ1
a、1bがエッチング処理、プロセスチャンバ1cがそ
の後のアッシグ処理を実施するように構成していたが、
これに限らず、例えば全てのプロセスチャンバ1a、1
b、1cがエッチング処理又はアッシグ処理を行うとい
うように、全て同一処理をように構成してもよく、ま
た、これら各プロセスチャンバ1a、1b、1cにおい
て連続する異なったシリアル処理を行うように構成して
もよい。これらのように構成した場合でも、極めて高い
スループットが実現できる。もちろんプロセスチャンバ
の数を2とした構成としてもよい。
【0067】さらに上記実施例では、大気系搬送アーム
7、並びに第2ロードロック室5においては1度に2枚
のLCD用基板を保持し、それに対応して第1ロードロ
ック室2内のバッファ機構51も最大4枚のLCD用基
板を保持するように構成していたが、これに限らず、例
えば大気系搬送アーム7、並びに第2ロードロック室5
内での保持可能枚数を3枚とし、それに対応させて第1
ロードロック室2内のバッファ機構の保持可能枚数を増
大させてもよい。
【0068】
【発明の効果】請求項1によれば、まず被処理体が大気
中に位置する基板収容カセットなどの被処理体収納物に
収納されているので、カセットチャンバは不要である。
従って、汎用性が高まるとともに、従来カセットチャン
バ内の減圧に要していた時間を節減して処理の高速化が
図れる。また大気系搬送機構は1度に複数の被処理体を
搬送でき、さらに第1、第2の予備真空室内には、複数
保持可能なバッファ機構が設けられているので、複数の
真空処理室での処理を実施するに当たり、極めて効率の
高い処理が可能であり、スループットを向上させること
が可能である。
【0069】また請求項2では、カセットなどの被処理
体収納物を、上下動自在な支持体上に設けてあるので、
大気系搬送機構の上下動の動きを最小限に抑えることが
でき、一方この上下動の範囲、ピッチ等を適宜調整する
ことにより、使用する被処理体収納物の大きさを選ば
ず、これを用いることが可能である。従って多種多様な
被処理体に対して、高スループットの下での適用が可能
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例にかかる真空処理装置の概略を
示す斜視図である。
【図2】本発明の実施例にかかる真空処理装置の概略を
示す平面図である。
【図3】本発明の実施例におけるプロセスチャンバの内
部下方の構成を示す説明図である。
【図4】本発明の実施例におけるプロセスチャンバの内
部下方の構成を示す要部側面断面図である。
【図5】本発明の実施例における第2ロードロック室内
の構成を示す斜視図である。
【図6】本発明の実施例における第1ロードロック室内
の搬送アーム及びバッファ機構の構成を示す斜視図であ
る。
【符号の説明】
1 真空処理装置 1a、1b、1c プロセスチャンバ 2 第1ロードロック室 5 第2ロードロック室 7 大気系搬送アーム 8 支持台 9、11 カセット 10、12 カセットインデクサ 21、22 バッファ 31、32 ポジショナー 41 搬送アーム 51 バッファ機構 P LCD用基板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体に処理を施す装置において、 ・減圧雰囲気下で被処理体に所定の処理を施す複数の真
    空処理室と、 ・前記各真空処理室に連結された第1の予備真空室と、 ・前記第1の予備真空室に連結された第2の予備真空室
    と、 ・前記第1の予備真空室内に設けられ、前記被処理体を
    第1の予備真空室と前記真空処理室及び第2の予備真空
    室との間で前記被処理体を搬送する真空系搬送機構と、 ・前記第1の予備真空室内に設けられ、前記被処理体を
    複数保持可能に構成されたバッファ機構と ・前記第2の予備真空室内に設けられ、前記被処理体を
    複数保持可能に構成されたバッファ機構と、 ・前記第2の予備真空室内に設けられ、前記被処理体の
    位置合わせをする位置合わせ機構と、 ・大気中に位置する被処理体収納物と前記第2の予備真
    空室との間で1度に複数の前記被処理体を搬送する大気
    系搬送機構と、 を具備したことを特徴とする、真空処理装置。
  2. 【請求項2】 被処理体収納物は、上下動自在な支持体
    に設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の
    真空処理装置。
JP5061253A 1992-07-29 1993-02-26 真空処理装置 Withdrawn JPH06252245A (ja)

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US08/202,100 US5558482A (en) 1992-07-29 1994-02-25 Multi-chamber system
US08/389,226 US5636960A (en) 1992-07-29 1995-02-15 Apparatus for detecting and aligning a substrate

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001044267A (ja) * 1999-07-28 2001-02-16 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 真空容器ロードロック装置
US6746196B1 (en) 1999-01-12 2004-06-08 Tokyo Electron Limited Vacuum treatment device
KR100781082B1 (ko) * 2005-12-03 2007-11-30 주식회사 뉴파워 프라즈마 기판 반송 장치 및 그것을 사용한 기판 처리 설비
KR100781351B1 (ko) * 2001-04-02 2007-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 패턴 검사장치
JP2008192865A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Taiyo Nippon Sanso Corp 気相成長装置
KR20170004888A (ko) 2015-07-01 2017-01-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 이에 이용되는 배기 구조
WO2019004359A1 (ja) * 2017-06-29 2019-01-03 株式会社アルバック 成膜装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6746196B1 (en) 1999-01-12 2004-06-08 Tokyo Electron Limited Vacuum treatment device
JP2001044267A (ja) * 1999-07-28 2001-02-16 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 真空容器ロードロック装置
KR100781351B1 (ko) * 2001-04-02 2007-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 패턴 검사장치
KR100781082B1 (ko) * 2005-12-03 2007-11-30 주식회사 뉴파워 프라즈마 기판 반송 장치 및 그것을 사용한 기판 처리 설비
JP2008192865A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Taiyo Nippon Sanso Corp 気相成長装置
KR20170004888A (ko) 2015-07-01 2017-01-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 이에 이용되는 배기 구조
WO2019004359A1 (ja) * 2017-06-29 2019-01-03 株式会社アルバック 成膜装置
JPWO2019004359A1 (ja) * 2017-06-29 2019-06-27 株式会社アルバック 成膜装置
US11842887B2 (en) 2017-06-29 2023-12-12 Ulvac, Inc. Film formation apparatus

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