JPS63128710A - 反応炉 - Google Patents

反応炉

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JPS63128710A
JPS63128710A JP61277031A JP27703186A JPS63128710A JP S63128710 A JPS63128710 A JP S63128710A JP 61277031 A JP61277031 A JP 61277031A JP 27703186 A JP27703186 A JP 27703186A JP S63128710 A JPS63128710 A JP S63128710A
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JP
Japan
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processing
boat
processing chamber
atmosphere
chamber
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Application number
JP61277031A
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English (en)
Inventor
Makoto Hirayama
誠 平山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Pending legal-status Critical Current

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造工程で使用して好適な反応
炉に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の反応炉は第３図に示すように構成されて
いる。これを同図に基づいて概略説明すると、同図にお
いて、符号１で示すものは半導体ウェハ等の被処理物２
を保持するボート３を収容可能な横型の処理室４を有す
る容器、５および６はこの容器１に接続されたガス注入
口と真空排気口である。
このように構成された反応炉においては、被処理物２を
保持したボート３を収容した処理室４内を真空排気し、
これにガス注入口５から各種ガスを導入することにより
、加熱した被処理物２の表面上に薄膜を形成することが
できる。
なお、被処理物２の加熱は、外部からの抵抗線によるも
の、赤外線ランプによるものあるいは高周波によるもの
等がある。
また、従来の反応炉には第４図に示すものも採用されて
いる。これを同図に基づいて概略説明すると、同図にお
いて、符号７で示すものは上下２つの電極８，９がその
内部に臨む処理室１０を有する容器、１１この容器７内
の両電極８，９のうち下部電極９上に載置された半導体
ウェハ等の被処理物である。また、１２および１３は前
記容器７に接続されたガス注入口と真空排気口である。
このように構成された反応炉においては、容器７内の・
下部電極９上に載置して処理室１０内を真空排気し、こ
れにガス注入口１２から各種ガスを導入すると共に、両
電極８，９間に直流高圧を印加することにより、被処理
物１１の表面上に薄膜を形成することができる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、従来の反応炉においては、処理時に大気中と
処理室４．ｌＯ内との間で被処理物２゜１１を出し入れ
する必要があり、このため処理前後で被処理物２，１１
が空気に接触して不要な膜が形成されてしまうことがあ
った。この結果、膜厚を制御することを困難なものにし
、均一な厚さをもつ薄膜を形成することができないとい
う問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、膜厚を
正確に制御することができ、もって均一な厚さをもつ薄
膜を形成することができる反応炉を提供するものである
。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係る反応炉は、被処理物を保持するボートをそ
の内部に収容可能な処理室を有し各々が互いに連通可能
な主副２つの容器を備え、これら両容器を各々固定カプ
セルと可動カプセルによって構成したものである。
〔作　用〕
本発明においては、画処理室を所定の雰囲気にガス置換
することにより、処理前後で被処理物の空気への接触を
阻止することができる。
〔実施例〕
第１図（ａｌおよび（ｂｌは本発明に係る反応炉を示す
平面図と正面図である。同図において、符号１１で示す
ものは固定カプセルとしての主容器で、内部に被処理物
１２を保持するサセプタボート１３を収容可能な処理室
１４が形成されている。１５は可動カプセルとしての副
容器で、カプセルエレベータ１６によって前記主容器１
１に対し移動自在に設けられており、内部に前記処理室
１４と同様に前記サセプタボート１３を収容可能な処理
室１７が形成されている。そして、この副容器１５の処
理室１７はローディングチャンバー１８を介して前記処
理室１４に連通可能に構成されている。
１９はボート移動用のボートローダ、２ｏはゲートバル
ブ、２１は加圧ガス系および真空系である。
なお、前記画処理室１４．１７およびローディングチャ
ンバー１８においては真空排気、雰囲気ガスの置換２反
