JPH06338465A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH06338465A JPH06338465A JP12949793A JP12949793A JPH06338465A JP H06338465 A JPH06338465 A JP H06338465A JP 12949793 A JP12949793 A JP 12949793A JP 12949793 A JP12949793 A JP 12949793A JP H06338465 A JPH06338465 A JP H06338465A
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- JP
- Japan
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- substrate
- film
- film forming
- plasma cvd
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 トレイをアンローダ側からローダ側へ返送す
るラインを不要にして、設備を簡略化したプラズマＣＶ
Ｄ装置を提供する。 【構成】 ３層の薄膜を積層するための３つの成膜チャ
ンバー２、３、４をゲート弁を介して直列に配置し、そ
の前後に真空チャンバー１、５を備えたプラズマＣＶＤ
装置において、基板を搭載して各チャンバー間を装置の
長手方向に沿って互いに反対方向に移動させる２系列の
搬送機構２１、２２を具備し、基板の移動方向に向かっ
て第１番目及び第３番目の成膜チャンバーで同一材質の
膜を成膜する。
るラインを不要にして、設備を簡略化したプラズマＣＶ
Ｄ装置を提供する。 【構成】 ３層の薄膜を積層するための３つの成膜チャ
ンバー２、３、４をゲート弁を介して直列に配置し、そ
の前後に真空チャンバー１、５を備えたプラズマＣＶＤ
装置において、基板を搭載して各チャンバー間を装置の
長手方向に沿って互いに反対方向に移動させる２系列の
搬送機構２１、２２を具備し、基板の移動方向に向かっ
て第１番目及び第３番目の成膜チャンバーで同一材質の
膜を成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置に関
し、さらに詳しくは基板の搬送手段の改良に関する。
し、さらに詳しくは基板の搬送手段の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のインライン型のプラズマＣＶＤ装
置を図２を参照して説明する。図２に示すように、真空
チャンバー１、積層する膜数（この場合３層）と同じ数
の３つの成膜チャンバー２、３、４及び真空チャンバー
５が直列に配置され、真空チャンバー１の端部、各チャ
ンバー間及び真空チャンバー５の端部にゲート弁６、
７、８、９、１０、１１が設けられている。各チャンバ
ーには数Ｔｏｒｒ以下の真空を得るために、ブロワを備
えた配管が接続されている。各チャンバーはゲート弁に
よって密閉可能になっている。成膜チャンバー２、３、
４の中央部にはヒータ１２、１３、１４が設けられてい
る。
置を図２を参照して説明する。図２に示すように、真空
チャンバー１、積層する膜数（この場合３層）と同じ数
の３つの成膜チャンバー２、３、４及び真空チャンバー
５が直列に配置され、真空チャンバー１の端部、各チャ
ンバー間及び真空チャンバー５の端部にゲート弁６、
７、８、９、１０、１１が設けられている。各チャンバ
ーには数Ｔｏｒｒ以下の真空を得るために、ブロワを備
えた配管が接続されている。各チャンバーはゲート弁に
よって密閉可能になっている。成膜チャンバー２、３、
４の中央部にはヒータ１２、１３、１４が設けられてい
る。
【０００３】従来のプラズマＣＶＤ装置においては、基
板が成膜チャンバー２、３、４の中央に設けられたヒー
タの両側にセットされるように、２系列の基板の搬送機
構１５、１６が設けられている。そして、トレイ方式、
トレイレス方式のいずれでも、基板は２系列の搬送機構
１５、１６上で真空チャンバー１側から真空チャンバー
５側へ向かう同一方向に搬送されている。
板が成膜チャンバー２、３、４の中央に設けられたヒー
