CN110482839A - 减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法 - Google Patents

减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110482839A
CN110482839A CN201910739650.0A CN201910739650A CN110482839A CN 110482839 A CN110482839 A CN 110482839A CN 201910739650 A CN201910739650 A CN 201910739650A CN 110482839 A CN110482839 A CN 110482839A
Authority
CN
China
Prior art keywords
material path
precious metal
glass material
metal glass
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910739650.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110482839B (zh
Inventor
李青
李赫然
田红星
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongxu Optoelectronic Technology Co Ltd
Tunghsu Group Co Ltd
Tunghsu Technology Group Co Ltd
Original Assignee
Dongxu (jinzhou) Precision Photoelectric Technology Co Ltd
Tunghsu Group Co Ltd
Tunghsu Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongxu (jinzhou) Precision Photoelectric Technology Co Ltd, Tunghsu Group Co Ltd, Tunghsu Technology Group Co Ltd filed Critical Dongxu (jinzhou) Precision Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN201910739650.0A priority Critical patent/CN110482839B/zh
Publication of CN110482839A publication Critical patent/CN110482839A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110482839B publication Critical patent/CN110482839B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B7/00Distributors for the molten glass; Means for taking-off charges of molten glass; Producing the gob, e.g. controlling the gob shape, weight or delivery tact
    • C03B7/02Forehearths, i.e. feeder channels
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

本发明涉及玻璃制备领域,公开了一种减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法。以该方法包括对接入成型工序的贵金属玻璃料道进行预处理,其中,所述预处理包括以下步骤:S1、贵金属玻璃料道升温阶段,由输送口通入惰性气体;S2、升温完成后通入玻璃液;S3、对贵金属玻璃料道的供料段进行降温后卸料;其中,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为10‑20L/h。采用本发明的方法能够从源头上减少贵金属玻璃料道贵金属的挥发量,即使产生了挥发情况,也能够将其带出到生产系统,从而来减少玻璃结石的发生,提高基板玻璃的品质和良率。

Description

减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法
技术领域
本发明涉及玻璃制备领域,具体涉及一种减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法。
背景技术
在TFT、LTPS基板玻璃和光学玻璃的制造过程中,配合料首先在窑炉中进行熔化,完成熔化的玻璃液流入到贵金属玻璃料道工序进行调整后进入成型工序形成基板玻璃。玻璃液在贵金属玻璃料道中的状态,决定着玻璃产品的品质。
在基板玻璃和光学玻璃的制作过程中,为了提高玻璃品质,通道工序接触玻璃液的材质为铂金或铂合金等贵金属,因此被称为贵金属玻璃料道,由于铂金或铂合金具有良好的耐侵蚀和耐高温特性,因而得到广泛的应用。
玻璃液在贵金属玻璃料道中大致经过三个功能段进行调整,分别为澄清段进行玻璃液澄清,搅拌段进行玻璃液均质,供料段向成型工序稳定供应玻璃液。建设完成后的贵金属玻璃料道需要升温至1350±50℃左右,而该升温阶段需要耗时一周以上。当贵金属玻璃料道的贵金属成分在温度高于600℃时,由于氧气的存在,会产生氧化挥发和凝结现象,并且由于挥发物会凝结在贵金属玻璃料道三个功能段的内壁上,当玻璃液从窑炉流入贵金属玻璃料道后,就会将这些挥发物带入成型工序,导致大部分挥发物滞留在成型工序,造成基板玻璃产品出现大量的结石缺陷,严重影响产品的品质和良率,并且由于贵金属玻璃料道内表面被氧气氧化后,不再光滑,增大玻璃液对贵金属玻璃料道内壁的侵蚀面积,进一步加速贵金属玻璃料道的老化从而影响其使用期限。产生的大量结石严重影响玻璃液的品质,因此在生产阶段需要耗费大量时间和成本来去除这些贵金属挥发形成的结石。
