JPH0390579A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH0390579A JPH0390579A JP1224981A JP22498189A JPH0390579A JP H0390579 A JPH0390579 A JP H0390579A JP 1224981 A JP1224981 A JP 1224981A JP 22498189 A JP22498189 A JP 22498189A JP H0390579 A JPH0390579 A JP H0390579A
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
- C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、霧化した原料溶液を加熱した基板の成膜面に
吹き付け、そこに薄膜を形成する装置に関する。
吹き付け、そこに薄膜を形成する装置に関する。
［従来の技術］
従来、この種の薄膜形成法及びその装置は、例えば特開
昭８１−８９９６２号等に示される様に、予め調合した
原料溶液を霧化器（アトマイザ）により噴霧し、薄膜を
形成する基板の表面に接触させて薄膜を形成する。
昭８１−８９９６２号等に示される様に、予め調合した
原料溶液を霧化器（アトマイザ）により噴霧し、薄膜を
形成する基板の表面に接触させて薄膜を形成する。
これを第１図により説明すると、薄膜を形成させるため
に予め調合した原料溶液かを霧化する霧化器ｌが備えら
れ、この霧化器ｌの上方には上に向けて上記原料溶液の
霧を放出する成膜用ノズル３が設けられ、この成Ｊｌｆ
ｆ用ノズル３は、成膜室４に向けて開口しており、さら
にこの成膜室４には排気ダクト５が接続されている。霧
化器ｌは、霧箱の中に噴霧器２を設置したもので、ここ
で発生した原料溶液の霧のうち、比較的粒子の細かい霧
のみを上記成膜用ノズル３から成膜室４に放出する。さ
らに、成膜室４に放出された霧は、同室４を通って排′
気ダクト５から排出される。
に予め調合した原料溶液かを霧化する霧化器ｌが備えら
れ、この霧化器ｌの上方には上に向けて上記原料溶液の
霧を放出する成膜用ノズル３が設けられ、この成Ｊｌｆ
ｆ用ノズル３は、成膜室４に向けて開口しており、さら
にこの成膜室４には排気ダクト５が接続されている。霧
化器ｌは、霧箱の中に噴霧器２を設置したもので、ここ
で発生した原料溶液の霧のうち、比較的粒子の細かい霧
のみを上記成膜用ノズル３から成膜室４に放出する。さ
らに、成膜室４に放出された霧は、同室４を通って排′
気ダクト５から排出される。
上記成膜室４の内部に、表面に薄膜を形成する基板６が
一列に配列され、これが予熱室１２から成膜室４を経て
基板排出口１３へと一定の速度で移動される。またこの
間、基板６は、その背面に設けられたヒータ９によって
加熱される。霧状の原料溶液が上記成膜室４を通過する
過程で、加熱された上記基板６の表面に接触すると、そ
こで溶液中の原料が酸素と反応し、上記基板６の表面上
に酸化物の薄１侠が形成される。
一列に配列され、これが予熱室１２から成膜室４を経て
基板排出口１３へと一定の速度で移動される。またこの
間、基板６は、その背面に設けられたヒータ９によって
加熱される。霧状の原料溶液が上記成膜室４を通過する
過程で、加熱された上記基板６の表面に接触すると、そ
こで溶液中の原料が酸素と反応し、上記基板６の表面上
に酸化物の薄１侠が形成される。
上記従来の薄膜形成装置では、予熱室１２から送られて
きた基板６は、成膜室４の中を成膜用ノズル３から排気
ダクト５側へと搬送され、この間、基板６の下面に薄膜
が形成された後、基板搬出室１３から取り出される。
きた基板６は、成膜室４の中を成膜用ノズル３から排気
ダクト５側へと搬送され、この間、基板６の下面に薄膜
が形成された後、基板搬出室１３から取り出される。
［発明が解決しようとする課題］
成膜室４の中の原料溶液の霧は、成膜用ノズル３から成
膜室４の中に放出され、その後排気ダクト５から排気さ
れるまでの間、状態の変化を伴うため、その間に基板に
形成される膜の性質が違ってくる。
膜室４の中に放出され、その後排気ダクト５から排気さ
れるまでの間、状態の変化を伴うため、その間に基板に
形成される膜の性質が違ってくる。
すなわち、成膜用ノズル３から放出され原料溶液の霧は
、はぼ完全な霧、つまり液体の粒子の状態を維持してい
ることから、これが基板６の表面に接触して形成される
薄膜は、結晶の配向軸が三次元座標上の（２００）面に
配向しており、比較的平滑な表面を有する膜が得られる
。