タの両側にセットされるように、２系列の基板の搬送機
構１５、１６が設けられている。そして、トレイ方式、
トレイレス方式のいずれでも、基板は２系列の搬送機構
１５、１６上で真空チャンバー１側から真空チャンバー
５側へ向かう同一方向に搬送されている。
【０００４】図２を参照して、基板上に第１層の薄膜と
してＳｉＮx 膜、第２層の薄膜としてａ−Ｓｉ膜、第３
層の薄膜としてＳｉＮx 膜を成膜する場合の操作を以下
に説明する。
してＳｉＮx 膜、第２層の薄膜としてａ−Ｓｉ膜、第３
層の薄膜としてＳｉＮx 膜を成膜する場合の操作を以下
に説明する。
【０００５】ローダでトレイ又は搬送用台車に基板をセ
ットする。トレイ又は台車上の基板を、ゲート弁６を通
して真空チャンバー１に搬入する。基板を搬入した後、
真空チャンバー１を数Ｔｏｒｒ以下の高真空にする。
ットする。トレイ又は台車上の基板を、ゲート弁６を通
して真空チャンバー１に搬入する。基板を搬入した後、
真空チャンバー１を数Ｔｏｒｒ以下の高真空にする。
【０００６】真空チャンバー１が高真空になった後、基
板をゲート弁７を通して成膜チャンバー２に搬入し、成
膜チャンバー２を数Ｔｏｒｒ以下の高真空にする。成膜
チャンバー２内で、基板をヒータ１２により加熱した
後、反応ガスを供給してＳｉＮx 膜を成膜する。
板をゲート弁７を通して成膜チャンバー２に搬入し、成
膜チャンバー２を数Ｔｏｒｒ以下の高真空にする。成膜
チャンバー２内で、基板をヒータ１２により加熱した
後、反応ガスを供給してＳｉＮx 膜を成膜する。
【０００７】ＳｉＮx 膜を成膜した後、基板をゲート弁
８を通して成膜チャンバー３に搬入し、成膜チャンバー
３を数Ｔｏｒｒ以下の高真空にする。成膜チャンバー３
内で、基板をヒータ１３により加熱した後、反応ガスを
供給してａ−Ｓｉ膜を成膜する。
８を通して成膜チャンバー３に搬入し、成膜チャンバー
３を数Ｔｏｒｒ以下の高真空にする。成膜チャンバー３
内で、基板をヒータ１３により加熱した後、反応ガスを
供給してａ−Ｓｉ膜を成膜する。
【０００８】ａ−Ｓｉ膜を成膜した後、基板をゲート弁
９を通して成膜チャンバー４に搬入し、成膜チャンバー
４を数Ｔｏｒｒ以下の高真空にする。成膜チャンバー４
内で、基板をヒータ１４により加熱した後、反応ガスを
供給してＳｉＮx 膜を成膜する。
９を通して成膜チャンバー４に搬入し、成膜チャンバー
４を数Ｔｏｒｒ以下の高真空にする。成膜チャンバー４
内で、基板をヒータ１４により加熱した後、反応ガスを
供給してＳｉＮx 膜を成膜する。
【０００９】ＳｉＮx 膜を成膜した後、基板をゲート弁
１０を通して真空チャンバー５に搬入する。真空チャン
バー５内で圧力を大気圧に開放した後、基板をゲート弁
１１を通してアンローダ側に取り出す。
１０を通して真空チャンバー５に搬入する。真空チャン
バー５内で圧力を大気圧に開放した後、基板をゲート弁
１１を通してアンローダ側に取り出す。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】トレイレス方式では、
ガラス基板を各チャンバー間で受け渡しするため、搬送
機構が複雑となり、基板が傷つきやすくなるという問題
がある。この点を考慮すれば、トレイ方式の方が有利で
あると考えられる。
ガラス基板を各チャンバー間で受け渡しするため、搬送
機構が複雑となり、基板が傷つきやすくなるという問題
がある。この点を考慮すれば、トレイ方式の方が有利で
あると考えられる。
【００１１】しかし、前述した従来のプラズマＣＶＤ装
置では、基板を搬送機構１５、１６により一方向に順次
送っているため、トレイ方式でも問題がある。すなわ
ち、トレイ方式では、アンローダ側にトレイがたまるた
め、アンローダ側よりローダ側へトレイを返送するため
に、図示しないラインを設ける必要がある。
置では、基板を搬送機構１５、１６により一方向に順次
送っているため、トレイ方式でも問題がある。すなわ
ち、トレイ方式では、アンローダ側にトレイがたまるた
め、アンローダ側よりローダ側へトレイを返送するため
に、図示しないラインを設ける必要がある。
【００１２】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたものであり、アンローダ側からローダ側へトレイ
