JP2605859Y2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JP2605859Y2 JP2605859Y2 JP1993013290U JP1329093U JP2605859Y2 JP 2605859 Y2 JP2605859 Y2 JP 2605859Y2 JP 1993013290 U JP1993013290 U JP 1993013290U JP 1329093 U JP1329093 U JP 1329093U JP 2605859 Y2 JP2605859 Y2 JP 2605859Y2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、加熱した基板の表面に
気化或は霧化した原料を当てて、基板上に薄膜を形成す
る装置に関する。
気化或は霧化した原料を当てて、基板上に薄膜を形成す
る装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種従来の薄膜形成装置の例を、図４
に示す。この装置では、メッシュベルトコンベア１５に
乗って、薄膜を形成する基板ａが図において左から右へ
と矢印で示す方向に順次搬送される。このメッシュベル
トコンベア１５による基板ａの搬送経路上に、成膜室２
が形成されており、この成膜室２には、そこを通過する
基板ａを下から加熱するためのヒーター２３、２３…が
設けられている。さらに、メッシュベルトコンベア１５
の上には、成膜室２の外部に設けた原料供給源（図示せ
ず）から成膜室２内の基板ａの成膜面（図４において上
面）に向けて気体或は霧状の原料を供給するための原料
供給ダクト２０と、成膜室２から原料を排気するための
排気ダクト２２、２２が設けられている。
に示す。この装置では、メッシュベルトコンベア１５に
乗って、薄膜を形成する基板ａが図において左から右へ
と矢印で示す方向に順次搬送される。このメッシュベル
トコンベア１５による基板ａの搬送経路上に、成膜室２
が形成されており、この成膜室２には、そこを通過する
基板ａを下から加熱するためのヒーター２３、２３…が
設けられている。さらに、メッシュベルトコンベア１５
の上には、成膜室２の外部に設けた原料供給源（図示せ
ず）から成膜室２内の基板ａの成膜面（図４において上
面）に向けて気体或は霧状の原料を供給するための原料
供給ダクト２０と、成膜室２から原料を排気するための
排気ダクト２２、２２が設けられている。
【０００３】この薄膜形成装置では、メッシュベルトコ
ンベア１５に乗って搬送される基板ａが成膜室２に導入
されると、その下に設けられたヒーター２３で加熱され
る。この基板ａは、原料供給ダクト２０の先端の真下に
達するまでに成膜に必要な所定の温度にまで加熱され
る。そして、原料供給ダクト２０の先端から同基板ａの
成膜面に原料が当てられると、例えば、基板ａの保有す
る熱により原料が分解し、さらに分解した原料が空気中
の酸素等と反応し、基板ａの成膜面上に酸化物等の薄膜
が形成される。その後、基板ａの温度が次第に下げら
れ、薄膜形成装置から基板ａが排出される。なお、図４
の装置では、原料を上側から基板ａの吹き当てるもので
あるが、霧状或はガス状の原料を緩やかに基板ａの下側
から流して基板ａの下面側に薄膜を形成する装置も知ら
れている。
ンベア１５に乗って搬送される基板ａが成膜室２に導入
されると、その下に設けられたヒーター２３で加熱され
る。この基板ａは、原料供給ダクト２０の先端の真下に
達するまでに成膜に必要な所定の温度にまで加熱され
る。そして、原料供給ダクト２０の先端から同基板ａの
成膜面に原料が当てられると、例えば、基板ａの保有す
る熱により原料が分解し、さらに分解した原料が空気中
の酸素等と反応し、基板ａの成膜面上に酸化物等の薄膜
が形成される。その後、基板ａの温度が次第に下げら
れ、薄膜形成装置から基板ａが排出される。なお、図４
の装置では、原料を上側から基板ａの吹き当てるもので
あるが、霧状或はガス状の原料を緩やかに基板ａの下側
から流して基板ａの下面側に薄膜を形成する装置も知ら
