JPH02294018A - 成膜装置 - Google Patents

成膜装置

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JPH02294018A
JPH02294018A JP11413989A JP11413989A JPH02294018A JP H02294018 A JPH02294018 A JP H02294018A JP 11413989 A JP11413989 A JP 11413989A JP 11413989 A JP11413989 A JP 11413989A JP H02294018 A JPH02294018 A JP H02294018A
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JP
Japan
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chamber
film forming
film formation
film
chambers
Prior art date
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Pending
Application number
JP11413989A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryoji Oritsuki
折付 良二
Akira Sasano
笹野 晃
Kazuo Sunahara
砂原 和雄
Takemi Toritsuka
鳥塚 武美
Hidekazu Hirata
平田 英一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP11413989A priority Critical patent/JPH02294018A/ja
Publication of JPH02294018A publication Critical patent/JPH02294018A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は放電により膜を形成するプラズマCVD装置
、スパッタリング装置等の成膜装置に関するものである
, 〔従来の技術〕 第6図は従来の成膜装置を示す概略斜視図,第7図は第
6図に示した成膜装置の成膜室を示す概略斜視図,第8
図は第6図に示した成膜装置に使用するサブホルダを示
す斜視図、第9図は第6図に示した成膜装置の配管系を
示す図である。図において、1はホルダ着脱部.2は仕
込室、3はホルダ着説室1と仕込室2とを接続する搬送
室,4は仕込室2と接続されたガス出し室,5はガス出
し室4に接続された複数の成膜室で、成膜室5は直列に
接続されている。6は成膜室5の開閉ドア,7は開閉ド
ア6に取り付けられたヒータ,8は成膜室5間に設けら
れたゲート弁,9は成膜室5に接続された冷却室、10
は冷却室9に接続された取出室、11は取出室10とホ
ルダ着脱室1とを接続する搬送室、12は搬送室3,成
膜室5等,搬送室11内を走行するカートで、カート1
2に搬送室3、成膜室5等、搬送室11に設けられたレ
ール上を走行する車輪が設けられており、また、カート
12に搬送室3、成膜室5等,搬送室11に設けられた
ピニオンと噛み合うべきラックが設けられ、ピニオンは
叩動手段により暉動される。
13はカート12に取り付【プられるサブホルダ、l4
は膜が形成されるべき液晶表示装置等のガラス基板,1
5は均熱板で、ガラス基板14、均熱板15はサブホル
ダ13に取り付けられる.16はサブホルダ13をカー
ト12に着脱するサブホルダ着脱ロボット、17はガス
出し室4、成膜室5、冷却室9と接続されたロータリポ
ンプ,18はガス出し室4、成膜室5、冷却室9とロー
タリボンプ17との間に設けられたブースタポンプ、1
9は成膜室5とブースタポンプ18との間に設けられた
ターボポンプ、2oは成膜室5に接続された成膜ガス配
管、21は成膜ガス配管20に設けられたマスフロー、
22はガス出し室4.成膜室5,冷却室9に接続された
パージガス配管である。
この成膜装置においては、サブホルダ着脱ロボット16
がガラス基板14、均熱板15が取り付けられたサブホ
ルダ13をカート12に取り付け,1%[?動手段がピ
ニオンを暉動すると、カート12が搬送室3.成膜室5
等内を搬送され、成膜室5でガラス基板14に膜が形成
され、さらにカート12が搬送室11内を搬送され、サ
ブホルダ着脱ロボット16がカート12からサブホルダ
13を取り外す。
なおCVD装置は、たとえば電子材料別冊、「超LSI
製造・試験装置ガイドブック」,頁69〜74、rCV
D装置J , 1984年工業調査会発行、で知られて
いる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、このような成膜装置においては、成暎室5の内