在传统的基板玻璃和光学玻璃的制程中,为了减少由贵金属玻璃料道升温阶段产生的挥发物对玻璃品质产生的影响,常规的操作方式为:当玻璃液进入贵金属玻璃料道后,在搅拌段的底部进行卸料,将挥发物带出,经过一段时间卸料后堵上搅拌段底部的输送口,再将玻璃液输送到成型工序进行基板玻璃的成型。但是这种方法存在较大的问题:首先,在搅拌段底部进行卸料的过程中,澄清段和搅拌段的大部分贵金属玻璃料道的内壁得不到清理,只有小部分被玻璃液覆盖位置的挥发物才会被带出生产系统,而且供料段的贵金属玻璃料道内壁在卸料期间得不到清理,这些没有被玻璃液清理的贵金属挥发物就会流入成型工序并产生滞留,导致长时间无法产出良品,需要经过一到两个月的时间才能解决此问题,因此传统方法无法彻底解决贵金属玻璃料道在升温阶段产生的挥发物形成结石的问题。
因而,需要一种减少贵金属玻璃料道贵金属的挥发量并将产生的挥发物带出生产系统的方法。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术存在的上述问题,本发明提供了一种减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法,该方法包括对接入成型工序的贵金属玻璃料道进行预处理,其中,所述预处理包括以下步骤:
S1、贵金属玻璃料道升温阶段,由输送口通入惰性气体;
S2、升温完成后通入玻璃液;
S3、对贵金属玻璃料道的供料段进行降温后卸料;
其中,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为3-17L/h。
优选地,S1中由所述输送口通入的惰性气体的升温速率与贵金属玻璃料道的升温速率相同。
优选地,S3中所述降温阶段停止通入惰性气体。
优选地,S1中所述贵金属玻璃料道由室温升至200℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为3-5℃/h,所述惰性气体的升温速率为3-5℃/h。
优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为3.5-10L/h。
优选地,S1中所述贵金属玻璃料道由200℃升至900℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为5-7℃/h,所述惰性气体的升温速率为5-7℃/h。
优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为7-12L/h。
优选地,S1中所述贵金属玻璃料道由900℃升至1350℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为8-15℃/h,所述惰性气体的升温速率为8-15℃/h。
优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为8-11.5L/h。
优选地,S1中所述贵金属玻璃料道由1350℃升至1560℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为8-15℃/h,所述惰性气体的升温速率为8-15℃/h。
优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为12-17L/h。
优选地,S3中所述降温条件包括:降温速率为0.5-1.5℃/h,降温时间为20-50h。
优选地,S3中所述降温使得玻璃液的温度为1210-1240℃。
优选地,S3中所述降温条件使得玻璃液的液位高于正常生产时的玻璃液的液位。
优选地,S3中所述降温条件使得玻璃液的液位提升至接近澄清段、搅拌段和供料段的顶部位置。
优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述S3中的卸料量为100-300kg/h,更优选为200-300kg/h。
优选地,所述预处理还包括在S2通入玻璃液后通过贵金属玻璃料道的搅拌段进行卸料的步骤。
优选地,所述预处理还包括在S2通入玻璃液后通过贵金属玻璃料道的供料段进行卸料的步骤。
通过上述技术方案,能够从源头上减少贵金属玻璃料道贵金属的挥发量,即使产生了挥发情况,也能够将其带出到生产系统,从而来减少玻璃结石的发生,提高基板玻璃的品质和良率。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
图1为现有技术中常用的贵金属玻璃料道的结构示意图。
附图标记说明
1、澄清段 2、搅拌段
3、供料段 4、第一输送口
5、第二输送口 6、第三输送口
7、第四输送口 8、第五输送口
具体实施方式
在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值,这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说,各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间,以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围,这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
本发明提供了一种减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法,该方法包括对接入成型工序的贵金属玻璃料道进行预处理,其中,所述预处理包括以下步骤:
S1、贵金属玻璃料道升温阶段,由输送口通入惰性气体;
S2、升温完成后通入玻璃液;
S3、对贵金属玻璃料道的供料段进行降温后卸料;
其中,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为3-17L/h。
根据本发明,通过对接入成型工序的贵金属玻璃料道进行预处理,在贵金属玻璃料道升温阶段通入惰性气体,从源头上减少贵金属玻璃料道贵金属在贵金属玻璃料道升温期间的挥发及氧化的发生,通入玻璃液后对供料段降温提升贵金属玻璃料道内的玻璃液位,最后通过卸料带走整个贵金属玻璃料道及内壁上的挥发物,减少玻璃结石的发生,提高基板玻璃的品质和良率。
在本发明中,为了减少升温引起的铂晶通道挥发,延长贵金属玻璃料道的使用寿命,优选地,S1中由所述输送口通入的惰性气体的升温速率与贵金属玻璃料道的升温速率相同。通过保证通入的惰性气体与贵金属玻璃料道的升温速率相同,尽可能减少由于通入的惰性气体从贵金属玻璃料道吸热,从而降低贵金属玻璃料道加热而产生的挥发。
根据本发明,对于上述惰性气体没有特别的限定,能够阻断贵金属玻璃料道与氧气的接触即可,出于对原料的成本及易得性方面的考虑,优选通入氮气或氩气。
在本发明中,为了进一步节约成本,优选地,S3中所述降温阶段停止通入惰性气体。降温阶段使得贵金属玻璃料道内的玻璃液位提升,通过卸料带走贵金属玻璃料道及内壁上的挥发物,停止通入惰性气体能够减少惰性气体的消耗量,进一步节约成本。
根据本发明,为了进一步减少升温引起的铂晶通道挥发,延长贵金属玻璃料道的使用寿命,优选地,S1中所述贵金属玻璃料道由室温升至200℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为3-5℃/h,所述惰性气体的升温速率为3-5℃/h;更优选地,S1中所述贵金属玻璃料道由室温升至200℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为4-5℃/h,所述惰性气体的升温速率为4-5℃/h。通过保证通入的惰性气体与贵金属玻璃料道的升温速率相同,尽可能减少由于通入的惰性气体从贵金属玻璃料道吸热,从而降低贵金属玻璃料道加热而产生的挥发。
对于上述升温阶段,优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为3.5-10L/h;更优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为5-8.5L/h,作为所述惰性气体的输送量的具体例子例如可以为3.5L/h、4L/h、4.5L/h、5L/h、5.5L/h、6L/h、6.5L/h、7L/h、7.5L/h、8L/h、8.5L/h、9L/h、9.5L/h或10L/h等。
在本发明中,为了进一步减少升温引起的铂晶通道挥发,延长贵金属玻璃料道的使用寿命,优选地,S1中所述贵金属玻璃料道由200℃升至900℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为5-7℃/h,所述惰性气体的升温速率为5-7℃/h;更优选地,S1中所述贵金属玻璃料道由200℃升至900℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为6-7℃/h,所述惰性气体的升温速率为6-7℃/h。通过保证通入的惰性气体与贵金属玻璃料道的升温速率相同,尽可能减少由于通入的惰性气体从贵金属玻璃料道吸热,从而降低贵金属玻璃料道加热而产生的挥发。
对于上述升温阶段,优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为7-12L/h;更优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为8-10.5L/h,作为所述惰性气体的输送量的具体例子例如可以为7L/h、7.5L/h、8L/h、8.5L/h、9L/h、9.5L/h、10L/h、10.5L/h、11L/h或12L/h等。
根据本发明,为了进一步减少升温引起的铂晶通道挥发,延长贵金属玻璃料道的使用寿命,优选地,S1中所述贵金属玻璃料道由900℃升至1350℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为8-15℃/h,所述惰性气体的升温速率为8-15℃/h;更优选地,S1中所述贵金属玻璃料道由900℃升至1350℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为10-12℃/h,所述惰性气体的升温速率为10-12℃/h。通过保证通入的惰性气体与贵金属玻璃料道的升温速率相同,尽可能减少由于通入的惰性气体从贵金属玻璃料道吸热,从而降低贵金属玻璃料道加热而产生的挥发。
对于上述升温阶段,优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为8-11.5L/h;更优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为8.5-11L/h,作为所述惰性气体的输送量的具体例子例如可以为8L/h、8.5L/h、9L/h、9.5L/h、10L/h、10.5L/h、11L/h或11.5L/h等。
在本发明中,为了进一步减少升温引起的铂晶通道挥发,延长贵金属玻璃料道的使用寿命,优选地,S1中所述贵金属玻璃料道由1350℃升至1560℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为8-15℃/h,所述惰性气体的升温速率为8-15℃/h;更优选地,S1中所述贵金属玻璃料道由1350℃升至1560℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为10-12℃/h,所述惰性气体的升温速率为10-12℃/h。
