JPH08196894A - 真空装置の小型、低価格化のための構成方法及び、材料の搬送形態 - Google Patents
真空装置の小型、低価格化のための構成方法及び、材料の搬送形態Info
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- JPH08196894A JPH08196894A JP963395A JP963395A JPH08196894A JP H08196894 A JPH08196894 A JP H08196894A JP 963395 A JP963395 A JP 963395A JP 963395 A JP963395 A JP 963395A JP H08196894 A JPH08196894 A JP H08196894A
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】量産型真空装置の製作費用の低減と省スペース
化 【構成】材料の搬送経路を真空室内で方向変換させ、往
路と復路を設ける事により、従来のインライン量産型真
空装置が、供給装置、仕込室、処理室、取り出し室、排
出装置、リターン搬送装置の７つのユニットから構成さ
れているのに対し、本発明による装置は供給装置１６
と、真空室である前室１７と処理室１８のみの３ユニッ
トで構成することができる。これにより従来機と同等の
性能を維持しながら、低価格、省スペース化を実現する
事が出来た。
化 【構成】材料の搬送経路を真空室内で方向変換させ、往
路と復路を設ける事により、従来のインライン量産型真
空装置が、供給装置、仕込室、処理室、取り出し室、排
出装置、リターン搬送装置の７つのユニットから構成さ
れているのに対し、本発明による装置は供給装置１６
と、真空室である前室１７と処理室１８のみの３ユニッ
トで構成することができる。これにより従来機と同等の
性能を維持しながら、低価格、省スペース化を実現する
事が出来た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、量産を行う真空装置の
構成方法及び、材料の搬送形態に関する。
構成方法及び、材料の搬送形態に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の方式を図１に示し、以下その説明
をする。量産型の主流であるインライン型真空装置に於
いて、従来は図１の様に供給装置１、仕込室２、処理室
３、取り出し室４、排出装置５により構成され、その間
は仕切弁により仕切られていて必要に応じ開閉する。更
に排出装置５から供給装置１を連結するコンベア状のリ
ターン搬送装置６を付加して人手による材料交換を供給
装置１で行う方法が一般的である。仕込室２、処理室
３、取り出し室４は真空室である。
をする。量産型の主流であるインライン型真空装置に於
いて、従来は図１の様に供給装置１、仕込室２、処理室
３、取り出し室４、排出装置５により構成され、その間
は仕切弁により仕切られていて必要に応じ開閉する。更
に排出装置５から供給装置１を連結するコンベア状のリ
ターン搬送装置６を付加して人手による材料交換を供給
装置１で行う方法が一般的である。仕込室２、処理室
３、取り出し室４は真空室である。
【０００３】供給装置１は加工済み材料を取り外し、未
加工材料を取り付けるポジションである。材料は人手に
より、そのままの状態で供給装置１に複数個ストックさ
れる。場合により材料を１個叉は複数個治具に取り付け
てストックする事もある。
加工材料を取り付けるポジションである。材料は人手に
より、そのままの状態で供給装置１に複数個ストックさ
れる。場合により材料を１個叉は複数個治具に取り付け
てストックする事もある。
【０００４】材料は自動で大気状態の仕込室２に搬送さ
れ、仕切弁７を閉じた後、真空に排気され、必要に応じ
て加熱される。その後予め真空状態になっている処理室
３に搬送される。
れ、仕切弁７を閉じた後、真空に排気され、必要に応じ
て加熱される。その後予め真空状態になっている処理室
３に搬送される。
【０００５】処理室３では必要に応じ待機ポジション１
３が設けられそこで成膜源１１（蒸着、スパッタ等）の
安定を待ち、成膜源１１の前を通過しながら成膜が行わ
れる。成膜を多層に行う場合は成膜源が複数個用意さ
れ、この動作を繰り返す事となる。図１は２層成膜を行
う装置を示す。
３が設けられそこで成膜源１１（蒸着、スパッタ等）の
安定を待ち、成膜源１１の前を通過しながら成膜が行わ
れる。成膜を多層に行う場合は成膜源が複数個用意さ
れ、この動作を繰り返す事となる。図１は２層成膜を行
う装置を示す。
【０００６】材料は成膜後に、仕切弁９を通り、取り出
し室４に搬送される。その後取り出し室４が大気圧に戻
され排出装置５に送られ、リターン搬送装置６を経て供
給装置１に戻る。場合によりリターン排出装置６が省略
され、排出装置５で材料を取り外す事もある。
し室４に搬送される。その後取り出し室４が大気圧に戻
され排出装置５に送られ、リターン搬送装置６を経て供
給装置１に戻る。場合によりリターン排出装置６が省略
され、排出装置５で材料を取り外す事もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図１の従来技術では一
般的に各ユニットが一直線上に配置され、装置の全長Ｌ