を返送するためのラインを設ける必要のないプラズマＣ
ＶＤ装置を提供することを目的とする。
されたものであり、アンローダ側からローダ側へトレイ
を返送するためのラインを設ける必要のないプラズマＣ
ＶＤ装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
装置は、積層する膜数と同じ数の成膜チャンバーをゲー
ト弁を介して直列に配置し、その前後に真空チャンバー
を備えたプラズマＣＶＤ装置において、基板を搭載して
各チャンバー間を装置の長手方向に沿って互いに反対方
向に移動させる２系列の搬送機構を具備したことを特徴
とするものである。
装置は、積層する膜数と同じ数の成膜チャンバーをゲー
ト弁を介して直列に配置し、その前後に真空チャンバー
を備えたプラズマＣＶＤ装置において、基板を搭載して
各チャンバー間を装置の長手方向に沿って互いに反対方
向に移動させる２系列の搬送機構を具備したことを特徴
とするものである。
【００１４】本発明のプラズマＣＶＤ装置は、基板上に
３層の薄膜を積層するために３つの成膜チャンバーを有
し、基板の移動方向に向かって第１番目及び第３番目の
成膜チャンバーで同一材質の膜を成膜するような場合に
特に有効である。
３層の薄膜を積層するために３つの成膜チャンバーを有
し、基板の移動方向に向かって第１番目及び第３番目の
成膜チャンバーで同一材質の膜を成膜するような場合に
特に有効である。
【００１５】また、本発明のプラズマＣＶＤ装置では、
成膜チャンバーの中央に設けられたヒータと、このヒー
タと２系列の搬送機構によって搬送される基板との間の
距離を調整する距離調整手段とを設けることが好まし
い。
成膜チャンバーの中央に設けられたヒータと、このヒー
タと２系列の搬送機構によって搬送される基板との間の
距離を調整する距離調整手段とを設けることが好まし
い。
【００１６】
【作用】本発明のプラズマＣＶＤ装置を用い、基板上に
第１層の薄膜としてＳｉＮx 膜、第２層の薄膜としてａ
−Ｓｉ膜、第３層の薄膜としてＳｉＮx 膜を積層する場
合を考える。この場合、第１層及び第３層の薄膜はとも
にＳｉＮx 膜であり、成膜に要する反応ガスは同じもの
である。このため、２系列の搬送機構を用いて基板を積
載したトレイを互いに反対方向に搬送するようにすれ
ば、ある方向に移動する基板の第１層とこれと逆方向に
移動する基板の第３層とを、同じチャンバーで成膜でき
る。そして、一方向に移動する基板の成膜が終了したト
レイを、逆方向へ移動する基板の成膜に使用するように
し、トレイを循環させて使用することができる。したが
って、従来のようにトレイの返送ラインを設ける必要が
なくなる。
第１層の薄膜としてＳｉＮx 膜、第２層の薄膜としてａ
−Ｓｉ膜、第３層の薄膜としてＳｉＮx 膜を積層する場
合を考える。この場合、第１層及び第３層の薄膜はとも
にＳｉＮx 膜であり、成膜に要する反応ガスは同じもの
である。このため、２系列の搬送機構を用いて基板を積
載したトレイを互いに反対方向に搬送するようにすれ
ば、ある方向に移動する基板の第１層とこれと逆方向に
移動する基板の第３層とを、同じチャンバーで成膜でき
る。そして、一方向に移動する基板の成膜が終了したト
レイを、逆方向へ移動する基板の成膜に使用するように
し、トレイを循環させて使用することができる。したが
って、従来のようにトレイの返送ラインを設ける必要が
なくなる。
【００１７】なお、第１層のＳｉＮx 膜の成膜時と第３
層のＳｉＮx 膜の成膜時とでは、一般に成膜温度が異な
る。これに対しては、基板とヒータとの間を距離を調整
する距離調整手段を設けることにより、成膜温度を調整
することができる。
層のＳｉＮx 膜の成膜時とでは、一般に成膜温度が異な
る。これに対しては、基板とヒータとの間を距離を調整
する距離調整手段を設けることにより、成膜温度を調整
することができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を参照して説明
する。図１に示すように、真空チャンバー１、積層する
膜数（この場合３層）と同じ数の３つの成膜チャンバー
２、３、４及び真空チャンバー５が直列に配置され、真
空チャンバー１の端部、各チャンバー間及び真空チャン