对于上述升温阶段,优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为12-17L/h;更优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为12.5-15L/h,作为所述惰性气体的输送量的具体例子例如可以为12L/h、12.5L/h、13L/h、13.5L/h、14L/h、14.5L/h、15L/h、16L/h或17L/h等。
根据本发明,为了促进贵金属玻璃料道内玻璃液位的提升,优选地,S3中所述降温条件包括:降温速率为0.5-1.5℃/h,降温时间为20-50h;更优选地,S3中所述降温条件包括:降温速率为0.7-1.2℃/h,降温时间为25-40h。
在本发明中,优选地,S3中所述降温使得玻璃液的温度为1210-1240℃。
根据本发明,为了进一步带走贵金属玻璃料道内的挥发物,优选地,S3中所述降温条件使得玻璃液的液位高于正常生产时的玻璃液的液位。通过将玻璃液位提升至高于正常生产时的玻璃液的液位,玻璃液与贵金属玻璃料道及内壁接触,通过卸料将挥发物带出生产系统,从而进一步减少成型工序中挥发物的进入量,进而减少对基板玻璃良率及品质的影响。
在本发明中,为了进一步带走贵金属玻璃料道内壁上的挥发物,优选地,S3中所述降温条件使得玻璃液的液位提升至接近澄清段、搅拌段和供料段的顶部位置。通过将玻璃液位提升至接近澄清段、搅拌段和供料段的顶部位置,使得玻璃液能够对整个贵金属玻璃料道内壁进行冲刷,进一步去除通道内壁上的挥发物。
根据本发明,为了进一步带走贵金属玻璃料道内壁上的挥发物,优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述S3中的卸料量为100-300kg/h,更优选为200-300kg/h。当对供料段的底部进行降温后,采用100-300kg/h的卸料量能够保证玻璃液在贵金属玻璃料道内形成稳定的流动状态,从而将挥发物带出生产系统。
在本发明中,为了进一步带走贵金属玻璃料道内的挥发物,优选地,所述预处理还包括在S2通入玻璃液后通过贵金属玻璃料道的搅拌段进行卸料的步骤。通过在搅拌段进行卸料,能够进一步带走加热过程中产生的挥发物,进而清除澄清段和搅拌段内的挥发物。
根据本发明,为了进一步带走贵金属玻璃料道内的挥发物,优选地,所述预处理还包括在S2通入玻璃液后通过贵金属玻璃料道的供料段进行卸料的步骤。通过在供料段进行卸料,能够进一步带走加热过程中产生的挥发物,进而清除整个贵金属玻璃料道各段内的挥发物。
下面结合图1进一步详细说明本发明提供的减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法。图1为现有技术中常规的贵金属玻璃料道结构示意图,如图1所示,贵金属玻璃料道按功能划分为澄清段1、搅拌段2和供料段3,玻璃液进入贵金属玻璃料道,在澄清段1内进行玻璃液澄清,在搅拌段2内进行玻璃液均质后经供料段3向成型工序稳定地供应玻璃液。其中现有工序中的第一输送口4用于澄清段1排气,第二输送口5用于架设搅拌装置,第三输送口6用于搅拌段2卸料,第四输送口7为供料段提供压力,第五输送口8用于向成型工序供料,实际生产过程中也可以根据实际需求增设其他输送口。
本发明提供的减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法包括:
贵金属玻璃料道从室温升至1350℃时,由第一输送口4、第二输送口5、第三输送口6、第四输送口7、第五输送口8通入惰性气体;
贵金属玻璃料道升温达到1350℃后,将澄清段1、搅拌段2和供料段3连接在一起,贵金属玻璃料道继续升温达到1560℃左右达到可以流入玻璃液的温度,由第一输送口4、第二输送口5、第三输送口6、第四输送口7、第五输送口8继续通入惰性气体,升温完成后通入玻璃液;
玻璃液流入贵金属玻璃料道后,从搅拌段2的底部流出,撤掉第三输送口6的惰性气体供应,其他输送口继续通入惰性气体,完成搅拌段2卸料后,玻璃液进入供料段3,从供料段3的底部流出,撤掉第五输送口8的惰性气体供应,其他输送口继续通入惰性气体;
玻璃液完成供料段3卸料后,降低供料段3底部的温度,将玻璃液的液位提升到接近澄清段1、搅拌段2和供料段3的顶部位置,从供料段3的底部将贵金属玻璃料道内部的玻璃液放空,即完成了贵金属玻璃料道预处理工序。将成型工序连接到贵金属玻璃料道工序,堵住搅拌段2的底部,撤掉4、5、7三个输送口的惰性气体供应,玻璃液输送到成型工序进行基板玻璃的成型制程。
实施例1
本发明提供的减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法包括:
第一步,贵金属玻璃料道从室温升至200℃,贵金属玻璃料道的升温速率为4℃/h,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,由第一输送口4、第二输送口5、第三输送口6、第四输送口7、第五输送口8通入的惰性气体(具体为氮气)输送量为6.5L/h,氮气的温度与贵金属玻璃料道的升温速率相同(即按照相同的升温速率从室温升高到200℃);
第二步,贵金属玻璃料道从200升高到900℃,贵金属玻璃料道的升温速率为6℃/h,第一输送口4、第二输送口5、第三输送口6、第四输送口7、第五输送口8的氮气输送量为10L/h,氮气的温度与贵金属玻璃料道的升温速率相同;
第三步,贵金属玻璃料道从900升高到1350℃,贵金属玻璃料道的升温速率为10℃/h,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,第一输送口4、第二输送口5、第三输送口6、第四输送口7、第五输送口8的氮气输送量为10L/h,氮气的温度与贵金属玻璃料道的升温速率相同;