、はぼ完全な霧、つまり液体の粒子の状態を維持してい
ることから、これが基板６の表面に接触して形成される
薄膜は、結晶の配向軸が三次元座標上の（２００）面に
配向しており、比較的平滑な表面を有する膜が得られる
。
しかし、Ｃ１やＦ等の不純物が過剰に含まれることから
、電気抵抗が比較的高い。
、電気抵抗が比較的高い。
これに対し、排気ダクト５に寄った側では、原料溶液の
霧の多くが気化されているため、これが基板６に接触し
て形成される薄膜は、（２００）面の他に様々な面に配
向した結晶が多く現れ、多軸配向の膜となり、表面が比
較的粗い膜となる。また不純物が少なく、電気抵抗が比
較的低い。
霧の多くが気化されているため、これが基板６に接触し
て形成される薄膜は、（２００）面の他に様々な面に配
向した結晶が多く現れ、多軸配向の膜となり、表面が比
較的粗い膜となる。また不純物が少なく、電気抵抗が比
較的低い。
このように、基板６の成膜室４での位置により、薄膜の
性質が異なるが、上記従来の装置では、基板の搬送方向
が常に同じであるから、必ず前者の性質を持った薄膜の
上に後者の性質を持った薄膜が連続的に形成されること
になる。
性質が異なるが、上記従来の装置では、基板の搬送方向
が常に同じであるから、必ず前者の性質を持った薄膜の
上に後者の性質を持った薄膜が連続的に形成されること
になる。
しかし、薄膜の使用目的によっては、上記のような層構
造以外のものが要求される場合もあるが、上記従来の装
置では、このような要求に対応できないという課題があ
った。
造以外のものが要求される場合もあるが、上記従来の装
置では、このような要求に対応できないという課題があ
った。
そこで、本発明は、上記従来の課題に鑑み、様々な層構
造を有するＲＩＭの形成が可能なＲ膜形成袋！−１を提
供することにある。
造を有するＲＩＭの形成が可能なＲ膜形成袋！−１を提
供することにある。
［課題を解決するための手段］
すなわち、上記の目的を達成するため、本発明において
採用した手段の要旨は、薄膜作製用原料溶液を霧化する
霧化器１と、上記霧化器ｌから発生した霧状の原料溶液
が上記霧化器ｌの成膜用ノズル３から導入されて排気ダ
クト５から排出されるまでの間に延長形成された成膜室
４と、薄膜を形成する基板６の成膜面が上記成膜室４の
天面を形成するよう、前記基板６を供給する手段と、上
記基板６を加熱するヒータ９とを備える薄膜形成装置に
おいて、上記基板６の搬送方向を切り替え可能とした薄
膜形成装置ｎである。
採用した手段の要旨は、薄膜作製用原料溶液を霧化する
霧化器１と、上記霧化器ｌから発生した霧状の原料溶液
が上記霧化器ｌの成膜用ノズル３から導入されて排気ダ
クト５から排出されるまでの間に延長形成された成膜室
４と、薄膜を形成する基板６の成膜面が上記成膜室４の
天面を形成するよう、前記基板６を供給する手段と、上
記基板６を加熱するヒータ９とを備える薄膜形成装置に
おいて、上記基板６の搬送方向を切り替え可能とした薄
膜形成装置ｎである。
さらに、薄膜作製用原料溶液を霧化する霧化器１と、上
記霧化器ｌから発生した霧状の原料溶液が上記霧化器１
の成膜用ノズル３から導入されて排気ダクト５から排出
されるまでの開に延長形成された成膜室４と、薄膜を形
成する基板６の成膜面が上記成膜室４の天面を形成する
よう、前記基板６を供給する手段と、上記基板６を加熱
するヒータ９とを備える薄膜形成装置において、上記成
膜室４の底壁を形成する炉床７に、上記成膜用ノズル３
及び排気ダクト５が移設可能に取り付けられている薄膜
形成装置薄膜形成装置である。
記霧化器ｌから発生した霧状の原料溶液が上記霧化器１
の成膜用ノズル３から導入されて排気ダクト５から排出
されるまでの開に延長形成された成膜室４と、薄膜を形
成する基板６の成膜面が上記成膜室４の天面を形成する
よう、前記基板６を供給する手段と、上記基板６を加熱
するヒータ９とを備える薄膜形成装置において、上記成
膜室４の底壁を形成する炉床７に、上記成膜用ノズル３
及び排気ダクト５が移設可能に取り付けられている薄膜
形成装置薄膜形成装置である。
さらに、薄膜作製用原料溶液を霧化する霧化器■と、上
記霧化器１から発生した霧状の原料溶液が上記霧化器ｌ
の成膜用ノズル３から導入されて排気ダクト５から排出
されるまでの間に延長形成された成膜室４と、薄膜を形
成する基板６の成膜面が上記成膜室４の天面を形成する
よう、前記基板６を供給する手段と、上記基板６を加熱
するヒータ９とを備える薄膜形成装置において、上記成
膜室４の底壁に開口した少なくとも１つの成膜用ノズル
３を挟んで、その両側に排気ダクト５．５′ が各々接
続されている薄膜形成装置である。