面にも膜が形成され,この膜がフレーク状に剥がれて、
ガラス基板14の表面に付看すると、異物による不良が
生ずるから、成膜装置5の内部を定期的に清掃する必要
があるが,いずれか1つの成膜装置5を清掃している間
であっても、成膜装置全体を停止する必要があるから,
生産性が低い。
この発明は上述の課題を解決するためになされたもので
、生産性の高い成膜装置を提供することを目的とする. 〔課題を解決するための手段〕 上記の目的を達成するため、この発明においては、成膜
室内で放電により膜を形成する成膜装置において、真空
搬送室に複数の上記成膜室を接続する。
また,上記の目的を達成するため、この発明においては
、成膜室内で放電により膜を形成する成膜装置において
,大気搬送室に真空室を接続し、上記真空室に予備室を
介して複数の上記成膜室を接続する。
さらに、上記の目的を達成するため、この発明において
は、成膜室内で放電により基板に膜を形成する成膜装置
において、上記成膜室に上記基板の搬送方向に移動可能
に放?tLI!極を設ける。
〔作用〕
この成膜装置においては,真空搬送室に複数の成膜室を
接続するから、1つの成膜室を清掃している間であって
も,他の成膜室で膜を形成することができる。
また、大気搬送室に真空室を接続し、真空室に予備室を
介して複数の成膜室を接続するから,1つの成膜室を清
掃している間であっても、他の成膜室で膜を形成するこ
とができる。
さらに、成膜室に基板の搬送方向に移動可能に放電電極
を設けるから、容易に放′正電極を交換することができ
る。
〔実施例〕
第1図はこの発明に係る成膜装置の一部を示す概略平断
面図である。図において、23は大気搬送室,24は大
気搬送室23に接続された方向転換装置,25は方向転
換装置24に接続された予備排気室,26は予備排気室
25に接続された予備加熱室で、予備加熱室26にはラ
ンプヒー夕が設けられている。27は予備加熱室26に
接続された真空搬送室、28a〜28cは真空搬送室2
7に接続された成膜室で、成膜室28a〜28Cには成
膜用の真空排気系,ガス出し用の真空排気系、成膜ガス
供給配管,バージガス供給配管等が接続されている.2
9aは成膜室28a〜28Cに設けられた電極取出口、
29bは成膜室28a〜28cに設けられた電極清掃口
、28dは真空搬送室27に接続されたカートクリーニ
ング室、30は真空搬送室27と成膜室28a〜28c
、カートクリーニング室28dとの間に設けられた予備
室、31は成膜室28a〜28c、カートクリーニング
室28dと予備室30との間に設けられたゲート弁で、
ゲート弁31は成膜室28a〜28c側,カートクリー
ニング室28d側に設けられており、また真空搬送室2
7内の圧力は成膜室28a〜28c、カートクリーニン
グ室28d内の圧力よりも低い。さらに,大気搬送室2
3、真空搬送室27、成膜室28a〜28C,カートク
リーニング室28d等にはカート搬送手段が設けられて
いる. この成膜装置においては、たとえば成膜室28aの電極
取出口29a.電極清掃口29bを開けて、成膜室28
aを清掃している間にも,他の成膜室28b、28cに
よって膜を形成することができる。同様に,成膜室28
bを清掃している間にも、他の成膜室28a、28cに
よって膜を形成することができ、また成膜室28cを清
掃している間にも、他の成膜室28a、28bによって
膜を形成することができる。したがって、順次成膜室2
8a〜28cを清掃すれば、成膜装置全体を停止する必
要がないので、生産性が高い。また,力一トクリーニン
グ室28dが設けられているので、カートクリーニング
室28d内でカート12を清掃することができる。さら
に,ゲート弁31が成膜室28a〜28c側、カートク
リーニング室28d側に設けられているから、成膜室2
8a〜28c内,カートクリーニング室28d内を大気
圧にしたときに,大気圧がゲート弁31を閉じる方向に
作用するから、真空搬送室27内の圧力が高くなるのを
有効に防止することができる。
第2図はこの発明に係る成膜装置を有する製造装置の一
部を示す概略斜視図である.図において、32.33は
第1図に示した成膜装置と同様の構成を有する成膜装霞
、34は成膜装置32、33を接続する搬送室に接続さ
れた加工装置で、加工装置34は成膜装置32で形成さ
れた膜の加工を行なう. この製造装置においては,膜の形成,膜の加工を効率良
く行なうことができる。
第3図はこの発明に係る他の成膜R置の一部を示す概略
乎断面図である。図において,35はガラス基板を1枚
づつ搬送する大気搬送室、36は大気搬送室23内に設
けられた着脱室,37は着脱室36に接続された予備排
気室で,着脱室36にはガラス基板を予備排気室37内
のホルダに着脱する装置が設けられている.38は予備
排気室37に接続されたホルダリターン室で,ホルダリ
ターン室38には真空排気系が接続されている。
39a〜39cはホルダリターン室38に接続された成
膜室で、成膜室39a〜39cには真空排気系、成膜ガ