第四步,贵金属玻璃料道升温达到1350℃后,将澄清段1、搅拌段2和供料段3连接在一起,贵金属玻璃料道继续升温至1560℃,贵金属玻璃料道的升温速率为10℃/h,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,第一输送口4、第二输送口5、第三输送口6、第四输送口7、第五输送口8的氮气输送量量为13.5L/h,氮气的温度稳定的保持在1400℃到1500℃之间即可;升温完成后等待玻璃液流入贵金属玻璃料道;
第五步,玻璃液流入贵金属玻璃料道后,从搅拌段2的底部流出,此时撤掉第三输送口6的氮气供应,其他输送口继续通入氮气。完成搅拌段2卸料后,玻璃液进入供料段3,从供料段3的底部流出,此时撤掉第五输送口8的氮气供应,其他输送口继续通入氮气;
第六步,玻璃液完成供料段3卸料后,降低供料段3底部的温度,降温速率为0.8℃/h,将至1210℃,将玻璃液的液位提升到澄接近清段1、搅拌段2和供料段3的顶部位置,此位置要高于正常生产时候的玻璃液的液位;
第七步,从供料段3的底部进行卸料,将贵金属玻璃料道内部的玻璃液放空,卸料速度为250kg/h,玻璃液在贵金属玻璃料道中会形成一个稳定的流动状态,挥发物会源源不断的被带出到生产系统之外。
然后将成型工序连接到贵金属玻璃料道工序,堵住搅拌段2的底部,撤掉4、5、7三个输送口的氮气供应,玻璃液输送到成型工序进行基板玻璃的成型制程。
在本发明中,由于搅拌段2和供料段3的卸料量和卸料时间可控,并且可以通过检测来判定玻璃液中的贵金属挥发物结石的含量,因此能够控制从贵金属玻璃料道输送入成型工序的玻璃液的品质,保证了玻璃液和基板玻璃的品质,减少了玻璃结石的产生,降低了生产成本。由于把玻璃液在贵金属玻璃料道内的液位升高到了正常生产状况下的液位以上并进行了清理,避免了贵金属玻璃料道内壁较高位置的挥发物由于液位波动进入玻璃液形成结石的风险。
由于升温过程中,向贵金属玻璃料道内部通入氮气,减少了贵金属玻璃料道与氧气的接触,对贵金属形成保护,从而抑制贵金属玻璃料道贵金属的氧化挥发,从源头上减少了由于贵金属挥发物形成结石的数量。
通过上述方法完成对贵金属玻璃料道内壁挥发物的清理,减少了由于升温期间挥发物对基板玻璃造成的损失,同时避免了挥发物滞留在成型工序而造成长时间产品不良的问题,提高了基板玻璃的生产效率。
以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,包括各个技术特征以任何其它的合适方式进行组合,这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容,均属于本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法,该方法包括对接入成型工序的贵金属玻璃料道进行预处理,其特征在于,所述预处理包括以下步骤:
S1、贵金属玻璃料道升温阶段,由输送口通入惰性气体;
S2、升温完成后通入玻璃液;
S3、对贵金属玻璃料道的供料段进行降温后卸料;
其中,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为3-17L/h。
2.根据权利要求1所述的减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法,其特征在于,S1中由所述输送口通入的惰性气体的升温速率与贵金属玻璃料道的升温速率相同。
3.根据权利要求1所述的减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法,其特征在于,S3中所述降温阶段停止通入惰性气体。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法,其特征在于,S1中所述贵金属玻璃料道由室温升至200℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为3-5℃/h,所述惰性气体的升温速率为3-5℃/h;
优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为3.5-10L/h。
5.根据权利要求1-3中任意一项所述的减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法,其特征在于,S1中所述贵金属玻璃料道由200℃升至900℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为5-7℃/h,所述惰性气体的升温速率为5-7℃/h;
优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为7-12L/h。
6.根据权利要求1-3中任意一项所述的减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法,其特征在于,S1中所述贵金属玻璃料道由900℃升至1350℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为8-15℃/h,所述惰性气体的升温速率为8-15℃/h;
优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为8-11.5L/h。
7.根据权利要求1-3中任意一项所述的减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法,其特征在于,S1中所述贵金属玻璃料道由1350℃升至1560℃时,所述贵金属玻璃料道的升温速率为8-15℃/h,所述惰性气体的升温速率为8-15℃/h;
优选地,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述惰性气体的输送量为12-17L/h。
8.根据权利要求1-3中任意一项所述的减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法,其特征在于,S3中所述降温条件包括:降温速率为0.5-1.5℃/h,降温时间为20-50h。