は、供給装置、仕込室、処理室の待機位置、同成膜送り
距離、取り出し室、排出装置及び、仕切弁の合計とな
る。
般的に各ユニットが一直線上に配置され、装置の全長Ｌ
は、供給装置、仕込室、処理室の待機位置、同成膜送り
距離、取り出し室、排出装置及び、仕切弁の合計とな
る。
【０００８】供給装置、仕込室、処理室の待機位置、同
成膜送り距離、取り出し室、排出装置は、それぞれ、材
料の前後に必要な余裕を付加した長さＡが必要であり、
更に仕切弁の厚さをＴとすると、全長Ｌ＝（Ａ×９）＋
（Ｔ×４）となり、材料の寸法と比較して大きな設置面
積が必要である。また、成膜が３層以上となる場合は１
層ごとにＡ×２の長さが全長に加算される事となる。
成膜送り距離、取り出し室、排出装置は、それぞれ、材
料の前後に必要な余裕を付加した長さＡが必要であり、
更に仕切弁の厚さをＴとすると、全長Ｌ＝（Ａ×９）＋
（Ｔ×４）となり、材料の寸法と比較して大きな設置面
積が必要である。また、成膜が３層以上となる場合は１
層ごとにＡ×２の長さが全長に加算される事となる。
【０００９】更に、仕込室２、取り出し室４は、常時真
空状態を保たなければならない処理室３に、材料の出し
入れを行うための真空室であるので、大気状態と真空状
態を材料の出し入れの都度繰り返す事となる。仕込室２
と取り出し室４は、このタイミングが一般的には違うた
め、別々の排気装置が必要であり、真空ポンプ等の高価
な部品が処理室３を含めると３系統必要となっている。
空状態を保たなければならない処理室３に、材料の出し
入れを行うための真空室であるので、大気状態と真空状
態を材料の出し入れの都度繰り返す事となる。仕込室２
と取り出し室４は、このタイミングが一般的には違うた
め、別々の排気装置が必要であり、真空ポンプ等の高価
な部品が処理室３を含めると３系統必要となっている。
【００１０】
【問題を解決するための手段】従来の図１に示す一直線
上の配置を、図２に示すように成膜源を縦に二列配置し
材料の搬送方向を処理室１８内においてＵターンさせ
た。これにより図１に示す従来の仕込室２と取り出し室
４を図２に示すように１体化（前室１７と称する）する
事が可能となり、更に図１の供給装置１と排出装置５を
１体化し、リターン搬送装置６を廃止した。
上の配置を、図２に示すように成膜源を縦に二列配置し
材料の搬送方向を処理室１８内においてＵターンさせ
た。これにより図１に示す従来の仕込室２と取り出し室
４を図２に示すように１体化（前室１７と称する）する
事が可能となり、更に図１の供給装置１と排出装置５を
１体化し、リターン搬送装置６を廃止した。
【００１１】前室内待機位置２４から処理室内待機位置
２５に未加工材料を搬送すると同時に、加工済み材料を
処理室内待機位置２８から前室内待機位置２９に搬送す
るというチェンジ方式を採用しタクトタイムの低減を行
っている。供給装置１６と前室１７の間の搬送に付いて
も同様の工夫を施した。
２５に未加工材料を搬送すると同時に、加工済み材料を
処理室内待機位置２８から前室内待機位置２９に搬送す
るというチェンジ方式を採用しタクトタイムの低減を行
っている。供給装置１６と前室１７の間の搬送に付いて
も同様の工夫を施した。
【００１２】
【作用】供給装置と排出装置の１体化、リターン搬送装
置の廃止、真空室を従来の３室構造（仕込室、処理室、
取り出し室）から２室構造（前室、取り出し室）に削減
等の効果で、排気装置を含めた装置製作費用を大きく低
減できた。
置の廃止、真空室を従来の３室構造（仕込室、処理室、
取り出し室）から２室構造（前室、取り出し室）に削減
等の効果で、排気装置を含めた装置製作費用を大きく低
減できた。
【００１３】図１に示す従来の装置全長Ｌ＝（Ａ×９）
＋（Ｔ×４）であるが、本発明による装置は図２に示す
ように装置全長Ｌ＝（Ａ×５）＋（Ｔ×２）であり、設
置面積の大幅な削減が出来た。特に本装置を使用するク
リーンルーム内では設置面積の削減が強く要望されてお
り、本方式は有効な手段である。
＋（Ｔ×４）であるが、本発明による装置は図２に示す
ように装置全長Ｌ＝（Ａ×５）＋（Ｔ×２）であり、設
置面積の大幅な削減が出来た。特に本装置を使用するク
リーンルーム内では設置面積の削減が強く要望されてお
り、本方式は有効な手段である。
【００１４】
【実施例】図２に示す装置は垂直搬送であるが、水平搬
送する装置に於いても、図に示す装置を倒したような構
成にすれば適応する事が出来る。
送する装置に於いても、図に示す装置を倒したような構
成にすれば適応する事が出来る。
【００１５】成膜加工が片側の場合等は図３のように同
一平面内で方向転換を行う事により更に装置の小型化が
可能である。
一平面内で方向転換を行う事により更に装置の小型化が
可能である。
【００１６】２層以上の多層膜を形成する場合は、図４
に示すように成膜源を縦または、横に増やす事により対
応できる。このときの全長の増加は２層増に付きＡ×２
となる。
に示すように成膜源を縦または、横に増やす事により対
応できる。このときの全長の増加は２層増に付きＡ×２
となる。
【００１７】本発明は成膜の他にエッチング等にも適応
できる。
できる。
【００１８】
【発明の効果】従来の量産型インライン真空装置と比較
して、性能の低下を伴わずに価格と設置面積を大幅に低
減できた事で、本装置の購入者、使用者にとって一定予