れている。
【０００４】
【考案が解決しようとしている課題】しかしながら、前
記従来の薄膜形成装置は、次のような問題点を有してい
た。第一に、霧状またはガス状の原料を上から基板ａに
吹き付ける場合、原料は基板ａに当った後、成膜室２内
の対流により直ちに上昇し、基板ａの成膜面から離れて
しまうため、原料が基板ａの表面に接触して成膜する率
が低く、薄膜の収率が悪い。また、成膜室２の壁面等で
の膜材料の堆積が起こりやすい。このため、成膜室２か
ら膜材料が剥がれて、基板ａの成膜面に付着しやすく、
これにより薄膜にピンホールが生じ易い。
記従来の薄膜形成装置は、次のような問題点を有してい
た。第一に、霧状またはガス状の原料を上から基板ａに
吹き付ける場合、原料は基板ａに当った後、成膜室２内
の対流により直ちに上昇し、基板ａの成膜面から離れて
しまうため、原料が基板ａの表面に接触して成膜する率
が低く、薄膜の収率が悪い。また、成膜室２の壁面等で
の膜材料の堆積が起こりやすい。このため、成膜室２か
ら膜材料が剥がれて、基板ａの成膜面に付着しやすく、
これにより薄膜にピンホールが生じ易い。
【０００５】他方、霧状またはガス状の原料を基板ａの
下から供給する場合は、原料が成膜室２内に停滞しやす
く、原料の使用量に対する薄膜の収率はよいが、やはり
成膜室２の壁面等での膜材料の堆積が起こりやすいた
め、成膜室２から膜材料が剥がれて、基板ａの成膜面に
付着し、薄膜にピンホールが生じ易い。
下から供給する場合は、原料が成膜室２内に停滞しやす
く、原料の使用量に対する薄膜の収率はよいが、やはり
成膜室２の壁面等での膜材料の堆積が起こりやすいた
め、成膜室２から膜材料が剥がれて、基板ａの成膜面に
付着し、薄膜にピンホールが生じ易い。
【０００６】第二に、原料を基板ａの上から当てる場合
と、下から当てる場合とでは、重力や対流等の影響か
ら、原料が基板ａの表面に当たる状態が全く異なる。こ
のため、基板ａの上下から同時にほぼ同質の薄膜を形成
することはできない。そこで、基板ａの両面に薄膜を形
成する場合は、片面毎に成膜する必要があり、能率が悪
かった。第三に、基板ａを搬送する距離を或る程度長く
とらなければならないため、装置全体の床占有面積が広
いという問題があった。
と、下から当てる場合とでは、重力や対流等の影響か
ら、原料が基板ａの表面に当たる状態が全く異なる。こ
のため、基板ａの上下から同時にほぼ同質の薄膜を形成
することはできない。そこで、基板ａの両面に薄膜を形
成する場合は、片面毎に成膜する必要があり、能率が悪
かった。第三に、基板ａを搬送する距離を或る程度長く
とらなければならないため、装置全体の床占有面積が広
いという問題があった。
【０００７】本考案は、前記従来の薄膜形成装置の課題
に鑑み、原料に対する薄膜の収率を高くすることができ
ると共に、ピンホール等の欠陥が少ない薄膜を形成する
ことができ、基板の両面に同時に同質の薄膜を形成する
ことも可能であり、しかも装置全体の床設置面積が狭く
て済む薄膜形成装置を提供することを目的とする。
に鑑み、原料に対する薄膜の収率を高くすることができ
ると共に、ピンホール等の欠陥が少ない薄膜を形成する
ことができ、基板の両面に同時に同質の薄膜を形成する
ことも可能であり、しかも装置全体の床設置面積が狭く
て済む薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本考案では、
前記の目的を達成するため、薄膜を形成する基板ａを搬
送する基板搬送路４と、該基板搬送路４により搬送され
る基板ａの表面側に形成された成膜室２と、前記基板搬
送路４に沿って成膜室２を通過する基板ａを加熱するヒ
ーター１３、２３、３３と、成膜室２内に霧状またはガ
ス状の薄膜の原料を導入する導入口２７と、成膜室２内
から原料を排出する排出口２９とを有する薄膜形成装置
において、前記原料の導入口２７と排出口２９とを成膜
室２の上下に開口し、同成膜室２内に、基板ａの成膜面
を上下方向に立て、同基板ａを上下方向に搬送する基板
搬送路４を設けたことを特徴とする薄膜形成装置を提供
する。この場合において、基板搬送路４により搬送され