9.根据权利要求8所述的减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法,其特征在于,S3中所述降温使得玻璃液的温度为1210-1240℃。
10.根据权利要求9所述的减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法,其特征在于,S3中所述降温条件使得玻璃液的液位高于正常生产时的玻璃液的液位;
优选地,S3中所述降温条件使得玻璃液的液位提升至接近澄清段、搅拌段和供料段的顶部位置。
11.根据权利要求1-3中任意一项所述的减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法,其特征在于,相对于1个立方体积的贵金属玻璃料道,所述S3中的卸料量为100-300kg/h,优选为200-300kg/h。
12.根据权利要求1-3中任意一项所述的减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法,其特征在于,所述预处理还包括在S2通入玻璃液后通过贵金属玻璃料道的搅拌段进行卸料的步骤;
优选地,所述预处理还包括在S2通入玻璃液后通过贵金属玻璃料道的供料段进行卸料的步骤。
CN201910739650.0A 2019-08-12 2019-08-12 减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法 Active CN110482839B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910739650.0A CN110482839B (zh) 2019-08-12 2019-08-12 减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910739650.0A CN110482839B (zh) 2019-08-12 2019-08-12 减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110482839A true CN110482839A (zh) 2019-11-22
CN110482839B CN110482839B (zh) 2021-12-21

Family

ID=68549735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910739650.0A Active CN110482839B (zh) 2019-08-12 2019-08-12 减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110482839B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113045181A (zh) * 2021-03-31 2021-06-29 彩虹集团(邵阳)特种玻璃有限公司 一种盖板及基板玻璃制造中铂金通道的冲洗方法
CN113754247A (zh) * 2021-09-24 2021-12-07 芜湖东旭光电科技有限公司 利用铂金通道生产玻璃基板的方法
CN115124219A (zh) * 2022-07-19 2022-09-30 河北光兴半导体技术有限公司 一种消除玻璃缺陷的方法
CN115490412A (zh) * 2022-08-16 2022-12-20 河北光兴半导体技术有限公司 一种消除玻璃结石的方法
CN115974367A (zh) * 2022-12-20 2023-04-18 甘肃旭盛显示科技有限公司 玻璃生产方法及玻璃生产装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1198725A (zh) * 1996-08-03 1998-11-11 皮尔金顿公共有限公司 浮法玻璃生产设备及生产方法
CN1903755A (zh) * 2006-08-10 2007-01-31 河南安彩高科股份有限公司 用于减少玻璃中所含杂质的玻璃制造设备和方法
CN101328008A (zh) * 2008-08-05 2008-12-24 河南安飞电子玻璃有限公司 贵金属通道及提高该通道使用寿命的方法
CN102173560A (zh) * 2006-01-05 2011-09-07 日本电气硝子株式会社 熔融玻璃供给装置及玻璃成形品的制造方法
CN106746497A (zh) * 2016-12-15 2017-05-31 东旭科技集团有限公司 铂金通道搅拌桶和铂金通道搅拌桶装置
JP2017226551A (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 日本電気硝子株式会社 ガラス原料溶融装置及び溶融ガラスの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1198725A (zh) * 1996-08-03 1998-11-11 皮尔金顿公共有限公司 浮法玻璃生产设备及生产方法
CN102173560A (zh) * 2006-01-05 2011-09-07 日本电气硝子株式会社 熔融玻璃供给装置及玻璃成形品的制造方法
CN1903755A (zh) * 2006-08-10 2007-01-31 河南安彩高科股份有限公司 用于减少玻璃中所含杂质的玻璃制造设备和方法
CN101328008A (zh) * 2008-08-05 2008-12-24 河南安飞电子玻璃有限公司 贵金属通道及提高该通道使用寿命的方法
JP2017226551A (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 日本電気硝子株式会社 ガラス原料溶融装置及び溶融ガラスの製造方法