ス供給配管,パージガス供給配管等が接続されている,
40aは成膜室39a〜39Cに設けられた電極取出口
,40bは成膜室39a〜39cに設けられた電極清掃
口、41はホルダリターン室38と成膜室39a〜39
cとの間に設けられた予備室で、予備室4lにはランプ
ヒータが設けられており,またホルダリターン室38に
はガラス基板が取り付けられたホルダを予備排気室37
、予備室41に供給し,予備排気室37、予備室41か
ら取り出す装置が設けられており、さらに予備室41に
はガラス基板が取り付けられたホルダを成膜室39a〜
39cに供給し、成膜室39a〜39cから取り出す装
置が設けられている.42は成膜室39a〜39cと予
備室41との間に設けられたゲート弁である。
この成膜装置においても、順次成膜室39a〜39cを
清掃すれば、成膜装匝全体を停止する必要がないので,
生産性が高い。
第4図はこの発明に係る他の成膜装置の一部を示す概略
平断面図、第5図は第4図の拡大A−Δ断面図である.
図において、43は予備室,44は予備室43に接続さ
れた成膜室で、成膜室44には真空排気系,成膜ガス供
給配管、パージガス供給配管等が接続されている。45
は成膜室44に接続された予備室で、予備室43、45
にはガラス基板56を1枚づつ搬送する殿送装置(図示
せず)が設けられており、また成膜室44、予備室45
にはガラス基板の搬送方向にレール(図示せず)が設け
られている。46は予備室43と成膜室44との間に設
けられたゲート弁、47は成膜室44と予備室45との
間に設けられたゲート弁、48は成膜室44のゲート開
口部、49は成膜室44に設けられたRF電極、50は
成膜室44に設けられたヒータ,51は成膜室44に設
けられた搬送ブロック,52は搬送ブロック51の車輪
で、搬送ブロック51はレール上を走行可能である。5
3は搬送ブロック51に取り付けられた石英板、54は
搬送ブロック51に取り付けられた絶縁ブロック、55
は絶縁ブロック54に取り付けられたアノードである。
この成膜装置においては、搬送装置によりガラス基板5
6をアノード55上に載置し、RF電極49に電圧を印
加すれば,ガラス基板56の表面に膜を形成することが
できる。そして、石英板53,アノート55等に膜が形
成され、搬送ブロック51を清掃する必要があるときに
は、搬送ブロック51をレール上に走行させて、搬送ブ
ロック51を装置外に取り出したのち、あらかじめ用意
した新たな搬送ブロック51をレール上に走行させて、
新たな搬送ブロック51を成膜室44内に設置すれば、
搬送ブロック51の交換を非常に短時間にかつ容易に行
なうことができるので、成膜装置を停止する時間が極め
て短いため,生産性が高い。
なお、上述実施例においては、ガラス基板に膜を形成す
る成膜装置について説明したが、半導体ウェハ等に膜を
形成する装置にもこの発明を適用できることは明らかで
ある。また,真空排気系、成膜ガス供給配管、パージガ
ス供給配管を複数の成膜室で共通にすれば、成膜装置が
安価になる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明に係る成膜装置において
は、真空搬送室に複数の成膜室を接続するから、1つの
成膜室を清掃している間であっても、他の成膜室で膜を
形成することができるので、成膜装置全体を停止する必
要がないため、生産性が高い。
また、この発明に係る他の成膜装置においては、大気搬
送室に真空室を接続し、真空室に予備室を介して複数の
成膜室を接続するから、1つの成膜室を清掃している間
であっても、他の成膜室で膜を形成することができるの
で、成膜装置全体を停止する必要がないため、生産性が
高い。
さらに、この発明に係る他の成膜装置においては,成膜
室に基板の搬送方向に移動可能に放電電極を設けるから
、短時間に放電電極を交換することができるので、成膜
装置を停止する時間が極めて短いため、生産性が高い。
このように、この発明の効果は顕著である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る成膜装置の一部を示す概略平断
面図,第2図はこの発明に係る成膜装置を有する製造装
置の一部を示す概略斜視図、第3図、第4図はそれぞれ
この発明に係る他の成膜装置の一部を示す概略平断面図
、第5図は第4図の拡大A−A断面図、第6図は従来の
成膜装置を示す概略斜視図、第7図は第6図に示した成
膜装置の成膜室を示す概略斜視図、第8図は第6図に示
した成膜装置に使用するサブホルダを示す斜視図、第9
図は第6図に示した成膜装置の配管系を示す図である。 27・・・真空搬送室 28a〜28c・・・成膜室 35・・・大気搬送室 38・・・ホルダリターン室 39a〜39c・・・成膜室 44・・・成膜室 51・・・搬送ブロック 55・・・アノード 代理人  弁理士 中 村 純之助 第 図 第3図 5も 6コ 第2 図 第5 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、成膜室内で放電により膜を形成する成膜装置におい