応ガスの供給および残留ガスの排気を比較的短時間で行
うことができ、また前記サセプタボート１３には被処理
物１２を移送する搬送機構（フライングモーション）が
備えられている。
次に、このように構成された反応炉における被処理物の
移送方法について説明する。
先ず、第２図（ａ）に示すように副容器１５外でサセプ
タボート１３上に半導体ウェハ等の被処理物１２を保持
する。次いで、同図（ｂｌに示すように磁気クラッチ等
の移送機構（図示せず）によって副容器１５の処理室１
７内にサセプタボート１３を移送する。しかる後、同図
（Ｃ）に示すようにカプセルエレベータ１６によって副
容器１５を移送し、フランジクランプＡによってローデ
ィングチャンバー１８の側部に結合する。このとき、ゲ
ートバルブ２０によって処理室１７を閉塞し、この処理
室１７内の雰囲気を高真空の雰囲気に置換する。
そして、同図（ｄ）に示すようにゲートバルブ２０を解
放して同図（ｅｌに示すように移動機構（図示せず）に
よってローディングチャンバー１８にサセプタボート１
３を移送した後、同図（ｆ）に示す高真空雰囲気のロー
ディングチャンバー１８から同図（幻に示すようにボー
トローダ１９によって容器１１の処理室１４内にサセプ
タボート１３を移送する。
このようにして、副容器１５の処理室１７から主容器１
１の副処理室１４内に被処理物１２を移送することがで
きる。
したがって、画処理室１４．ｉ７を所定の雰囲気にガス
置換することにより、処理前後で被処理物１２の空気へ
の接触を阻止することができるから、被処理物１２に対
し膜を形成する場合に不要な膜の形成を阻止することが
でき、膜厚を正確に制御することができる。
なお、本実施例においては、被処理物１２の移送時に高
真空のローディングチャンバー１８を経由させ被処理物
１２表面の不純な反応を抑制したが、ローディングチャ
ンバー１８を例えばＡｒ。
Ｈｅ等の不活性ガス雰囲気に置換することによりその反
応を抑制することもできる。
また、本実施例においては、主容器１１の処理室１４が
単数からなるものを示したが、本発明はこれに限定され
るもの゛ではなく、複数の処理室からなるものとしても
勿論よく、この場合各処理室では単一の反応として被処
理物１２に多層の膜を形成することができる。すなわち
、酸化膜の形成。
化学気相成長法による薄膜形成、プラズマエンハンスト
気相成長法による薄膜形成およびスパッタによる薄膜形
成等の処理を各処理室で別個に行って多層膜を形成する
ことができるのである。
因に、互いに異なる処理を同一の処理室でシーケンシャ
ルに行って多層膜を形成することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、被処理物を保持す
るボートをその内部に収容可能な処理室を有し各々が互
いに連通可能な主副２つの容器を備え、これら両容器を
各々固定カプセルと可動カプセルによって構成したので
、両処理室を所定の雰囲気にガス置換することにより、
処理前後で被処理物の空気への接触を阻止することがで
きる。
したがって、被処理物に対し膜を形成するに際して膜厚
を正確に制御することができるから、薄膜の厚さを均一
な寸法に設定することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図＋８）および（ｂ）は本発明に係る反応炉を示す
平面図と正面図、第２図（ａ）〜（幻は同じく反応炉に
おける被処理物の移送方法を説明するための図、第３図
および第４図は従来の反応炉を示す断面図である。 １１・・・主容器、１２・・・被処理物、１３・・・サ
セプタボート、１４・・・処理室、１５・・・副容器、
１７・・・処理室。 代　　理　　人　　大　岩　増　雄 第１図 （ＣＩ） １１　：　主ｌＫ　　　　　　　＋４　：　ｊ４ｆｉｉ
１２：　軸足ブ１【勾９ツ　　　　　　　７５：　１り
鵞シｚ１１３＋’ｊ−ｗ？りオ；−ド　　　　　　　　
　　　１７　：　　処１！室第３図 第４図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　被処理物を保持するボートをその内部に収容可能な処
    理室を有し各々が互いに連通可能な主副２つの容器を備
    え、これら両容器を各々固定カプセルと可動カプセルに
    よって構成したことを特徴とする反応炉。
JP61277031A 1986-11-19 1986-11-19 反応炉 Pending JPS63128710A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61277031A JPS63128710A (ja) 1986-11-19 1986-11-19 反応炉
US07/124,430 US4822756A (en) 1986-11-19 1987-11-18 Reaction furnace and method of operating the same

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ID=17577807

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JP61277031A Pending JPS63128710A (ja) 1986-11-19 1986-11-19 反応炉

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