JPH0745846Y2 - 霧化薄膜形成装置 - Google Patents
霧化薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH0745846Y2 JPH0745846Y2 JP1989078159U JP7815989U JPH0745846Y2 JP H0745846 Y2 JPH0745846 Y2 JP H0745846Y2 JP 1989078159 U JP1989078159 U JP 1989078159U JP 7815989 U JP7815989 U JP 7815989U JP H0745846 Y2 JPH0745846 Y2 JP H0745846Y2
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- JP
- Japan
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- film forming
- substrate
- film
- thin film
- nozzle
- Prior art date
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、霧化した原料溶液を、加熱された基板に吹き
付け、薄膜を形成する霧化薄膜形成装置に関し、特に比
較的膜厚の厚い透明導電膜を形成するのに好適な装置に
関する。
付け、薄膜を形成する霧化薄膜形成装置に関し、特に比
較的膜厚の厚い透明導電膜を形成するのに好適な装置に
関する。
［従来の技術］ 太陽電池、液晶表示装置、プラズマ表示装置等に用いら
れる透明導電膜は、酸化錫や酸化インジウム錫の薄膜に
より形成される。この透明導電膜は、霧化装置によって
生じた原料溶液の霧を、成膜用ノズルから加熱された基
板に向けて放出し、加熱された基板上で反応、成膜させ
る。
れる透明導電膜は、酸化錫や酸化インジウム錫の薄膜に
より形成される。この透明導電膜は、霧化装置によって
生じた原料溶液の霧を、成膜用ノズルから加熱された基
板に向けて放出し、加熱された基板上で反応、成膜させ
る。
この方法で透明導電膜を形成する場合に、従来用いられ
ている霧化薄膜形成装置の一例を、第６図に基づいて説
明する。
ている霧化薄膜形成装置の一例を、第６図に基づいて説
明する。
この霧化薄膜形成装置では、霧化器１によって原料溶液
を霧化し、これを成膜用ノズル３のスリット状の吐出口
3aから放出させる。成膜用ノズル３の吐出口3aの上方に
は、成膜室４が設けられ、そこで霧化された原料溶液が
漂う。上記基板６は、その表面が上記成膜室４の天面を
形成するよう、成膜室４の上を順次連なりながら第６図
において、左から右へと保持されながら搬出される。こ
の成膜室４で天面を形成する位置にある基板６は、均熱
板７を介して背後のヒーター８によって所定の温度に加
熱される。
を霧化し、これを成膜用ノズル３のスリット状の吐出口
3aから放出させる。成膜用ノズル３の吐出口3aの上方に
は、成膜室４が設けられ、そこで霧化された原料溶液が
漂う。上記基板６は、その表面が上記成膜室４の天面を
形成するよう、成膜室４の上を順次連なりながら第６図
において、左から右へと保持されながら搬出される。こ
の成膜室４で天面を形成する位置にある基板６は、均熱
板７を介して背後のヒーター８によって所定の温度に加
熱される。
この装置には、基板入口19側からガラス板等の基板６を
導入し、成膜室４を経て基板出口20から導出されるよう
順次搬出される。この間、成膜室４では、成膜用ノズル
３の先端が基板６の主面に近接して設けられ、これから
成膜室４に放出された霧状の原料溶液が基板６の表面に
接触する。そうすると、基板６の表面で、溶液中の原料
が空気中の酸素、或いは原料溶液中の水分と反応し、上
記基板６の表面に酸化物の薄膜が形成される。
導入し、成膜室４を経て基板出口20から導出されるよう
順次搬出される。この間、成膜室４では、成膜用ノズル
３の先端が基板６の主面に近接して設けられ、これから
成膜室４に放出された霧状の原料溶液が基板６の表面に
接触する。そうすると、基板６の表面で、溶液中の原料
が空気中の酸素、或いは原料溶液中の水分と反応し、上
記基板６の表面に酸化物の薄膜が形成される。