記霧化器１から発生した霧状の原料溶液が上記霧化器ｌ
の成膜用ノズル３から導入されて排気ダクト５から排出
されるまでの間に延長形成された成膜室４と、薄膜を形
成する基板６の成膜面が上記成膜室４の天面を形成する
よう、前記基板６を供給する手段と、上記基板６を加熱
するヒータ９とを備える薄膜形成装置において、上記成
膜室４の底壁に開口した少なくとも１つの成膜用ノズル
３を挟んで、その両側に排気ダクト５．５′ が各々接
続されている薄膜形成装置である。
さらに、薄膜作製用原料溶液を霧化する霧化Ｓｌと、上
記霧化器１から発生した霧状の原料溶液が上記霧化器１
の成膜用ノズル３から導入されて排気ダクト５から排出
されるまでの間に延長形成された成膜室４と、薄膜を形
成する基板６の成膜面が上記成膜室４の天面を形成する
よう、前記基板６を供給する手段と、上記基板６を加熱
するヒータ９とを備える薄膜形成装置において、上記成
膜室４に接続された少なくとも１つの排気ダクト５を挟
んで、その両側に成膜用ノズル３．３′が各々開口して
いる薄膜形成袋［ａである。
記霧化器１から発生した霧状の原料溶液が上記霧化器１
の成膜用ノズル３から導入されて排気ダクト５から排出
されるまでの間に延長形成された成膜室４と、薄膜を形
成する基板６の成膜面が上記成膜室４の天面を形成する
よう、前記基板６を供給する手段と、上記基板６を加熱
するヒータ９とを備える薄膜形成装置において、上記成
膜室４に接続された少なくとも１つの排気ダクト５を挟
んで、その両側に成膜用ノズル３．３′が各々開口して
いる薄膜形成袋［ａである。
［作 用コ
上記本発明による薄膜形成装置では、基板６の搬送方向
を変えたり、成膜用ノズル３と排気ダクト５の接続位置
を変えたり、或は成ｊ摸室４の中の霧を排出する排気ダ
クト５．５′を何れか一方に切り換えることで、成膜室
４の中での成膜用ノズル３及び排気ダクト５の位置と基
板６の搬送方向との相対的な方向を任意に変えることが
できる。これにより、性質の異なる薄膜を上層或は下層
の何れに成膜するか任意に選択することができ、使用目
的に応じた層構造を有する薄膜が任意に形成できるよ・
５になる。
を変えたり、成膜用ノズル３と排気ダクト５の接続位置
を変えたり、或は成ｊ摸室４の中の霧を排出する排気ダ
クト５．５′を何れか一方に切り換えることで、成膜室
４の中での成膜用ノズル３及び排気ダクト５の位置と基
板６の搬送方向との相対的な方向を任意に変えることが
できる。これにより、性質の異なる薄膜を上層或は下層
の何れに成膜するか任意に選択することができ、使用目
的に応じた層構造を有する薄膜が任意に形成できるよ・
５になる。
［実 施 例コ
以下、本発明の実施例について、添付の図面を参！；り
しながら説明する。
しながら説明する。
薄膜形成装置は、第１図〜第３図に示されたように、原
料溶液を霧化する霧化器ｌを備え、この霧化器ｌの上方
に霧化された原料溶液を放出する成膜用ノズル３が上に
向けて設けられ、これが成膜室４の一方に偏って（第１
図の場合は同図において左寄り）開口している。さらに
、上記成膜室４の他方に偏って排気ダクト５が設けられ
、これによって、上記霧化器ｌから供給された霧状の原
料溶液が、成膜用ノズル３から上記成１摸室４に導かれ
、同成膜室４内を通過し、排気ダクト５からυ［出され
る。
料溶液を霧化する霧化器ｌを備え、この霧化器ｌの上方
に霧化された原料溶液を放出する成膜用ノズル３が上に
向けて設けられ、これが成膜室４の一方に偏って（第１
図の場合は同図において左寄り）開口している。さらに
、上記成膜室４の他方に偏って排気ダクト５が設けられ
、これによって、上記霧化器ｌから供給された霧状の原
料溶液が、成膜用ノズル３から上記成１摸室４に導かれ
、同成膜室４内を通過し、排気ダクト５からυ［出され
る。
同図において、１０は、上記成膜室４を予熱室Ｉ２と仕
切るための仕切部材、ｌｌは、成膜室４を、Ｉ、Ｕ板搬
出室１３と仕切ると共に、成膜室４から排気ダクト５へ
と霧の流れを案内するための排気ガイドである。
切るための仕切部材、ｌｌは、成膜室４を、Ｉ、Ｕ板搬
出室１３と仕切ると共に、成膜室４から排気ダクト５へ
と霧の流れを案内するための排気ガイドである。
第２図の断面図にも示されるように、成膜室４は、炉床
７と側壁１８．１８とにより各々底面と両側面が閉じら
れた連続するトンネル状の通路となっている。さらに側
壁１８．１８の対向する側面には、基板６の両側辺を保
持する顎状の保持部が設けられ、これに保持された基板
６の下面が上記成膜室４の天面を形成する。そして、こ
の基板６は、−列に配列され、一定の速度で移動される
。上記基板６の上には、予熱室１２、成膜室４及び基板