CN106746497A (zh) * 2016-12-15 2017-05-31 东旭科技集团有限公司 铂金通道搅拌桶和铂金通道搅拌桶装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113045181A (zh) * 2021-03-31 2021-06-29 彩虹集团(邵阳)特种玻璃有限公司 一种盖板及基板玻璃制造中铂金通道的冲洗方法
CN113754247A (zh) * 2021-09-24 2021-12-07 芜湖东旭光电科技有限公司 利用铂金通道生产玻璃基板的方法
CN113754247B (zh) * 2021-09-24 2023-01-06 芜湖东旭光电科技有限公司 利用铂金通道生产玻璃基板的方法
CN115124219A (zh) * 2022-07-19 2022-09-30 河北光兴半导体技术有限公司 一种消除玻璃缺陷的方法
CN115124219B (zh) * 2022-07-19 2023-10-20 河北光兴半导体技术有限公司 一种消除玻璃缺陷的方法
CN115490412A (zh) * 2022-08-16 2022-12-20 河北光兴半导体技术有限公司 一种消除玻璃结石的方法
CN115490412B (zh) * 2022-08-16 2023-12-12 河北光兴半导体技术有限公司 一种消除玻璃结石的方法
CN115974367A (zh) * 2022-12-20 2023-04-18 甘肃旭盛显示科技有限公司 玻璃生产方法及玻璃生产装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110482839B (zh) 2021-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110482839A (zh) 减少贵金属玻璃料道内玻璃结石的方法
TWI555709B (zh) 形成玻璃片的設備與方法
JP5424833B2 (ja) アイソパイプ材料のガス抜き
CN112830661B (zh) 一种大长宽比高电负荷型混熔窑炉及熔化工艺
CN109721222B (zh) 玻璃窑炉及玻璃窑炉的控制方法
KR102073663B1 (ko) 반도체 기판의 세정 방법 및 세정 시스템
CN206828356U (zh) 一种铂金通道
JP7336022B2 (ja) 大流量貴金属通路
EP2862946A1 (en) Method of continuous annealing of steel strip, device for continuous annealing of steel strip, method of manufacturing hot-dip galvanized steel strip, and device for manufacturing hot-dip galvanized steel strip
KR20150006826A (ko) 물리적 버블러를 사용한 유리 청징 방법
JP2001080922A (ja) 溶融ガラスの供給方法および供給装置
JP2017065933A (ja) 溶融ガラスの素地替え方法及び連続ガラス溶融炉
CN212334989U (zh) 一种盖板玻璃窑炉
JP7084948B2 (ja) ガラス製造システムの再調整方法
CN204237854U (zh) 一种镀锡铜线的除锡渣装置
JP7063153B2 (ja) ガラス物品の製造方法
TW201940438A (zh) 玻璃產品製造設備
CN115124219A (zh) 一种消除玻璃缺陷的方法
KR102612688B1 (ko) 유리 물품의 제조 방법
CN207501654U (zh) 一种热处理炉
CN109206018A (zh) 一种镀膜光伏玻璃的生产工艺
JPH07100864B2 (ja) 霧化薄膜形成装置
CN203807328U (zh) 熔融玻璃传送用流出料道
JP6435827B2 (ja) 溶融ガラスの温調方法
CN109574466A (zh) 用于电子产品的曲面玻璃的生产设备及生产方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20221221

Address after: 050035 No. 9, the Yellow River Avenue, hi tech Zone, Hebei, Shijiazhuang

Patentee after: DONGXU OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Patentee after: TUNGHSU TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Patentee after: TUNGHSU GROUP Co.,Ltd.

Address before: 121000 Room 204, annex building 1, section 3, Yangshan Road, longqiwan new energy industrial area, Binhai New Area, Jinzhou City, Liaoning Province

Patentee before: Dongxu (Jinzhou) Precision Photoelectric Technology Co.,Ltd.

Patentee before: TUNGHSU TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Patentee before: TUNGHSU GROUP Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right