［考案が解決しようとする課題］ 上記透明導電膜の成膜装置における成膜室４は、ノズル
３から霧の吐出口５に至るまで、基板６が搬送される方
向に或る程度の距離を有し、基板６がここを通過する過
程で成膜される。そこで、膜厚の比較的厚い透明導電膜
を形成するときは、上記成膜室４を長くとるか、或は基
板６の搬送速度を遅くして、基板６が成膜室４を通過す
る時間を長くするかの何れかが考えられる。
３から霧の吐出口５に至るまで、基板６が搬送される方
向に或る程度の距離を有し、基板６がここを通過する過
程で成膜される。そこで、膜厚の比較的厚い透明導電膜
を形成するときは、上記成膜室４を長くとるか、或は基
板６の搬送速度を遅くして、基板６が成膜室４を通過す
る時間を長くするかの何れかが考えられる。
しかし、前者のように、成膜室４を長くとった場合で
も、その長くとった分に比例して透明導電膜の膜厚を厚
くすることはできないのが実状である。これは、第７図
で示されたように、基板６の表面に形成される透明導電
膜は、殆どが成膜用ノズル３の吐出口3aが基板６に向け
られた位置の直後で形成され、それ以降では成膜速度が
極端に遅くなるためである。しかも、成膜室４を長くす
ると、成膜用ノズル３から吐出された霧が成膜室４の中
で長時間漂う結果、霧の粒子が相互に結合して成長し、
粗くなったり、霧の粒子がガス化して錫の酸化物となり
やすくなる。そして、これらの霧または空気中で生成し
た錫の酸化物が基板６の表面と接触して成膜されるた
め、透明導電膜中にピンホールや異常結晶等が生じ、透
明導電膜の膜質が悪くなるという欠点がある。
も、その長くとった分に比例して透明導電膜の膜厚を厚
くすることはできないのが実状である。これは、第７図
で示されたように、基板６の表面に形成される透明導電
膜は、殆どが成膜用ノズル３の吐出口3aが基板６に向け
られた位置の直後で形成され、それ以降では成膜速度が
極端に遅くなるためである。しかも、成膜室４を長くす
ると、成膜用ノズル３から吐出された霧が成膜室４の中
で長時間漂う結果、霧の粒子が相互に結合して成長し、
粗くなったり、霧の粒子がガス化して錫の酸化物となり
やすくなる。そして、これらの霧または空気中で生成し
た錫の酸化物が基板６の表面と接触して成膜されるた
め、透明導電膜中にピンホールや異常結晶等が生じ、透
明導電膜の膜質が悪くなるという欠点がある。
また、後者のように基板６の搬送速度を遅くすると、単
位時間に基板出口20から搬出される基板６の数が少なく
なり、生産性が低くなるという欠点がある。
位時間に基板出口20から搬出される基板６の数が少なく
なり、生産性が低くなるという欠点がある。
本考案の目的は、上記課題を解消することのできる霧化
薄膜形成装置を提供する事にある。
薄膜形成装置を提供する事にある。
［課題を解決するための手段］ すなわち、上記目的を達成するための本考案による手段
の要旨は、薄膜の原料溶液を霧化する霧化器１と、原料
溶液の霧の吐出口3aを上方に向けて開口させた成膜用ノ
ズル３と、同成膜用ノズル３の吐出口3aの上を通過する
よう一方向に搬送される基板６を天面とする成膜室４
と、成膜室４にある上記基板６を加熱する手段とからな
る霧化薄膜形成装置において、霧化器１に接続された成
膜用ノズル３又は成膜用ノズル３と排出口５の一対が上
記基板６の搬送方向に間隔をおいて複数配列されている
霧化薄膜形成装置である。
の要旨は、薄膜の原料溶液を霧化する霧化器１と、原料
溶液の霧の吐出口3aを上方に向けて開口させた成膜用ノ
ズル３と、同成膜用ノズル３の吐出口3aの上を通過する
よう一方向に搬送される基板６を天面とする成膜室４
と、成膜室４にある上記基板６を加熱する手段とからな
る霧化薄膜形成装置において、霧化器１に接続された成
膜用ノズル３又は成膜用ノズル３と排出口５の一対が上
記基板６の搬送方向に間隔をおいて複数配列されている
霧化薄膜形成装置である。
［作用］ 上記本考案による霧化薄膜形成装置では、霧化器１に接
続された成膜用ノズル３が上記基板６が搬送される方向
に距離を置いて複数配設されていることから、基板６が
これら複数の成膜室４に亙って搬送される過程で、成膜
用ノズル３の吐出口3aで効率的な成膜が行なわれる。こ
れによって、基板６の搬送速度を遅くすることなく、膜
厚の厚い透明導電膜が得られるようになる。また、成膜