る基板ａの両側に原料の導入口２７と排出口２９とを有
する成膜室２を設けるとよい。
前記の目的を達成するため、薄膜を形成する基板ａを搬
送する基板搬送路４と、該基板搬送路４により搬送され
る基板ａの表面側に形成された成膜室２と、前記基板搬
送路４に沿って成膜室２を通過する基板ａを加熱するヒ
ーター１３、２３、３３と、成膜室２内に霧状またはガ
ス状の薄膜の原料を導入する導入口２７と、成膜室２内
から原料を排出する排出口２９とを有する薄膜形成装置
において、前記原料の導入口２７と排出口２９とを成膜
室２の上下に開口し、同成膜室２内に、基板ａの成膜面
を上下方向に立て、同基板ａを上下方向に搬送する基板
搬送路４を設けたことを特徴とする薄膜形成装置を提供
する。この場合において、基板搬送路４により搬送され
る基板ａの両側に原料の導入口２７と排出口２９とを有
する成膜室２を設けるとよい。
【０００９】
【作用】前記の薄膜形成装置では、原料の導入口２７と
排出口２９とが成膜室２の上下に開口しているので、成
膜室２内では霧状またはガス状の原料が上下方向に流れ
る。また基板ａは、その成膜面を上下方向に立てた状態
で上下方向に搬送されるため、基板ａの成膜面に沿って
霧状またはガス状の原料を流すことができ、なお且つ基
板ａを原料の流れに沿った方向に移動させることができ
る。そのため、原料が基板ａの表面に接触して薄膜を形
成しやすくなり、使用する原料の量に対する薄膜の収率
を向上させることができる。また、成膜室２の壁面での
膜材料の堆積も少なくすることができると同時に、膜材
料の剥がれと、その基板ａの成膜面への付着等により発
生する薄膜のピンホール等の欠陥が生じにくくなる。ま
た、原料が成膜室２を上下方向に流れ、且つ基板ａが成
膜室２の中で上下方向に搬送される、いわゆる縦型のレ
イアウトとなるため、装置の設置床面積を狭くすること
ができる。
排出口２９とが成膜室２の上下に開口しているので、成
膜室２内では霧状またはガス状の原料が上下方向に流れ
る。また基板ａは、その成膜面を上下方向に立てた状態
で上下方向に搬送されるため、基板ａの成膜面に沿って
霧状またはガス状の原料を流すことができ、なお且つ基
板ａを原料の流れに沿った方向に移動させることができ
る。そのため、原料が基板ａの表面に接触して薄膜を形
成しやすくなり、使用する原料の量に対する薄膜の収率
を向上させることができる。また、成膜室２の壁面での
膜材料の堆積も少なくすることができると同時に、膜材
料の剥がれと、その基板ａの成膜面への付着等により発
生する薄膜のピンホール等の欠陥が生じにくくなる。ま
た、原料が成膜室２を上下方向に流れ、且つ基板ａが成
膜室２の中で上下方向に搬送される、いわゆる縦型のレ
イアウトとなるため、装置の設置床面積を狭くすること
ができる。
【００１０】さらに、基板ａの両面に同様にして霧状ま
たはガス状の原料を当てることができるため、基板搬送
路４の両側に原料の導入口２７と排出口２９とを有する
成膜室２を設けることで、ほぼ同質の薄膜を基板ａの両
面に同時に形成することが可能となる。
たはガス状の原料を当てることができるため、基板搬送
路４の両側に原料の導入口２７と排出口２９とを有する
成膜室２を設けることで、ほぼ同質の薄膜を基板ａの両
面に同時に形成することが可能となる。
【００１１】
【実施例】次に、図面を参照しながら、本考案の実施例
について具体的に説明する。本考案の第一の実施例によ
る薄膜形成装置を図１に示す。この装置では、基板搬送
路４が垂直に設置されており、この基板搬送路４に沿っ
て薄膜を形成する基板ａがその成膜面を上下方向に立て
た状態で、図において上から下へと矢印で示す方向に順
次搬送される。なお、これとは逆に、基板ａを下から上
へと押し上げながら搬送してもよい。この基板搬送路４
は、基板ａの両側を保持して案内するガイド溝状のもの
からなる。この基板搬送路４に沿って搬送される基板ａ
の両側に成膜室２が各々形成され、この成膜室２の上下
両端は、基板ａを成膜室２の中に導入し、排出する基板
入口３２と基板出口１２となっている。
について具体的に説明する。本考案の第一の実施例によ