バー５の端部にゲート弁６、７、８、９、１０、１１が
設けられている。各チャンバーには数Ｔｏｒｒ以下の真
空を得るために、ブロワを備えた配管が接続されてい
る。各チャンバーはゲート弁によって密閉可能になって
いる。成膜チャンバー２、３、４の中央部にはヒータ１
２、１３、１４が設けられている。また、基板をヒータ
の加熱面に設置する基板持ち上げ手段に、ヒータと基板
との距離を調整する距離調整手段が追加されている。
する。図１に示すように、真空チャンバー１、積層する
膜数（この場合３層）と同じ数の３つの成膜チャンバー
２、３、４及び真空チャンバー５が直列に配置され、真
空チャンバー１の端部、各チャンバー間及び真空チャン
バー５の端部にゲート弁６、７、８、９、１０、１１が
設けられている。各チャンバーには数Ｔｏｒｒ以下の真
空を得るために、ブロワを備えた配管が接続されてい
る。各チャンバーはゲート弁によって密閉可能になって
いる。成膜チャンバー２、３、４の中央部にはヒータ１
２、１３、１４が設けられている。また、基板をヒータ
の加熱面に設置する基板持ち上げ手段に、ヒータと基板
との距離を調整する距離調整手段が追加されている。
【００１９】このプラズマＣＶＤ装置においては、基板
が成膜チャンバー２、３、４の中央に設けられたヒータ
の両側にセットされるように、２系列の搬送機構２１、
２２が設けられている。そして、搬送機構２１上では基
板を積載したトレイは真空チャンバー１側から真空チャ
ンバー５側へ向かう方向に搬送され、搬送機構２２上で
は基板を積載したトレイは真空チャンバー５側から真空
チャンバー１側へ向かう方向に搬送される。
が成膜チャンバー２、３、４の中央に設けられたヒータ
の両側にセットされるように、２系列の搬送機構２１、
２２が設けられている。そして、搬送機構２１上では基
板を積載したトレイは真空チャンバー１側から真空チャ
ンバー５側へ向かう方向に搬送され、搬送機構２２上で
は基板を積載したトレイは真空チャンバー５側から真空
チャンバー１側へ向かう方向に搬送される。
【００２０】図１を参照して、基板上に第１層の薄膜と
してＳｉＮx 膜、第２層の薄膜としてａ−Ｓｉ膜、第３
層の薄膜としてＳｉＮx 膜を成膜する場合の操作を以下
に説明する。なお、以下の説明では、搬送機構２１上を
移動する基板をＡ、搬送機構２２上を移動する基板をＢ
とする。
してＳｉＮx 膜、第２層の薄膜としてａ−Ｓｉ膜、第３
層の薄膜としてＳｉＮx 膜を成膜する場合の操作を以下
に説明する。なお、以下の説明では、搬送機構２１上を
移動する基板をＡ、搬送機構２２上を移動する基板をＢ
とする。
【００２１】基板Ａを積載したトレイをゲート弁６を通
して真空チャンバー１に搬入し、基板Ｂを積載したトレ
イをゲート弁１１を通して真空チャンバー５に搬入す
る。基板Ａ、Ｂを搬入した後、真空チャンバー１、５を
数Ｔｏｒｒ以下の高真空にする。
して真空チャンバー１に搬入し、基板Ｂを積載したトレ
イをゲート弁１１を通して真空チャンバー５に搬入す
る。基板Ａ、Ｂを搬入した後、真空チャンバー１、５を
数Ｔｏｒｒ以下の高真空にする。
【００２２】基板Ａを積載したトレイを搬送機構２１に
より、ゲート弁７を通して成膜チャンバー２に搬入して
ＳｉＮx 膜を成膜し、ゲート弁８を通して成膜チャンバ
ー３に搬入してａ−Ｓｉ膜を成膜し、ゲート弁９を通し
て成膜チャンバー４に搬入してＳｉＮx 膜を成膜する。
その後、基板Ａを積載したトレイをゲート弁１０を通し
て真空チャンバー５に搬入し、真空チャンバー５内で圧
力を大気圧に開放した後、ゲート弁１１を通して系外へ
搬出する。
より、ゲート弁７を通して成膜チャンバー２に搬入して
ＳｉＮx 膜を成膜し、ゲート弁８を通して成膜チャンバ
ー３に搬入してａ−Ｓｉ膜を成膜し、ゲート弁９を通し
て成膜チャンバー４に搬入してＳｉＮx 膜を成膜する。
その後、基板Ａを積載したトレイをゲート弁１０を通し
て真空チャンバー５に搬入し、真空チャンバー５内で圧
力を大気圧に開放した後、ゲート弁１１を通して系外へ
搬出する。
【００２３】基板Ｂを搬送機構２２により、ゲート弁１
０を通して成膜チャンバー４に搬入してＳｉＮx 膜を成
膜し、ゲート弁９を通して成膜チャンバー３に搬入して
ａ−Ｓｉ膜を成膜し、ゲート弁８を通して成膜チャンバ