用ノズル３から吐出されたばかりの新しい霧で成膜され
たことから、得られる透明導電膜の膜質もよくなる。
続された成膜用ノズル３が上記基板６が搬送される方向
に距離を置いて複数配設されていることから、基板６が
これら複数の成膜室４に亙って搬送される過程で、成膜
用ノズル３の吐出口3aで効率的な成膜が行なわれる。こ
れによって、基板６の搬送速度を遅くすることなく、膜
厚の厚い透明導電膜が得られるようになる。また、成膜
用ノズル３から吐出されたばかりの新しい霧で成膜され
たことから、得られる透明導電膜の膜質もよくなる。
［実施例］ 次に、第１図〜第５図を参照しながら、本考案の実施例
について具体的に説明する。
について具体的に説明する。
これら図面において、ガラス板等の基板６が両側を保持
された状態で図において左から右へと搬送される。基板
入口19から基板出口20に至る基板６の搬送経路には、第
２図で示すように、当該基板６を天面とし、両側及び底
面をフレーム11、12で囲まれたトンネル状の予備加熱室
13、成膜室４及び基板搬出室10が順次連続して形成され
ている。
された状態で図において左から右へと搬送される。基板
入口19から基板出口20に至る基板６の搬送経路には、第
２図で示すように、当該基板６を天面とし、両側及び底
面をフレーム11、12で囲まれたトンネル状の予備加熱室
13、成膜室４及び基板搬出室10が順次連続して形成され
ている。
薄膜形成用の原料溶液を霧化する霧化器１を備え、この
霧化器１の上方には上に向けて成膜用ノズル３が延長し
て設けられ、この成膜用ノズル３の上に上記成膜室４が
配置されている。上記霧化器１に於いて霧化された原料
溶液の霧は、上記ノズル３の吐出口3aから成膜室４の中
に放出される。成膜室４の基板搬出室10寄り側には、排
気路５が形成され、基板６の表面の薄膜の成膜に寄与し
なかった霧状の原料溶液がこの排気路５から排出され
る。
霧化器１の上方には上に向けて成膜用ノズル３が延長し
て設けられ、この成膜用ノズル３の上に上記成膜室４が
配置されている。上記霧化器１に於いて霧化された原料
溶液の霧は、上記ノズル３の吐出口3aから成膜室４の中
に放出される。成膜室４の基板搬出室10寄り側には、排
気路５が形成され、基板６の表面の薄膜の成膜に寄与し
なかった霧状の原料溶液がこの排気路５から排出され
る。
予備加熱室13、成膜室４及び基板搬出室10において、搬
送される基板６の上面側には熱伝導良好な均熱板７が設
けられ、さらにその背後にヒーター８が設けられてい
る。このヒーター８が発熱することにより、上記均熱板
７を介して基板６が加熱される。
送される基板６の上面側には熱伝導良好な均熱板７が設
けられ、さらにその背後にヒーター８が設けられてい
る。このヒーター８が発熱することにより、上記均熱板
７を介して基板６が加熱される。
第１図で示した実施例では、霧化＋器１、１が２つ配置
され、それらの成膜用ノズル３の吐出口3aが基板６の搬
送方向に間隔をおいて配置されている。成膜室４の霧排
出口５は、基板６の搬送方向に対して後方の霧化器１の
さらに先に１個所だけ設けてある。
され、それらの成膜用ノズル３の吐出口3aが基板６の搬
送方向に間隔をおいて配置されている。成膜室４の霧排
出口５は、基板６の搬送方向に対して後方の霧化器１の
さらに先に１個所だけ設けてある。
第３図で示した実施例では、やはり霧化器１、１が２つ
配置され、それらの成膜用ノズル３の吐出口3aが基板６
の搬送方向に間隔をおいて配置されているが、霧排出口
５、５が各々の成膜用ノズル３、３の後に１つずる設け
てある。これによって、成膜用ノズル３、３から吐出さ
れた原料溶液の霧が、成膜室４の中で長く漂わず、各々
の霧排出口５、５から早めに排出される。
配置され、それらの成膜用ノズル３の吐出口3aが基板６
の搬送方向に間隔をおいて配置されているが、霧排出口
５、５が各々の成膜用ノズル３、３の後に１つずる設け
てある。これによって、成膜用ノズル３、３から吐出さ
れた原料溶液の霧が、成膜室４の中で長く漂わず、各々
の霧排出口５、５から早めに排出される。
第４図で示した実施例では、やはり霧化器１、１が２つ
配置され、それらの成膜用ノズル３の吐出口3aが基板６
の搬送方向に間隔をおいて配置されているが、霧排出口
５が後方の成膜用ノズル3aの先に１つ設けてあるほか、