搬出室１３にわたって均熱板８を介してヒータ９が設け
られ、上記基板６を所定の温度に加熱する。
７と側壁１８．１８とにより各々底面と両側面が閉じら
れた連続するトンネル状の通路となっている。さらに側
壁１８．１８の対向する側面には、基板６の両側辺を保
持する顎状の保持部が設けられ、これに保持された基板
６の下面が上記成膜室４の天面を形成する。そして、こ
の基板６は、−列に配列され、一定の速度で移動される
。上記基板６の上には、予熱室１２、成膜室４及び基板
搬出室１３にわたって均熱板８を介してヒータ９が設け
られ、上記基板６を所定の温度に加熱する。
本発明による薄膜形成装置では、上記基板６を、第１図
及び第３図において左から右へ搬送するか或は右から左
へ搬送するか、切り換えることができるようになってい
る。例えば、第１図の装置において、基板６を左゛から
右へと搬送する場合、基板６は成膜用ノズル３の上を通
過した後、排気ダクト５の上を通過する。基板６を、同
図において右から左へと搬送する場合、μ板６は排気ダ
クト５の上を通過した後、成膜用ノズル３の上を通過す
る。
及び第３図において左から右へ搬送するか或は右から左
へ搬送するか、切り換えることができるようになってい
る。例えば、第１図の装置において、基板６を左゛から
右へと搬送する場合、基板６は成膜用ノズル３の上を通
過した後、排気ダクト５の上を通過する。基板６を、同
図において右から左へと搬送する場合、μ板６は排気ダ
クト５の上を通過した後、成膜用ノズル３の上を通過す
る。
さらに、第１図と第３図に示すように、図示の装置では
、成膜室４の底面を閉じている炉床７に、継手１４．１
５．１６を嵌め込むことにより、仕切部材１０．成膜用
ノズル３、排気ダクト５及び排気ガイド１１が同炉床７
に取り付けられるようになっている。継手１４．１５．
１６が嵌め込まれる部分は、炉床７が一部欠落しており
、その欠落部分は、上記継手１４．１５．１６が炉床７
に嵌め込まれることにより閉じられる。
、成膜室４の底面を閉じている炉床７に、継手１４．１
５．１６を嵌め込むことにより、仕切部材１０．成膜用
ノズル３、排気ダクト５及び排気ガイド１１が同炉床７
に取り付けられるようになっている。継手１４．１５．
１６が嵌め込まれる部分は、炉床７が一部欠落しており
、その欠落部分は、上記継手１４．１５．１６が炉床７
に嵌め込まれることにより閉じられる。
そして、上記継手１４．１５．１６を嵌め込む位置を変
えて、仕切部材１０１ 成膜用ノズル３、排気ダクト５
及び排気ガイド１１の取付位置を変えることにより、成
膜室４の中の霧の流れる方向を変えることができる。例
えば、第１図は、成膜室４の左寄りに仕切部材１ｏと成
膜用ノズル３を、右寄りに排気ダクト５と排気ガイド１
１を各々取り付けており、霧は左寄りの成膜用ノズル３
から成膜室４の中に放出され、右寄りの排気ダクト５か
ら排気される。これに対して、第３図では、成膜室４の
右寄りに仕切部材１０と成膜用ノズル３を、左寄りに排
気ダクト５と排気ガイド１１を取り付けており、霧は右
寄りの成膜用ノズル３から成膜室４の中に放出され、左
寄りの排気ダクト５から排気される。このようにすれば
、基板６の搬送方向を変えずζこ、基板６の搬送方向に
対する霧の流れの方向を相対的Ｉこ変えることができる
。
えて、仕切部材１０１ 成膜用ノズル３、排気ダクト５
及び排気ガイド１１の取付位置を変えることにより、成
膜室４の中の霧の流れる方向を変えることができる。例
えば、第１図は、成膜室４の左寄りに仕切部材１ｏと成
膜用ノズル３を、右寄りに排気ダクト５と排気ガイド１
１を各々取り付けており、霧は左寄りの成膜用ノズル３
から成膜室４の中に放出され、右寄りの排気ダクト５か
ら排気される。これに対して、第３図では、成膜室４の
右寄りに仕切部材１０と成膜用ノズル３を、左寄りに排
気ダクト５と排気ガイド１１を取り付けており、霧は右
寄りの成膜用ノズル３から成膜室４の中に放出され、左
寄りの排気ダクト５から排気される。このようにすれば
、基板６の搬送方向を変えずζこ、基板６の搬送方向に
対する霧の流れの方向を相対的Ｉこ変えることができる
。
第４図の実施例は、継手１８．１８’により、成膜用ノ
ズル３を挾んでその両側に排気ダクト５．５′を取り付
け、それらをバルブ１７．１７′により開閉できるよう
にしたものである。
ズル３を挾んでその両側に排気ダクト５．５′を取り付
け、それらをバルブ１７．１７′により開閉できるよう
にしたものである。
バルブ１７’を閉じて、排気ダクト５側がら排気するこ
とにより、原料溶液の霧は成膜用ノズル３より図中右側
の成膜室４を矢印で示す方向に流れる。他方、バルブ１