ー２に搬入してＳｉＮx 膜を成膜する。その後、基板Ｂ
を積載したトレイをゲート弁７を通して真空チャンバー
１に搬入し、真空チャンバー１内で圧力を大気圧に開放
した後、ゲート弁６を通して系外へ搬出する。
０を通して成膜チャンバー４に搬入してＳｉＮx 膜を成
膜し、ゲート弁９を通して成膜チャンバー３に搬入して
ａ−Ｓｉ膜を成膜し、ゲート弁８を通して成膜チャンバ
ー２に搬入してＳｉＮx 膜を成膜する。その後、基板Ｂ
を積載したトレイをゲート弁７を通して真空チャンバー
１に搬入し、真空チャンバー１内で圧力を大気圧に開放
した後、ゲート弁６を通して系外へ搬出する。
【００２４】この際、搬送機構２１、２２による基板
Ａ、Ｂの搬送速度を同一に設定することにより、成膜チ
ャンバー２では基板Ａの第１層のＳｉＮx 膜及び基板Ｂ
の第３層のＳｉＮx 膜、成膜チャンバー３では基板Ａ及
びＢともに第２層のａ−Ｓｉ膜、成膜チャンバー４では
基板Ａの第３層のＳｉＮx 膜及び基板Ｂの第１層のＳｉ
Ｎx 膜を、それぞれ同時に成膜できる。また、ヒータと
基板との距離を調整することにより、第１層のＳｉＮx
膜と第３層のＳｉＮx 膜との成膜温度に差をつけること
ができる。
Ａ、Ｂの搬送速度を同一に設定することにより、成膜チ
ャンバー２では基板Ａの第１層のＳｉＮx 膜及び基板Ｂ
の第３層のＳｉＮx 膜、成膜チャンバー３では基板Ａ及
びＢともに第２層のａ−Ｓｉ膜、成膜チャンバー４では
基板Ａの第３層のＳｉＮx 膜及び基板Ｂの第１層のＳｉ
Ｎx 膜を、それぞれ同時に成膜できる。また、ヒータと
基板との距離を調整することにより、第１層のＳｉＮx
膜と第３層のＳｉＮx 膜との成膜温度に差をつけること
ができる。
【００２５】以上のようにして、搬送機構２１上を搬送
されて基板Ａの成膜に用いられたトレイは搬送機構２２
のラインへ移され、基板Ｂの成膜に用いられる。一方、
搬送機構２２上を搬送されて基板Ｂの成膜に用いられた
トレイは搬送機構２１のラインへ移され、基板Ａの成膜
に用いられる。
されて基板Ａの成膜に用いられたトレイは搬送機構２２
のラインへ移され、基板Ｂの成膜に用いられる。一方、
搬送機構２２上を搬送されて基板Ｂの成膜に用いられた
トレイは搬送機構２１のラインへ移され、基板Ａの成膜
に用いられる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明のプラズマＣ
ＶＤ装置では、従来の装置と異なり、トレイをアンロー
ダ側からローダ側へ返送するラインが不要になり、設備
を簡略化できる。
ＶＤ装置では、従来の装置と異なり、トレイをアンロー
ダ側からローダ側へ返送するラインが不要になり、設備
を簡略化できる。
【図１】本発明の一実施例におけるプラズマＣＶＤ装置
の構成図。
の構成図。
【図２】従来のプラズマＣＶＤ装置の構成図。
１、５…真空チャンバー、２、３、４…成膜チャンバ
ー、６、７、８、９、１０…ゲート弁、１２、１３、１
４…ヒータ、２１、２２…搬送機構。
ー、６、７、８、９、１０…ゲート弁、１２、１３、１
４…ヒータ、２１、２２…搬送機構。
Claims (3)
- 【請求項１】 積層する膜数と同じ数の成膜チャンバー
をゲート弁を介して直列に配置し、その前後に真空チャ
ンバーを備えたプラズマＣＶＤ装置において、基板を搭
載して各チャンバー間を装置の長手方向に沿って互いに
反対方向に移動させる２系列の搬送機構を具備したこと
を特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 ３つの成膜チャンバーを有し、基板の移
動方向に向かって第１番目及び第３番目の成膜チャンバ
ーが同一材質の膜を成膜するものであることを特徴とす
る請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 成膜チャンバーの中央に設けられたヒー
タと、該ヒータと２系列の搬送機構によって搬送される
基板との間の距離を調整する距離調整手段とを具備した