前方の成膜用ノズル３の手前にも霧排出口９が設けられ
ている。これによって、成膜用ノズル３、３から吐出さ
れた原料溶液の霧は、成膜室４の両側にある霧排出口５
と９から排出される。
配置され、それらの成膜用ノズル３の吐出口3aが基板６
の搬送方向に間隔をおいて配置されているが、霧排出口
５が後方の成膜用ノズル3aの先に１つ設けてあるほか、
前方の成膜用ノズル３の手前にも霧排出口９が設けられ
ている。これによって、成膜用ノズル３、３から吐出さ
れた原料溶液の霧は、成膜室４の両側にある霧排出口５
と９から排出される。
さらに、第５図で示した実施例では、やはり霧化器１、
１が２つ配置され、それらの成膜用ノズル３の吐出口3a
が基板６の搬送方向に間隔をおいて配置されているが、
各々の成膜用ノズル３、３の両側に霧排出口５、５と
９、９とが設けられている。これによって、成膜用ノズ
ル３、３から吐出された原料溶液の霧は、成膜用ノズル
３、３の両側にある霧排出口５、５と９、９から排出さ
れる。
１が２つ配置され、それらの成膜用ノズル３の吐出口3a
が基板６の搬送方向に間隔をおいて配置されているが、
各々の成膜用ノズル３、３の両側に霧排出口５、５と
９、９とが設けられている。これによって、成膜用ノズ
ル３、３から吐出された原料溶液の霧は、成膜用ノズル
３、３の両側にある霧排出口５、５と９、９から排出さ
れる。
次に、上記第１図〜第５図に示した装置により、ガラス
基板６上に透明導電膜として酸化錫膜を形成し、その薄
膜、シート抵抗及び低効率を100個について各々測定
し、それらの平均値を各々表１のEX.1〜EX.4の欄に示し
た。なお、原料溶液は、15％のSnCl4と200モル％のNH4F
と５％のアルコールとの混合溶液を用い、これを毎時１
の割合で霧化し、毎分100lの空気と共に２つの成膜用
ノズル３、３から各々の成膜室４、４に放出した。ま
た、基板６は、２つの成膜室４、４を各々３分で通過す
るよう搬送した。
基板６上に透明導電膜として酸化錫膜を形成し、その薄
膜、シート抵抗及び低効率を100個について各々測定
し、それらの平均値を各々表１のEX.1〜EX.4の欄に示し
た。なお、原料溶液は、15％のSnCl4と200モル％のNH4F
と５％のアルコールとの混合溶液を用い、これを毎時１
の割合で霧化し、毎分100lの空気と共に２つの成膜用
ノズル３、３から各々の成膜室４、４に放出した。ま
た、基板６は、２つの成膜室４、４を各々３分で通過す
るよう搬送した。
この結果から、各成膜室４毎に霧排出口５、９を適当配
置して、成膜室４の中の霧の長時間の停滞を避けること
により、出来るだけ成膜用ノズル３から吐出された直後
の新しい霧で成膜するのが特性の良好な透明導電膜を得
るうえで望ましいことが理解できる。
置して、成膜室４の中の霧の長時間の停滞を避けること
により、出来るだけ成膜用ノズル３から吐出された直後
の新しい霧で成膜するのが特性の良好な透明導電膜を得
るうえで望ましいことが理解できる。
なお、以上の各実施例では、複数の成膜用ノズル３に各
々霧化器１を備えて成膜装置が構成されているが、１つ
の霧化器１から複数の成膜用ノズル３、３に霧を送るよ
うにしてもよい。さらに、成膜用ノズル3aは、必要に応
じて３つ以上配置することもできる。
々霧化器１を備えて成膜装置が構成されているが、１つ
の霧化器１から複数の成膜用ノズル３、３に霧を送るよ
うにしてもよい。さらに、成膜用ノズル3aは、必要に応
じて３つ以上配置することもできる。
［考案の効果］ 以上説明した通り、本考案の装置によれば、生産性を落
とすことなく、比較的膜厚が厚く、特性の優れた透明導
電膜を成膜出来るという優れた効果が得られる。
とすことなく、比較的膜厚が厚く、特性の優れた透明導
電膜を成膜出来るという優れた効果が得られる。
第１図は、本考案の実施例を示す霧化薄膜形成装置の概
略縦断側面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図、第
３図〜第５図は、他の実施例を示す霧化薄膜形成装置の
概略縦断側面図、第６図は、従来例を示す霧化薄膜形成
装置の概略縦断側面図、第７図は、第６図で示した装置
における基板の成膜室での位置と成膜速度との関係の概
略を示すグラフである。 １……霧化器、３……成膜用ノズル、3a……成膜用ノズ