７を閉じて、排気ダクト５′側から排気することにより
、原料溶液の霧は、成膜用ノズル３より図中左側の成膜
室４′を上記とは逆の方向に流れる。
とにより、原料溶液の霧は成膜用ノズル３より図中右側
の成膜室４を矢印で示す方向に流れる。他方、バルブ１
７を閉じて、排気ダクト５′側から排気することにより
、原料溶液の霧は、成膜用ノズル３より図中左側の成膜
室４′を上記とは逆の方向に流れる。
第５図の実施例は、継手１５．１５’により、炉床７に
成膜用ノズル３．３′を２つ取り付け、翔１手１４によ
り、これら成膜用ノズル３．３′の間に仕切部材１０を
配置し、さらにこれら成膜用ノズル３．３′を挟んでそ
の両側に排気ダクト５．５′を取り付け、それらをバル
ブ１７．１７′により開閉できるようにしたものである
。
成膜用ノズル３．３′を２つ取り付け、翔１手１４によ
り、これら成膜用ノズル３．３′の間に仕切部材１０を
配置し、さらにこれら成膜用ノズル３．３′を挟んでそ
の両側に排気ダクト５．５′を取り付け、それらをバル
ブ１７．１７′により開閉できるようにしたものである
。
この実施例では、成膜室４と４′とで互いに逆方向の霧
の流れを形成することができ、この霧の流れは同時に或
は一方のみ形成することができる。
の流れを形成することができ、この霧の流れは同時に或
は一方のみ形成することができる。
第６図の実施例は、継手１５．１５’により、炉床７の
排気ダクト５′ ５寄りに各々成膜用ノズル３．３′を
取り付けたものである。この実施例では、成膜用ノズル
３′から原料溶液の霧を放出すると共に、バルブ１７を
閉じて、排気ダクト５′側から排気することにより、原
料溶液の霧は成膜室４を矢印で示す方向に流れる。
排気ダクト５′ ５寄りに各々成膜用ノズル３．３′を
取り付けたものである。この実施例では、成膜用ノズル
３′から原料溶液の霧を放出すると共に、バルブ１７を
閉じて、排気ダクト５′側から排気することにより、原
料溶液の霧は成膜室４を矢印で示す方向に流れる。
これに対して、成膜用ノズル３から原料溶液の霧を放出
すると共に、バルブ１７’を閉じて、排気ダクト５側か
ら排気することにより、原料溶液の霧は、成膜室４を上
記とは逆の方向に流れる。
すると共に、バルブ１７’を閉じて、排気ダクト５側か
ら排気することにより、原料溶液の霧は、成膜室４を上
記とは逆の方向に流れる。
第７図の実施例では、継手ＩＳ、１６’により、炉床７
に排気ダクト５．５’を２つ取り付け、これらをバルブ
１７．１７’で開閉できるようにすると共に、継手１４
により、これら排気ダク）５．５’の間に仕切部材１０
を配Ｉｆｆ している。さらに継手１５．１５’により
、これら排気ダクト１７．１７’を挟んでその両側に成
膜用ノズル３．３′を取り付けている。
に排気ダクト５．５’を２つ取り付け、これらをバルブ
１７．１７’で開閉できるようにすると共に、継手１４
により、これら排気ダク）５．５’の間に仕切部材１０
を配Ｉｆｆ している。さらに継手１５．１５’により
、これら排気ダクト１７．１７’を挟んでその両側に成
膜用ノズル３．３′を取り付けている。
この実施例では、成膜室４と４′とで互いに逆方向の霧
の流れを形成することができ、この霧の流れは同時に或
は一方のみ形成することができる。この場合において、
仕切部材ＩＯを取り除いて成膜用ノズル３を一つだけと
することもできる。
の流れを形成することができ、この霧の流れは同時に或
は一方のみ形成することができる。この場合において、
仕切部材ＩＯを取り除いて成膜用ノズル３を一つだけと
することもできる。
なお、第４図〜第７図の実施例では、継手１４．１５．
１５’ １８．１６′を用いて成膜用ノズル３．３
′や排気ダク）５．５’の位［ａを変えることができる
ように構成されているが、上記の説明から明かなように
、成膜室４．４′を流れる霧を排出する排気ダクト５．
５′を切り換えることで上記の霧の流れの方向を変えら
れるため、成膜用ノズル３．３′ や排気ダクト５．５
′の取付位置を変えるための手段は必ずしも必要でない
。
１５’ １８．１６′を用いて成膜用ノズル３．３
′や排気ダク）５．５’の位［ａを変えることができる
ように構成されているが、上記の説明から明かなように
、成膜室４．４′を流れる霧を排出する排気ダクト５．
５′を切り換えることで上記の霧の流れの方向を変えら
れるため、成膜用ノズル３．３′ や排気ダクト５．５
′の取付位置を変えるための手段は必ずしも必要でない
。
［発明の効果コ
以上説明した通り、本発明によれば、成膜室４への原料
溶液の霧の供給方向と、基板６の題送方向とを相対的に