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12949793A JPH06338465A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12949793A JPH06338465A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338465A true JPH06338465A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=15010949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12949793A Withdrawn JPH06338465A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338465A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998021748A1 (fr) * | 1996-11-14 | 1998-05-22 | Tokyo Electron Limited | Dispositif a semi-conducteur et son procede de fabrication |
| KR100685810B1 (ko) * | 2005-01-20 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 제조 장치 |
| JP2009272034A (ja) * | 2009-08-17 | 2009-11-19 | Canon Anelva Corp | 情報記録ディスク用成膜装置、及び、情報記録ディスクの製造方法 |
| JP2011525712A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-09-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理システム及び処理システムを運転する方法 |
| JPWO2011148633A1 (ja) * | 2010-05-27 | 2013-07-25 | 株式会社アルバック | トラバース装置及び基板処理装置 |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP12949793A patent/JPH06338465A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998021748A1 (fr) * | 1996-11-14 | 1998-05-22 | Tokyo Electron Limited | Dispositif a semi-conducteur et son procede de fabrication |
| US6218299B1 (en) | 1996-11-14 | 2001-04-17 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device and method for producing the same |
| KR100685810B1 (ko) * | 2005-01-20 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 제조 장치 |
| JP2011525712A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-09-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理システム及び処理システムを運転する方法 |
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| JPWO2011148633A1 (ja) * | 2010-05-27 | 2013-07-25 | 株式会社アルバック | トラバース装置及び基板処理装置 |
| JP5463417B2 (ja) * | 2010-05-27 | 2014-04-09 | 株式会社アルバック | トラバース装置及び基板処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000801 |