    て、真空搬送室に複数の上記成膜室を接続したことを特
    徴とする成膜装置。 2、成膜室内で放電により膜を形成する成膜装置におい
    て、大気搬送室に真空室を接続し、上記真空室に予備室
    を介して複数の上記成膜室を接続したことことを特徴と
    する成膜装置。 3、成膜室内で放電により基板に膜を形成する成膜装置
    において、上記成膜室に上記基板の搬送方向に移動可能
    に放電電極を設けたことを特徴とする成膜装置。
JP11413989A 1989-05-09 1989-05-09 成膜装置 Pending JPH02294018A (ja)

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JP11413989A JPH02294018A (ja) 1989-05-09 1989-05-09 成膜装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6382895B1 (en) 1998-12-28 2002-05-07 Anelva Corporation Substrate processing apparatus
JP2004311689A (ja) * 2003-04-07 2004-11-04 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法及び基板の処理装置
JP2010526446A (ja) * 2007-05-09 2010-07-29 ライボルト オプティクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング フラットな基板の処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5787120A (en) * 1980-11-20 1982-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and device for plasma cvd
JPS5893321A (ja) * 1981-11-30 1983-06-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置製造装置
JPS59124712A (ja) * 1982-12-29 1984-07-18 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JPS63125680A (ja) * 1986-11-13 1988-05-28 Babcock Hitachi Kk 気相堆積装置
JPS63157870A (ja) * 1986-12-19 1988-06-30 Anelva Corp 基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5787120A (en) * 1980-11-20 1982-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and device for plasma cvd
JPS5893321A (ja) * 1981-11-30 1983-06-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置製造装置
JPS59124712A (ja) * 1982-12-29 1984-07-18 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JPS63125680A (ja) * 1986-11-13 1988-05-28 Babcock Hitachi Kk 気相堆積装置
JPS63157870A (ja) * 1986-12-19 1988-06-30 Anelva Corp 基板処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6382895B1 (en) 1998-12-28 2002-05-07 Anelva Corporation Substrate processing apparatus
JP2004311689A (ja) * 2003-04-07 2004-11-04 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法及び基板の処理装置
JP2010526446A (ja) * 2007-05-09 2010-07-29 ライボルト オプティクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング フラットな基板の処理装置

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