変えることができるので、様々な層構造を持った薄膜を
形成することができ、薄膜の多様な使用目的に対応でき
る。
溶液の霧の供給方向と、基板６の題送方向とを相対的に
変えることができるので、様々な層構造を持った薄膜を
形成することができ、薄膜の多様な使用目的に対応でき
る。
第１図は、本発明の実施例を示す薄膜形成装置の縦断側
面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は、同
実施例において成膜用ノズルと排気ダクトの取付位置を
変えた縦断側面図、第４図〜第７図は、他の実施例を示
す薄膜形成装置の縦断側面図である。 １・・・霧化器 ３・・・成膜用ノズル ４・・・成膜
室５・・・排気ダクト ６・・・基板 ７・・・炉床
９・・・ヒータ
面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は、同
実施例において成膜用ノズルと排気ダクトの取付位置を
変えた縦断側面図、第４図〜第７図は、他の実施例を示
す薄膜形成装置の縦断側面図である。 １・・・霧化器 ３・・・成膜用ノズル ４・・・成膜
室５・・・排気ダクト ６・・・基板 ７・・・炉床
９・・・ヒータ
Claims (4)
- （１） 薄膜作製用原料溶液を霧化する霧化器１と、上
記霧化器１から発生した霧状の原料溶液が上記霧化器１
の成膜用ノズル３から導入されて排気ダクト５から排出
されるまでの間に延長形成された成膜室４と、薄膜を形
成する基板６の成膜面が上記成膜室４の天面を形成する
よう、前記基板６を供給する手段と、上記基板６を加熱
するヒータ９とを備える薄膜形成装置において、上記基
板６の搬送方向を切り替え可能としたことを特徴とする
薄膜形成装置。 - （２） 薄膜作製用原料溶液を霧化する霧化器１と、上
記霧化器１から発生した霧状の原料溶液が上記霧化器１
の成膜用ノズル３から導入されて排気ダクト５から排出
されるまでの間に延長形成された成膜室４と、薄膜を形
成する基板６の成膜面が上記成膜室４の天面を形成する
よう、前記基板６を供給する手段と、上記基板６を加熱
するヒータ９とを備える薄膜形成装置において、上記成
膜室４の底壁を形成する炉床７に、上記成膜用ノズル３
及び排気ダクト５が移設可能に取り付けられていること
を特徴とする薄膜形成装置。 - （３） 薄膜作製用原料溶液を霧化する霧化器１と、上
記霧化器１から発生した霧状の原料溶液が上記霧化器１
の成膜用ノズル３から導入されて排気ダクト５から排出
されるまでの間に延長形成された成膜室４と、薄膜を形
成する基板６の成膜面が上記成膜室４の天面を形成する
よう、前記基板６を供給する手段と、上記基板６を加熱
するヒータ９とを備える薄膜形成装置において、上記成
膜室４の底壁に開口した少なくとも１つの成膜用ノズル
３を挟んで、その両側に排気ダクト５、５’が各々接続
されていることを特徴とする薄膜形成装置。 - （４） 薄膜作製用原料溶液を霧化する霧化器１と、上
記霧化器１から発生した霧状の原料溶液が上記霧化器１
の成膜用ノズル３から導入されて排気ダクト５から排出
されるまでの間に延長形成された成膜室４と、薄膜を形
成する基板６の成膜面が上記成膜室４の天面を形成する
よう、前記基板６を供給する手段と、上記基板６を加熱
するヒータ９とを備える薄膜形成装置において、上記成
膜室４に接続された少なくとも１つの排気ダクト５を挟
んで、その両側に成膜用ノズル３、３’が各々開口して
いることを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1224981A JPH0390579A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 薄膜形成装置 |
| EP90116074A EP0415253B1 (en) | 1989-08-31 | 1990-08-22 | Thin film forming apparatus |
| DE69013444T DE69013444T2 (de) | 1989-08-31 | 1990-08-22 | Vorrichtung zur Bildung einer dünnen Schicht. |
| AU61291/90A AU622350B2 (en) | 1989-08-31 | 1990-08-23 | Thin film forming apparatus |