算での購入台数の増加、クリーンルームの省スペース化
等のメリットがある。
して、性能の低下を伴わずに価格と設置面積を大幅に低
減できた事で、本装置の購入者、使用者にとって一定予
算での購入台数の増加、クリーンルームの省スペース化
等のメリットがある。
【００１９】
【図１】従来の装置構成の平面図と側面図
【図２】本発明の装置構成の平面図と側面図
【図３】本発明の実施例であり、方向転換を同一平面で
行う装置の平面図と側面図
行う装置の平面図と側面図
【図４】本発明の実施例であり、成膜源を縦横に展開し
た装置の平面図と側面図
た装置の平面図と側面図
１ 供給装置 ２ 仕込室 ３ 処理室 ４ 取り出し室 ５ 排出装置 ６ リターン搬送装置 ７ 仕切弁Ａ ８ 仕切弁Ｂ ９ 仕切弁Ｃ １０ 仕切弁Ｄ １１ 成膜源Ａ １２ 成膜源Ｂ １３ 待機位置Ａ １４ 待機位置Ｂ １５ 待機位置Ｃ １６ 供給装置 １７ 前室 １８ 処理室 １９ 仕切弁Ａ ２０ 仕切弁Ｂ ２１ 成膜源Ａ ２２ 成膜源Ｂ ２３ 供給位置 ２４ 前室内待機位置Ａ ２５ 処理室内待機位置Ａ ２６ 処理室内待機位置Ｂ ２７ 処理室内待機位置Ｃ ２８ 処理室内待機位置Ｄ ２９ 前室内待機位置Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】従来のインライン量産型真空装置が、供給
装置、仕込室、処理室、取り出し室、排出装置、リター
ン搬送装置の７つのユニットから構成されているが、供
給装置と排出装置及び仕込室と取り出し室を共用化し、
リターン搬送装置を削除する事により供給装置、前室、
処理室の３ユニットで構成できる。 - 【請求項２】請求項１における、材料の搬送経路
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP963395A JPH08196894A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | 真空装置の小型、低価格化のための構成方法及び、材料の搬送形態 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP963395A JPH08196894A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | 真空装置の小型、低価格化のための構成方法及び、材料の搬送形態 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08196894A true JPH08196894A (ja) | 1996-08-06 |
Family
ID=11725649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP963395A Pending JPH08196894A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | 真空装置の小型、低価格化のための構成方法及び、材料の搬送形態 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08196894A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009050849A1 (ja) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Evatech Co., Ltd. | 基板処理装置 |
| JP2011101035A (ja) * | 2003-11-10 | 2011-05-19 | Blueshift Technologies Inc | 真空下の半導体処理システムにおいて加工中の製品を処理する方法及びシステム |
| JP2012039075A (ja) * | 2010-07-13 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
-
1995
- 1995-01-25 JP JP963395A patent/JPH08196894A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011101035A (ja) * | 2003-11-10 | 2011-05-19 | Blueshift Technologies Inc | 真空下の半導体処理システムにおいて加工中の製品を処理する方法及びシステム |
| WO2009050849A1 (ja) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Evatech Co., Ltd. | 基板処理装置 |
| JP2009105081A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-14 | Ebatekku:Kk | 基板処理装置 |
| JP2012039075A (ja) * | 2010-07-13 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
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