る薄膜形成装置を図１に示す。この装置では、基板搬送
路４が垂直に設置されており、この基板搬送路４に沿っ
て薄膜を形成する基板ａがその成膜面を上下方向に立て
た状態で、図において上から下へと矢印で示す方向に順
次搬送される。なお、これとは逆に、基板ａを下から上
へと押し上げながら搬送してもよい。この基板搬送路４
は、基板ａの両側を保持して案内するガイド溝状のもの
からなる。この基板搬送路４に沿って搬送される基板ａ
の両側に成膜室２が各々形成され、この成膜室２の上下
両端は、基板ａを成膜室２の中に導入し、排出する基板
入口３２と基板出口１２となっている。
【００１２】基板搬送路４にある基板ａの成膜面と対向
する両方の成膜室２、２の壁にヒーター１３、２３、３
３が各々設けられ、基板搬送路４に沿って所定の速度で
移動する基板ａが、所定の温度変化に従って両面側から
加熱される。成膜室２、２の外部に設けた原料供給源２
６、２６から成膜室２内に気体或は霧状の原料を導入す
る原料供給ダクト２０、２０と、成膜室２から原料を排
気するための排気ダクト２８、２８が設けられており、
それらの導入口２７と排出口２９が成膜室２の壁の上側
と下側とに各々開口している。図示の例では、原料供給
ダクト２０、２０の導入口２７が下側に開口し、排気ダ
クト２８、２８の排出口２９、２９が上側に開口してい
るが、この逆であってもよい。
する両方の成膜室２、２の壁にヒーター１３、２３、３
３が各々設けられ、基板搬送路４に沿って所定の速度で
移動する基板ａが、所定の温度変化に従って両面側から
加熱される。成膜室２、２の外部に設けた原料供給源２
６、２６から成膜室２内に気体或は霧状の原料を導入す
る原料供給ダクト２０、２０と、成膜室２から原料を排
気するための排気ダクト２８、２８が設けられており、
それらの導入口２７と排出口２９が成膜室２の壁の上側
と下側とに各々開口している。図示の例では、原料供給
ダクト２０、２０の導入口２７が下側に開口し、排気ダ
クト２８、２８の排出口２９、２９が上側に開口してい
るが、この逆であってもよい。
【００１３】この薄膜形成装置では、基板搬送路４に沿
って移動される基板ａが成膜室２に導入されると、そこ
に設けられたヒーター３３、２３、１３で同基板ａが加
熱される。この基板ａは、基板搬送路４を所定の速度で
搬送されるに従い、所定の温度変化に従って加熱され
る。
って移動される基板ａが成膜室２に導入されると、そこ
に設けられたヒーター３３、２３、１３で同基板ａが加
熱される。この基板ａは、基板搬送路４を所定の速度で
搬送されるに従い、所定の温度変化に従って加熱され
る。
【００１４】原料供給源２６、２６から原料供給ダクト
２０、２０を通って成膜室２、２の中に導入された霧状
あるいはガス状の原料は、基板ａの表面に沿って矢印で
示すように上昇し、排気口２９、２９から排気ダクト２
８、２８を通って成膜室２４、２４の外に排出される。
この間、基板ａの両側の成膜室２、２において、気体或
は霧状の原料が加熱された基板ａの両面に接触する。す
ると例えば、原料が基板ａの保有する熱により分解し、
さらに空気中の酸素と反応し、基板ａの成膜面上に酸化
物等の薄膜が形成される。
２０、２０を通って成膜室２、２の中に導入された霧状
あるいはガス状の原料は、基板ａの表面に沿って矢印で
示すように上昇し、排気口２９、２９から排気ダクト２
８、２８を通って成膜室２４、２４の外に排出される。
この間、基板ａの両側の成膜室２、２において、気体或
は霧状の原料が加熱された基板ａの両面に接触する。す
ると例えば、原料が基板ａの保有する熱により分解し、
さらに空気中の酸素と反応し、基板ａの成膜面上に酸化
物等の薄膜が形成される。
【００１５】次に、図２に示した本考案の第二の実施例
について説明すると、この実施例では、基板搬送路４、
４を垂直に２列に配置し、それら基板搬送路４、４に沿
って搬送される基板ａ、ａの間にそれら基板ａ、ａを加
熱するヒーター２５が配置されている。このヒーター２
５は、温度制御のために、予熱部、成膜部、除冷部と少
なくとも３つ以上のヒーターを配置することが望ましい