| US07/573,235 US5069157A (en) | 1989-08-31 | 1990-08-24 | Thin film forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1224981A JPH0390579A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0390579A true JPH0390579A (ja) | 1991-04-16 |
| JPH0545674B2 JPH0545674B2 (ja) | 1993-07-09 |
Family
ID=16822233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1224981A Granted JPH0390579A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 薄膜形成装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5069157A (ja) |
| EP (1) | EP0415253B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0390579A (ja) |
| AU (1) | AU622350B2 (ja) |
| DE (1) | DE69013444T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117328040A (zh) * | 2023-11-14 | 2024-01-02 | 无锡松煜科技有限公司 | 一种钙钛矿薄膜太阳能电池的制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5614252A (en) * | 1988-12-27 | 1997-03-25 | Symetrix Corporation | Method of fabricating barium strontium titanate |
| US5456945A (en) * | 1988-12-27 | 1995-10-10 | Symetrix Corporation | Method and apparatus for material deposition |
| KR100202532B1 (ko) * | 1991-02-25 | 1999-06-15 | 시메트릭스 코포레이션 | 전자 디바이스 내의 전자 부품 및 제조방법 및 그 장치 |
| FR2776673B1 (fr) * | 1998-03-26 | 2000-06-02 | Thomson Plasma | Procede de depot d'une couche a base de magnesie sur la surface dielectrique d'une dalle d'un panneau de visualisation et four pour la mise en oeuvre du procede |
| EP2123793A1 (en) * | 2008-05-20 | 2009-11-25 | Helianthos B.V. | Vapour deposition process |
| US20100206229A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-08-19 | Alta Devices, Inc. | Vapor deposition reactor system |
| US20100212591A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-08-26 | Alta Devices, Inc. | Reactor lid assembly for vapor deposition |
| FI20080675A0 (fi) * | 2008-12-23 | 2008-12-23 | Beneq Oy | Lasinpinnoitusmenetelmä ja -laite |
| FI9160U1 (fi) * | 2010-01-04 | 2011-04-14 | Beneq Oy | Pinnoituslaite |
| TWI503433B (zh) * | 2013-10-08 | 2015-10-11 | 不二越股份有限公司 | 成膜裝置及成膜方法 |
| JP6717191B2 (ja) * | 2014-04-18 | 2020-07-01 | 株式会社ニコン | 成膜装置、基板処理装置、および、デバイス製造方法 |