ルの吐出口、４……成膜室、７……均熱板、８……ヒー
タ
略縦断側面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図、第
３図〜第５図は、他の実施例を示す霧化薄膜形成装置の
概略縦断側面図、第６図は、従来例を示す霧化薄膜形成
装置の概略縦断側面図、第７図は、第６図で示した装置
における基板の成膜室での位置と成膜速度との関係の概
略を示すグラフである。 １……霧化器、３……成膜用ノズル、3a……成膜用ノズ
ルの吐出口、４……成膜室、７……均熱板、８……ヒー
タ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 柴 信康 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)考案者 飯田 英世 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−69961（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】薄膜の原料溶液を霧化する霧化器１と、原
料溶液の霧の吐出口3aを上方に向けて開口させた成膜用
ノズル３と、同成膜用ノズル３の吐出口3aの上を通過す
るよう一方向に搬送される基板６を天面とする成膜室４
と、成膜室４にある上記基板６を加熱する手段とからな
る霧化薄膜形成装置において、霧化器１に接続された成
膜用ノズル３又は成膜用ノズル３と排出口５の一対が上
記基板６の搬送方向に間隔をおいて複数配列されている
ことを特徴とする霧化薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989078159U JPH0745846Y2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 霧化薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989078159U JPH0745846Y2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 霧化薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316612U JPH0316612U (ja) | 1991-02-19 |
| JPH0745846Y2 true JPH0745846Y2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=31621182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989078159U Expired - Lifetime JPH0745846Y2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 霧化薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745846Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100405530C (zh) | 1996-05-15 | 2008-07-23 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜器件的制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6169961A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 霧化薄膜作製装置用ノズル |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1989078159U patent/JPH0745846Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0316612U (ja) | 1991-02-19 |
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