が、連続した１本のヒーターを用いてもよい。そして、
両方の基板ａの外側に成膜室２が形成され、この成膜室
２内に霧状或はガス状の原料を導入する原料供給ダクト
２０、２０の導入口２７と、成膜室２から原料を排気す
るための排気ダクト２８、２８の排出口２９とが、前記
基板ａ、ａと対向する壁面に開口している。またここで
は、基板ａ、ａを基板搬送路４、４に沿って下から上に
押し上げながら搬送している。この薄膜形成装置では、
２列の基板ａ、ａの各々外側に向いた表面に同時にほぼ
同質の薄膜を形成することができる。
について説明すると、この実施例では、基板搬送路４、
４を垂直に２列に配置し、それら基板搬送路４、４に沿
って搬送される基板ａ、ａの間にそれら基板ａ、ａを加
熱するヒーター２５が配置されている。このヒーター２
５は、温度制御のために、予熱部、成膜部、除冷部と少
なくとも３つ以上のヒーターを配置することが望ましい
が、連続した１本のヒーターを用いてもよい。そして、
両方の基板ａの外側に成膜室２が形成され、この成膜室
２内に霧状或はガス状の原料を導入する原料供給ダクト
２０、２０の導入口２７と、成膜室２から原料を排気す
るための排気ダクト２８、２８の排出口２９とが、前記
基板ａ、ａと対向する壁面に開口している。またここで
は、基板ａ、ａを基板搬送路４、４に沿って下から上に
押し上げながら搬送している。この薄膜形成装置では、
２列の基板ａ、ａの各々外側に向いた表面に同時にほぼ
同質の薄膜を形成することができる。
【００１６】次に、図３に示した本考案の第三の実施例
について説明すると、この実施例では、基板搬送路４、
４を垂直に２列に配置し、それら基板搬送路４、４に沿
って搬送される基板ａ、ａの両側にそれら基板ａ、ａを
加熱するヒーター２５が配置されている。このヒーター
２５は、温度制御のために、予熱部、成膜部、除冷部と
少なくとも３つ以上のヒーターを配置することが望まし
いが、連続した１本のヒーターを用いてもよい。そし
て、両方の基板ａの間に成膜室２が形成され、この成膜
室２内に気体或は霧状の原料を導入する原料供給ダクト
２０、２０の導入口２７が成膜室２の下端に、成膜室２
から原料を排気するための排気ダクト２８、２８の排出
口２９が成膜室２の上端に各々開口している。
について説明すると、この実施例では、基板搬送路４、
４を垂直に２列に配置し、それら基板搬送路４、４に沿
って搬送される基板ａ、ａの両側にそれら基板ａ、ａを
加熱するヒーター２５が配置されている。このヒーター
２５は、温度制御のために、予熱部、成膜部、除冷部と
少なくとも３つ以上のヒーターを配置することが望まし
いが、連続した１本のヒーターを用いてもよい。そし
て、両方の基板ａの間に成膜室２が形成され、この成膜
室２内に気体或は霧状の原料を導入する原料供給ダクト
２０、２０の導入口２７が成膜室２の下端に、成膜室２
から原料を排気するための排気ダクト２８、２８の排出
口２９が成膜室２の上端に各々開口している。
【００１７】この薄膜形成装置では、２列の基板ａ、ａ
の互いに対向する片面に同時にほぼ同質の薄膜を形成す
ることができる。なお、図１に示すようにして、基板ａ
の外側にも成膜室２、２を形成すれば、２列の基板ａ、
ａの両面に同時に薄膜を形成することができる。但しこ
の場合、基板ａの内側と外側では、原料の導入口２７と
排出口２９との配置が若干異なるため、基板ａの両面に
形成される薄膜は、膜質や膜厚等の点で若干異なる。
の互いに対向する片面に同時にほぼ同質の薄膜を形成す
ることができる。なお、図１に示すようにして、基板ａ
の外側にも成膜室２、２を形成すれば、２列の基板ａ、
ａの両面に同時に薄膜を形成することができる。但しこ
の場合、基板ａの内側と外側では、原料の導入口２７と
排出口２９との配置が若干異なるため、基板ａの両面に
形成される薄膜は、膜質や膜厚等の点で若干異なる。
【００１８】
【考案の効果】以上説明した通り、本考案によれば、原
料に対する薄膜の収率を高くすることができると共に、
欠陥の無い薄膜を形成することができ、基板の両面に同
時に同質の薄膜を形成することも可能であり、しかも装