| WO2019234917A1 (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 成膜装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125613A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 酸化錫膜の形成方法 |
| JPS6169962A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 霧化薄膜作製装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3679386A (en) * | 1969-06-30 | 1972-07-25 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Process and apparatus for forming a metal oxide coating on flat glass |
| GB2068935B (en) * | 1980-01-31 | 1983-11-30 | Bfg Glassgroup | Coating hot glass with metals or metal compounds especially oxides |
| JPS57143227U (ja) * | 1981-02-26 | 1982-09-08 | ||
| JPS6169961A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 霧化薄膜作製装置用ノズル |
| US4750412A (en) * | 1986-04-24 | 1988-06-14 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Painting apparatus |
| JPS6316068A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Res Dev Corp Of Japan | 薄膜形成用噴霧装置 |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1224981A patent/JPH0390579A/ja active Granted
-
1990
- 1990-08-22 EP EP90116074A patent/EP0415253B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-22 DE DE69013444T patent/DE69013444T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-23 AU AU61291/90A patent/AU622350B2/en not_active Ceased
- 1990-08-24 US US07/573,235 patent/US5069157A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125613A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 酸化錫膜の形成方法 |
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|---|---|---|---|---|
| CN117328040A (zh) * | 2023-11-14 | 2024-01-02 | 无锡松煜科技有限公司 | 一种钙钛矿薄膜太阳能电池的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0545674B2 (ja) | 1993-07-09 |
| AU622350B2 (en) | 1992-04-02 |
| DE69013444T2 (de) | 1995-02-23 |
| AU6129190A (en) | 1991-03-07 |
| DE69013444D1 (de) | 1994-11-24 |
| EP0415253B1 (en) | 1994-10-19 |
| EP0415253A3 (en) | 1991-09-25 |
| EP0415253A2 (en) | 1991-03-06 |
| US5069157A (en) | 1991-12-03 |
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