置全体の床設置面積が狭くて済む薄膜形成装置を提供す
ることが可能となる。
料に対する薄膜の収率を高くすることができると共に、
欠陥の無い薄膜を形成することができ、基板の両面に同
時に同質の薄膜を形成することも可能であり、しかも装
置全体の床設置面積が狭くて済む薄膜形成装置を提供す
ることが可能となる。
【図１】本考案の第一の実施例による薄膜形成装置を示
す概略縦断側面図である。
す概略縦断側面図である。
【図２】本考案の第二の実施例による薄膜形成装置を示
す概略縦断側面図である。
す概略縦断側面図である。
【図３】本考案の第三の実施例による薄膜形成装置を示
す概略縦断側面図である。
す概略縦断側面図である。
【図４】従来例による薄膜形成装置を示す概略縦断側面
図である。
図である。
２ 成膜室 ４ 基板搬送路 １３ ヒーター ２３ ヒーター ３３ ヒーター ２５ ヒーター ２７ 原料の導入口 ２９ 原料の排出口 ａ 基板
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31 H01L 21/205 C23C 14/00 H01L 21/68
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜を形成する基板（ａ）を搬送する基
板搬送路（４）と、該基板搬送路（４）により搬送され
る基板（ａ）の表面側に形成された成膜室（２）と、前
記基板搬送路（４）に沿って成膜室（２）を通過する基
板（ａ）を加熱するヒーター（１３）、（２３）、（３
３）と、成膜室（２）内に霧状またはガス状の薄膜の原
料を導入する導入口（２７）と、成膜室（２）内から原
料を排出する排出口（２９）とを有する薄膜形成装置に
おいて、前記原料の導入口（２７）と排出口（２９）と
を成膜室（２）の上下に開口し、同成膜室（２）内に、
基板（ａ）の成膜面を上下方向に立て、同基板（ａ）を
上下方向に搬送する基板搬送路（４）を設けたことを特
徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】 前記請求項１において、基板搬送路
（４）により搬送される基板（ａ）の両側に原料の導入
口（２７）と排出口（２９と）を有する成膜室（２）が
設けられていることを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993013290U JP2605859Y2 (ja) | 1993-02-27 | 1993-02-27 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993013290U JP2605859Y2 (ja) | 1993-02-27 | 1993-02-27 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0670234U JPH0670234U (ja) | 1994-09-30 |
| JP2605859Y2 true JP2605859Y2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=11829073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1993013290U Expired - Lifetime JP2605859Y2 (ja) | 1993-02-27 | 1993-02-27 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605859Y2 (ja) |
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-
1993
- 1993-02-27 JP JP1993013290U patent/JP2605859Y2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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